JPH0439936A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0439936A JPH0439936A JP14675690A JP14675690A JPH0439936A JP H0439936 A JPH0439936 A JP H0439936A JP 14675690 A JP14675690 A JP 14675690A JP 14675690 A JP14675690 A JP 14675690A JP H0439936 A JPH0439936 A JP H0439936A
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- metal wiring
- semiconductor device
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 23
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- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 7
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に信頼性の高
い金属配線層を有する半導体装置に関する。
い金属配線層を有する半導体装置に関する。
［従来の技術］
従来、半導体装置の金属配線層の信頼性の向上に関して
は数多くの提案がなされ、改良が加えられている。第２
図は、従来の半導体装置、特に金属配線部分の断面図及
び平面図である。
は数多くの提案がなされ、改良が加えられている。第２
図は、従来の半導体装置、特に金属配線部分の断面図及
び平面図である。
従来は第２図に示すように、金属配線層２５と単結晶シ
リコン２１の接続口２７（以下コンタクトホールと称す
）をフォトエツチングを用いて開けた後に、金属配線層
２５をスパッタリング法を用いて形成をしていた。最後
にパッシベーション膜層２６をＣＶＤ法により形成し、
金属配線工程は終了する。
リコン２１の接続口２７（以下コンタクトホールと称す
）をフォトエツチングを用いて開けた後に、金属配線層
２５をスパッタリング法を用いて形成をしていた。最後
にパッシベーション膜層２６をＣＶＤ法により形成し、
金属配線工程は終了する。
しかしながら、従来の技術では以下に示す問題点が生じ
ていた。それは、コンタクトホール２７部や多結晶シリ
コン配線層２３部の段差が大きいため、この部分の金属
配線層２５の膜厚は極端に薄くなる。
ていた。それは、コンタクトホール２７部や多結晶シリ
コン配線層２３部の段差が大きいため、この部分の金属
配線層２５の膜厚は極端に薄くなる。
後の製造工程でかかる熱や、集積回路を動作させた場合
の電流のため、この部分て断線を引き起こし、半導体装
置の故障の原因の一つとして問題となっていた。
の電流のため、この部分て断線を引き起こし、半導体装
置の故障の原因の一つとして問題となっていた。
［発明が解決しようとする課顕］
本発明は、前記従来技術の欠点を解決しようとするもの
であり、段差部分の膜厚が多く、断線などを生じない金
属配線層を有し、高い信頼性をもつ半導体装置を提供す
ることである。
であり、段差部分の膜厚が多く、断線などを生じない金
属配線層を有し、高い信頼性をもつ半導体装置を提供す
ることである。
［課題を解決するための手段〕
集積回路の金属配線層を形成する方法において（１）第
１金属配線層の形成 （２）前記第１金属配線層の段差部で配線膜厚の薄い部
分上に開口部をもつ絶縁膜層の形成（３）前記開口部を
埋め込む、第２金属配線層の形成からなることを特徴と
する、半導体装置。
１金属配線層の形成 （２）前記第１金属配線層の段差部で配線膜厚の薄い部
分上に開口部をもつ絶縁膜層の形成（３）前記開口部を
埋め込む、第２金属配線層の形成からなることを特徴と
する、半導体装置。
［実 施 例］
以下に本発明の実施例について、図面を参照して説明す
る。
る。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の詳細な説明するための
半導体装置の断面図及び平面図である。
半導体装置の断面図及び平面図である。
拡散、絶縁膜形成、多結晶シリコン配線及びコンタクト
ホール形成の終了した集積回路基板に、金属配線を施す
部分から説明する。
ホール形成の終了した集積回路基板に、金属配線を施す
部分から説明する。
本発明では前記集積回路基板のコンタクトホール９や多
結晶シリコン３部分の段差へも、そのまま、従来技術と
同様に第１金属配線層を形成する。
結晶シリコン３部分の段差へも、そのまま、従来技術と
同様に第１金属配線層を形成する。
