JPH0436727B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0436727B2 JPH0436727B2 JP62126701A JP12670187A JPH0436727B2 JP H0436727 B2 JPH0436727 B2 JP H0436727B2 JP 62126701 A JP62126701 A JP 62126701A JP 12670187 A JP12670187 A JP 12670187A JP H0436727 B2 JPH0436727 B2 JP H0436727B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dry etching
- pump
- exhaust gas
- vacuum pump
- adsorbent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Treating Waste Gases (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はガリウム・ヒ素ウエハーをドライエツ
チングする際に発生する排ガス中の有害なガリウ
ム（以下Gaと記す）およびヒ素（以下Asと記
す）塩化物、フツ化物が真空ポンプ内に付着する
のを防止し、かつ排ガス中の上記有害物を吸着除
去するドライエツチング排ガスの処理方法に関す
る。
チングする際に発生する排ガス中の有害なガリウ
ム（以下Gaと記す）およびヒ素（以下Asと記
す）塩化物、フツ化物が真空ポンプ内に付着する
のを防止し、かつ排ガス中の上記有害物を吸着除
去するドライエツチング排ガスの処理方法に関す
る。
近年、超高速演算用等の半導体素子の基板とし
てGa・Asウエハーの使用量が著しく増加し、さ
らに、その集積回路の微細化も高まるばかりで、
そのエツチング工程はドライエツチング化の方向
にある。
てGa・Asウエハーの使用量が著しく増加し、さ
らに、その集積回路の微細化も高まるばかりで、
そのエツチング工程はドライエツチング化の方向
にある。
また、Ga・Asウエハーのドライエツチングに
おいては、基板を貫通する微細な孔を穿設する
等、Ga・Asウエハーを直接エツチングによつて
加工する工程があり、この場合、例えばCCl2F2
等のように塩素、フツ素を含有するガスが用いら
れる。
おいては、基板を貫通する微細な孔を穿設する
等、Ga・Asウエハーを直接エツチングによつて
加工する工程があり、この場合、例えばCCl2F2
等のように塩素、フツ素を含有するガスが用いら
れる。
したがつて、Ga・Asウエハーのドライエツチ
ング排ガス中には、GaおよびAsの塩化物、フツ
化物が生成含有される。これらのガスは人体に有
害で、加水分解して強酸性を示すなど危険なガス
であつて、大気中に放出するには、これらを除去
しなければならない。
ング排ガス中には、GaおよびAsの塩化物、フツ
化物が生成含有される。これらのガスは人体に有
害で、加水分解して強酸性を示すなど危険なガス
であつて、大気中に放出するには、これらを除去
しなければならない。
そのため、従来ドライエツチング排ガスを苛性
ソーダ等のアルカリ性水溶液で洗浄し、上記有害
物を除去する湿式除去法が採用されている。
ソーダ等のアルカリ性水溶液で洗浄し、上記有害
物を除去する湿式除去法が採用されている。
また、Ga・Asウエハーのドライエツチング
は、減圧下で行なわれるため、ドライエツチング
室には、拡散ポンプ、メカニカルブースターポン
プ、ターボ分子ポンプ、油圧回路ポンプ、ドライ
真空ポンプが適宜組合わされた減圧排気系が接続
されておりドライエツチング排ガスは、これらポ
ンプによつて構成された排気系を通つて放出され
る。この際、特に油回転ポンプ、ドライ真空ポン
プ内に、GaおよびAsの塩化物、フツ化物が堆積
するので、これらポンプのメンテナンスは極めて
危険な作業となつている。
は、減圧下で行なわれるため、ドライエツチング
室には、拡散ポンプ、メカニカルブースターポン
プ、ターボ分子ポンプ、油圧回路ポンプ、ドライ
真空ポンプが適宜組合わされた減圧排気系が接続
されておりドライエツチング排ガスは、これらポ
ンプによつて構成された排気系を通つて放出され
