JPH0435810B2 - - Google Patents
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- JPH0435810B2 JPH0435810B2 JP56062055A JP6205581A JPH0435810B2 JP H0435810 B2 JPH0435810 B2 JP H0435810B2 JP 56062055 A JP56062055 A JP 56062055A JP 6205581 A JP6205581 A JP 6205581A JP H0435810 B2 JPH0435810 B2 JP H0435810B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- support
- curved surface
- evaporation source
- guide means
- recording medium
- Prior art date
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/562—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/851—Coating a support with a magnetic layer by sputtering
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、真空雰囲気内で非磁性支持体上に磁
性膜等の薄膜を蒸着して成る、所謂、非塗布型の
磁気記録媒体製造方法及び装置に関するものであ
る。
性膜等の薄膜を蒸着して成る、所謂、非塗布型の
磁気記録媒体製造方法及び装置に関するものであ
る。
従来の磁気記録媒体の多くは、一般に塗布型と
称されているものに属し、通常、非磁性支持体上
に、γ−Fe2O3、Coをドープしたγ−Fe2O3、
Fe3O4、CoをドープしたFe3O4、γ−Fe2O3と
Fe3O4のベルトライド化合物、Coをドープしたベ
ルトライド化合物、CrO2等の酸化物磁性粉末あ
るいはFe、Ni、Co等を主成分とする合金磁性粉
末等から成る磁性体粉末；を塩化ビニル酢酸ビニ
ル共重合体、スチレンブタジエン共重合体、エポ
キシ樹脂、ポリウレタン樹脂等の有機バインダー
中に分散して成る塗液を塗着、乾燥して磁性膜を
形成する製造方法及び装置によつて生産されたも
のである。
称されているものに属し、通常、非磁性支持体上
に、γ−Fe2O3、Coをドープしたγ−Fe2O3、
Fe3O4、CoをドープしたFe3O4、γ−Fe2O3と
Fe3O4のベルトライド化合物、Coをドープしたベ
ルトライド化合物、CrO2等の酸化物磁性粉末あ
るいはFe、Ni、Co等を主成分とする合金磁性粉
末等から成る磁性体粉末；を塩化ビニル酢酸ビニ
ル共重合体、スチレンブタジエン共重合体、エポ
キシ樹脂、ポリウレタン樹脂等の有機バインダー
中に分散して成る塗液を塗着、乾燥して磁性膜を
形成する製造方法及び装置によつて生産されたも
のである。
近年、記録すべき情報量の増加に伴い、高密度
記録に適する磁気記録媒体の実用化が一層強く望
まれるに至り、前述したバインダーを使用せず
に、真空蒸着、スパツタリング、イオンプレーテ
イング、等の方法により強磁性金属薄膜を前記支
持体上に形成した、所謂、非塗布型磁気記録媒体
が着目され、その開発、研究の推進に伴つて、実
用化のための諸提案がなされつつある。
記録に適する磁気記録媒体の実用化が一層強く望
まれるに至り、前述したバインダーを使用せず
に、真空蒸着、スパツタリング、イオンプレーテ
イング、等の方法により強磁性金属薄膜を前記支
持体上に形成した、所謂、非塗布型磁気記録媒体
が着目され、その開発、研究の推進に伴つて、実
用化のための諸提案がなされつつある。
これら非塗布型製造方式の内でも磁性金属の蒸
発ビームを支持体表面に対し斜めに入射させて蒸
着させる斜方入射真空蒸着方式は、処理工程、装
置等も比較的コンパクトであると同時に、良好な
磁気特性を有した薄膜が得られるため実用的であ
つた。
発ビームを支持体表面に対し斜めに入射させて蒸
着させる斜方入射真空蒸着方式は、処理工程、装
置等も比較的コンパクトであると同時に、良好な
磁気特性を有した薄膜が得られるため実用的であ
つた。
従来の斜方入射真空蒸着方式は、一般に、前記
支持体を前記蒸発源上方でシリンダー状クーリン
グキヤンの外周面に沿つて曲線状に移動せしめ、
前記蒸発源における極めて限られた斜方入射角の
蒸発金属流によつて前記支持体表面に強磁性金属
薄膜を一度に所定厚さまで蒸着することを特徴と
するものであるが、前記支持体表面と蒸発金属流
が相対的に斜めに位置しているので、前記入射角
が零（支持体表面に対し直角に入射するもの。）
であるものと比較しその蒸着膜厚は余弦
（Cosine）倍となり、前記入射角が大きくなるに
従つて蒸着効率が著しく低下することは避けられ
ず、又、前記支持体と蒸発源との幾何学的配置か
らその入射角が大になると、前記支持体と蒸発源
間の距離が大となるので、蒸着効率は一層低下す
るものであつた。又、蒸着膜の磁気特性は入射角
に依存する（参考文献：Schuede：J.A.P.35
2558（1964））ので、入射角はできる限り狭い範囲
に絞りかつ略一定に保つことが必要とされてい
た。
支持体を前記蒸発源上方でシリンダー状クーリン
グキヤンの外周面に沿つて曲線状に移動せしめ、
前記蒸発源における極めて限られた斜方入射角の
蒸発金属流によつて前記支持体表面に強磁性金属
