JPH0521899A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH0521899A JPH0521899A JP19833191A JP19833191A JPH0521899A JP H0521899 A JPH0521899 A JP H0521899A JP 19833191 A JP19833191 A JP 19833191A JP 19833191 A JP19833191 A JP 19833191A JP H0521899 A JPH0521899 A JP H0521899A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- laser device
- cap
- glass windows
- stem
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 51
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 20
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 23
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 abstract 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- POIUWJQBRNEFGX-XAMSXPGMSA-N cathelicidin Chemical compound C([C@@H](C(=O)N[C@@H](CCCNC(N)=N)C(=O)N[C@@H](CCCCN)C(=O)N[C@@H](CO)C(=O)N[C@@H](CCCCN)C(=O)N[C@@H](CCC(O)=O)C(=O)N[C@@H](CCCCN)C(=O)N[C@@H]([C@@H](C)CC)C(=O)NCC(=O)N[C@@H](CCCCN)C(=O)N[C@@H](CCC(O)=O)C(=O)N[C@@H](CC=1C=CC=CC=1)C(=O)N[C@@H](CCCCN)C(=O)N[C@@H](CCCNC(N)=N)C(=O)N[C@@H]([C@@H](C)CC)C(=O)N[C@@H](C(C)C)C(=O)N[C@@H](CCC(N)=O)C(=O)N[C@@H](CCCNC(N)=N)C(=O)N[C@@H]([C@@H](C)CC)C(=O)N[C@@H](CCCCN)C(=O)N[C@@H](CC(O)=O)C(=O)N[C@@H](CC=1C=CC=CC=1)C(=O)N[C@@H](CC(C)C)C(=O)N[C@@H](CCCNC(N)=N)C(=O)N[C@@H](CC(N)=O)C(=O)N[C@@H](CC(C)C)C(=O)N[C@@H](C(C)C)C(=O)N1[C@@H](CCC1)C(=O)N[C@@H](CCCNC(N)=N)C(=O)N[C@@H]([C@@H](C)O)C(=O)N[C@@H](CCC(O)=O)C(=O)N[C@@H](CO)C(O)=O)NC(=O)[C@H](CC=1C=CC=CC=1)NC(=O)[C@H](CC(O)=O)NC(=O)CNC(=O)[C@H](CC(C)C)NC(=O)[C@@H](N)CC(C)C)C1=CC=CC=C1 POIUWJQBRNEFGX-XAMSXPGMSA-N 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 反射率の異なる反射膜を形成した半導体レー
ザ素子の二つの出射光を有効に活用し、光出力が異なる
光モジュールを共通化して製造可能とする。 【構成】 放熱機能を有するステム3上に、両出射端面
に反射率の異なる反射膜が形成されている半導体レーザ
素子1を固定する。また、相対向する二枚のガラス窓
5,5を有するキャップ4をステム側に固定することに
より、その内部に半導体レーザ素子を気密封止する。こ
の場合に、半導体レーザ素子の二つの出射端面を、キャ
ップ側の二枚のガラス窓を向けて配置させる。
ザ素子の二つの出射光を有効に活用し、光出力が異なる
光モジュールを共通化して製造可能とする。 【構成】 放熱機能を有するステム3上に、両出射端面
に反射率の異なる反射膜が形成されている半導体レーザ
素子1を固定する。また、相対向する二枚のガラス窓
5,5を有するキャップ4をステム側に固定することに
より、その内部に半導体レーザ素子を気密封止する。こ
の場合に、半導体レーザ素子の二つの出射端面を、キャ
ップ側の二枚のガラス窓を向けて配置させる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体レーザ装置に関
