JPH0436347B2 - - Google Patents
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- JPH0436347B2 JPH0436347B2 JP59040324A JP4032484A JPH0436347B2 JP H0436347 B2 JPH0436347 B2 JP H0436347B2 JP 59040324 A JP59040324 A JP 59040324A JP 4032484 A JP4032484 A JP 4032484A JP H0436347 B2 JPH0436347 B2 JP H0436347B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- output
- ring oscillator
- connection
- micro
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、LSI論理回路等の接続状態検出方法
に関し、特にLSIチツプの電極と端子の接続部分
やフリツプチツプボンデイング等（以下単に「マ
イクロボンデイング」と称す）の接続状態を検出
する方法に関する。
に関し、特にLSIチツプの電極と端子の接続部分
やフリツプチツプボンデイング等（以下単に「マ
イクロボンデイング」と称す）の接続状態を検出
する方法に関する。
シリコンLSIチツプ等の論理回路の電極と端子
を接続する、いわゆるマイクロボンデイングに
は、種々の方法があるが、いずれもLSI等の極め
て微小な電極に端子を接続するため、その接続部
の接続状態を検出する必要がある。従来、該マイ
クロボンデイング部の接続状態を検出する方法に
は、該マイクロボンデイング部を介してLSIチツ
プに通電し、一定時間経過後、該マイクロボンデ
イング部の電気抵抗値を測定し、一定時間経過後
の測定値と比較して接続状態の良否を検出する方
法、マイクロボンデイングを含む論理回路を使用
してリングオシレータを構成し、この発振状態を
一定時間間隔で監視する方法、ならびに一定時間
経過後、マイクロボンデイング部を物理的に破壊
して観察する方法等が広く採用されている。しか
しながら、上記いずれの方法もマイクロボンデイ
ングの接続状態を連続的に観察できないため、接
続不良が発生する時間、すなわちマイクロボンデ
イングの寿命を正確に把握することができない
等、不良発生に対して適切な処置がとれないとい
う欠点があつた。
を接続する、いわゆるマイクロボンデイングに
は、種々の方法があるが、いずれもLSI等の極め
て微小な電極に端子を接続するため、その接続部
の接続状態を検出する必要がある。従来、該マイ
クロボンデイング部の接続状態を検出する方法に
は、該マイクロボンデイング部を介してLSIチツ
プに通電し、一定時間経過後、該マイクロボンデ
イング部の電気抵抗値を測定し、一定時間経過後
の測定値と比較して接続状態の良否を検出する方
法、マイクロボンデイングを含む論理回路を使用
してリングオシレータを構成し、この発振状態を
一定時間間隔で監視する方法、ならびに一定時間
経過後、マイクロボンデイング部を物理的に破壊
して観察する方法等が広く採用されている。しか
しながら、上記いずれの方法もマイクロボンデイ
ングの接続状態を連続的に観察できないため、接
続不良が発生する時間、すなわちマイクロボンデ
イングの寿命を正確に把握することができない
等、不良発生に対して適切な処置がとれないとい
う欠点があつた。
本発明は、上述の点にかんがみてなされたもの
で、LSI論理回路の電極と端子の接続、たとえ
ば、マイクロボンデイング部の接続経時変化を連
続的にモニタリングし、接続不良発生時点を正確
に把握して、モニタリング目的に応じた対策（た
とえば、被測定系の電源切断、発生日時の記録
等）ができる論理回路の接続状態検出方法を提供
することを目的とする。
で、LSI論理回路の電極と端子の接続、たとえ
ば、マイクロボンデイング部の接続経時変化を連
続的にモニタリングし、接続不良発生時点を正確
に把握して、モニタリング目的に応じた対策（た
とえば、被測定系の電源切断、発生日時の記録
等）ができる論理回路の接続状態検出方法を提供
