JPH0439894B2 - - Google Patents

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JPH0439894B2
JPH0439894B2 JP2479186A JP2479186A JPH0439894B2 JP H0439894 B2 JPH0439894 B2 JP H0439894B2 JP 2479186 A JP2479186 A JP 2479186A JP 2479186 A JP2479186 A JP 2479186A JP H0439894 B2 JPH0439894 B2 JP H0439894B2
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JP
Japan
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electrode
signal
capacitance
temperature
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JP2479186A
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JPS62182619A (ja
Inventor
Tadashi Azegami
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Yokogawa Electric Corp
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Yokogawa Electric Corp
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Publication date
Application filed by Yokogawa Electric Corp filed Critical Yokogawa Electric Corp
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Publication of JPS62182619A publication Critical patent/JPS62182619A/ja
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  • Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 <産業上の利用分野> 本発明は、差圧を静電容量して電気信号に変換
する差圧変換装置に係り、特に温度および静圧の
影響を補正した差圧変換装置に関する。
<従来の技術> 第4図は差圧変換装置の従来の温度、静圧の変
動によるゼロ点変動、スパン変動補償の概念を説
明するための構成図である。1は一室構造の差圧
変換装置の本体断面を示し、両断面に測定すべき
圧力PH,PLを受けるダイヤフラム2,3がその
周縁をこの本体に溶接されて配置されており、本
体に形成された貫通孔4とこれらダイヤフラムで
囲まれた中空室内にはシリコン油等の封液5が満
たされている。中空室中央部には拡大された電極
室が形成され、この電極室内には本体に嵌合した
絶縁体6に片側が支持された移動電極7及びこれ
に対向して静電容量C1,C2を形成するための固
定電極8,9が配置されている。10は中空室を
介して両ダイヤフラム2,3の中空部を連結する
ロツドで、その中央部は電極室内において移動電
極7に固定されており、差圧に応動したダイヤフ
ラムの変位を移動電極に伝え、静電容量C1,C2
を差動的に変化させる。静電容量C1,C2は演算
回路11に導かれて(C2−C1)/(C2+C1)の
演算が施され、直流出力信号eOに変換される。こ
の信号eOは出力回路12に導かれて、遠隔点の負
荷RL、電源EBの直列回路に対し、4〜20mAスパ
ンの出力電流IOに変換される。13は本体1ある
いは封液5の温度Tを測定する温度センサ、14
は封液5の圧力即ち静圧PSを測定する圧力センサ
であり、これらセンサの出力は、補償電圧発生回
路15,16に導かれ、ゼロ点補償用の温度信号
eT、ゼロ点補償用の静圧信号eP変換され、加算点
17,18の演算回路11の出力信号eOに加算又
は減算されて温度変動又は静圧変動に対するゼロ
点の変動が補償される。温度又は静圧変動に対し
てダイヤフラム2,3のバネ定数変化等により生
ずるスパン変動が問題になる場合は、補償電圧発
生回路15,16より点線で示すスパン変動補償
用の温度信号、静圧信号eT′,eP′を発生させ、出
力回路12の電圧−電流変換利得を変化させてス
パンの変動を補償する。
<発明が解決しようとする問題点> しかしながら、この様な従来の容量式変換装置
は差動容量センサのほかに静圧を補償するための
圧力センサを必要とし小形化の障害となる上にロ
ーコストをめざすアナログ形の容量変換器を実現
する上での障害ともなる。