し、特に通信用光モジュールに搭載して好適な半導体レ
ーザ装置の改良に関する。
し、特に通信用光モジュールに搭載して好適な半導体レ
ーザ装置の改良に関する。
【0002】
【従来の技術】従来この種の半導体レーザ装置として
は、概略図3に示すような構成によるものが知られてい
た。これを簡単に説明すると、この半導体レーザ装置
は、ヒートシンク15に固定された半導体レーザ素子1
4と、モニタ用フォトダイオード16とが、ステム17
に固定されており、かつその外側に覆われるガラス窓1
9を有するキャップ18により気密封止されている。ま
た、半導体レーザ素子14の両端面には、反射率の異な
る反射膜が形成されており、高反射率の反射膜が形成さ
れた端面からの低出力の出射光は、モニタ用フォトダイ
オード16に結合し、低反射率の反射膜が形成された端
面からの高出力の出射光はガラス窓19からキャップ1
8の外部に出射されるように構成されていた。
は、概略図3に示すような構成によるものが知られてい
た。これを簡単に説明すると、この半導体レーザ装置
は、ヒートシンク15に固定された半導体レーザ素子1
4と、モニタ用フォトダイオード16とが、ステム17
に固定されており、かつその外側に覆われるガラス窓1
9を有するキャップ18により気密封止されている。ま
た、半導体レーザ素子14の両端面には、反射率の異な
る反射膜が形成されており、高反射率の反射膜が形成さ
れた端面からの低出力の出射光は、モニタ用フォトダイ
オード16に結合し、低反射率の反射膜が形成された端
面からの高出力の出射光はガラス窓19からキャップ1
8の外部に出射されるように構成されていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような従来の半導体レーザ装置を用いてなる通信用光
モジュールでは、長距離光通信用と短距離光通信用とで
光モジュールに要求される光出力が異なるため、それぞ
れの光モジュールに適した光学系を設計する必要があ
り、かつ使用する光学部品がそれぞれの場合で異なるた
めに、構成部材等の共通化ができないという問題があっ
た。
たような従来の半導体レーザ装置を用いてなる通信用光
モジュールでは、長距離光通信用と短距離光通信用とで
光モジュールに要求される光出力が異なるため、それぞ
れの光モジュールに適した光学系を設計する必要があ
り、かつ使用する光学部品がそれぞれの場合で異なるた
めに、構成部材等の共通化ができないという問題があっ
た。
【0004】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
ものであり、反射率の異なる反射膜が形成された半導体
レーザ素子の二つの出射光を有効に活用し、光出力が異
なる光モジュールを共通部品、共通工法によって製造す
ることができる半導体レーザ装置を得ることを目的とし
ている。
ものであり、反射率の異なる反射膜が形成された半導体
レーザ素子の二つの出射光を有効に活用し、光出力が異
なる光モジュールを共通部品、共通工法によって製造す
ることができる半導体レーザ装置を得ることを目的とし
ている。
【0005】
【課題を解決するための手段】このような要請に応える
ために本発明に係る半導体レーザ装置は、放熱機能を有
するステム上に固定されかつ両出射端面に反射率の異な
る反射膜が形成されている半導体レーザ素子と、相対向
する二枚のガラス窓を有するキャップとを備えてなり、
このキャップは、前記半導体レーザ素子を気密封止して
ステム側に固定され、かつ前記半導体レーザ素子の二つ
の出射面は、前記キャップの二枚のガラス窓に向けて配
置されているものである。
ために本発明に係る半導体レーザ装置は、放熱機能を有
するステム上に固定されかつ両出射端面に反射率の異な
る反射膜が形成されている半導体レーザ素子と、相対向
する二枚のガラス窓を有するキャップとを備えてなり、
このキャップは、前記半導体レーザ素子を気密封止して
ステム側に固定され、かつ前記半導体レーザ素子の二つ
の出射面は、前記キャップの二枚のガラス窓に向けて配
置されているものである。
【0006】
【作用】本発明によれば、半導体レーザ素子の二つの射
出面からの光を出射するキャップの二枚のガラス窓のい
ずれか一方に、フォトダイオードを有するパッケージ
を、他方にレンズ、光ファイバ等からなる出力側部材を
付設することにより、低出力光出射側または高出力光出
射側を選択的に使用でき、光出力の異なる光モジュール
が共通部品、共通工法で製造でき、量産効果による大幅
なコストダウンが実現し得るものである。
出面からの光を出射するキャップの二枚のガラス窓のい
ずれか一方に、フォトダイオードを有するパッケージ
を、他方にレンズ、光ファイバ等からなる出力側部材を
付設することにより、低出力光出射側または高出力光出
射側を選択的に使用でき、光出力の異なる光モジュール