することを目的とする。
本発明は上記目的を達成するため、LSI等にお
けるマイクロボンデイング部等の接続状態検出用
にそのLSI等の論理回路の一部を割り当ててリン
グオシレータを構成し、該リングオシレータの出
力を、リングオシレータが正常に作動している場
合、積分値が上下一定範囲レベルに収まるような
積分定数を有する積分回路に入力し、マイクロボ
ンデイング部の接続不良によりリングオシレータ
の出力が連続的に論理レベル“１”あるいは
“０”になり、積分回路の出力レベルが上下一定
範囲を越えた場合、それを検出してマイクロボン
デイング部の接続状態不良を検出する。
けるマイクロボンデイング部等の接続状態検出用
にそのLSI等の論理回路の一部を割り当ててリン
グオシレータを構成し、該リングオシレータの出
力を、リングオシレータが正常に作動している場
合、積分値が上下一定範囲レベルに収まるような
積分定数を有する積分回路に入力し、マイクロボ
ンデイング部の接続不良によりリングオシレータ
の出力が連続的に論理レベル“１”あるいは
“０”になり、積分回路の出力レベルが上下一定
範囲を越えた場合、それを検出してマイクロボン
デイング部の接続状態不良を検出する。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明す
る。
る。
第１図はLSIチツプの電極に端子を接続した状
態を示す図で、たとえば、縦横10mm×10mmのLSI
チツプ１０に直径100μｍ程度の複数の電極１１
が設けられ、該電極１１に端子１２が接続されて
いる。この電極１１と端子１２の接続部分がいわ
ゆるマイクロボンデイング部といわれるものであ
る。
態を示す図で、たとえば、縦横10mm×10mmのLSI
チツプ１０に直径100μｍ程度の複数の電極１１
が設けられ、該電極１１に端子１２が接続されて
いる。この電極１１と端子１２の接続部分がいわ
ゆるマイクロボンデイング部といわれるものであ
る。
上記のようなLSIチツプ１０において、たとえ
ば、破線１３で示すように端子１２間を接続する
と、第２図に示すような論理回路のリングオシレ
ータが構成される。このこの論理回路は、一般の
論理回路用ではなく、マイクロボンデイング部等
の接続状態検出用に割り当てられたものである。
第２図において、１４，１５は電極１１と端子１
２を接続したマイクロボンデイング部である。
ば、破線１３で示すように端子１２間を接続する
と、第２図に示すような論理回路のリングオシレ
ータが構成される。このこの論理回路は、一般の
論理回路用ではなく、マイクロボンデイング部等
の接続状態検出用に割り当てられたものである。
第２図において、１４，１５は電極１１と端子１
２を接続したマイクロボンデイング部である。
第３図は、本発明の一実施例のブロツク図であ
る。図において、１６は第２図に示すようなリン
グオシレータであり、該リングオシレータ１６の
出力は、積分回路１７に入力され、積分される。
論理回路１７の出力は、基準電圧比較回路１８
で、あるレベルの基準電圧と比較され、その結果
を判定回路１９で判定し、マイクロボンデイング
部の接続状態の良否を検出する。
る。図において、１６は第２図に示すようなリン
グオシレータであり、該リングオシレータ１６の
出力は、積分回路１７に入力され、積分される。
論理回路１７の出力は、基準電圧比較回路１８
で、あるレベルの基準電圧と比較され、その結果
を判定回路１９で判定し、マイクロボンデイング
部の接続状態の良否を検出する。
第４図はリングオシレータ１６の出力と、積分
回路１７の出力を示すタイミングチヤートであ
る。図において、リングオシレータ１６の出力
ROは、理論値レベル“１”と“０”の占有時間
が相等しい矩形波出力である。いま、リングオシ
レータ１６が時刻t0まで正常に作動し、マイクロ
ボンデイング部１４，１５等の不良で時刻t0で動
作が異常となつたものと仮定する。積分回路１７
の出力IOは、時間ｔからt0までリングオシレータ
１６の出力を積分した上下一定レベルVH，VLの
範囲に収まる正常動作時の波形を示すが、時刻t0
でマイクロボンデイング部１４あるいは１５が不
良となり、リングオシレータ１６の出力ROが実
