JPH0437859A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電子写真感光体に関し、特に有機光導電性電子
写真感光体、更に電子写真感光体構成層の膜物性に関す
る。

〔従来の技術〕

カールソン法の電子写真複写機においては、感光体表面
を一様に帯電させた後、露光によって画像様に電荷を消
去して静電潜像を形成し、その静電潜像をトナーによっ
て現像し、次いでそのトナー像を紙等に転写、定着させ
る。

一方、感光体には付着トナーの除去や除電、表面の清浄
化が施され、長期に亘って反復使用される。

従って、電子写真感光体としては、帯電特性及び感度が
良好で更に暗減衰が小さい等の電子写真特性は勿論、加
えて繰返し使用での耐刷性、耐摩耗性、耐湿性等の物理
的性質や、コロナ放電時に発生するオゾン、露光時の紫
外線等への耐性（耐環境性）においても良好であること
が要求される。

従来、電子写真感光体としては、セレン、酸化亜鉛、硫
化カドミウム等の無機光導電性物質を感光層主成分とす
る無機感光体が広く用いられていた。

近年電子写真用感光体の感光層としてキャリア発生機能
とキャリア輸送機能とを異なる物質に分担させ、希望す
る特性に照して各機能を発揮する物質を広い範囲から選
択し、感度が高く耐久性の大きい有機感光体を実用化す
る動向にある。

このような機能分担型の有機感光体は従来主として負帯
電用として用いられ、特開昭６０−２４７６４７号に記
載されるように支持体上に薄いキャリア発生層を設け、
この上に比較的厚いキャリア輸送層を設ける構成がとら
れている。

このような感光体に使用されるバインダとしては、帯電
特性、感度、残留電位及び繰返し特性等の面で、下記構
造式で示されるビスフェノールＡ型のポリカーボネート
が良好な特性を発揮することが良く知られている。

しかし本発明者等が検討を加えた結果、上記ビスフェノ
ールＡ型ポリカーボネートは、高分子の結晶性が高いた
めその溶液はゲル化を起しやすく、１〜２日程度で使用
不可能となるという欠点を有している。又塗布により膜
形成を行うと塗膜形成時に膜表面に結晶性ポリカーボネ
ートが析出して凸部か生じやすく、このために塗膜の尾
？１きか生じて収率が低下したり、或は感光体と 時に凸部にトナーが付着してフリー− に残り、いわゆるクリー二ング不良による画像欠陥が生
じやすい。

又、上記ビスフェノールＡ型ポリカーボネートをバイン
ダ樹脂として用いた電子写真感光体は、電子写真複写機
の感光体として用いると、磁気ブラシやクリーニングブ
レードで擦過され感光層表面に傷が付いたり、感光層が
次第に摩耗するという欠点を有する。

他方、高画質と順調な複写作業性は、感光体の均一な厚
みを有する滑らかで均質な表面性の良否にも依存するの
で、感光体塗布構成層面の構成層を形成する塗料組成或
は塗布、乾燥に起因する柚木肌、ピンホール、塗布筋、
亀裂（ソルベントクラック）等の膜面故障は、複写特性
上及び生産技術上大いに問題にされる所である。

又、表面性或は滑り性の改善には界面活性剤も有用であ
り、而も懸濁系の塗料に於ては懸濁質の分散及び分散安
定性向上に有効であり、溶液系塗料に於ても溶解促進な
どに、又塗布性の向上等生産技術上の価値を有する。し
かしながら、その種類の選択を誤ると、層間接着不良、
その変質による故障或は耐湿性に係る支障を往々にして
惹起す。

前記したような故障に対して、フェニレン環間の炭素に
弗素を有する置換基の導入（特開昭６３−５５４４４号
）、フェニレン環へのアルキル基、ハロゲン原子の置換
（特開昭６３〜１４８２６３号）、或は両フニニレン環
にフェニル基又はンクロヘキ／ルＸｔｔ換したモノマー
の共重体（特開平１−２６９９４２号、同１−２６９９
４３号）等が提案されているが、未だ充分な表面強度、
表面平滑性がなく、摩耗、傷に弱く、反復使用において
画質の低下が起り、又摩耗による膜厚減少による感度低
下等の問題点を残している。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、電子写真感光体感光層の機械的耐久性
が高く、表面平滑性が良好であり、画質低下、感度減退
の少ない感光体の提供にあり、又他の目的は感光層塗料
のポットライフ（保存性）の良好な感光体の提供にある
。

〔発明の構成〕

前記した本発明の目的は、導電性基体上に感光層を有す
る電子写真感光体において、前記感光層のバインダ樹脂
に主要繰返し単位として下記一般式〔Ｂ１〕及び〔Ｂ２
〕を構造組成に含む共重合体を含有することを特徴とす
る電子写真感光体によって達成される。

一般式〔Ｂ２〕 式中Ｚは置換もしくは無置換の次記２つの基；炭素環基
、複素環基を形成するのに必要な原子群を表し、Ｒ１，
Ｒ２は各々水素原子、ノ＼ロゲン原子、炭素数１〜３の
アルキル基である。

又Ｒ３，Ｒ４は各々水素原子、炭素数１〜６のアルキル
基、又は炭素数６〜１２のアリール基を表す。

Ｒｓ、　ＲＩ、　Ｒｙ、　Ｒｓ及びＲｓ、Ｒ＋ｏ＋ＲＩ
ｌｌ　１ｆｆｉは各々水素原子、ハロゲン原子、炭素数
１〜３のアルキル基を表す。但し全てが水素原子である
ことはない。