る。この際、特に油回転ポンプ、ドライ真空ポン
プ内に、GaおよびAsの塩化物、フツ化物が堆積
するので、これらポンプのメンテナンスは極めて
危険な作業となつている。
しかし、上記湿式除去法は、洗浄に用いたアル
カリ水溶液中に、Ga化合物、As化合物が捕集、
含有されるため、この廃液の処理に手間がかか
る。
カリ水溶液中に、Ga化合物、As化合物が捕集、
含有されるため、この廃液の処理に手間がかか
る。
また、排気系に対しては、三塩化ホウ素を含む
ドライエツチング排ガスについては、既に発表
（特公昭61−16492号公報）されているにもかかわ
らず、GaおよびAsの塩化物、フツ化物の堆積を
防止する対策は未だなく、作業員は危険、かつ頻
繁なメンテナンス作業を行なつているのが現状で
ある。
ドライエツチング排ガスについては、既に発表
（特公昭61−16492号公報）されているにもかかわ
らず、GaおよびAsの塩化物、フツ化物の堆積を
防止する対策は未だなく、作業員は危険、かつ頻
繁なメンテナンス作業を行なつているのが現状で
ある。
本発明は上記の事情に鑑み、真空ポンプ内に
GaおよびAsの塩化物、フツ化物が堆積するのを
防止し、メンテナンス作業を軽減するとともに排
ガス中の有害物を除去するドライエツチング排ガ
スの処理方法を提供することを目的とする。
GaおよびAsの塩化物、フツ化物が堆積するのを
防止し、メンテナンス作業を軽減するとともに排
ガス中の有害物を除去するドライエツチング排ガ
スの処理方法を提供することを目的とする。
本発明は上記の目的を達成すべくなされたもの
で、その要旨は、塩素およびフツ素を含むガスを
用いてガリウム・ヒ素ウエハーをドライエツチン
グする際に、ドライエツチング排ガス中に含まれ
るガリウムおよびヒ素の塩化物、フツ化物が真空
ポンプ内に堆積することを防止するため、真空ポ
ンプ内に不活性ガスを導入する手段と、真空ポン
プを加熱する手段とを有し、かつ上記真空ポンプ
の排気ガスを、吸着剤に通して含有する有害物を
除去することを特徴とするガリウム・ヒ素ウエハ
ーのドライエツチング排ガスの処理方法にある。
で、その要旨は、塩素およびフツ素を含むガスを
用いてガリウム・ヒ素ウエハーをドライエツチン
グする際に、ドライエツチング排ガス中に含まれ
るガリウムおよびヒ素の塩化物、フツ化物が真空
ポンプ内に堆積することを防止するため、真空ポ
ンプ内に不活性ガスを導入する手段と、真空ポン
プを加熱する手段とを有し、かつ上記真空ポンプ
の排気ガスを、吸着剤に通して含有する有害物を
除去することを特徴とするガリウム・ヒ素ウエハ
ーのドライエツチング排ガスの処理方法にある。
排気系の真空ポンプには、GaおよびAsの塩化
物、フツ化物の堆積を防止する機構が設けられて
いるので、真空ポンプ内の堆積が防止され、メン
テナンスの負担が格段に減少され、また、排ガス
中の有害物は、吸着除去されるので、処理が容易
となる。
物、フツ化物の堆積を防止する機構が設けられて
いるので、真空ポンプ内の堆積が防止され、メン
テナンスの負担が格段に減少され、また、排ガス
中の有害物は、吸着除去されるので、処理が容易
となる。
第１図および第２図は本発明の処理法を実施す
る装置の一例を示すもので、図中符号１はドライ
エツチング室である。ドライエツチング室１に
は、Ga.Asウエハー２をエツチングするドライエ
ツチングガス３が導入されるとともに拡散ポン
プ、メカニカルブースタポンプ或はターボ分子ポ
ンプ４と油回転ポンプ或はドライ真空ポンプ５と
を適宜組合わせた排気系６が接続され、ドライエ
ツチング室１を真空に保持している。上記油回転
ポンプ或はドライ真空ポンプには、後述するGa
およびAsの塩化物、フツ化物の堆積を防止する
機構１０が設けられている。
る装置の一例を示すもので、図中符号１はドライ
エツチング室である。ドライエツチング室１に
は、Ga.Asウエハー２をエツチングするドライエ
ツチングガス３が導入されるとともに拡散ポン
プ、メカニカルブースタポンプ或はターボ分子ポ
ンプ４と油回転ポンプ或はドライ真空ポンプ５と
を適宜組合わせた排気系６が接続され、ドライエ
ツチング室１を真空に保持している。上記油回転
ポンプ或はドライ真空ポンプには、後述するGa
およびAsの塩化物、フツ化物の堆積を防止する
機構１０が設けられている。
