JPH04364762A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH04364762A JPH04364762A JP14032191A JP14032191A JPH04364762A JP H04364762 A JPH04364762 A JP H04364762A JP 14032191 A JP14032191 A JP 14032191A JP 14032191 A JP14032191 A JP 14032191A JP H04364762 A JPH04364762 A JP H04364762A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor element
- lead frame
- sealing resin
- carrier tape
- film carrier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関し、特に
ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎ
ｇ）技術を用いて組立てられた半導体装置に関する。
ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎ
ｇ）技術を用いて組立てられた半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置のパッケージング工程におい
ては、チップをパッケージにマウントし、チップの電極
とパッケージの外部端子とを金属ワイヤによって接続す
るワイヤボンディング技術、あるいはチップの電極とパ
ッケージの外部端子とをフィルムキャリアテープに形成
されたリードを介して接続するＴＡＢ技術が用いられて
いる。
ては、チップをパッケージにマウントし、チップの電極
とパッケージの外部端子とを金属ワイヤによって接続す
るワイヤボンディング技術、あるいはチップの電極とパ
ッケージの外部端子とをフィルムキャリアテープに形成
されたリードを介して接続するＴＡＢ技術が用いられて
いる。
【０００３】図３は、ＴＡＢ技術を使用して半導体装置
を組立てた例を示しており、半導体素子１には電気的接
続のためのバンプ２が形成され、例えば銅箔によるリー
ド３のインナとボンディングされる。リード３はフィル
ムキャリアテープ４に接合された銅泊をエッチングする
ことにより形成され、電気的接続等を良好にするべくメ
ッキ処理がなされている。インナリードのボンディング
が終了すると、アウタリードは切断され、リード３のア
ウタリードはパッケージの外部端子となるリードフレー
ム６の接続面にボンディングされる。半導体素子１とリ
ードフレーム６とを電気的に接続するインナ及びアウタ
ボンディングが終了すると、半導体素子１、リード３、
フィルムキャリアテープ４及びリードフレーム６は、保
護のための封止樹脂５によってモールディングされ、組
立は終了する。
を組立てた例を示しており、半導体素子１には電気的接
続のためのバンプ２が形成され、例えば銅箔によるリー
ド３のインナとボンディングされる。リード３はフィル
ムキャリアテープ４に接合された銅泊をエッチングする
ことにより形成され、電気的接続等を良好にするべくメ
ッキ処理がなされている。インナリードのボンディング
が終了すると、アウタリードは切断され、リード３のア
ウタリードはパッケージの外部端子となるリードフレー
ム６の接続面にボンディングされる。半導体素子１とリ
ードフレーム６とを電気的に接続するインナ及びアウタ
ボンディングが終了すると、半導体素子１、リード３、
フィルムキャリアテープ４及びリードフレーム６は、保
護のための封止樹脂５によってモールディングされ、組
立は終了する。
【０００４】図４は、ワイヤボンディングによって半導
体装置を組立てた例を示しており、図３に示された部分
と対応する部分には同一符号を付している。まず、半導
体素子１はリードフレームのベッド８に接着される。半
導体素子１の電極とパッケージの外部端子となるリード
フレーム６の接続面とは金属ワイヤによってボンディン
グされる。半導体素子１、ワイヤ７及びリードフレーム
６は、保護のための封止樹脂５によってモールディング
され、組立は終了する。
体装置を組立てた例を示しており、図３に示された部分
と対応する部分には同一符号を付している。まず、半導
体素子１はリードフレームのベッド８に接着される。半
導体素子１の電極とパッケージの外部端子となるリード
フレーム６の接続面とは金属ワイヤによってボンディン
グされる。半導体素子１、ワイヤ７及びリードフレーム
６は、保護のための封止樹脂５によってモールディング
され、組立は終了する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図４に示すようにワイ
ヤボンディングにより半導体素子１を組立てた場合には
、半導体素子１はリードフレームのベッド８に載置され
ているので半導体素子１の上面の封止樹脂５の厚さＢは
比較的に薄く、半導体素子１に発生した熱は封止樹脂５