が共通部品、共通工法で製造でき、量産効果による大幅
なコストダウンが実現し得るものである。
【0007】
【実施例】図1は本発明に係る半導体レーザ装置の一実
施例を示すものであり、図において、符号1は両端面に
反射率の異なる反射膜が形成された半導体レーザ素子で
あり、この半導体レーザ素子1は、ヒートシンク2を介
してステム3に固定されている。そして、この半導体レ
ーザ素子1の両端面からの出射光を取出すための相対向
する二つのガラス窓5を備えたキャップ4により気密封
止されている。ここで、半導体レーザ素子1の低反射率
の反射膜が形成された端面(A面)からの高出力出射光
と高反射率の反射膜が形成された端面(B面)からの低
出力出射光はそれぞれキャップ4のガラス窓5から出射
される。
施例を示すものであり、図において、符号1は両端面に
反射率の異なる反射膜が形成された半導体レーザ素子で
あり、この半導体レーザ素子1は、ヒートシンク2を介
してステム3に固定されている。そして、この半導体レ
ーザ素子1の両端面からの出射光を取出すための相対向
する二つのガラス窓5を備えたキャップ4により気密封
止されている。ここで、半導体レーザ素子1の低反射率
の反射膜が形成された端面(A面)からの高出力出射光
と高反射率の反射膜が形成された端面(B面)からの低
出力出射光はそれぞれキャップ4のガラス窓5から出射
される。
【0008】図2は上述したような本発明に係る半導体
レーザ装置を使用した半導体レーザモジュールで、この
例では高出力光モジュールを示している。これを簡単に
説明すると、半導体レーザ装置6の高出力光出射側に
は、レンズ7を固定したレンズホルダ8が固定され、半
導体レーザ装置7からの出射光がレンズ8を介して光フ
ァイバ9に結合するように、光ファイバ9を固定したス
リーブ10とスリーブ10を保持するホルダ11、およ
びホルダ11とレンズホルダ8が調整して固定される。
一方、半導体レーザ装置6の低出力光出射側には、フォ
トダイオード12を搭載したパッケージ13が固定され
る。そして、このような構成によって、半導体レーザ装
置6を用いてなる高出力光用の光モジュールが得ること
は容易に理解されよう。
レーザ装置を使用した半導体レーザモジュールで、この
例では高出力光モジュールを示している。これを簡単に
説明すると、半導体レーザ装置6の高出力光出射側に
は、レンズ7を固定したレンズホルダ8が固定され、半
導体レーザ装置7からの出射光がレンズ8を介して光フ
ァイバ9に結合するように、光ファイバ9を固定したス
リーブ10とスリーブ10を保持するホルダ11、およ
びホルダ11とレンズホルダ8が調整して固定される。
一方、半導体レーザ装置6の低出力光出射側には、フォ
トダイオード12を搭載したパッケージ13が固定され
る。そして、このような構成によって、半導体レーザ装
置6を用いてなる高出力光用の光モジュールが得ること
は容易に理解されよう。
【0009】他方、この図2に示した半導体レーザ装置
を用いた高出力光モジュールとは逆に、半導体レーザ装
置6の低出力光出射側に、出力側部材であるレンズ7を
固定したレンズホルダ8、光ファイバ9を内蔵したスリ
ーブ10、およびスリーブ10を保持しレンズホルダ8
に固定するホルダ11を調整して固定し、また高出力光
出射側に、フォトダイオード12を内蔵したパッケージ
13を固定すると、低出力光用の光モジュールが得られ
るものである。
を用いた高出力光モジュールとは逆に、半導体レーザ装
置6の低出力光出射側に、出力側部材であるレンズ7を
固定したレンズホルダ8、光ファイバ9を内蔵したスリ
ーブ10、およびスリーブ10を保持しレンズホルダ8
に固定するホルダ11を調整して固定し、また高出力光
出射側に、フォトダイオード12を内蔵したパッケージ
13を固定すると、低出力光用の光モジュールが得られ
るものである。
【0010】そして、このような構成によれば、半導体
レーザ素子1の二つの射出面からの光を出射するキャッ
プの二枚のガラス窓5,5のいずれか一方に、フォトダ
イオード12を有するパッケージ13を、他方にレンズ
7、光ファイバ9等からなる出力側部材を適宜付設する
ことで、低出力光出射側または高出力光出射側を選択的
に使用でき、高出力、低出力の二種類のレーザ光を、簡
単に外部に取り出せるため、用途に応じて高出力光モジ
ュールと低出力光モジュールの使い分けができ、部品の
共通化、製造工程の共通化が行なえ、その結果として量
産効果による大幅なコストダウンが実現し得るものであ
る。
レーザ素子1の二つの射出面からの光を出射するキャッ
プの二枚のガラス窓5,5のいずれか一方に、フォトダ
イオード12を有するパッケージ13を、他方にレンズ
7、光ファイバ9等からなる出力側部材を適宜付設する
ことで、低出力光出射側または高出力光出射側を選択的
に使用でき、高出力、低出力の二種類のレーザ光を、簡