薄膜を一度に所定厚さまで蒸着することを特徴と
するものであるが、前記支持体表面と蒸発金属流
が相対的に斜めに位置しているので、前記入射角
が零（支持体表面に対し直角に入射するもの。）
であるものと比較しその蒸着膜厚は余弦
（Cosine）倍となり、前記入射角が大きくなるに
従つて蒸着効率が著しく低下することは避けられ
ず、又、前記支持体と蒸発源との幾何学的配置か
らその入射角が大になると、前記支持体と蒸発源
間の距離が大となるので、蒸着効率は一層低下す
るものであつた。又、蒸着膜の磁気特性は入射角
に依存する（参考文献：Schuede：J.A.P.35
2558（1964））ので、入射角はできる限り狭い範囲
に絞りかつ略一定に保つことが必要とされてい
た。
前述した蒸着効率の低下は、比較的高価な非鉄
金属例えばCo、Co合金等を使用する場合、大幅
なコストダウンを図ることが困難となり、実用化
に際し解決すべき極めて重要な課題であつた。
金属例えばCo、Co合金等を使用する場合、大幅
なコストダウンを図ることが困難となり、実用化
に際し解決すべき極めて重要な課題であつた。
この課題の解決策として、例えば特開昭54−
12547号公報に開示され、かつその要部が第１図
に示したように構成される方式、即ち高温に加熱
された蒸発源１を、その内部に冷却用水（通常、
常温）が供給されている円筒状クーリングキヤン
２の真下からずらして配設し、前記キヤン２によ
り走行案内されている可撓性支持体Ｗの彎曲した
表面に、蒸発金属の蒸気流Ｖの高密度部分のみが
入射するように改良して、約20％の蒸着効率を得
ることを特徴とする方式が提案されている。
12547号公報に開示され、かつその要部が第１図
に示したように構成される方式、即ち高温に加熱
された蒸発源１を、その内部に冷却用水（通常、
常温）が供給されている円筒状クーリングキヤン
２の真下からずらして配設し、前記キヤン２によ
り走行案内されている可撓性支持体Ｗの彎曲した
表面に、蒸発金属の蒸気流Ｖの高密度部分のみが
入射するように改良して、約20％の蒸着効率を得
ることを特徴とする方式が提案されている。
しかしながら、この方式においても、前記蒸気
流Ｖの高密度部分が入射する有効蒸着面積を増加
させるためには、前記キヤン２自体の外径を増す
必要があり、その外径を大きくすると、装置全体
のコンパクト化が困難になり、特に実用化装置の
設備費や保全性に問題を残すものであつた。
流Ｖの高密度部分が入射する有効蒸着面積を増加
させるためには、前記キヤン２自体の外径を増す
必要があり、その外径を大きくすると、装置全体
のコンパクト化が困難になり、特に実用化装置の
設備費や保全性に問題を残すものであつた。
一方、特開昭53−95604号公報に開示されかつ
第２図に示したように、前記キヤン２を除去し、
複数本のガイドローラー３を利用して前記支持体
Ｗを前記蒸発源１に対し傾斜した関係に走行案内
せしめて、前記蒸気流Ｖを前記支持体１の表面に
入射せしめる方式も提案されている。
第２図に示したように、前記キヤン２を除去し、
複数本のガイドローラー３を利用して前記支持体
Ｗを前記蒸発源１に対し傾斜した関係に走行案内
せしめて、前記蒸気流Ｖを前記支持体１の表面に
入射せしめる方式も提案されている。
この方式は比較的コンパクトな装置スケールで
蒸着効率の大きな金属薄膜を形成することを可能
にする一方、前記蒸発源１や蒸気流Ｖによつて加
熱された前記支持体Ｗの冷却が不可能となり、蒸
着面にシワが発生し易くなり、蒸着膜厚の均一性
や走行性の円滑さが著しく損われる欠点があつ
た。
蒸着効率の大きな金属薄膜を形成することを可能
にする一方、前記蒸発源１や蒸気流Ｖによつて加
熱された前記支持体Ｗの冷却が不可能となり、蒸
着面にシワが発生し易くなり、蒸着膜厚の均一性
や走行性の円滑さが著しく損われる欠点があつ
た。
本発明は、前述した従来方式の欠点を解消し、
比較的コンパクトな構造で、蒸着効率が大きくか
つ支持体の走行性が安定な蒸着方法及び装置を提
供することを目的とするものである。
比較的コンパクトな構造で、蒸着効率が大きくか
つ支持体の走行性が安定な蒸着方法及び装置を提
供することを目的とするものである。
本発明のかゝる目的は、真空雰囲気内で、磁性
金属の蒸発源を加熱、蒸発して得られた蒸気流に
対し、可撓性支持体を固定彎曲案内手段の彎曲面
との摺接により斜め下方に凸曲した状態で交差さ
せながら走行せしめて、該支持体の凸曲面上に前
記磁性金属の薄膜を形成することを特徴とする磁
気記録媒体製造方法及び真空雰囲気内に少なくと
も、蒸発源を加熱、蒸発する手段：蒸発源を充填
したハース：前記ハースの上方で互に高低差を付
けて配設した一対のガイドローラー：前記一対の
ガイドローラー間に装架される可撓性支持体に対
し下方に凸曲した彎曲面を摺接可能な固定彎曲案
内手段：を具備して成ることを特徴とする磁気記
録媒体製造装置によつて達成される。
金属の蒸発源を加熱、蒸発して得られた蒸気流に
対し、可撓性支持体を固定彎曲案内手段の彎曲面
との摺接により斜め下方に凸曲した状態で交差さ
せながら走行せしめて、該支持体の凸曲面上に前
記磁性金属の薄膜を形成することを特徴とする磁
気記録媒体製造方法及び真空雰囲気内に少なくと
も、蒸発源を加熱、蒸発する手段：蒸発源を充填
したハース：前記ハースの上方で互に高低差を付
けて配設した一対のガイドローラー：前記一対の
ガイドローラー間に装架される可撓性支持体に対
し下方に凸曲した彎曲面を摺接可能な固定彎曲案
内手段：を具備して成ることを特徴とする磁気記
録媒体製造装置によつて達成される。