線１０１あるいは破線１０２に示すように連続し
た論理レベル“１”あるいは論理レベル“０”に
なると、積分回路１７の出力は、それぞれ実線１
０３、破線１０４に示すように論理レベル“１”
または論理レベル“０”になる。この論理レベル
“１”あるいは論理レベル“０”には、積分回路
１７の積分定数に従つて到達する。ここで、マイ
クロボンデイング部が正常状態であることの判定
用基準電圧として、正常時の積分回路１７の出力
IOの上下電圧に回路動作マージン電圧“ΔV”を
加減した値、すなわち、VHとVLを用いる。
回路１７の出力を示すタイミングチヤートであ
る。図において、リングオシレータ１６の出力
ROは、理論値レベル“１”と“０”の占有時間
が相等しい矩形波出力である。いま、リングオシ
レータ１６が時刻t0まで正常に作動し、マイクロ
ボンデイング部１４，１５等の不良で時刻t0で動
作が異常となつたものと仮定する。積分回路１７
の出力IOは、時間ｔからt0までリングオシレータ
１６の出力を積分した上下一定レベルVH，VLの
範囲に収まる正常動作時の波形を示すが、時刻t0
でマイクロボンデイング部１４あるいは１５が不
良となり、リングオシレータ１６の出力ROが実
線１０１あるいは破線１０２に示すように連続し
た論理レベル“１”あるいは論理レベル“０”に
なると、積分回路１７の出力は、それぞれ実線１
０３、破線１０４に示すように論理レベル“１”
または論理レベル“０”になる。この論理レベル
“１”あるいは論理レベル“０”には、積分回路
１７の積分定数に従つて到達する。ここで、マイ
クロボンデイング部が正常状態であることの判定
用基準電圧として、正常時の積分回路１７の出力
IOの上下電圧に回路動作マージン電圧“ΔV”を
加減した値、すなわち、VHとVLを用いる。
第５図は、第３図を具体化した回路図である。
リングオシレータ１６の出力は、増幅器２０で増
幅され、抵抗R1とコンデンサC1で構成される積
分回路１７に入力される。積分回路１７の出力
は、比較器２１と比較器２２およびOR回路２３
で構成される基準電圧比較回路１８に入力され
る。基準電圧比較回路１８の出力は、インバータ
２５を介して、フリツプフロツプ２６と電源ON
時リセツト信号を発するリセツト回路２７で構成
される判定回路１９へ入力される。比較器２１に
は基準電圧VLが入力され、積分回路１７の出力
が基準電圧VL以下であるか否かを判定し、比較
器２２には基準電圧VHが入力され、積分回路１
７の出力が基準電圧VH以上でるか否かを判定す
る。
リングオシレータ１６の出力は、増幅器２０で増
幅され、抵抗R1とコンデンサC1で構成される積
分回路１７に入力される。積分回路１７の出力
は、比較器２１と比較器２２およびOR回路２３
で構成される基準電圧比較回路１８に入力され
る。基準電圧比較回路１８の出力は、インバータ
２５を介して、フリツプフロツプ２６と電源ON
時リセツト信号を発するリセツト回路２７で構成
される判定回路１９へ入力される。比較器２１に
は基準電圧VLが入力され、積分回路１７の出力
が基準電圧VL以下であるか否かを判定し、比較
器２２には基準電圧VHが入力され、積分回路１
７の出力が基準電圧VH以上でるか否かを判定す
る。
第５図に示す回路において、電源をONすると
リセツト回路２７からリセツト信号が出力され、
フリツプフロツプ２６をリセツトする。リングオ
シレータ１６が作動し、連続した矩形パルス出力
ROを発する。出力ROの論理レベル“１”と
“０”をそれぞれ積分回路１７で積分しても、マ
イクロボンデイングが正常である間は、積分回路
１７の出力IOは上下とも基準電圧VH，VLのレベ
ルを越えないため、比較器２１および２２はいず
れも出力を発せず、判定回路１９の出力端子２８
には出力があらわれない。しかしながら、第４図
に示すように時刻t0でリングオシレータが異常状
態となり、実線１０１あるいは破線１０２のよう
に連続した論理レベル“１”あるいは論理レベル
“０”となると、積分回路１７の出力IOは、その
積分定数に従つて徐々に上昇あるいは下降して実
線１０３あるいは破線１０４に示すように連続し
た“１”あるいは“０”になる。比較器２１ある
いは比較器２２は、積分回路１７の出力が基準電
圧VLあいは基準電圧VHのレベルをこえると出力