また上記排気系６の出口ライン７にあ、Gaお
よびAsの塩化物、フツ化物等の有害物を吸着除
去する吸着剤８が充填された吸着塔９が設けられ
ている。
よびAsの塩化物、フツ化物等の有害物を吸着除
去する吸着剤８が充填された吸着塔９が設けられ
ている。
上記堆積防止機構１０は次のように構成されて
いる。すなわち、第２図に示すように油回転ポン
プ或はドライ真空ポンプ５には、ケーシング５ａ
が設けられ、真空ポンプオイル、および排ガス中
の塩素化合物、フツ素化合物に不活性な、完全に
乾燥された不活性ガス（例えばN2等）１１がパ
ージ導入ライン１２を介して接続されており、こ
の不活性ガスは導出ライン１２ａより放出されポ
ンプ５が上記不活性ガス１１の雰囲気内に保持さ
れるとともに、その少量がポンプ５内に連続導入
され、出口ライン７より放出されるようになつて
いる。さらに、上記機構に加えて、ポンプ５を加
熱する加熱機構１３を設け、塩素化合物、フツ素
化合物の堆積を防止してもよい。また、ポンプ５
に入る前の排ガスラインを若干加熱し、その後冷
却面を有するダストトラツプを設け、蒸気圧の低
い成分をポンプ５の前で除去してもよい。
いる。すなわち、第２図に示すように油回転ポン
プ或はドライ真空ポンプ５には、ケーシング５ａ
が設けられ、真空ポンプオイル、および排ガス中
の塩素化合物、フツ素化合物に不活性な、完全に
乾燥された不活性ガス（例えばN2等）１１がパ
ージ導入ライン１２を介して接続されており、こ
の不活性ガスは導出ライン１２ａより放出されポ
ンプ５が上記不活性ガス１１の雰囲気内に保持さ
れるとともに、その少量がポンプ５内に連続導入
され、出口ライン７より放出されるようになつて
いる。さらに、上記機構に加えて、ポンプ５を加
熱する加熱機構１３を設け、塩素化合物、フツ素
化合物の堆積を防止してもよい。また、ポンプ５
に入る前の排ガスラインを若干加熱し、その後冷
却面を有するダストトラツプを設け、蒸気圧の低
い成分をポンプ５の前で除去してもよい。
上記堆積防止機構１０を設けることによつて、
GaおよびAsの塩化物、フツ化物の堆積は防止さ
れ、堆積によるポンプのメンテナンスの頻度、危
険性は、格段に減少する。
GaおよびAsの塩化物、フツ化物の堆積は防止さ
れ、堆積によるポンプのメンテナンスの頻度、危
険性は、格段に減少する。
また、吸着塔９に充填される吸着剤は、活性
炭、モレキユラシーブス4A・5A・13X、シリカ
ゲル、天然ゼオライト、ケイ藻土、酸化マグネシ
ウム、等通常の吸着剤がいずれも使用出来る。ま
た、吸着塔９は、複数塔設け、切換え使用される
が、有害物を吸着した使用ずみの吸着剤は、回収
の上一括して適正処理される。
炭、モレキユラシーブス4A・5A・13X、シリカ
ゲル、天然ゼオライト、ケイ藻土、酸化マグネシ
ウム、等通常の吸着剤がいずれも使用出来る。ま
た、吸着塔９は、複数塔設け、切換え使用される
が、有害物を吸着した使用ずみの吸着剤は、回収
の上一括して適正処理される。
また、吸着剤として、上記吸着剤に水を吸着さ
せたものを用い、GaおよびAsの塩化物、フル化
物を、Gaの酸化物、或は亜ヒ酸として除去して
もよい。
せたものを用い、GaおよびAsの塩化物、フル化
物を、Gaの酸化物、或は亜ヒ酸として除去して
もよい。
実施例 １
平行平板型ドライエツチング装置を用い、ドラ
イエツエツチングガスとして、CCl2F2およびHe
を標準状態（以下ガス量は、標準状態で示す）
で、それぞれ10c.c.／minで流しながら、拡散ポン
プおよび油回転ポンプよりなる排気系で、60ｍ
Torrに保持するとともに、13.56MHzの高周波電
力を投入して放電し、Ga・Asウエハーをエツチ
ングした。その際、上記油回転ポンプのケーシン
グに、完全乾燥したN2を10／minで流し、ま
た、油回転ポンプより排出されるガスを、ヤシガ
ラ活性炭をφ50mm、H500mmに充填した吸着塔に
連続導入し、ガス中の有害物を吸着除去した。
イエツエツチングガスとして、CCl2F2およびHe
を標準状態（以下ガス量は、標準状態で示す）
で、それぞれ10c.c.／minで流しながら、拡散ポン
プおよび油回転ポンプよりなる排気系で、60ｍ
Torrに保持するとともに、13.56MHzの高周波電
力を投入して放電し、Ga・Asウエハーをエツチ