以下、本発明方法及び装置の実施態様について
説明する。
説明する。
第３回は、本発明に基づく装置１０の要部を示
したものである。
したものである。
第３図において、１１は真空排気系１２に連通
してその内部真空度が、一般に、10-2〜
10-8Torr程度の範囲内の所望レベルに保たれる
ケーシング、１３は既知の材質例えばＷ、Ta、
Ｃ、Cu、Mo、Al2O3、BN等から成る開放型ハ
ース、１４は前記ハース３内に収納された磁性金
属から成る蒸発源であり、用途に応じてFe、Co、
Ni等の金属あるいはFe−Co、Fe−Ni、Co−Ni、
Fe−Co−Ni、Fe−Rh、Fe−Cu、Co−Cu、Co
−Au、Co−Ｙ、Co−La、Co−Pr、Co−Gd、
Co−Sm、Co−Pt、Ni−Cu、Mn−Bi、Mn−
Sb、Mn−Al、Fe−Cr、Co−Cr、Ni−Cr、Fe
−Co−Cr、Fe−Co−Ni−Cr等のような強磁性
合金が用いられる。
してその内部真空度が、一般に、10-2〜
10-8Torr程度の範囲内の所望レベルに保たれる
ケーシング、１３は既知の材質例えばＷ、Ta、
Ｃ、Cu、Mo、Al2O3、BN等から成る開放型ハ
ース、１４は前記ハース３内に収納された磁性金
属から成る蒸発源であり、用途に応じてFe、Co、
Ni等の金属あるいはFe−Co、Fe−Ni、Co−Ni、
Fe−Co−Ni、Fe−Rh、Fe−Cu、Co−Cu、Co
−Au、Co−Ｙ、Co−La、Co−Pr、Co−Gd、
Co−Sm、Co−Pt、Ni−Cu、Mn−Bi、Mn−
Sb、Mn−Al、Fe−Cr、Co−Cr、Ni−Cr、Fe
−Co−Cr、Fe−Co−Ni−Cr等のような強磁性
合金が用いられる。
１５は前記ハース１３の近傍に配設した電子ビ
ーム加熱方式の蒸発加熱手段である。
ーム加熱方式の蒸発加熱手段である。
なお、前述したハース１３は、前記蒸発源１４
が比較的広範に蒸発可能な上方開口部を有した、
所謂、開放型のものに限ることなく、比較的小さ
な開口部によつてその蒸発個所が限定されている
密閉型ハースであつても良い。
が比較的広範に蒸発可能な上方開口部を有した、
所謂、開放型のものに限ることなく、比較的小さ
な開口部によつてその蒸発個所が限定されている
密閉型ハースであつても良い。
又、前記蒸発源加熱手段１５も、電子ビーム加
熱方式にのみに限定されず、他の既知の方式例え
ば抵抗加熱、高周波誘導加熱、等を採用すること
が可能である。
熱方式にのみに限定されず、他の既知の方式例え
ば抵抗加熱、高周波誘導加熱、等を採用すること
が可能である。
但し、前述した何れの加熱方式から成る加熱手
段１５においても、前記蒸気流中に含まれている
イオン生成量は極めて少ない（例えば、全蒸気流
の10％以下）、ので、前記蒸発源１４の上方にイ
オン化促進手段１６を配設してある。
段１５においても、前記蒸気流中に含まれている
イオン生成量は極めて少ない（例えば、全蒸気流
の10％以下）、ので、前記蒸発源１４の上方にイ
オン化促進手段１６を配設してある。
前記イオン促進手段１６は、熱電子放出源１７
とイオン化電極１８から成り、前記熱電子放出源
１７はＷ、Ta、Moあるいはそれらを含む合金等
の高融点材料をらせん状に巻回して成るあるいは
直線棒状のフライメントに、直流又は交流電圧を
印加して熱電子を放出せしめるものである。
とイオン化電極１８から成り、前記熱電子放出源
１７はＷ、Ta、Moあるいはそれらを含む合金等
の高融点材料をらせん状に巻回して成るあるいは
直線棒状のフライメントに、直流又は交流電圧を
印加して熱電子を放出せしめるものである。
更に、前記熱電子放出源１７は、前記蒸発源加
熱手段１５が電子ビーム加熱方式である場合、そ
の電子ビーム（破線で示したもの）の通過を妨げ
ない範囲で極力前記蒸発源１４の蒸発面上に近づ
けて設置しかつ前記蒸気流Ｖの蒸発分布境界又は
若干分布域内に臨むように設ける。
熱手段１５が電子ビーム加熱方式である場合、そ
の電子ビーム（破線で示したもの）の通過を妨げ
ない範囲で極力前記蒸発源１４の蒸発面上に近づ
けて設置しかつ前記蒸気流Ｖの蒸発分布境界又は
若干分布域内に臨むように設ける。
前記電子ビーム加熱方式以外の場合、前記フイ
ラメントは前記蒸発源４に対し更に近接せしめて
も良い。
ラメントは前記蒸発源４に対し更に近接せしめて
も良い。
又、前記イオン化電極１８は、Ag、Cu、Ｗ、
Ta、Mo、ステンレス、等の導電性を有する棒
状、平板状あるいはリング状電極を前記放出源１
７の上方に近接しかつ前記蒸気流Ｖの蒸発分布を
著しく妨げない位置に配設され、更に直流又は交
流電圧が印加される。
Ta、Mo、ステンレス、等の導電性を有する棒
状、平板状あるいはリング状電極を前記放出源１
７の上方に近接しかつ前記蒸気流Ｖの蒸発分布を
著しく妨げない位置に配設され、更に直流又は交
流電圧が印加される。
１９は、前記イオン化促進手段１６よりも上方
に回転自在に軸支された複数本のガイドローラー
２２における下方面と、前記イオン化促進手段１
６との間に配設されたイオンビーム収束手段であ
る。
に回転自在に軸支された複数本のガイドローラー
２２における下方面と、前記イオン化促進手段１
６との間に配設されたイオンビーム収束手段であ
る。
前記イオンビーム収束手段１９は、直流もしく
は交流が通電される収束補助用コイル２０と収束
電極２１から成つている。
は交流が通電される収束補助用コイル２０と収束
電極２１から成つている。
前記収束補助用コイル２０は、前記イオン化電
極１８の上方で、一般に（Cosθ）n（θは、蒸気
流Ｖの可撓性支持体に対する入射角である。）分