を発し、該出力がOR回路２３、インバータ２５
を通つてフリツプフロツプ２６をセツトし、端子
２８に出力を発し、マイクロボンデイング部に接
続不良が発生したことを知らせる。なお、フリツ
プフロツプ２６の出力信号は、各種の制御信号、
たとえば被測定系の電源切断、発生日時の記録等
の信号として利用できる。
リセツト回路２７からリセツト信号が出力され、
フリツプフロツプ２６をリセツトする。リングオ
シレータ１６が作動し、連続した矩形パルス出力
ROを発する。出力ROの論理レベル“１”と
“０”をそれぞれ積分回路１７で積分しても、マ
イクロボンデイングが正常である間は、積分回路
１７の出力IOは上下とも基準電圧VH，VLのレベ
ルを越えないため、比較器２１および２２はいず
れも出力を発せず、判定回路１９の出力端子２８
には出力があらわれない。しかしながら、第４図
に示すように時刻t0でリングオシレータが異常状
態となり、実線１０１あるいは破線１０２のよう
に連続した論理レベル“１”あるいは論理レベル
“０”となると、積分回路１７の出力IOは、その
積分定数に従つて徐々に上昇あるいは下降して実
線１０３あるいは破線１０４に示すように連続し
た“１”あるいは“０”になる。比較器２１ある
いは比較器２２は、積分回路１７の出力が基準電
圧VLあいは基準電圧VHのレベルをこえると出力
を発し、該出力がOR回路２３、インバータ２５
を通つてフリツプフロツプ２６をセツトし、端子
２８に出力を発し、マイクロボンデイング部に接
続不良が発生したことを知らせる。なお、フリツ
プフロツプ２６の出力信号は、各種の制御信号、
たとえば被測定系の電源切断、発生日時の記録等
の信号として利用できる。
上記実施例によれば、マイクロボンデイング部
１４，１５等の接続経時変化を連続的にモニタリ
ングできるので、前記従来のマイクロボンデイン
グ部の接続状態検出方法に比較し工数を低減でき
る。また、連続モニタリングによりマイクロボン
デイング部の接続不良の発生を正確に把握できる
ので、その後の処置に対する制御信号を取り出す
こともでき、さらに、論理回路を動作させながら
マイクロボンデイング部の接続寿命を評価できる
ので、マイクロボンデイングを実際の使用条件に
おいて、その寿命を計測できる。
１４，１５等の接続経時変化を連続的にモニタリ
ングできるので、前記従来のマイクロボンデイン
グ部の接続状態検出方法に比較し工数を低減でき
る。また、連続モニタリングによりマイクロボン
デイング部の接続不良の発生を正確に把握できる
ので、その後の処置に対する制御信号を取り出す
こともでき、さらに、論理回路を動作させながら
マイクロボンデイング部の接続寿命を評価できる
ので、マイクロボンデイングを実際の使用条件に
おいて、その寿命を計測できる。
以上説明したように、本発明によれば、LSI等
の電極と端子の接続部分を含む論理回路でリング
オシレータを構成し、該リングオシレータの出力
を積分回路で積分し、積分値が一定レベル以上あ
るいは一定レベル以下であるか否かにより、接続
部分の接続状態を検出するようにしたので、接続
部の経時変化を連続的に監視できると共に接続不
良発生時点を正確に把握でき、接続不良発生に対
して適切な処置を採ることができるという優れた
効果が得られる。
の電極と端子の接続部分を含む論理回路でリング
オシレータを構成し、該リングオシレータの出力
を積分回路で積分し、積分値が一定レベル以上あ
るいは一定レベル以下であるか否かにより、接続
部分の接続状態を検出するようにしたので、接続
部の経時変化を連続的に監視できると共に接続不
良発生時点を正確に把握でき、接続不良発生に対
して適切な処置を採ることができるという優れた
効果が得られる。
第１図はLSIチツプの電極と端子の接続状態を
示す図、第２図はリングオシレータの構成を示す
図、第３図は本発明の一実施例を示すブロツク
図、第４図はリングオシレータの出力と積分回路
の出力とを示すタイミング図、第５図は第３図の
実施例を具体化した回路図である。 １０…LSIチツプ、１１…電極、１２…端子、
１４，１５…マイクロボンデイング部、１６…リ
ングオシレータ、１７…積分回路、１８…基準電
圧比較回路、１９…判定回路。
示す図、第２図はリングオシレータの構成を示す