及びリードフレーム８を介して放熱される。これに対し
、図３に示されるようにＴＡＢを用いてパッケージング
された状態では、半導体素子１の上面の封止樹脂５の厚
さＡは比較的に厚く、半導体素子１が発生する熱の放散
は比較的に悪い。
ヤボンディングにより半導体素子１を組立てた場合には
、半導体素子１はリードフレームのベッド８に載置され
ているので半導体素子１の上面の封止樹脂５の厚さＢは
比較的に薄く、半導体素子１に発生した熱は封止樹脂５
及びリードフレーム８を介して放熱される。これに対し
、図３に示されるようにＴＡＢを用いてパッケージング
された状態では、半導体素子１の上面の封止樹脂５の厚
さＡは比較的に厚く、半導体素子１が発生する熱の放散
は比較的に悪い。
【０００６】このため、ＴＡＢ技術を用いてパッケージ
ングされた半導体素子のパターン面は熱による封止樹脂
の膨脹あるいは伸縮によってストレスをより多く受ける
。特に、パターン面から突出したバンプの近傍には剪断
応力が加わって、バンプ周辺の表面保護膜から下部の半
導体基板に至るクラックを誘発する。また、半導体素子
自身が発する熱によって半導体装置の信頼性が低下する
。
ングされた半導体素子のパターン面は熱による封止樹脂
の膨脹あるいは伸縮によってストレスをより多く受ける
。特に、パターン面から突出したバンプの近傍には剪断
応力が加わって、バンプ周辺の表面保護膜から下部の半
導体基板に至るクラックを誘発する。また、半導体素子
自身が発する熱によって半導体装置の信頼性が低下する
。
【０００７】よって、本発明は、半導体素子に印加され
るストレスを軽減し、熱放散を改善した半導体装置を提
供することを目的とする。
るストレスを軽減し、熱放散を改善した半導体装置を提
供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明の半導体装置は、フィルムキャリアテープ上にパ
ターン形成された金属箔と、この金属箔の一端に接続さ
れた半導体素子と、前記金属箔の他端に一端が接続され
たリードフレームと、上記半導体素子と上記金属箔との
接続部分に接触して配置された熱伝導率の高い絶縁体板
と、前記リードフレームの他端以外を封止した封止樹脂
とを具備することを特徴とする。
本発明の半導体装置は、フィルムキャリアテープ上にパ
ターン形成された金属箔と、この金属箔の一端に接続さ
れた半導体素子と、前記金属箔の他端に一端が接続され
たリードフレームと、上記半導体素子と上記金属箔との
接続部分に接触して配置された熱伝導率の高い絶縁体板
と、前記リードフレームの他端以外を封止した封止樹脂
とを具備することを特徴とする。
【０００９】
【作用】半導体素子と金属箔との接続部分に接触して配
置された絶縁体板は、封止樹脂の厚みを減少して樹脂の
伸縮による応力の発生を減少すると共に半導体素子の発
する熱を外部に向けて放散する。また、半導体素子と金
属箔との接続部分に剪断力が発生することを防止する。
置された絶縁体板は、封止樹脂の厚みを減少して樹脂の
伸縮による応力の発生を減少すると共に半導体素子の発
する熱を外部に向けて放散する。また、半導体素子と金
属箔との接続部分に剪断力が発生することを防止する。
【００１０】この結果、半導体素子にクラックが発生す
るという不具合は解消され、半導体素子からの熱放散が
改善される。
るという不具合は解消され、半導体素子からの熱放散が
改善される。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例について図１を参照し
て説明する。図１において図３と対応する部分には同一
符号を付している。半導体素子１には電気的接続のため
のバンプ２が形成され、例えば銅箔によるリード３のイ
ンナとボンディングされる。リード３はフィルムキャリ
アテープ４に接合された銅泊をエッチングすることによ
り形成され、電気的接続等を良好にするべくメッキ処理
がなされている。インナリードのボンディングが終了す
ると、アウタリードは切断され、リード３のアウタリー
ドはパッケージの外部端子となるリードフレーム６の接
続面にボンディングされる。
て説明する。図１において図３と対応する部分には同一
符号を付している。半導体素子１には電気的接続のため
のバンプ２が形成され、例えば銅箔によるリード３のイ
ンナとボンディングされる。リード３はフィルムキャリ
アテープ４に接合された銅泊をエッチングすることによ
り形成され、電気的接続等を良好にするべくメッキ処理
がなされている。インナリードのボンディングが終了す
ると、アウタリードは切断され、リード３のアウタリー
ドはパッケージの外部端子となるリードフレーム６の接
続面にボンディングされる。
【００１２】半導体素子１とリードフレーム６とを電気
的に接続するインナ及びアウタボンディングが終了する
と、熱伝導性の良い絶縁体である、Ａｌ２ Ｏ３ 、Ａ
ｌＮ、ＳｉＣ等のいわゆるセラミックの板９をフィルム
キャリアテープ４によって囲まれた部分に載置する。こ
の後、半導体素子１、リード３、フィルムキャリアテー
プ４、リードフレーム６及びセラミック板９は、保護の
ための封止樹脂５によってモールディングされ、組立は