布する前記蒸気流Ｖを所定の蒸着域以上に拡がら
ないように、かつ前記蒸気流Ｖの中心を所定の蒸
着域中心に偏向もしくは指向せしめるように、
夫々補助的な作用をするものである。
極１８の上方で、一般に（Cosθ）n（θは、蒸気
流Ｖの可撓性支持体に対する入射角である。）分
布する前記蒸気流Ｖを所定の蒸着域以上に拡がら
ないように、かつ前記蒸気流Ｖの中心を所定の蒸
着域中心に偏向もしくは指向せしめるように、
夫々補助的な作用をするものである。
又、前記収束電極２１は、前記収束補助用コイ
ル２０よりも上方でかつ前記ガイドローラー群２
２及び固定彎曲案内手段２３により形成される支
持体Ｗの走行路に近接して配設された高融点材例
えばＷ、Ta、Mo、ステンレススチール、等から
成る網目状の電極で、負の電位が付与されてい
る。
ル２０よりも上方でかつ前記ガイドローラー群２
２及び固定彎曲案内手段２３により形成される支
持体Ｗの走行路に近接して配設された高融点材例
えばＷ、Ta、Mo、ステンレススチール、等から
成る網目状の電極で、負の電位が付与されてい
る。
なお、前記固定彎曲案内手段２３は、互に高低
差を付けて配置した一対のガイドローラー２２間
に装架された前記支持体Ｗを斜め下方に凸曲して
走行するように、前記一対のガイドローラー２２
間に配設、固定されるものである。
差を付けて配置した一対のガイドローラー２２間
に装架された前記支持体Ｗを斜め下方に凸曲して
走行するように、前記一対のガイドローラー２２
間に配設、固定されるものである。
前記固定彎曲案内手段２３は、その躯体がステ
ンレススチール、銅、等から成り、前記支持体Ｗ
に接触して該支持体Ｗを斜め下方に凸曲せしめる
彎曲面２４は、テフロン、シリコーン樹脂、セラ
ミツクス、等から成る滑性層を通常10μｍ程度の
厚さに被覆して成つている。前記固定案内手段２
３の躯体の両端部を、既知の磁歪型、電歪型、圧
電型あるいは電磁型振動子４０に固定させ、前記
湾曲面２４の半径方向に前記躯体を微振動せしめ
ることにより、前記湾曲面２４上を摺動する前記
支持体Ｗとの摩擦抵抗が変化（低下）し、前記支
持体Ｗのスリキズ発生を一層抑制することができ
るだけでなく、前述したような滑性層を除去して
も円滑な走行が可能である。
ンレススチール、銅、等から成り、前記支持体Ｗ
に接触して該支持体Ｗを斜め下方に凸曲せしめる
彎曲面２４は、テフロン、シリコーン樹脂、セラ
ミツクス、等から成る滑性層を通常10μｍ程度の
厚さに被覆して成つている。前記固定案内手段２
３の躯体の両端部を、既知の磁歪型、電歪型、圧
電型あるいは電磁型振動子４０に固定させ、前記
湾曲面２４の半径方向に前記躯体を微振動せしめ
ることにより、前記湾曲面２４上を摺動する前記
支持体Ｗとの摩擦抵抗が変化（低下）し、前記支
持体Ｗのスリキズ発生を一層抑制することができ
るだけでなく、前述したような滑性層を除去して
も円滑な走行が可能である。
なお、前記湾曲面２４の振動方向は、前述した
半径方向に限らず、円周方向に振動せしめても良
い。
半径方向に限らず、円周方向に振動せしめても良
い。
また、前記振動子４０は、前記湾曲面２４上に
又はその面内に埋設した状態、更に多数この振動
子により波動可能な案内面を形成し、あるいは反
湾曲面２４側の躯体に取り付けることもできる。
又はその面内に埋設した状態、更に多数この振動
子により波動可能な案内面を形成し、あるいは反
湾曲面２４側の躯体に取り付けることもできる。
さらに、前記湾曲面２４の表面アラサは最大
25S程度まで粗面化しても、前記支持体Ｗの表面
性を良好に保つて走行案内をすることができる。
25S程度まで粗面化しても、前記支持体Ｗの表面
性を良好に保つて走行案内をすることができる。
なお、前記彎曲面２４の曲率半径Ｒは、前記蒸
発源１４との距離及び所望する入射角度（抗磁力
の向上に関して約45度以上が望ましい。）の関係
から適宜設定し得るものであるが、通常20〜200
cm程度の範囲に設定される。
発源１４との距離及び所望する入射角度（抗磁力
の向上に関して約45度以上が望ましい。）の関係
から適宜設定し得るものであるが、通常20〜200
cm程度の範囲に設定される。
又、前記固定彎曲案内手段２３の躯体内部に
は、冷却水が供給され、前記彎曲面２４を通して
前記支持体Ｗを冷却可能になつている。
は、冷却水が供給され、前記彎曲面２４を通して
前記支持体Ｗを冷却可能になつている。
２５は、前記彎曲面２４の下方において、前記
支持体Ｗの下方面に前記蒸気流Ｖが規定外の角度
で蒸着しないように配設したマスクである。
支持体Ｗの下方面に前記蒸気流Ｖが規定外の角度
で蒸着しないように配設したマスクである。
以上、詳述したようにその要部が構成される本
発明装置１０において、先ず、前記真空排気系１
２を介して前記ケーシング１１内を10-2〜
10-8Torrの範囲内の所望する真空度に保ちなが
ら、前記蒸発源加熱手段１５に通電して前記ハー
ス１３内の蒸発源１４を連続的に加熱すると、前
記蒸発源１４はその蒸発面から金属粒子の蒸気流
Ｖとなつて次第に蒸発して行く。なお、その蒸発
の際、前記金属粒子の極く一部はイオン化して他
の金属粒子とゝもに略（Cosθ）n分布をもつて発
散、上昇する。
発明装置１０において、先ず、前記真空排気系１
２を介して前記ケーシング１１内を10-2〜
10-8Torrの範囲内の所望する真空度に保ちなが
ら、前記蒸発源加熱手段１５に通電して前記ハー
ス１３内の蒸発源１４を連続的に加熱すると、前
記蒸発源１４はその蒸発面から金属粒子の蒸気流
Ｖとなつて次第に蒸発して行く。なお、その蒸発
の際、前記金属粒子の極く一部はイオン化して他