図、第３図は本発明の一実施例を示すブロツク
図、第４図はリングオシレータの出力と積分回路
の出力とを示すタイミング図、第５図は第３図の
実施例を具体化した回路図である。 １０…LSIチツプ、１１…電極、１２…端子、
１４，１５…マイクロボンデイング部、１６…リ
ングオシレータ、１７…積分回路、１８…基準電
圧比較回路、１９…判定回路。
Claims (1)
- １ 半導体集積回路の電極と端子の接続部分を含
む、該接続部分の接続状態検出用に割当てられた
該半導体集積回路の論理回路でリングオシレータ
を構成し、該リングオシレータの出力波形を積分
回路で積分し、該積分回路での積分値が一定レベ
ル以上あるいは一定レベル以下になつたか否かに
より前記接続部分の接続状態を検出することを特
徴とする論理回路の接続状態を検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59040324A JPS60185173A (ja) | 1984-03-05 | 1984-03-05 | 論理回路の接続状態検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59040324A JPS60185173A (ja) | 1984-03-05 | 1984-03-05 | 論理回路の接続状態検出方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60185173A JPS60185173A (ja) | 1985-09-20 |
| JPH0436347B2 true JPH0436347B2 (ja) | 1992-06-15 |
Family
ID=12577424
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59040324A Granted JPS60185173A (ja) | 1984-03-05 | 1984-03-05 | 論理回路の接続状態検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60185173A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6423270B2 (ja) * | 2014-12-26 | 2018-11-14 | 株式会社メガチップス | 乱数生成装置及び乱数生成方法 |
| JP6423277B2 (ja) * | 2015-01-09 | 2018-11-14 | 株式会社メガチップス | 乱数生成装置及び乱数生成方法 |
| JP6379032B2 (ja) * | 2014-12-26 | 2018-08-22 | 株式会社メガチップス | 乱数生成装置及び乱数生成方法 |
| CN108732458A (zh) * | 2018-07-27 | 2018-11-02 | 重庆长安汽车股份有限公司 | 一种连接器连接状态的检测电路及新能源汽车 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5719385A (en) * | 1980-07-11 | 1982-02-01 | Nissan Chem Ind Ltd | Gaseous nitrogen oxide generation inhibitor for nitric acid pickling bath |
| JPS5728913A (en) * | 1980-07-28 | 1982-02-16 | Shin Nippon Eng Kk | Mixing system of oil and water obtaining stabilized emulsion fuel |
-
1984
- 1984-03-05 JP JP59040324A patent/JPS60185173A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60185173A (ja) | 1985-09-20 |
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