前記本発明に係る共重合体の重合度は１０〜５０００、
好ましくは５０〜１０００である。

本発明において、前記一般式（Ｂｌ）及び一般式〔Ｂ２
〕を構造単位に含む共重合体をバインダ樹脂として用い
ることにより皮膜物性に優れ、電荷保持力、感度残留電
位等の電子写真特性に優れ、かつ繰返し使用に供した時
にも疲労劣化が少ない安定した特性を発揮する電子写真
感光体を作成することができる。

更に必要に応じ目的とする作用効果に支障を来さぬ範囲
で他のモノマーを混合して用いることができる。この際
の混入比率は５Ｑｖｔ／％以下が好ましい。

本発明のポリカーボネートは下記（１）及び（ＩＩ）か
ら、選ばれる２種以上のフェノール系化合物を用いて常
法に従い容易に合成される。

、・Ｚ・。

式中２は置換もしくは無置換の次記２つの基。

炭素環基、複素環基を形成するのに必要な原子群を表し
、Ｒ，、Ｒ，は各々独立して水素原子、炭素数１〜３の
アルキル基、ハロゲン原子を表す。

上式中Ｒｓ、Ｒｔは各々独立して水素原子、炭素数１〜
６のアルキル基又は炭素数６〜１２のアリール基を表す
。Ｒｓ、Ｒ６＋Ｒｙ、Ｒａ、Ｒｅ、Ｒ１ｏ、Ｒ＋＋Ｒ１
２は各々独立して水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜
３のアルキル基を表すが、全てが水素原子ではあり得な
い。

本発明の変性ポリカーボネート樹脂を製造する方法は、
具体的には塩化メチレン、１．２−ジクロルエタン等の
不活性溶媒存在下、前記フェノール系化合物に酸受容体
としてアルカリ水溶液或はピリジン等を入れ、ホスゲン
を導入しながら反応させる。

酸受容体としてアルカリ水溶液を使う時は、触媒として
トリメチルアミン、トリエチルアミン等の第３級アミン
、或はテトラブチルアンモニウムクロリド、ベンジルト
リブチルアンモニウムプロミド等の第４級アンモニウム
化合物を用いると、反応速度が増大する。

又必要に応じて分子量調節剤としてフェノール、ｐ−タ
ーンヤリ−ブチルフェノール等−価のフエノルを共存さ
せてもよい。触媒は最初から入れてもよいし、オリゴマ
ーを作った後に入れて高分子量化する等任意の方法がと
れる。

尚、本発明において二種以上のフェノール系化合物を用
いて共重合する方法としては、（イ）二種以上の７工ノ
ール系化合物を最初に同時にホスゲンと反応させて共重
合する方法（ロ）一方をまずホスゲンと反応させ、ある
程度反応を行った後他方を入れて重合する方法（ハ）別
々にホスゲンと反応させてオリゴマーを造り、それらを
反応させて重合する方法等の任意の方法がとれる。

次に一般式（Ｂｌ、ｌ　、　　ＣＢｘ）の表す構造の具
体例を挙げる。

一般式（Ｂｌ）の表す構造： Ｂ、−１ Ｂ。

Ｂ、−２ Ｂ、− Ｂ、−６ Ｂ、−２ 前記側構造の共重合体として例えば下記の組合せのフポ
リマーが挙げられる。

Ｂ１・・・・・・・・・・・（Ｂ　ｌ−６）／（Ｂ　！
−１）Ｂ２・・・・・・・・・・・（Ｂ　、−６）／（
Ｂ　ｙ−２）Ｂ３・・・・・・・・・・・・（Ｂ　ｌ−
１）／（Ｂ　２−１　）前記したバインダとして用いら
れるカーボネートコポリマーに併用して用いてもよいバ
インダとしては、例えば次のものを挙げることができる
。

（１）　　ポリエステル （２）メタクリル樹脂 （３）アクリル槓脂 （４）ポリ塩化ビニル （５）ポリ塩化ビニリデン （６）ポリスチレン （７）ポリビニルアセテート （８）スチレン共重合樹脂（たとえば、スチレンーブタ
アニン共重合体、スチレン−メタクリル酸メチル共重合
体、等） （９）アクリロニトリル系共重合体樹脂（たとえば、塩
化ビニリデン−アクリトロニトリル共重合体、等） （１０）塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体（１１）塩化
ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン厳共重合体 （１２）　　シリコーン樹脂 （１３）シリコーン−アルキッド樹脂 （１４）　　フェノールｆｌＮＭ　（たとえば、フェノ
ール−ホルムアルデヒド横腹、クレゾールホルムアルデ
ヒド樹脂、等） （１５）　　スチレン−アルキッド樹脂（１６）ポリ−
Ｎ−ビニルカルバゾール（１７）　　ポリビニルブチラ
ール （１８）ポリビニルホルマール （１９）　　ポリヒドロキシスチレン これらのバインダは、単独で或は２種以上の混合物とし
て本発明に係るカーボネートに併用することができる。