の金属粒子とゝもに略（Cosθ）n分布をもつて発
散、上昇する。
次に、前記蒸気流Ｖは、その蒸発分布が比較的
拡大化されていない前記蒸発源１４の近傍で、前
記熱電子放出源１７の加熱により放出されかつ前
記イオン化電極１８によりその運動行程が適正に
コントロールされた熱電子と集中的に衝突し、前
記金属粒子は効率良くイオン化（正）される。な
お、前記熱電子放出源１７とイオン化電極１８の
上下位置関係を前述したものと逆に、即ち前記イ
オン化電極１８を前記熱電子放出源１７の下方に
配設しても、イオン化率の低下を招くことはな
く、前述した加熱方式やレイアウト上の条件に応
じて最も有利な上下位置関係とすれば良い。
拡大化されていない前記蒸発源１４の近傍で、前
記熱電子放出源１７の加熱により放出されかつ前
記イオン化電極１８によりその運動行程が適正に
コントロールされた熱電子と集中的に衝突し、前
記金属粒子は効率良くイオン化（正）される。な
お、前記熱電子放出源１７とイオン化電極１８の
上下位置関係を前述したものと逆に、即ち前記イ
オン化電極１８を前記熱電子放出源１７の下方に
配設しても、イオン化率の低下を招くことはな
く、前述した加熱方式やレイアウト上の条件に応
じて最も有利な上下位置関係とすれば良い。
前記イオン化電極１８に印加する電圧に過不足
があると、イオン化率は低下するので、通常、30
〜500Vの範囲に設定することが好ましい。
があると、イオン化率は低下するので、通常、30
〜500Vの範囲に設定することが好ましい。
前記イオン化促進手段１６によつて効率良くイ
オン化された前記全蒸気流Ｖをそのまゝ前記支持
体Ｗに蒸着させても、前述した蒸発分布が必要以
上に拡がりかつ蒸着入射角度が不揃いになり、蒸
着効率や磁気特性の良化が望めないので、イオン
化された蒸気流Ｖ即イオンビームを前記イオンビ
ーム収束手段１９によつて処理するものである。
オン化された前記全蒸気流Ｖをそのまゝ前記支持
体Ｗに蒸着させても、前述した蒸発分布が必要以
上に拡がりかつ蒸着入射角度が不揃いになり、蒸
着効率や磁気特性の良化が望めないので、イオン
化された蒸気流Ｖ即イオンビームを前記イオンビ
ーム収束手段１９によつて処理するものである。
前記イオンビームＶは、先ず、100〜2kVの範
囲で正の直流電圧が印加された前記収束補助用コ
イル２０の開口域を通過すると、それまでの蒸発
分布が著しく収束されるとゝもに、前記コイル２
０の開口域中心に従つて前記イオンビームＶの中
心も変位する。
囲で正の直流電圧が印加された前記収束補助用コ
イル２０の開口域を通過すると、それまでの蒸発
分布が著しく収束されるとゝもに、前記コイル２
０の開口域中心に従つて前記イオンビームＶの中
心も変位する。
なお、前記支持体Ｗの所定蒸着域と前記蒸発源
１４との間隙あるいは変位量が比較的小さい場
合、前記収束補助用コイル２０を除去しても良
く、逆に前記間隙あるいは変位量が可成り大きい
場合、前記収束補助用コイル２０を複数個積み重
ねるように連設しかつ印加電圧を漸減あるいは負
電圧を一部負加して、前記イオンビームＶの減速
あるいは収束を図ることも可能である。
１４との間隙あるいは変位量が比較的小さい場
合、前記収束補助用コイル２０を除去しても良
く、逆に前記間隙あるいは変位量が可成り大きい
場合、前記収束補助用コイル２０を複数個積み重
ねるように連設しかつ印加電圧を漸減あるいは負
電圧を一部負加して、前記イオンビームＶの減速
あるいは収束を図ることも可能である。
次に、前記収束補助用コイル２０を通過した前
記イオンビームＶは、前記支持体Ｗの所定蒸着域
に近接しかつ該蒸着域から逸脱しないように配設
した前記収束電極２１により最終的にその蒸発分
布が収束されるとゝもに、所望する入射角度が与
えられて網状の空隙を通過した後、斜め下方に凸
曲した前記支持体Ｗの表面に蒸着する。
記イオンビームＶは、前記支持体Ｗの所定蒸着域
に近接しかつ該蒸着域から逸脱しないように配設
した前記収束電極２１により最終的にその蒸発分
布が収束されるとゝもに、所望する入射角度が与
えられて網状の空隙を通過した後、斜め下方に凸
曲した前記支持体Ｗの表面に蒸着する。
なお、前記入射角度は約45度以上の範囲が抗磁
力の向上に対して望ましく、そのためには前記支
持体Ｗの走行方向及び前記イオンビーム収束手段
１９の取付位置（特に、その中心位置）と関連し
て前記彎曲面２４の傾きと曲率半径を適宜設定す
れば良い。
力の向上に対して望ましく、そのためには前記支
持体Ｗの走行方向及び前記イオンビーム収束手段
１９の取付位置（特に、その中心位置）と関連し
て前記彎曲面２４の傾きと曲率半径を適宜設定す
れば良い。
なお、前記収束補助用コイル２０に代わり、リ
ング状、棒状の収束補助用電極を適用することも
可能である。
ング状、棒状の収束補助用電極を適用することも
可能である。
又、前記収束電極２１の印加電圧に過不足があ
ると、前記イオンビームＶの速度に過不足が生
じ、その結果、収束効果が著しく低下したり、蒸
着膜をスパツタリングするようになるので、通
常、−100V〜−3000Vの範囲内に設定することが
望ましい。
ると、前記イオンビームＶの速度に過不足が生
じ、その結果、収束効果が著しく低下したり、蒸
着膜をスパツタリングするようになるので、通
常、−100V〜−3000Vの範囲内に設定することが
望ましい。
更に、前記収束電極２１は、前記ケーシング１
１内のレイアウトの関係上、必らずしも前記支持
体Ｗの下方面に対向せしめなくても良く、前記支
持体Ｗの裏面でリング状あるいは平板状の形態を
もつて近接せしめても良く、更に前記支持体Ｗの
