JPH04365331A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH04365331A JPH04365331A JP3140563A JP14056391A JPH04365331A JP H04365331 A JPH04365331 A JP H04365331A JP 3140563 A JP3140563 A JP 3140563A JP 14056391 A JP14056391 A JP 14056391A JP H04365331 A JPH04365331 A JP H04365331A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pad
- gate pad
- semiconductor device
- earth
- drain pad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関し、特に
高周波電力増幅用のガリウム砒素ＦＥＴ等のようにドレ
インパッドとゲートパッドの周囲に接地用金属部が形成
される半導体基板を有する半導体装置に関する。
高周波電力増幅用のガリウム砒素ＦＥＴ等のようにドレ
インパッドとゲートパッドの周囲に接地用金属部が形成
される半導体基板を有する半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】高周波電力増幅用のガリウム砒素ＦＥＴ
等の半導体装置は、ガリウム砒素等の半導体の基板に金
属層を裏打ちしてヒートシンクとするＰＨＳ構造を有し
ている。
等の半導体装置は、ガリウム砒素等の半導体の基板に金
属層を裏打ちしてヒートシンクとするＰＨＳ構造を有し
ている。
【０００３】従来のこの種の半導体装置は、図２に示す
ように、ガリウム砒素等の半導体の基板６の一主面にド
レインパッド１と、ゲートパッド２とを形成し、基板６
の周囲にドレインパッド１とゲートパッド２を囲む接地
用金属部４を有していた。そして、基板６の上面から接
地用金属部４の上面までの高さは、ドレインパッド１お
よびゲートパッド２のそれぞれの上面までの高さとほぼ
同一であった。また、ソース接地で使用するので、ソー
スパッド３は接地用金属部４に接続されていた。
ように、ガリウム砒素等の半導体の基板６の一主面にド
レインパッド１と、ゲートパッド２とを形成し、基板６
の周囲にドレインパッド１とゲートパッド２を囲む接地
用金属部４を有していた。そして、基板６の上面から接
地用金属部４の上面までの高さは、ドレインパッド１お
よびゲートパッド２のそれぞれの上面までの高さとほぼ
同一であった。また、ソース接地で使用するので、ソー
スパッド３は接地用金属部４に接続されていた。
【０００４】ドレインパッド１およびゲートパッド２に
は、ボンデイングワイヤ７により、接地用金属部４の上
面をまたいでパッケージ上のストリップライン等の外部
端子と接続していた。一般に、この種の半導体装置は高
周波特性を向上するため、不用インピーダンスとなるボ
ンデイングワイヤ７は可能な限り短くすることが要求さ
れる。また、パッケージも高周波特性を優先するととも
に、生産性やユーザ側における回路への適合性を考慮し
て、ストリップライン等の外部端子の高さがドレインパ
ッド１およびゲートパッド２よりも低い位置となる設計
がしばしば採用されていた。
は、ボンデイングワイヤ７により、接地用金属部４の上
面をまたいでパッケージ上のストリップライン等の外部
端子と接続していた。一般に、この種の半導体装置は高
周波特性を向上するため、不用インピーダンスとなるボ
ンデイングワイヤ７は可能な限り短くすることが要求さ
れる。また、パッケージも高周波特性を優先するととも
に、生産性やユーザ側における回路への適合性を考慮し
て、ストリップライン等の外部端子の高さがドレインパ
ッド１およびゲートパッド２よりも低い位置となる設計
がしばしば採用されていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
装置は、ドレインパッドおよびゲートパッドをボンデイ
ングワイヤによりパッケージ上のストリップライン等の
外部端子と接続するときに、ボンデイングワイヤを可能
な限り短くする必要があり、また、ストリップライン等
の外部端子の位置が低い場合には、しばしば中間の接地
用金属部に接触し短絡不良を発生するという欠点を有し
ている。
装置は、ドレインパッドおよびゲートパッドをボンデイ
ングワイヤによりパッケージ上のストリップライン等の
外部端子と接続するときに、ボンデイングワイヤを可能
な限り短くする必要があり、また、ストリップライン等
の外部端子の位置が低い場合には、しばしば中間の接地
用金属部に接触し短絡不良を発生するという欠点を有し
ている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
ドレインパッドとゲートパッドの周囲に接地用金属部が
形成される半導体基板を有する半導体装置において、こ
の接地用金属部の上面を前記ドレインパッドおよび前記
ゲートパッドのそれぞれの上面よりも低い位置となるよ
うに形成するものである。
ドレインパッドとゲートパッドの周囲に接地用金属部が
形成される半導体基板を有する半導体装置において、こ
の接地用金属部の上面を前記ドレインパッドおよび前記
ゲートパッドのそれぞれの上面よりも低い位置となるよ
うに形成するものである。
【０００７】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【０００８】図１は本発明の半導体装置の一実施例を示
す（Ａ）は平面図および（Ｂ）はＡ−Ｂ線における模式
断面図である。
す（Ａ）は平面図および（Ｂ）はＡ−Ｂ線における模式
断面図である。
【０００９】本実施例の半導体装置は、図１に示すよう
に、ガリウム砒素等の半導体の基板６の一主面にドレイ
ンパッド１と、ゲートパッド２とを形成し、その面より
低く加工された基板６の周囲にドレインパッド１とゲー
トパッド２を囲む接地用金属部４を有している。したが
って、接地金属部４は、ドレインパッド１およびゲート
パッド２より低い位置に形成される。また、ソース接地