本発明の感光体においては、キャリア発生物質（ＣＧＭ
）として次の代表例で示される様な有機顔料が用いられ
る。

（１）　　モノアゾ顔料、ビスアゾ顔料、トリアゾ顔料
、金属錯塩アゾ顔料等のアゾ顔料 （２）ペリレン酸無水物、ペリレン酸イミド等のペリレ
ン顔料 （３）アントラキノン誘導体、アントアントロン誘導体
、ジベンズピレンキノン肪導体、ピラントロン誘導体、
ビオラントロン誘導体及びインビオラントロン誘導体等
多環キノン顔料（４）　インジゴ誘導体及びチオインジ
ゴ誘導体等のインジゴイド顔料 （５）金属フタロシアニン及び無金属フタロシアニンｑ
ｌ　（１）フタロシアニン顔料 特に本発明の電子写真感光体においては、ＣＧＭとして
フルオレノン系ジスアゾ顔料、フルオレニリデン系ジス
アゾ顔料、多環牛ノン顔料、無金属系フタロシアニン顔
料又はオキシチタニル系７９０ンアニン顔料等の有機系
顔料が用いられることが好ましい。特に次に示すフルオ
レノン系ジスアゾ顔料、フルオレニリデン系ジスアゾ顔
料、多環キ／７顔＄１、Ｘ及びτ型無金属フタロシアニ
ン及び特開昭６４ｉ７０６６号で示されるオキシチタニ
ル系フタロンアニン顔料を本発明に用いると、感度、耐
久性及び画質等の点で著しく改良された効果を示す。

本発明に好ましく用いられるフルオレノン系ジスアゾ顔
料は、下記一般式〔Ｆ１〕で表される。

一般式〔Ｆ１〕 ｘｌ及びＸ、は、それぞれ、ハロゲン原子、アルキル基
、アルコキン基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキン基又
は置換若しくは無置換のアミノ基を表す。

ｐ及びｑはそれぞれ０．Ｉ又は２の整数を表し、ｐ及び
ｑが２のときは、Ｘｌ及びＸ、はそれぞれ同−又は異な
る基であってもよい。Ａは下記一般式ＣＦ、−１）で表
される基を示す。

一般式〔Ｆ、−１：］ Ｚ′ 式中、Ａｒは弗素化炭化水素基又は置換基を有する芳香
族炭素環基又は芳香族複素環基を表す。２は置換若しく
は無置換の芳香族炭素環又は置換若しくは無置換の芳香
族複素環を形成するのに必要な非金属原子群を表す。ｍ
及びｎはそれぞれ０゜１又は２の整数を表す。但し、ｍ
及びｎが同時に０となることはない。

下記に本発明に用いられるフルオレノン系ジスアゾ顔料
の具体例を挙げるが、これによって限定されるものでは
ない。

試料Ｎｏ。

Ｆ、− 本発明に用いられる前記一般式〔Ｆ１〕で表されるフル
オレノン系ジスアゾ顔料は、公知の方法により容易に合
成され、例えば特願昭６２−３０４８６２号等の方法に
より合成される。

本発明に用いられるフルオレニリデン系ジスアゾ顔料は
下記一般式〔Ｆ２〕で表される。

一般式〔Ｆ２〕 式中、Ａは ２　：置換、無置換の次記２つの基；芳香族炭素環、芳
香族複素環を構成するに必要な原子群 Ｙ　：水素原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、若しく
はそのエステル基、スルホ基、置換、無置換の次記２つ
の基；カルバモイル基、スル７７モイル基 Ｒ１：水素原子、置換、無置換の統記４つの基。

アルキル基、アミノ基、カルバモイル基、カルボキシ基
若しくはそのエステル基又はシアノ基 Ａｒ：置換、無置換のアリール基 Ｒ１：置換、無置換の統記３つの基；アルキル基、アラ
ルキル基、アリール基 を表す。

前記一般式〔Ｆ２〕で示される本発明に有効なジスアゾ
顔料の具体例としては、例えば次の構造式で示されるも
のを挙げることができるが、これによって本発明に用い
られるべきジスアゾ顔料が限定されるものではない。

（Ｆ、−１） （Ｆ２　　５） （Ｆ２ （Ｆ、−６） （Ｆｚ （Ｆ　２−７） （Ｆ２４） （Ｆ、−８） 一紋穴ＣＱｓ〕： 本発明に用いられる多環牛ノン顔料は、下記一般式〔Ｑ
２〕〜〔Ｑ２〕で表される。

一般式（Ｑ、：ｌニ 一般式（Ｑり： 各式中、Ｘはハロゲン原子、ニトロ基、ジアノ基、アシ
ル基、又はカルボキシ基を表し、ｎはＯ〜４の整数を、
ｍはＯ〜６の整数を表す。