単に外部に取り出せるため、用途に応じて高出力光モジ
ュールと低出力光モジュールの使い分けができ、部品の
共通化、製造工程の共通化が行なえ、その結果として量
産効果による大幅なコストダウンが実現し得るものであ
る。
【0011】なお、本発明は上述した実施例構造には限
定されず、各部の形状、構造等を適宜変形、変更し得る
ことは言うまでもない。たとえば上述した半導体レーザ
素子1の二つの出射面A,B面と二枚のガラス窓5,5
とは、互いに平行関係にないような配置であってもよ
い。また、半導体レーザ素子1を気密封止するキャップ
4に、二枚のガラス窓5,5の高出力側と低出力側を確
認するためのマーキングを付すようにすると、組立等が
容易になり、その利点は大きい。さらに、キャップ4に
設けられる二枚のガラス窓5,5の少なくとも一面に
は、反射防止膜を施すようにすると、機能上で優れてい
る。
定されず、各部の形状、構造等を適宜変形、変更し得る
ことは言うまでもない。たとえば上述した半導体レーザ
素子1の二つの出射面A,B面と二枚のガラス窓5,5
とは、互いに平行関係にないような配置であってもよ
い。また、半導体レーザ素子1を気密封止するキャップ
4に、二枚のガラス窓5,5の高出力側と低出力側を確
認するためのマーキングを付すようにすると、組立等が
容易になり、その利点は大きい。さらに、キャップ4に
設けられる二枚のガラス窓5,5の少なくとも一面に
は、反射防止膜を施すようにすると、機能上で優れてい
る。
【0012】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る半導体
レーザ装置によれば、高出力、低出力の二種類のレーザ
光を外部に取り出せるため、用途に応じて高出力光モジ
ュールと低出力光モジュールの使い分けができ、部品の
共通化、製造工程の共通化が行える。したがって、本発
明によれば、量産効果による大幅なコストダウンが実現
できるという種々優れた効果がある。
レーザ装置によれば、高出力、低出力の二種類のレーザ
光を外部に取り出せるため、用途に応じて高出力光モジ
ュールと低出力光モジュールの使い分けができ、部品の
共通化、製造工程の共通化が行える。したがって、本発
明によれば、量産効果による大幅なコストダウンが実現
できるという種々優れた効果がある。
【図1】本発明に係る半導体レーザ装置の一実施例を示
す要部縦断面図である。
す要部縦断面図である。
【図2】本発明に係る半導体レーザ装置を採用した光モ
ジュールを示す概略構成図である。
ジュールを示す概略構成図である。
【図3】従来の半導体レーザ装置を示す概略断面図であ
る。
る。
1 半導体レーザ素子
2 ヒートシンク
3 ステム
4 キャップ
5 ガラス窓
6 半導体レーザ装置
7 レンズ
8 レンズホルダ
9 光ファイバ
10 スリーブ
11 ホルダ
12 フォトダイオード
13 パッケージ
Claims (4)
- 【請求項1】 出射光を外部へ通過させる透明なガラス
窓を有するパッケージで気密封止された半導体レーザ装
置において、放熱機能を有するステムと、このステム上
に固定されかつ両出射端面に反射率の異なる反射膜が形
成されている半導体レーザ素子と、相対向する二枚のガ
ラス窓を有するキャップとを備えてなり、前記半導体レ
ーザ素子の二つの出射面を、前記二枚のガラス窓を向け
て配置したことを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項2】 請求項1において、半導体レーザ素子の
二つの出射面と二枚のガラス窓とが、互いに平行関係に
ないことを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項3】 請求項1において、半導体レーザ素子を
気密封止するキャップに、二枚のガラス窓の高出力側と
低出力側を確認するためのマーキングを付したことを特
徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項4】 請求項1において、キャップに設けられ
る二枚のガラス窓の少なくとも一面には、反射防止膜が
施されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19833191A JPH0521899A (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19833191A JPH0521899A (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0521899A true JPH0521899A (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=16389337