<問題点を解決するための手段> この発明は、以上の点を考慮してアナログ形で
差圧に対する静圧補償のできるようにするため、
移動電極に対して第1電極と第2電極が対向して
設けられこれ等の間に封液が満されて検出すべき
差圧に応じて差動的に変化する第1および第2静
電容量を形成する差動容量センサと、封液の温度
を検出する温度センサと、固定容量が入力端と出
力端との間に負帰還接続されかつ移動電極が入力
端に接続された増幅手段と、この増幅手段の出力
電圧を所定の閾値で検出して出力レベルを変える
検出ゲート手段と、付勢端の一端が所定の電圧で
付勢されこの検出ゲート手段の出力変化を第1も
しくは第2電極へ選択的に印加する第1もしくは
第2選択ゲート手段と、検出ゲート手段の出力レ
ベルの反転信号を増幅手段の入力端へ帰還する抵
抗手段と、検出ゲート手段の出力の変化周期を計
数しその計数値の所定値ごとに出力レベルを反転
しこの出力レベルに基づいて第1もしくは第2選
択ゲート手段を選択するカウント手段と、この第
1もしくは第2選択出手段の付勢端の他端にカウ
ント手段の出力レベルに対応した出力電圧を印加
する操作手段と、変化周期信号と温度センサの温
度信号が入力され静圧信号を演算する静圧演算手
段と、操作手段の出力に対して静圧信号と温度信
号により補正演算して差圧信号を出力する補正演
算手段とを具備する構成としたものである。
<実施例> 以下、本発明の実施例について図面に基づき説
明する。第1図は本発明の一実施例を示すブロツ
ク図である。尚、第4図に示す従来の容量式変換
装置と同一の機能を有する部分には同一の符号を
付し適宜に説明を省略する。
差動容量センサ19は、移動電極7に対向して
固定電極8,9が配置され静電容量C1,C2がそ
れぞれ形成され、更に温度センサ13が組込まれ
ている。
20,21は選択ゲート回路でありCMOSト
ランジスタQ1,Q2,Q3,Q4およびナンドゲート
G1,G2でそれぞれ構成されている。固定電極8,
9は選択ゲート回路20,21の出力端にそれぞ
れ接続されている。選択ゲート回路20の付勢端
の一端には電源電圧+Eが、他端には操作電圧V
がそれぞれ印加され、選択ゲート回路21の付勢
端の一端には電源電圧−Eが、他端には操作電圧
Vがそれぞれ印加されている。CMOSトランジ
スタQ1,Q2のゲートはナンバーゲートG1の出力
端と、CMOSトランジスタQ3,Q4のゲートはナ
ンドゲートG2の出力端とそれぞれ接続されてい
る。
増幅回路22固定容量Ckと差動増幅器Q5で構
成され、差動増幅器Q5の反転入力端(−)は移
動電極7に接続され、非反転入力端(+)は共通
電位点COMにそれぞれ接続されている。差動増
幅器Q5の反転入力端(−)出力端との間には固
定容量Ckが接続されている。
Q6は検出ゲート手段としての比較器であり、
その非反転入力端(+)は共通電位点のCOMに、
反転入力端(−)差動増幅器Q5の出力端にそれ
ぞれ接続されている。
G3はインバータでありその入力端は比較器Q6
の出力端へその出力端は抵抗Rを介して差動増幅
器Q5の反転入力端(−)に接続されると共にn
ビツトのカウンタQ7に接続されている。
インバータG1の入力端には比較器Q6の出力端
とカウンタQ7の出力端がそれぞれ接続され、イ
ンバータG2の入力端には比較器Q6の出力端とイ
ンバータG4を介してカウンタQ7の出力端がそれ
ぞれ接続されている。
インバータG4の出力端は操作手段としての積
分器23の入力端と接続され、その出力端に操作
電圧Vを得る。
一方、静圧演算回路24は温度センサ13から
の温度TとカウンタQ7の変化周期tH(=tL)が入
力され封液5印加される静圧が演算され静圧信号
Psとして出力される。
補正演算回路25には差圧ΔPに対応する操作
電圧V、温度Tおよび静圧信号Psが入力され差圧
Δpに対して静圧補正を行ない出力端26補正さ
れた差圧Δpcを出力する。
次に以上の如く構成された実施例の動作につい
て第2図に示す波形図を参照して説明する。
カウンタQ7の出力端Qoがハイレベル“H”(=
+E)<第2図ヘ>の状態では、選択ゲート回路
20側が選択され比較器Q6の出力端のレベル変
化(第2図ニ)に対応してナンドゲートG1が開
閉される。いま、比較器Q6の出力端がハイレベ
ル“H”の状態(第2図ニ)ではトランジスタ
Q1,Q2のゲートはローレベル“L”となり、ト
ランジスタQ1がオン、Q2がオフとなり固定電極
8には+Eの電圧が印加される(第2図イ)。こ
のため差動増幅器Q5の入力端は正に上昇しよう
とするが、固定容量Ckを介しての差動増幅器Q5
の帰還作用により差動増幅器Q5の出力端の電圧
は急速に所定値eHだけ低下する(第2図ハ)。こ
の電圧低下は比較器Q6で検出されその出力端の
電圧レベルを正に反転させる(第2図ニ)。この
レベル変化によりインバータG3(第2図ホ)の出
力が反転され、抵抗Rを介して静電容量C1の電
荷が放電されその電位が徐々に低下させられるの
で、差動増幅器Q5は固定容量Ckを介してその電
荷を中和させるように動作し第2図ハに示すよう
にその出力端の電位を上昇させる。共通電位