前記一般式〔Ｑ２〕〜〔Ｑ２〕で示される本発明に用い
られる多環キノン顔料の具体例を下記に示すが、これに
限定されるものではない。

一般式〔Ｑ２〕で示されるアントアントロン顔料の具体
的化合物例を挙げると次の通りである。

（ｃｚ−１）　　　　　　　（Ｑ、−２）（Ｑ、−２） （Ｑ２−３） 一般式〔Ｑ２〕で示されるジベンズピレンキノン顔料の
具体的化合物例を挙げると次の通りである。

（Ｑ、−１） （Ｑ！−４） （Ｑ２−５） −数式〔Ｑ３〕で示されるビラントロン顔料の具体的化
合物例を挙げると次の通りである。

本発明に用いられる前記−数式〔Ｑ１〕〜〔Ｑ２〕で表
される多環牛ノン顔料は、公知の方法により容易に合成
できる。

本発明に使用できる無金属フタロシアニン系顔料として
は、光導電性を有する無金属フタロシアニン及びその誘
導体すべてが使用可能であるが、例えばａ型、β型、τ
、τ′塁、ダ、１７′型、Ｘ整、及び特開昭６２−１０
３６５１号で述べた結晶形及びその誘導体等を使用でき
る。特にτ、Ｘ、に／Ｒ−Ｘ型を使用することが望まし
い。Ｘ型無金属フタロシアニンについては米国特許３，
３５７，９８９号に記載があり、τ型無金属フタロシア
ニンについては特開昭５８−１８２６３９号に記載があ
る。Ｋ／Ｒ−Ｘ型は特開昭６２−１０３６５１号にある
ように、ＣｕＫ　ａ、１．５４１人のＸ線に対するブラ
ッグ角度（２θ±０．２度）において、７．７．９．２
．１６．８．１７．５．２２．４．２８．８度に主要な
ピークを有し、且つ９．２度のピーク強度に対して１６
．８度のピーク強度比が０．８〜１．０であり、又２２
．４度に対する２８．８度のピーク強度比が０．４以上
である事を特徴とするフタロシアニンである。

本発明で用いられるオキシチタニルフタロシアニンは、
下記−数式（ＴＰ）で表される。

−数式（ＴＰ） 式中、Ｘ、、Ｘ、、Ｘ、、Ｘ、は各々独立！：Ｈ，ＣＩ
２又はＢｒを表し、ｎ、ｍ、Ｉ２．には各々独立に０〜
４の数字を表す。

本発明に用いられるオキシチタニルフタロシアニンのう
ち、特に好適なものは、オキシチタニルフタロシアニン
（Ｔ　ｉ　ＯＰ　ｃ　）　、チタニルクロロフタロシア
ニン（Ｔｉ０ＰｃＣＩ２）及びそれらの混合物である。

これらのオキシチタニルフタロシアニンとしては以下で
示す特許で公開された結晶をの異なるものが知られてい
る。例えば特開昭６１−２３９２４８号、同６２−６７
０９４３号、同６２−２７２２７２号、同６３−１１６
１５８号又は同６４−１７０６６号等が挙げられる。

本発明において使用可能なキャリア輸送物質（ＣＴＭ）
としては、特に制限はないが、例えばオキサゾール誘導
体、オキサジアゾール誘導体、チアゾール誘導体、チア
ジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール
誘導体、イミダシロン誘導体、イミダゾリジン誘導体、
ビスイミダゾリジン誘導体、スチリル化合物、ヒドラゾ
ン化合物、ピラゾリン誘導体、アミン誘導体、オキサゾ
０　／誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ペンスイミダ
ゾール誘導体、キナゾリン誘導体、ベンゾフラン誘導体
、アクリジン誘導体、フェナジン誘導体、アミノスチル
ベン誘導体、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリ−１
−ビニルピレン、ポリ−９−ビニルアントラセン等であ
る。

本発明において用いられるＣＴＭとしては光照射時発生
するホールの支持体側への輸送能力が優れている外、前
記本発明に用いられる有機系顔料との組合せに好適なも
のが好ましく、かかるＣＴＭとしては、下記−数式（Ｔ
　−Ａ）、（Ｔ−Ｂ）で表されるスチリル化合物及び（
Ｔ−Ｃ）で表されるジスチリル化合物が挙げられる。

一般式（Ｔ−Ａ） 表し、置換基としてはアルキル基、アルコキシ基、置換
アミ７基、水酸基、ハロゲン原子、アリール基がある。

ＲＩＳ＋　Ｒ１４は置換若しくは無置換のアリール基、
水素原子を表し、置換基としては、アルキル基、アルコ
キシ基、置換アミノ基、水酸基、ハロゲン原子、アリー
ル基が挙げられる。

上記−数式（Ｔ　−Ａ）で表される化合物は、例えば特
開昭５８−６５４４０号、同５８−１９８４２５号、同
５８−１９８０４３号、同６０−９３４４５号、同６０
−９８４３７号等に記載されている。

一般式（Ｔ−Ｂ） この一般式中、Ｒｌｌ＋　Ｒ１２は置換若しくは無置換
の次記２つの基；アルキル基、アリール基を表し、置換
基としてはアルキル基、アルコキシ基、置換アミノ基、
水酸基、ハロゲン原子、アリール基が挙げられる。

Ａｒ６．　Ａｒ、は置換若しくは無置換のアリール基を
この一般式中、Ｒ３６は置換若しくは無置換のアリール
基、Ｒ１，は水素原子、ハロゲン原子、置換若しくは無
置換のアルキル基、アルコキシ基、アミノ基、置換アミ
ノ基、水酸基、Ｒ工、は置換若しくは無置換の次記２つ
の基ニアリール基、複素環基を表す。

前記化合物は例えば特開昭５７−１４８７５０号に記載
されている。

一般式（Ｔ−Ｃ） 換の統記４つの基；アルキル基、縮合多環系炭化水素基
、複素環基、縮合多環系複素環基を表す。

基、置換若しくは無置換の統記４つの基；アルキル基、
縮合多環系炭化水素基、複素環基、縮合多環系複素環基
を表し、又、Ａｒａ及びＡｒ６と共同して環を形成して
もよい。