ングした。その際、上記油回転ポンプのケーシン
グに、完全乾燥したN2を10／minで流し、ま
た、油回転ポンプより排出されるガスを、ヤシガ
ラ活性炭をφ50mm、H500mmに充填した吸着塔に
連続導入し、ガス中の有害物を吸着除去した。
その結果、油回転ポンプ出口の酸素量は空気換
算0.1vol％以下であり、また吸着塔出口のGaお
よびAsの塩化物、フツ化物の濃度は９時間連続
運転をした後も、0.01volppm以下であつた。
算0.1vol％以下であり、また吸着塔出口のGaお
よびAsの塩化物、フツ化物の濃度は９時間連続
運転をした後も、0.01volppm以下であつた。
さらに、ドライエツチング開始前、および終了
後油回転ポンプのオイルをサンプリグしてGaお
よびAsの塩化物、フツ化物濃度を測定した結果、
濃度の上昇は認められず、堆積していないことを
示した。
後油回転ポンプのオイルをサンプリグしてGaお
よびAsの塩化物、フツ化物濃度を測定した結果、
濃度の上昇は認められず、堆積していないことを
示した。
実施例 ２
油回転ポンプの代りにドライ真空ポンプを用
い、吸着塔に、40wt％の水を吸着したシリカゲ
ルをφ50mm、H750mm充填して用いた他は実施例
１と同じにしてGa・Asウエハーのドライエツリ
ングを行なつた。
い、吸着塔に、40wt％の水を吸着したシリカゲ
ルをφ50mm、H750mm充填して用いた他は実施例
１と同じにしてGa・Asウエハーのドライエツリ
ングを行なつた。
その結果、ドライ真空ポンプ出口の酸素含有量
は、空気に換算して、0.1vol％以下であり、吸着
塔出口におけるGaおよびAsの塩化物、フツ化物
の濃度は10時間にわたつて0.01volppm以下を示
した。
は、空気に換算して、0.1vol％以下であり、吸着
塔出口におけるGaおよびAsの塩化物、フツ化物
の濃度は10時間にわたつて0.01volppm以下を示
した。
以上述べたように、本発明の方法は排気系にお
けるGa・Asの塩化物、フツ化物の堆積を防止
し、また、これらを吸着除去して、外気放出させ
ないので、メンテナンス作業、有害物の除去が容
易となるなど、GaおよびAsウエハーのドライエ
ツチングに寄与することが極めて大きい。
けるGa・Asの塩化物、フツ化物の堆積を防止
し、また、これらを吸着除去して、外気放出させ
ないので、メンテナンス作業、有害物の除去が容
易となるなど、GaおよびAsウエハーのドライエ
ツチングに寄与することが極めて大きい。
第１図は本発明におけるドライエツチング排ガ
ス処理方法を実施する装置の一例を示すもので、
第１図は装置のフローを示す図、第２図は堆積防
止機構を示す図である。 １……ドライエツチング室、２……Ga・Asウ
エハー、３……ドライエツチングガス、４……拡
散ポンプ、メカニカルブースタポンプまたはター
ボポンプ、５……油回転ポンプまたはドライ真空
ポンプ（ポンプ）、５ａ……ケーシング、６……
排気系、７……出口ライン、８……吸着剤、９…
…吸着塔、１０……堆積防止機構、１１……乾燥
不活性ガス、１２……パージ導入ライン、１２ａ
……導出ライン。
ス処理方法を実施する装置の一例を示すもので、
第１図は装置のフローを示す図、第２図は堆積防
止機構を示す図である。 １……ドライエツチング室、２……Ga・Asウ
エハー、３……ドライエツチングガス、４……拡
散ポンプ、メカニカルブースタポンプまたはター
ボポンプ、５……油回転ポンプまたはドライ真空
ポンプ（ポンプ）、５ａ……ケーシング、６……
排気系、７……出口ライン、８……吸着剤、９…
…吸着塔、１０……堆積防止機構、１１……乾燥
不活性ガス、１２……パージ導入ライン、１２ａ
……導出ライン。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 塩素およびフツ素を含むガスを用いてガリウ
ム・ヒ素ウエハーをドライエツチングする際に、
ドライエツチング排ガス中に含まれるガリウムお
よびヒ素の塩化物、フツ化物が真空ポンプ内に堆
積することを防止するため、真空ポンプ内に不活
性ガスを導入する手段と、真空ポンプを加熱する
手段とを有し、かつ上記真空ポンプの排気ガス
を、吸着剤に通して含有する有害物を除去するこ
とを特徴とするガリウム・ヒ素ウエハーのドライ