両側に配設しても良い。
１内のレイアウトの関係上、必らずしも前記支持
体Ｗの下方面に対向せしめなくても良く、前記支
持体Ｗの裏面でリング状あるいは平板状の形態を
もつて近接せしめても良く、更に前記支持体Ｗの
両側に配設しても良い。
前記固定湾曲案内手段２３の躯体の両端部を、
既知の磁歪型、電歪型、圧電型、あるいは電磁型
振動子４０に固定させ、前記彎曲面２４の半径方
向に前記躯体を微振動せしめることにより、前記
彎曲面２４上を摺動する前記支持体Ｗの摩擦が変
化（軽減）し、前記支持体Ｗのスリキズ発生を一
層抑制することが可能になる一方前述したような
滑性層と除去しても円滑な走行案内が可能とな
る。
既知の磁歪型、電歪型、圧電型、あるいは電磁型
振動子４０に固定させ、前記彎曲面２４の半径方
向に前記躯体を微振動せしめることにより、前記
彎曲面２４上を摺動する前記支持体Ｗの摩擦が変
化（軽減）し、前記支持体Ｗのスリキズ発生を一
層抑制することが可能になる一方前述したような
滑性層と除去しても円滑な走行案内が可能とな
る。
なお、前記彎曲面２４の振動方向は、前述した
半径方向に限らず、円周方向に振動せしめても良
い。
半径方向に限らず、円周方向に振動せしめても良
い。
又、前記振動子４０は、前記彎曲面２４上、又
はその彎曲面内に埋設した状態、更に多数個の振
動子により波動可能な案内面を形成、あるいは反
彎曲面２４側の躯体に取付けることも可能であ
る。
はその彎曲面内に埋設した状態、更に多数個の振
動子により波動可能な案内面を形成、あるいは反
彎曲面２４側の躯体に取付けることも可能であ
る。
更に、前記彎曲面２４の表面アラサは最大約
25S程度まで粗面化しても、前記支持体Ｗの表面
性を良好に保つて走行案内することができる。
25S程度まで粗面化しても、前記支持体Ｗの表面
性を良好に保つて走行案内することができる。
なお、前記支持体Ｗとしては、ポリエチレンテ
レフタレート、ポリイミド、ポリアミド、ポリ塩
化ビニル、三酢酸セルロース、ポリカーボネー
ト、ポリエチレンナフタレートのようなプラスチ
ツクフイルムが使用される。
レフタレート、ポリイミド、ポリアミド、ポリ塩
化ビニル、三酢酸セルロース、ポリカーボネー
ト、ポリエチレンナフタレートのようなプラスチ
ツクフイルムが使用される。
又、前記支持体Ｗ上に形成される磁性膜の厚さ
は、磁気記録媒体として充分な出力を与え得る厚
さおよび高密度記録の充分行なえる薄さを必要と
することから一般には約0.02μｍから5.0μｍ、好
ましくは0.05μｍから2.0μｍである。
は、磁気記録媒体として充分な出力を与え得る厚
さおよび高密度記録の充分行なえる薄さを必要と
することから一般には約0.02μｍから5.0μｍ、好
ましくは0.05μｍから2.0μｍである。
以上、記述したように本発明は、冷却可能でか
つ前記振動子４０を備えた固定した彎曲面２４を
有する固定彎曲案内手段２３によつて、一対のガ
イドローラー２２間を斜走する前記支持体Ｗを更
に下方に凸曲化して走行案内するので、単に斜走
する支持体Ｗよりも大きな入射角成分が増した状
態で前記蒸気流Ｖを蒸着可能となるため保磁力が
大きい媒体を作成でき、かつ前記支持体Ｗを熱に
よつて劣化することを防止可能になつた。
つ前記振動子４０を備えた固定した彎曲面２４を
有する固定彎曲案内手段２３によつて、一対のガ
イドローラー２２間を斜走する前記支持体Ｗを更
に下方に凸曲化して走行案内するので、単に斜走
する支持体Ｗよりも大きな入射角成分が増した状
態で前記蒸気流Ｖを蒸着可能となるため保磁力が
大きい媒体を作成でき、かつ前記支持体Ｗを熱に
よつて劣化することを防止可能になつた。
又、前記固定彎曲案内手段２３は、前述したク
ーリングキヤン２よりもコンパクトに構成される
ので、スペースを大幅に節減でき、設備費や保守
の点で極めて有利となるものである。
ーリングキヤン２よりもコンパクトに構成される
ので、スペースを大幅に節減でき、設備費や保守
の点で極めて有利となるものである。
なお、本発明に基づく固定彎曲案内手段２３
は、前記イオン化促進手段１６、イオンビーム収
束手段１９等を省略した蒸着装置においても、前
述した新規な効果を奏するものであることは充分
理解されるであろう。
は、前記イオン化促進手段１６、イオンビーム収
束手段１９等を省略した蒸着装置においても、前
述した新規な効果を奏するものであることは充分
理解されるであろう。
第１図及び第２図は従来方式の説明図、第３図
は本発明に基づく装置要部の説明図、 １４は蒸発源、２２はガイドローラー、２３は
固定彎曲案内手段、２４は彎曲面、４０は振動子
である。
は本発明に基づく装置要部の説明図、 １４は蒸発源、２２はガイドローラー、２３は
固定彎曲案内手段、２４は彎曲面、４０は振動子
である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 真空雰囲気内で、磁性金属の蒸発源を加熱蒸
発して得られた蒸気流に対し、可撓性支持体を振
動子を具備した固定湾曲案内手段の湾曲面との摺
接により斜め下方に凸曲した状態で交差させなが
ら走行せしめて、該支持体の凸曲面上に前記磁性
金属の薄膜を形成することを特徴とする磁気記録
媒体製造方法。 ２ 真空雰囲気内に少なくとも、蒸発源を加熱、
蒸発する手段；蒸発源を充填したハース；前記ハ
ースの上方で互いに高低差をつけて配設した一対
のガイドローラー；前記一対のガイドローラー間
に装架される可撓性支持体に対し下方に凸曲した
湾曲面を摺接可能で振動子を具備した固定湾曲案
内手段；を具備して成ることを特徴とする磁気記