Ｒ８は、置換若しくは無置換の統記４つの基アルキル基
、フェニル基、アルコキシ基、フェノキン基、及びンア
ノ基　／％ロゲン原子、カルボキシル基、アンル基、ヒ
ドロキシル基、ニトロ基、アミン基、更に置換若しくは
無置換の統記６つの基：アルキルアミノ基、アリールア
ミノ基、アラルキルアミノ基、環状炭化水素基、縮合多
環系炭換の続記３つの基７１１合多環系炭化水素基、複
素環基、縮合多環系複素環基を表す。

換の統記３つの基；縮合多環系炭化水素基、複素環基、
縮合多環系複素環基を表す。

３つの基；縮合多環系炭化水素基、複素環基、縮合多環
系複素環基を表す。

Ｒａ、Ｒｓ及びＲ１は、置換若しくは無置換の統記４つ
の基；アルキル基、フェニル基、アルコキシ基、フェノ
キシ基、及びシアノ基、ハロゲン原子、カルボキシル基
、アシル基、ヒドロキシル基、ニトロ基、アミノ基、更
に置換若しくは無置換の統記６つの基；アルキルアミノ
基、アリールアミノ基、アラルキルアミノ基、環状炭化
水素基、縮合多環系炭化水素基、複素環基を表す。

し、Ｊは、θ〜４の整数を表す。

又、ＣＴ）ｌとして次の一般式（Ｔ　−Ｄ）又は（Ｔ−
Ｅ）のヒドラゾン化合物も使用可能である。

−数式（Ｔ　−Ｄ） 換若しくは無置換の統記４つの基；アルキル基、縮合多
環系炭化水素基、複素環基、縮合多環系複素環基を表し
、又、おたがいに環を形成してもよ＜、Ａｒｉと共同し
て環を形成してもよい。

Ｒ６及びＲ９は、置換若しくは無置換の統記４つの基；
アルキル基、フェニル基、アルコキシ基、フェノキシ基
、及びシアノ基、ハロゲン原子、カルボキシル基、アシ
ル基、ヒドロキシル基、ニトロ基、アミン基、更に置換
若しくは無置換の統記４つの基；アルキルアミノ基、環
状炭化水素基、縮合多環系炭化水素基、複素環基を表す
。

ｉ、に、Ｌｍ、及びｎは、０〜５の整数を表この一般式
中、ＲＩＭ及びＲ１１は、それぞれ水素原子又はハロゲ
ン原子、Ｒ２゜及びＲＺ＋はそれぞれ置換若しくは無置
換のアリール基、Ａｒｙは置換若しくは無置換のアリー
レン基を表す。

上記化合物は例えば特開昭５７−７２１４８号に記載さ
れている。

この一般式中、Ｒ３４は置換若しくは無置換の次記２つ
の基；アリール基、複素環基、Ｒ３ｓは水素原子、置換
若しくは無置換の次記２つの基：アラルキル基、アリー
ル基、Ｑは、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、置
換アミノ基、アルコキシ基又はシアン基を表し、Ｓは０
又は１の整数を表す。

上記化合物は例えば特開昭５８−１３４６４２号、同５
８１６６３５４号等に記載されている。

その他有用なＣＴＭとしては、例えば特開昭５７−６４
２４４号、同５９−１５２５２号、同５７−６７９４０
号、同５５−２２８５号、同５７−１９５２５４号、同
５６−４１４８号等に記載のものが挙げられる。

次に特に有用なＣＴＭを例示する。

本発明に用いられる有機系顔料の分散媒としては、例え
ばヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水
素類、メチレンクロライド、メチレンブロマイド、ｌ、
２−ジクロルエタン、５ｙｎ−テトラクロルエタン、ｃ
ｉｓ−１，２−ジクロルエチレン、ｌ。

１．２４リクロルエタン、１，１．１−　トリクロルエ
タン、１．２−ジクロルプロパン、クロロホルム、ブロ
モホルム、クロルベンゼン等のハロゲン化炭化水素、ア
セトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケ
トン類、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類、メタ
ノール、エタノール、プロパツール、ブタノール、シク
ロヘキサノール、ヘプタツール、エチレングリコール、
メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、酢酸セロソルブ
等のアルコール及びこの誘導体、テトラヒドロフラン、
１．４−ジオキサン、フラン、フルフラール等のエーテ
ル、アセタール類、ピリジンやブチルアミン、ジエチル
アミン、エチレンジアミン、インプロパツールアミン等
のアミン類、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド
類等の窒素化合物値に脂肪酸及びフェノール類、二硫化
炭素や燐酸トリエチル等の硫黄、燐化合物等が挙げられ
る。