で使用するので、ソースパッド３は接地用金属部４に接
続されている。
に、ガリウム砒素等の半導体の基板６の一主面にドレイ
ンパッド１と、ゲートパッド２とを形成し、その面より
低く加工された基板６の周囲にドレインパッド１とゲー
トパッド２を囲む接地用金属部４を有している。したが
って、接地金属部４は、ドレインパッド１およびゲート
パッド２より低い位置に形成される。また、ソース接地
で使用するので、ソースパッド３は接地用金属部４に接
続されている。
【００１０】次に、本実施例の半導体装置の構造の形成
法について説明する。
法について説明する。
【００１１】図３（Ａ）〜（Ｄ）は、本実施例の半導体
装置の製造プロセスの一例を示すウエーハの一部の模式
部分断面図である。まず、（Ａ）では、チップの境界６
１となる基板６の周辺部を約５０μｍ残してソースパッ
ド３を含む基板６の全体をフォトレジスト５でマスキン
グする。次に、（Ｂ）に示すように、約１０μｍの深さ
でエッチングする。次に、（Ｃ）に示すように、フォト
レジスト５を除去し、再び第二のフォトレジスト５１で
接地用金属部４を形成する周辺部以外の基板６の全体と
境界６１の部分とをフォトレジスト５でマスキングする
。このとき、ソースパッド３の先端部の約５μｍの部分
は接地用金属部４と接続するためマスキングを行なわな
いようにする。次に、（Ｄ）に示すように、金等の金属
層を厚さ約２μｍになるように成長させる。フォトレジ
スト５１を除去後、ウエーハを石英板に貼り付け、裏面
よりスクライブ部をエッチングし、裏面に金属層を成長
させるという裏面加工を行なう。裏面加工後、それぞれ
のチップごとに分離する。
装置の製造プロセスの一例を示すウエーハの一部の模式
部分断面図である。まず、（Ａ）では、チップの境界６
１となる基板６の周辺部を約５０μｍ残してソースパッ
ド３を含む基板６の全体をフォトレジスト５でマスキン
グする。次に、（Ｂ）に示すように、約１０μｍの深さ
でエッチングする。次に、（Ｃ）に示すように、フォト
レジスト５を除去し、再び第二のフォトレジスト５１で
接地用金属部４を形成する周辺部以外の基板６の全体と
境界６１の部分とをフォトレジスト５でマスキングする
。このとき、ソースパッド３の先端部の約５μｍの部分
は接地用金属部４と接続するためマスキングを行なわな
いようにする。次に、（Ｄ）に示すように、金等の金属
層を厚さ約２μｍになるように成長させる。フォトレジ
スト５１を除去後、ウエーハを石英板に貼り付け、裏面
よりスクライブ部をエッチングし、裏面に金属層を成長
させるという裏面加工を行なう。裏面加工後、それぞれ
のチップごとに分離する。
【００１２】以上のようにして、ドレインパッド１とゲ
ートパッド２がある面より約約１０μｍ低い位置に接地
用金属部４が形成される。
ートパッド２がある面より約約１０μｍ低い位置に接地
用金属部４が形成される。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置は、接地用金属部の上面をドレインパッドおよびゲー
トパッドのそれぞれの上面よりも低い位置になるように
形成することにより、ドレインパッドおよびゲートパッ
ドをボンデイングワイヤによりパッケージ上のストリッ
プライン等の外部端子と接続するときに、ボンデイング
ワイヤと接地用金属部との間隔が十分確保されるので、
接地用金属部に接触し短絡不良を発生するという危険性
を大幅に低減できるという効果を有している。
置は、接地用金属部の上面をドレインパッドおよびゲー
トパッドのそれぞれの上面よりも低い位置になるように
形成することにより、ドレインパッドおよびゲートパッ
ドをボンデイングワイヤによりパッケージ上のストリッ
プライン等の外部端子と接続するときに、ボンデイング
ワイヤと接地用金属部との間隔が十分確保されるので、
接地用金属部に接触し短絡不良を発生するという危険性
を大幅に低減できるという効果を有している。
【図１】本発明の半導体装置の一実施例を示す平面図お
よび模式断面図である。
よび模式断面図である。
【図２】従来の半導体装置の一例を示す平面図および模
式断面図である。
式断面図である。
【図３】本実施例の半導体装置の製造プロセスの一例を
示すウエーハの一部の模式部分断面図である。
示すウエーハの一部の模式部分断面図である。
１ ドレインパッド
２ ゲートパッド
３ ソースパッド
４ 接地用金属部
５，５１ フォトレジスト
６ 基板
６１ 境界
Claims (1)
- 【請求項１】 ドレインパッドとゲートパッドの周囲
に接地用金属部が形成される半導体基板を有する半導体
装置において、この接地用金属部の上面を前記ドレイン
パッドおよび前記ゲートパッドのそれぞれの上面よりも
低い位置となるように形成することを特徴とする半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3140563A JPH04365331A (ja) | 1991-06-13 | 1991-06-13 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3140563A JPH04365331A (ja) | 1991-06-13 | 1991-06-13 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04365331A true JPH04365331A (ja) | 1992-12-17 |
Family
ID=15271595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3140563A Pending JPH04365331A (ja) | 1991-06-13 | 1991-06-13 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04365331A (ja) |
-
1991
- 1991-06-13 JP JP3140563A patent/JPH04365331A/ja active Pending
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