COMの電位を越えると比較器Q6の出力端の電位
は急速に負に反転する(第2図ニ)。この反転す
るまでの期間をtH、抵抗Rに流れる電流をいiと
すれば、静電容量C1での電荷変動を考慮して次
式が成立する。
C1(E−V)=CkeH (1) tHi=CkeH (2) 比較器Q6の出力端のレベル反転はナンドゲー
トG1を介してトランジスタQ1をオフQ2をオンと
し固定電極8に操作電圧Vを印加する(第2図
イ)。このため固定電極8は(E−V)の急激な
電位低下を生じ、この電位低下を中和すべく差動
増幅器Q5は固定容量Ckを介して所定値eHだけ電
圧を急激に上昇させ(第2図ハ)る。一方、差動
増幅器Q5の出力端の電位上昇は比較器Q6、イン
バータG3、抵抗Rを介して静電容量C1を充電し
その電位を上昇させようとするので、差動増幅器
Q5はその出力端の電位を徐々に低下させ(第2
図ハ)静電容量C1の電荷を中和させる。共通電
位点COMの電位を越えると比較器Q6の出力端の
電位は急速に正に反転し、最初の状態に戻る。こ
の反転するまでの期間tH′は期間tHに等しく(1)(2)
式が成立する。以後、これを繰り返す。
これ等を所定の回数繰り返すとカウンタQ7の
出力端Qoのレベルが反転し(第2図ヘ)、今度は
選択ゲート回路21側が選択され(第2図ト)、
選択ゲート回路20側と同様の動作をする。この
場合には所定値eHに対してeL、期間tHに対してtL
とすると、次式が成立する。
C2(V−(−E))=CkeL (3) tLi=CkeL (4) 次にカウンタQ7の出力端がハイレベル“H”
である期間をTH、ローレベル“L”である期間
をTLとすれば、第2に示すように例えばTH>TL
のときはインバータG4の平均出力電圧は(TH・
(−E)+TLE/(TH+TL)で与えられ負電圧と
なる。この負電圧は積分器23の出力すなわち操
作電圧Vを上昇させる。操作電圧Vの上昇は固定
電極8,9の電圧(第2図イ,ロ)の振幅を減
少、増大させる。この結果、期間tH,tLが減少、
増大し、最終的にtH=tL、即ちTH=TLで平衡す
る。この場合には、(1)〜(4)式から次式が成立す
る。
V=E・C1−C2/C1+C2 (5) また、tH,tL,(1)〜(4)式から tH=tL=2E/i・C1C2/C1+C2 (6) を得る。
操作電圧Vは電源電圧Eに依存し、期間tH(=
tL)は電源電圧Eと電流iに依存するが電流iは
i=±E/Rで与えられることから結局電源電圧
Eを安定化すれば、操作電圧あるいは期間THは
静電容量C1,C2の和分の差あるいは和分の積に
比例した値として得られる。
なお、移動電極7と共通電位点COMとの間に
形成される分布容量Csはこの部分の電位が差動増
幅器Q5により常に共通電位点COM電位保持され
るので、分布容量Csの影響を受け難いものとな
る。
次に静電容量C1,C2と補正前の差圧Δpなどと
の関係について説明する。差圧ΔPがゼロのとき
の各静電容量C1,C2の値をC0、移動電極7のバ
ネ定数をKとすれば、静電容量C1,C2は、 C1=C01/1−KΔP (7) C2=C01/1+KΔP (8) として現わせる。これ等の式から、差圧ΔPは ΔP=1/K(C1−C2/C1+C2)(9) となる。従つて、(5)式を用いて V=KE・ΔP (10) を得る。また、静電容量C0は封液5の誘電率を
ε、真空での静電容量をCvとすればC0=εCvであ
るから(7),(8)式を用いて ε=2/Cv(C1C2/C1C2) (11) となる。この式に(6)式を代入して tH=tL=E/iCv・ε (12) を得る。
ところで、温度Tが上昇すると誘電率εは減少
し、静圧PSが増大すると誘電率εは増加するの
で、基準温度での誘電率ε0,a,bを定数とする
と、誘電率εは次式で示される。
ε=ε0(1−aT+bTS) (13) これを変形して、静圧PSは PS=1/b・ε−ε0/ε0+a/bT(
14) となる。誘電率εの変化率をΔε、α=1/b、
β=−a/bとおくと(14)式は、 PS=α・Δε−βT (15) となる。α,βはそれぞれΔε、Tに対する補正
係数である。
静圧演算回路24は温度センサ13からの温度
Tと誘電率εに関連した期間TH(=TL)信号とを
入力し、誘電率の変化率Δεを演算して(15)式
で示す演算の後、静圧PSを算出する。
一方、差圧ΔPは(9)式で示されるが、この(9)式
は理想的な場合、即ち固定電極8,9、移動電極
7相互間が平行でかつバネ定数Kも一定であるよ
うな場合について成立する式である。しかし、実
際には静圧PSあるいは温度Tが変化すると、本体
1が変形するなどして(9)式で得られた差圧ΔPが
変化する。そこで、差圧ΔPを補正する必要があ
る。
この補正は、演正演算回路25で実行する。補
正演算回路25は差圧ΔPに比例した操作電圧V
が入力されるが、これに対して静圧演算回路24
からの静圧PS、温度センサ13からの温度Tによ
り下式に示す演算を施し、補正後の差圧ΔPCを出
力端26に出力する。
静圧PSに対する補正係数をk1、温度に対する補
正係数をk2とすると、補正された差圧ΔPCは次の