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19833191A Pending JPH0521899A (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0521899A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6792178B1 (en) | 2000-01-12 | 2004-09-14 | Finisar Corporation | Fiber optic header with integrated power monitor |
| US6932522B2 (en) | 1998-12-30 | 2005-08-23 | Finisar Corporation | Method and apparatus for hermetically sealing photonic devices |
-
1991
- 1991-07-15 JP JP19833191A patent/JPH0521899A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6932522B2 (en) | 1998-12-30 | 2005-08-23 | Finisar Corporation | Method and apparatus for hermetically sealing photonic devices |
| US6792178B1 (en) | 2000-01-12 | 2004-09-14 | Finisar Corporation | Fiber optic header with integrated power monitor |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5175783A (en) | Optical molded device including two lenses and active element integrally | |
| US4733094A (en) | Bidirectional optoelectronic component operating as an optical coupling device | |
| US5566265A (en) | Transmission and reception module for a bidirectional, optical message and signal transmission | |
| US4355323A (en) | Coupler comprising a light source and lens | |
| JPS59101882A (ja) | 光半導体装置 | |
| EP0466975B1 (en) | Semiconductor light-emitting device | |
| JPH10321900A (ja) | 光モジュール | |
| JPH02191389A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| EP0371795A3 (en) | Optical coupling circuit element | |
| JPH0521899A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPS58168289A (ja) | レ−ザダイオ−ドパツケ−ジ | |
| JPH05333243A (ja) | 双方向モジュール | |
| JPH04360593A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPS5925284A (ja) | 光半導体装置 | |
| JPH11307872A (ja) | 半導体光結合装置 | |
| JPS63114277A (ja) | 光半導体装置 | |
| JPH0294483A (ja) | 光モジュール用ledコリメータ | |
| JPS62139366A (ja) | 光通信用半導体装置 | |
| JP2910642B2 (ja) | フラット型半導体レーザモジュール | |
| JP2004087958A (ja) | 光半導体光源装置および光源パッケージ | |
| JPS61145876A (ja) | 発光素子用パツケ−ジ | |
| JPH04101108A (ja) | 光半導体モジュール | |
| JPS62196620A (ja) | レ−ザモジユ−ル | |
| JPH01155674A (ja) | 光ファイバ結合レーザモジュール | |
| JPH11284273A (ja) | 半導体レーザ装置 |