エツチング排ガスの処理方法。 ２ 吸着剤が水を吸着した吸着剤である特許請求
の範囲第１項記載のガリウム・ヒ素ウエハーのド
ライエツチング排ガスの処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62126701A JPS63291624A (ja) | 1987-05-23 | 1987-05-23 | ガリウム・ヒ素ウェハ−のドライエッチング排ガスの処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62126701A JPS63291624A (ja) | 1987-05-23 | 1987-05-23 | ガリウム・ヒ素ウェハ−のドライエッチング排ガスの処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63291624A JPS63291624A (ja) | 1988-11-29 |
| JPH0436727B2 true JPH0436727B2 (ja) | 1992-06-17 |
Family
ID=14941707
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62126701A Granted JPS63291624A (ja) | 1987-05-23 | 1987-05-23 | ガリウム・ヒ素ウェハ−のドライエッチング排ガスの処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63291624A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0715131Y2 (ja) * | 1989-01-20 | 1995-04-10 | 古河電気工業株式会社 | 有機金属気相成長装置 |
| JPH0647233A (ja) * | 1992-06-09 | 1994-02-22 | Ebara Infilco Co Ltd | ハロゲン系排ガスの処理方法 |
| JP4558176B2 (ja) * | 2000-11-17 | 2010-10-06 | 三菱電機株式会社 | ハロゲン含有ガス処理方法及び処理装置 |
| JP2006253517A (ja) * | 2005-03-14 | 2006-09-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 減圧乾燥装置 |
| JP2013086088A (ja) * | 2011-10-24 | 2013-05-13 | Taiyo Nippon Sanso Corp | ハロゲン化物粒子を含むガスの除害方法 |
| KR101514801B1 (ko) * | 2013-06-25 | 2015-04-24 | (주)파인텍 | 과불화화합물의 분리 및 재활용시스템 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59109227A (ja) * | 1982-12-14 | 1984-06-23 | Showa Denko Kk | ドライエツチング排ガスの処理方法 |
| JPS60198394A (ja) * | 1984-03-21 | 1985-10-07 | Anelva Corp | 真空処理装置の排気装置 |
| JPS6161016U (ja) * | 1984-09-27 | 1986-04-24 | ||
| JPH0339198A (ja) * | 1989-07-05 | 1991-02-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘導加熱式アイロン |
-
1987
- 1987-05-23 JP JP62126701A patent/JPS63291624A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63291624A (ja) | 1988-11-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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