本発明において感光層には感度の向上、残留電位乃至反
復使用時の疲労低減等を目的として、種又は二種以上の
電子受容性物質を含有せしめることができる。

ここに用いることのできる電子受容性物質としては、例
えば、無水琥珀酸、無水マレイン酸、ジブロム無水マレ
イン酸、無水フタル酸、テトラクロル無水フタル酸、テ
トラブロム無水７タル酸、３−二トロ無水フタル酸、４
−ニトロ無水フタル酸、無水ピロメリット酸、無水メリ
ット酸、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメ
タン、０−ジニトロベンゼン、ｍ−ジニトロベンゼン、
１．３．５−トリニトロベンゼン、パラニトロベンゾニ
トリル、ピクリルクロライド、キノンクロルイミド、ク
ロラニル、ブルマニル、ジクロルジシアノバラベンゾキ
ノン、アントラキノン、ジニトロアントラキノン、２．
７−シクロヘキサノン、２，４．７−　トリニトロフル
オレノン、２，４，５．７−テトラニトロフルオレノン
、９−フルオレニリデン［ジシアノメチレンマロノジニ
トリル］、ポリニトロ−９−フルオレニリデン−［ジシ
アノメチレンマロノジニトリル１、ヒフリン酸、０−ニ
トロ安息香酸、ｐ−ニトロ安息香酸、３．５−ジニトロ
安息香酸、ペンタフルオロ安息香酸、５−ニトロサリチ
ル酸、３．５−ジニトロサリチル酸、フタル酸、メリッ
ト酸、その他の電子親和力の大きい化合物を挙げること
ができる。又、電子受容性物質の添加割合は、重量比で
本発明に用いられる有機系顔料：電子受容性物質−１０
０：　０．０１〜２００、好ましくは１００　：　０．
１−１００である。

かかる層への電子受容性物質の添加割合は重量比で全Ｃ
ＴＭ　：電子受容性物質−１００：　０．０１−１００
、好ましくは１００＋０．１〜５０である。

又、本発明の感光層中にはＣＧＭの電荷発生機能を改善
する目的で有機アミン類を添加することができ、特に２
級アミンを添加するのが好ましい。

これらの化合物は特開昭５９−２１８４４７号、同６２
−８１６０号に記載されている。

又、本発明の感光層においては、オゾン劣化防止の目的
で酸化防止剤を添加することができる。

かかる酸化防止剤の代表的具体例を以下に示すが、これ
に限定されるものではない。

■−群群上ヒンダードフェノール類■−群；パラフェニ
レンジアミン類、■−群；ハイドロキノン類、■−群；
有機硫黄化合物類、■−群；有機燐化合物類が挙げられ
る。

これらの化合物は例えば特開昭６３−１８３５４号に開
示されている。

これらの化合物はゴム、プラスチック、油脂類等の酸化
防止剤として知られており、市販品を容易に入手できる
。

酸化防止剤の添加量はＣＴＭ１００重量部に対して０．
１〜１００重量部、好ましくは１〜５０重量部、特に好
ましくは５〜２５重量部である。

又本発明の感光体には、その他、必要により感光層を保
護する目的で紫外線吸収剤等を含有してもよく、又感色
性補正の染料を含有してもよい。

又本発明に係る保護層中には加工性及び物性の改良（亀
裂防止、柔軟性付与等）を目的として必要により熱可塑
性樹脂を５０ｗｔ％未満含有せしめることができる。

又、前記中間層は接着層又はブロッキング層等として機
能するもので、上記バインダ樹脂の外に、例えばポリビ
ニルアルコール、エチルセルロース、カルボキシメチル
セルロース、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビ
ニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、カゼイン
、Ｎ−アルコキシメチル化ナイロン、椴松等が用いられ
る。

本発明の電子写真感光体の構成に用いられる導電性支持
体としては、主として下記のものが用いられるが、これ
らにより限定されるものではない。

１）アルミニウム板、ステンレス板などの金属板。

２）紙或はプラスチックフィルムなどの支持体上に、ア
ルミニウム、パラジウム、金などの金属薄層をラミネー
トもしくは蒸着によって設けたもの。

３）紙或はプラスチックフィルムなどの支持体上に、導
電性ポリマ、酸化インジウム、酸化錫などの導電性化合
物の層を塗布もしくは蒸着によって設けたもの。　　　
　　　− 本発明の感光体は、第１図及び第２図に示すように導電
性支持体ｌ上にＣＧＭを主成分とするＣＧＬ　２と本発
明に係るＣＴＭを主成分として含有するＣＴＬ　３との
積層体より成る感光層４を設ける。第３図及び第４図に
示すようにこの感光層４は、導電性支持体１上に設けた
中間層５を介して設けてもよい。

このように感光層４を二層構成としたときに最もすぐれ
た電子写真特性を有する電子写真感光体が得られる。又
本発明においては、第５図及び第６図に示すように前記
ＣＴＭを主成分とする層６中に微粒子状のＣＧＭ　７を
分散してなる感光層４を導電性支持体ｌ上に直接或は、
中間層５を介して設けてもよい。

更に前記感光層４の上には必要に応じ保護層８を設けて
もよい。

ここで感光層４を二層構成としたときにＣＧＬ　２とＣ
ＴＬ　３のいずれを上層とするかは、帯電極性を正、負
のいずれに選ぶかによって決定される。すなわち負帯電
型感光層とする場合は、ＣＴＬ　３を上層とするのが有
利であり、これは該ＣＴＬ　３中のＣＴＭが、正孔に対
して高い輸送能を有する物質であるからである。

又、二層構成の感光層４を構成するＣＧＬ　２は、導電
性支持体ｌもしくはＣＴＬ　３上に直接或は必要に応じ
て接着層もしくはプロ７キング層などの中間層を設けた
上に、次の方法によって形成することができる。

（１）真空蒸着法 （２）　　ＣＧＭを適当な溶剤に溶解しｔ；溶液を塗布
する方法 （３）　　ＣＧＭをボールミル、サンドグラインダ等に
よって分散媒中で微細粒子状とし必要に応じて、バイン
ダと混合分散して得られる分散液を塗布する方法。