ようになる。
ΔPC=ΔP1+k1PS+k2T) (16) 第3図は本発明の他の実施例を示す部分ブロツ
ク図である。移動電極8と増幅回路22との接続
にケーブルを用いると共通電位COMとの間に分
布容量Csができるが、第1図に示す実施例では差
動増幅器Q5の反転入力端(−)の電位が共通電
位点COMの電位に保持されるのでガード効果が
ある。しかしこれは差動増幅器Q5のオープンル
ープゲインが充分高いときに成立するが、静電容
量C1あるいはC2を介して差動増幅器Q5へ伝達さ
れる信号に対して減衰効果を及ぼすことは避け得
ない。これに対して第3図に示すようにケーブル
のガードGDに差動増幅器Q5の出力端の電位を印
加すると、ガード容量は固定容量Ckと並列に形
成され、心線CDから共通電位点COMへの分布容
量Csの効果は除去される。このことは、(5)式の導
出において固定容量Ckが消去されていることか
らも判る。
逆に、固定容量Ckをガード容量で代替し、部
品としての固定容量Ckを削除することもできる。
<発明の効果> 以上、実施例とともに具体的に説明した様に本
発明によれば、カウンタの出力端に得られる変化
周期を用いて静圧信号を得ると共に積分器23出
力に得られる差圧信号を補正して静圧補正がなさ
れたアナログの差圧信号を得るようにしたので、
小形で静圧補償のされた精度の高い容量式変換装
置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示すブロツク図、
第2図は第1図に示す実施例の動作を説明する波
形図、第3図は本発明の他の実施例を示す部分ブ
ロツク図、第4図は従来の容量式変換装置の構成
を示すブロツク図である。 5……封液、7……移動電極、8,9……固定
電極、13……温度センサ、19……差動容量セ
ンサ、20,21……選択ゲート回路、22……
増幅回路、24……静圧演算回路、25……補正
演算回路、Ck……固定容量、C1,C2……静電容
量、V……操作電圧、PS……静圧。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 移動電極に対して第1電極と第2電極が対向
    して設けられこれ等の間に封液が満されて検出す
    べき差圧に応じて差動的に変化する第1および第
    2静電容量を形成する差動容量センサと、前記封
    液の温度を検出する温度センサと、固定容量が入
    力端と出力端との間に負帰還接続されかつ前記移
    動電極が前記入力端に接続された増幅手段と、こ
    の増幅手段の出力電圧を所定の閾値で検出して出
    力レベルを変える検出ゲート手段と、付勢端の一
    端が所定の電圧で付勢されこの検出ゲート手段の
    出力変化を前記第1もしくは第2電極へ選択的に
    印加する第1もしくは第2選択ゲート手段と、前
    記検出ゲート手段の出力レベルの反転信号を前記
    増幅手段の前記入力端へ帰還する抵抗手段と、前
    記検出ゲート手段の出力の変化周期を計数しその
    計数値の所定値ごとに出力レベルを反転しこの出
    力レベルに基づいて前記第1もしくは第2選択ゲ
    ート手段を選択するカウント手段と、この第1も
    しくは第2選択出手段の付勢端の他端に前記カウ
    ント手段の出力レベルに対応した出力電圧を印加
    する操作手段と、前記変化周期信号と前記温度セ
    ンサの温度信号が入力され静圧信号を演算する静
    圧演算手段と、前記操作手段の出力に対して前記
    静圧信号と前記温度信号により補正演算して差圧
    信号を出力する補正演算手段とを具備する容量式
    変換装置。
JP2479186A 1986-02-06 1986-02-06 容量式変換装置 Granted JPS62182619A (ja)

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JPS62182619A JPS62182619A (ja) 1987-08-11
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8884301B2 (en) 1999-10-12 2014-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. EL display device and a method of manufacturing the same

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8884301B2 (en) 1999-10-12 2014-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. EL display device and a method of manufacturing the same

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