録媒体製造装置。 ３ 前記固定湾曲案内手段が、その躯体内部と冷
却水源を連通して成ることを特徴とする特許請求
の範囲第２項記載の磁気記録媒体製造装置。 ４ 前記固定湾曲案内手段が、湾曲面を25S以下
の表面アラサに仕上げられて成ることを特徴とす
る特許請求の範囲第２項記載の磁気記録媒体製造
装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56062055A JPS57179952A (en) | 1981-04-24 | 1981-04-24 | Method and apparatus for magnetic recording medium |
| US06/368,861 US4451501A (en) | 1981-04-24 | 1982-04-15 | Method of making a magnetic recording medium |
| DE3214827A DE3214827C2 (de) | 1981-04-24 | 1982-04-21 | Verfahren zur Herstellung eines magnetischen Aufzeichnungsträgers und Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens |
| US06/589,701 US4501225A (en) | 1981-04-24 | 1984-03-15 | Apparatus for making a magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56062055A JPS57179952A (en) | 1981-04-24 | 1981-04-24 | Method and apparatus for magnetic recording medium |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57179952A JPS57179952A (en) | 1982-11-05 |
| JPH0435810B2 true JPH0435810B2 (ja) | 1992-06-12 |
Family
ID=13189075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56062055A Granted JPS57179952A (en) | 1981-04-24 | 1981-04-24 | Method and apparatus for magnetic recording medium |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US4451501A (ja) |
| JP (1) | JPS57179952A (ja) |
| DE (1) | DE3214827C2 (ja) |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5961013A (ja) * | 1982-09-29 | 1984-04-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPS5961014A (ja) * | 1982-09-29 | 1984-04-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPS59167851A (ja) * | 1983-03-14 | 1984-09-21 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気記録媒体の製造装置 |
| JPS6365067A (ja) * | 1986-09-05 | 1988-03-23 | Chiyuunichi Sangyo Kk | 薄膜形成法 |
| KR910006164B1 (ko) * | 1987-03-18 | 1991-08-16 | 가부시키가이샤 도시바 | 박막형성방법과 그 장치 |
| US4812217A (en) * | 1987-04-27 | 1989-03-14 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Method and apparatus for feeding and coating articles in a controlled atmosphere |
| EP0311302B1 (en) * | 1987-10-07 | 1992-06-24 | THORN EMI plc | Apparatus and method for the production of a coating on a web |
| JPH046627A (ja) * | 1990-04-23 | 1992-01-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高機能性薄膜とその製造方法 |
| GB2251631B (en) * | 1990-12-19 | 1994-10-12 | Mitsubishi Electric Corp | Thin-film forming apparatus |
| CH683776A5 (de) * | 1991-12-05 | 1994-05-13 | Alusuisse Lonza Services Ag | Beschichten einer Substratfläche mit einer Permeationssperre. |