終了する。
的に接続するインナ及びアウタボンディングが終了する
と、熱伝導性の良い絶縁体である、Ａｌ２ Ｏ３ 、Ａ
ｌＮ、ＳｉＣ等のいわゆるセラミックの板９をフィルム
キャリアテープ４によって囲まれた部分に載置する。こ
の後、半導体素子１、リード３、フィルムキャリアテー
プ４、リードフレーム６及びセラミック板９は、保護の
ための封止樹脂５によってモールディングされ、組立は
終了する。
【００１３】こうすると、半導体素子１上の樹脂厚Ａは
、ＱＦＰ型パッケージを例にとると、第３図の構成では
１．７〜１．８ｍｍ、図４の構成では１．３ｍｍである
のに対し、図１の本発明の構成では０．５ｍｍ以下とな
り、大幅に減少する。
、ＱＦＰ型パッケージを例にとると、第３図の構成では
１．７〜１．８ｍｍ、図４の構成では１．３ｍｍである
のに対し、図１の本発明の構成では０．５ｍｍ以下とな
り、大幅に減少する。
【００１４】図２は、半導体素子上の樹脂厚Ａとクラッ
ク発生率との関係を調べた結果を示しており、樹脂厚Ａ
が０．５ｍｍ以下になると封止樹脂による応力は急に低
下し、バンプ周辺へのクラックは発生しない。従って、
樹脂厚Ａを０．５ｍｍ以下に設定可能な実施例の構成を
用いることにより、クラック発生の不具合は解消される
。
ク発生率との関係を調べた結果を示しており、樹脂厚Ａ
が０．５ｍｍ以下になると封止樹脂による応力は急に低
下し、バンプ周辺へのクラックは発生しない。従って、
樹脂厚Ａを０．５ｍｍ以下に設定可能な実施例の構成を
用いることにより、クラック発生の不具合は解消される
。
【００１５】また、封止樹脂の熱伝導率は６〜１５×１
０−３ Ｗ／ｃｍ．Ｋ であるのに対し、例えばアルミ
ナセラミック板の熱伝導率は２〜１０×１０−１ Ｗ／
ｃｍ．Ｋ もあり、熱放散が改善される。
０−３ Ｗ／ｃｍ．Ｋ であるのに対し、例えばアルミ
ナセラミック板の熱伝導率は２〜１０×１０−１ Ｗ／
ｃｍ．Ｋ もあり、熱放散が改善される。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように本発明の半導体装置
においては、熱伝導率の良い絶縁体板を半導体素子とリ
ードフレームとを接続するフィルムキャリアテープのリ
ード上に載せて樹脂封止し、封止樹脂の厚さを減少させ
ているので、封止樹脂の伸縮に起因するクラック発生を
減少させ、熱放散を改善して半導体装置の信頼性を増す
ことが可能となる。
においては、熱伝導率の良い絶縁体板を半導体素子とリ
ードフレームとを接続するフィルムキャリアテープのリ
ード上に載せて樹脂封止し、封止樹脂の厚さを減少させ
ているので、封止樹脂の伸縮に起因するクラック発生を
減少させ、熱放散を改善して半導体装置の信頼性を増す
ことが可能となる。
【図１】本発明の実施例を示す説明図。
【図２】封止樹脂の厚さとクラック発生率の関係を示す
グラフ。
グラフ。
【図３】従来のＴＡＢ技術を用いた半導体装置を示す説
明図。
明図。
【図４】従来のワイヤボンディング技術を用いた半導体
装置を示す説明図。
装置を示す説明図。
１ 半導体素子
２ バンプ
３ 銅箔リード
４ フィルムキャリアテープ
５ 封止樹脂
６ リードフレーム
７ ボンディングワイヤ
８ リードフレームベッド
９ セラミック板
Claims (1)
- 【請求項１】フィルムキャリアテープ上にパターン形成
された金属箔と、この金属箔の一端に接続された半導体
素子と、前記金属箔の他端に一端が接続されたリードフ
レームと、前記半導体素子と前記金属箔との接続部分に
接触して配置された熱伝導率の高い絶縁体板と、前記リ
ードフレームの他端以外を封止した封止樹脂とを具備し
たことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14032191A JPH04364762A (ja) | 1991-06-12 | 1991-06-12 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14032191A JPH04364762A (ja) | 1991-06-12 | 1991-06-12 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04364762A true JPH04364762A (ja) | 1992-12-17 |
Family
ID=15266097
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14032191A Pending JPH04364762A (ja) | 1991-06-12 | 1991-06-12 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04364762A (ja) |
-
1991
- 1991-06-12 JP JP14032191A patent/JPH04364762A/ja active Pending
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