即ち具体的には、真空蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ等
の気相堆積法或はディッピング、スプレィ、ブレード、
ロール法等の塗布方法が任意に用いられる。

このようノこして形成されるＣＧＬ　２の厚さは、０．
０】μｍ−５μｌであることが好しく、更に好しくは０
．０５μｍ−３μｍである。

又ＣＴＬ　３の厚さは、必要に応じて変更し得るが通常
５μｍ〜３０μｍであることが好ましい。このＣＴＬ３
における組成割合は、本発明のＣＴＭ　１重量部に対し
てバインダ０．１〜５重量部とするのが好ましいが、微
粒子状のＣ（Ｍを分散せしめた感光層４を形成する場合
は、ＣＧＭ　１重量部に対してバインダを５重量部以下
の範囲で用いることが好ましい。

又ＣＧＬをバインダ中分散型のものとして構成する場合
には、ＣＧＭ　１重量部に対してバインダを５重量部以
下の範囲で用いることが好ましい。

本発明の感光体は以上のような構成であって、後述する
ような実施例からも明らかなように帯電特性、感度特性
、画像形成特性に優れたものである。特に反復転写式電
子写真方式に供したときにも疲労劣化が少なく耐久性が
優れたものである。

〔実施例〕

以下本発明の実施例を具体的に説明するが、これにより
本発明の！ｌ！施態様が限定されるものではない。

実施例１ Ｃ−アミノ−カプロン酸、アジピン酸及びＮ−（β−ア
ミノエチル）ピペラジンの比率がｌ：１：ｌのモノマー
組成で共重合されたポリアミド３０ｇを５０℃に加熱し
た８００！＊ＭのメタノールＥＬ規格（関東化学社製）
へ撹拌しながら投入し、溶解させた。室温迄冷却後、１
−ブタノール特級（関東化学社製）２０Ｃ１ａ１２を加
えた。その後、直径８０１１ＩＩｌのアルミニウムドラ
ム上へ浸漬塗布し、０．５μ耐厚の中間層を形成した。

次に、ＣＣＭとしてフルオレノン系ジスアゾ顔料（例示
化合物Ｆ　＋　　２３）　２０ｇ及びバインダとしてポ
リビニルブチラール樹脂エスレックＢＸ−１（覆水化学
社積木）　ｌＯｇをメチルエチルケトン（関東化学社製
ＥＬ規格）　ｌｏｏｏｍ（２へ溶解し、ボールミルにて
２４時間ミリングを行い、ＣＧＬ塗工液を得た。これを
上記中間層上に浸漬塗布して０．３μｌ厚のＣＧＬを形
成した。その後、前記例示ＣＴＭ；　Ｔ　−１１２０ｇ
と共重合体−Ｂ１１６５ｇを１．２−ジクロルエタン特
級（関東化学社製）　１０００ｔＱへ溶解させ、ＣＴＬ
塗工液を得た。これを上記ＣＧＬ上に浸漬塗布後、１０
０℃で１時間乾燥し、２０μ謹厚のＣＴＬを形成した。

このようにして中間層−ＣＧＬ−ＣＴＬを順次積層して
成る感光体を作成した。

実施例２ ＣＴＭを例示；Ｔ−３とした以外は実施例１と同様にし
て感光体を作成した。

実施例３ 中間層の形成は実施例１と同様に行った。

ＣＧＭとして多環キノン系顔料（例示化合物；Ｑ１３）
２０ｇ及びバインダとしてポリカーボネート樹脂Ｌ　−
１２５０（量大化成社製）１０ｇを１．２−ジクロルエ
タン特級（関東化学社製）へ溶解し、ボールミルにて２
４時間ミリングを行いＣＧＬ塗工液を得た。

これを上記中間層上に浸漬塗布して０．３ｕｔｎ厚のＣ
ＧＬを形成した。

次いでＣＴＭを例示；Ｔ〜２、ノ（インダを共重合体Ｂ
−２とした以外は実施例１と同様にＣＴＬを積層し、感
光体を作成しｔ；。

実施例４ Ｃ丁ｙを例示；Ｔ−４、ＣＴＬバインダを共重合体Ｂ−
２とした以外は実施例１と同様にして感光体を作成した
。

実施例５ ポリビニルブチラール樹脂（エスレックＢＸ−１。

覆水化学製）　１２ｇをメチルエチルケトン１０００＊
ρに溶解させた後、ＣＧＭとして例示化合物Ｑ＋−３；
５．７ｇ１例示化合物Ｆ　ｒ　　２３；　０．３ｇを混
合し、サンドグラインダで１０時間分散した。

これを実施例１で記した中間層上に浸漬塗布し、ＣＧＬ
を形成、更に実施例２と同様にしてＣＴＬを形成し、感
光体を作成した。

実施例６ 実施例１で用いたポリアミド５０ｇを５０℃に加熱した
８００■ＱのメタノールＥＬ規格（関東化学社製）へ撹
拌しながら投入し溶解させた。室温迄冷却した後、ｌ−
ブタノール特級（関東化学社製）　２００ｍｆｆを加え
た。次いで直径８０閣層のアルミニウムドラム上へ浸漬
塗布し、１μ論厚の中間層を形成した。