| DE4221620C2 (de) * | 1992-07-01 | 2001-05-23 | Emtec Magnetics Gmbh | Verfahren zum Aufbringen einer dünnen Metallschicht auf ein polymeres Trägermaterial |
| DE4222013A1 (de) * | 1992-07-04 | 1994-01-05 | Leybold Ag | Vorrichtung zur Vakuumbeschichtung von Folien |
| DE4227588C2 (de) * | 1992-08-20 | 2001-05-03 | Emtec Magnetics Gmbh | Verfahren zum Aufbringen einer dünnen Metallschicht auf ein polymeres Trägermaterial |
| JPH06280026A (ja) * | 1993-03-24 | 1994-10-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 成膜装置及び成膜方法 |
| US6475333B1 (en) * | 1993-07-26 | 2002-11-05 | Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha | Discharge plasma processing device |
| US6461667B1 (en) * | 2000-04-04 | 2002-10-08 | Eastman Kodak Company | Apparatus and method for vapor depositing lubricant coating on a web |
| US20070137568A1 (en) * | 2005-12-16 | 2007-06-21 | Schreiber Brian E | Reciprocating aperture mask system and method |
| US7763114B2 (en) * | 2005-12-28 | 2010-07-27 | 3M Innovative Properties Company | Rotatable aperture mask assembly and deposition system |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3342633A (en) * | 1964-08-05 | 1967-09-19 | Ibm | Magnetic coating |
| GB1599161A (en) * | 1976-07-15 | 1981-09-30 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Magnetic recording medium and method of making the same |
| GB1596385A (en) * | 1976-12-29 | 1981-08-26 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Methods and apparatus for manufacturing magnetic recording media |
| JPS54125006A (en) * | 1978-03-22 | 1979-09-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of magnetic recording media |
| JPS56112471A (en) * | 1980-02-08 | 1981-09-04 | Toshiba Corp | Sputtering device |
| JPS56165932A (en) * | 1980-05-26 | 1981-12-19 | Tdk Corp | Production of magnetic recording medium |
-
1981
- 1981-04-24 JP JP56062055A patent/JPS57179952A/ja active Granted
-
1982
- 1982-04-15 US US06/368,861 patent/US4451501A/en not_active Expired - Lifetime
- 1982-04-21 DE DE3214827A patent/DE3214827C2/de not_active Expired - Lifetime
-
1984
- 1984-03-15 US US06/589,701 patent/US4501225A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57179952A (en) | 1982-11-05 |
| US4501225A (en) | 1985-02-26 |
| DE3214827C2 (de) | 1995-07-20 |
| US4451501A (en) | 1984-05-29 |
| DE3214827A1 (de) | 1982-11-11 |
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