次にこの上に、第３の絶縁膜層６を形成し、コンタクト
ホール９や多結晶シリコン３上の段差部分に絶縁膜の穴
を形成（以下これをピアホール１０と称す）する。次に
、前記ピアホール１０を埋めるように第２金属配線層７
を形成する。最期にパッシベーション膜８を形成し、半
導体装置の製造は終了する。
ホール９や多結晶シリコン３上の段差部分に絶縁膜の穴
を形成（以下これをピアホール１０と称す）する。次に
、前記ピアホール１０を埋めるように第２金属配線層７
を形成する。最期にパッシベーション膜８を形成し、半
導体装置の製造は終了する。
このような、本発明の半導体装置は、コンタクトホール
９や、多結晶シリコン３などの段差の為に生じた第１金
属配線層５の膜厚の膜厚が薄い部分を補う第２金属配線
層７を形成することにより、大きな電流が流れたり、加
工工程での熱による断線という問題を解決することがで
きる。従って高い信頼性と、加工工程での自由度が高く
生産性の良い半導体装置を実現することができるもので
ある。
９や、多結晶シリコン３などの段差の為に生じた第１金
属配線層５の膜厚の膜厚が薄い部分を補う第２金属配線
層７を形成することにより、大きな電流が流れたり、加
工工程での熱による断線という問題を解決することがで
きる。従って高い信頼性と、加工工程での自由度が高く
生産性の良い半導体装置を実現することができるもので
ある。
［発明の効果］
以上説明したように本発明の半導体装置は、大きな電流
が流れることによる断線を解決し、さらに加工工程の自
由度が高い、 高信頼性、高生産性を提供することにある。
が流れることによる断線を解決し、さらに加工工程の自
由度が高い、 高信頼性、高生産性を提供することにある。
第１図は、本発明の実施例による半導体装置の製造方法
の断面図及び平面図。 第２図は、従来技術による半導体装置の断面図及び平面
図。 ７・・・第２金属配線層 ８・・・パ・ンシベーションｔ［層 ９・・・コンタクトホール １０・・ ピアホール ２１・・・単結晶シリコン ２２・ 第１絶縁膜層 ２３・ 多結晶シリコン配線層 ２４ 第２絶縁膜層 ２５・ 金属配線層 ２６ ・・パ・ンシベーション月莫層 ２７・・・コンタクトホール 以 上 単結晶シリコン 第１絶縁膜層 多結晶シリコン配線 第２絶縁膜層 第１金属配線層 第３絶縁膜層 出願人 セイコーエプソン株式会社
の断面図及び平面図。 第２図は、従来技術による半導体装置の断面図及び平面
図。 ７・・・第２金属配線層 ８・・・パ・ンシベーションｔ［層 ９・・・コンタクトホール １０・・ ピアホール ２１・・・単結晶シリコン ２２・ 第１絶縁膜層 ２３・ 多結晶シリコン配線層 ２４ 第２絶縁膜層 ２５・ 金属配線層 ２６ ・・パ・ンシベーション月莫層 ２７・・・コンタクトホール 以 上 単結晶シリコン 第１絶縁膜層 多結晶シリコン配線 第２絶縁膜層 第１金属配線層 第３絶縁膜層 出願人 セイコーエプソン株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 集積回路の金属配線層を形成する方法において （１）第１金属配線層の形成 （２）前記第１金属配線層の段差部で配線膜厚の薄い部
分上に開口部をもつ絶縁膜層の形成 （３）前記開口部を埋め込む、第２金属配線層の形成か
らなることを特徴とする、半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14675690A JPH0439936A (ja) | 1990-06-05 | 1990-06-05 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14675690A JPH0439936A (ja) | 1990-06-05 | 1990-06-05 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0439936A true JPH0439936A (ja) | 1992-02-10 |
Family
ID=15414865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14675690A Pending JPH0439936A (ja) | 1990-06-05 | 1990-06-05 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0439936A (ja) |
-
1990
- 1990-06-05 JP JP14675690A patent/JPH0439936A/ja active Pending
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