次に、ＣＧＭとしてτ型無金属フタロシアニン（τ−Ｐ
ｃ）　４０ｇをシリコーン樹脂ｒ　ＫＲ−５２４０Ｊ　
（固形分２０％）（信越化学社製）　２００ｇを溶解し
たメチルエチルケトンＥＬ規格（関東化学社製）　２０
００ｍＱに加えてサンドグラインダにて４時間分散させ
、ＣＧＬ塗工液を得た。これを上記中間層上に浸漬塗布
して０．５μｌ厚のＣＧＬを形成した。

その後、前記例示ＣＴｋｌ　；　Ｔ−５１２０ｇと共重
合体Ｂ１１６５ｇを１．２−ジクロルエタン特級（関東
化学社製）　ｌｏ００ｍｌ＋へ溶解させ、ＣＴＬ塗工液
を得た。これを上記ＣＧＬ上に浸漬塗布した後、１００
°Ｃ１１時間の乾燥を行い、２０μｍ厚のＣＴＬを得た
。中間層、ＣＧＬ及びＣＴＬの順に積層して成る感光体
を作成した。

実施例７ ＣＧＭｉｍＸ型無金属フタロシアニン（Ｘ　−Ｐｃ）を
ＣＴＬバインダとして共重合体Ｂ３を用いた以外は、実
施例６と同様にして中間層ＣにＬ−ＣＴＬを順に積層し
て成る感光体を作成した。

実施例８ ＣＧＭにＹ型オキンチタニウムフタロンアニン（Ｙ−Ｔ
ｉ０Ｐｃ）をＣＴＬバインダとして共重合体Ｂ４を用い
た以外は、実施例６と同様にして中間層−〇ＧＬ−ＣＴ
Ｌを順次積層して成る感光体を作成した。

又、ＣＴＬｔ！布液はいずれも１ケ月放置しても安定で
あった。

比較例１ 実施例１でＣＴＬバインダとしてビスフェノールＡポリ
カーボネート（奇人化成パンライトに−１３００）を用
いた以外は同様にして感光体を作成した。

比較例２ 実施例６でＣＴＬバインダとしてビスフェノールＡポリ
カーボネートを用いた以外は同様にして感光体を作成し
た。

しかしながら、塗布液の安定性が悪く放置による大幅な
粘度上昇が見られ１ケ月後には完全にゲル状になり、ｔ
：とえ超音波処理等の再分散処理をほどこしても元に戻
らず、不安定な液しか得られなかった。

繰返し特性の測定 実施例１〜５及び比較例１の感光体を各々「Ｕ−Ｅｉｘ
２０２５Ｊ　（コニカ社製）に搭載し、ｌＯ万回コピー
の実写を行うと共に、実写前後での表面電位を測定した
。

黒紙電位二反射濃度１．３の原稿に対する表面電位 白紙電位二反射濃度０．０の原稿に対する表面電位 残留電位：除電後の表面電位 又、実施例６〜８の本発明に係る感光体及び比較例２の
感光体のそれぞれをｒ　Ｕ　−Ｂｉｘ２０２５Ｊ　（コ
ニカ社製）（半導体レーザ光源搭載）改造機に搭載し、
Ｖｌｌが一７００±１０［Ｖ］になるようにグリッド電
圧を調節し、０．７＠ｌｆの照射時の露光面の電位を■
、とし、現像バイアス−６００［Ｖ］で反転現像を行い
、同様に実写前後での表面電位を測定した。

表面の摩擦による膜減耗については、ｌＯ万ココピー終
了後感光体膜厚を測定し、初期と比較した。

画質については逐次画像サンプルをチエツクし、ドラム
周方向のキズに基づくスジ（反転現像の場合はモアレ）
、 クリーニング不良の発生コピー数 〔発明の効果〕 本発明感光体は優れた電子写真性能を有し、繰返し使用
！＝よっても特性変化が少ない上に、耐摩耗性にも優れ
るので、極めて高い耐刷性能を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第６図はそれぞれ本発明の感光体の機械的構成
例について示す断面図である。 ｌ・・・導電性支持体 ２・・・キャリア発生層 ３・・・キャリア輸送層 ４・・・感光層 ５・・・中間層 ６・・・キャリア輸送物質を含有する層７・・・キャリ
ア発生物質 ８・・・保護層

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 導電性基体上に感光層を有する電子写真感光体において
   、前記感光層のバインダ樹脂に主要繰返し単位として下
   記一般式〔Ｂ＿１〕及び〔Ｂ＿２〕を構造組成に含む共
   重合体を含有することを特徴とする電子写真感光体。 一般式〔Ｂ＿１〕 ▲数式、化学式、表等があります▼、 一般式〔Ｂ＿２〕 〔式中Ｚは置換もしくは無置換の次記２つの基；炭素環
   基、複素環基を形成するのに必要な原子群を表し、Ｒ＿
   １、Ｒ＿２は各々水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜
   ３のアルキル基である。 又Ｒ＿３、Ｒ＿４は各々水素原子、炭素数１〜６のアル
   キル基、又は炭素数６〜１２のアリール基を表す。 Ｒ＿５、Ｒ＿６、Ｒ＿７、Ｒ＿８及びＲ＿９、Ｒ＿１＿
   ０、Ｒ＿１＿１、Ｒ＿１＿２は各々水素原子、ハロゲン
   原子、炭素数１〜３のアルキル基を表す。但し全てが水
   素原子であることはない。〕