JPH0439955A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0439955A JPH0439955A JP2148186A JP14818690A JPH0439955A JP H0439955 A JPH0439955 A JP H0439955A JP 2148186 A JP2148186 A JP 2148186A JP 14818690 A JP14818690 A JP 14818690A JP H0439955 A JPH0439955 A JP H0439955A
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- Japan
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- lid
- sealing resin
- substrate
- semiconductor chip
- circuit
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
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- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/734—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
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- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は混成集積回路等の半導体装置に関し、特にその
パッケージの構造に関するものである。
パッケージの構造に関するものである。
従来、混成集積回路としては、第３図に示すように構成
されたものがある。
されたものがある。
第３図は厚膜ＩＣ化技術（日本マイクロエレクトロニク
ス協会編、工業調査会発行）２２６頁に示された従来の
混成集積回路の構造図である。同図において、１は基板
、２はこの基板１上に形成された電極である。３は半導
体チップで、この半導体チップ３は前記基板１上に接着
剤４によって接着されている。５は前記半導体チップ３
０表面電極３ａと基板・１の電極２とを電気的に接続す
るためのワイヤである。
ス協会編、工業調査会発行）２２６頁に示された従来の
混成集積回路の構造図である。同図において、１は基板
、２はこの基板１上に形成された電極である。３は半導
体チップで、この半導体チップ３は前記基板１上に接着
剤４によって接着されている。５は前記半導体チップ３
０表面電極３ａと基板・１の電極２とを電気的に接続す
るためのワイヤである。
このように構成された混成集積回路を組立てるには、先
ず、基板１上に電極２と、この電極２に接続された配線
パターン（図示せず）とを形成する。そして、この基板
１上に接着剤４によって半導体チップ３を接着固定する
。次いで、この半導体チップ３と前記電極２とをワイヤ
５で接続する。
ず、基板１上に電極２と、この電極２に接続された配線
パターン（図示せず）とを形成する。そして、この基板
１上に接着剤４によって半導体チップ３を接着固定する
。次いで、この半導体チップ３と前記電極２とをワイヤ
５で接続する。
このように組立てられた混成集積回路は、半導体装ノブ
３以外に基板１上にコンデンサ、抵抗器等が実装されて
一定の機能をもった電子回路として動作する。なお、組
立ての終了した混成集積回路は、半導体チップ３を外部
環境がら保護するために、更にセラミックあるいは金属
からなるバンヶ−ジに収納することが多い。
３以外に基板１上にコンデンサ、抵抗器等が実装されて
一定の機能をもった電子回路として動作する。なお、組
立ての終了した混成集積回路は、半導体チップ３を外部
環境がら保護するために、更にセラミックあるいは金属
からなるバンヶ−ジに収納することが多い。
近年のエレクトロニクスの飛躍的発展にともない多くの
電子機器を多方面で使用するようになってきた。特に、
情報通信の分野で多くの電子機器を使用している。この
分野で最近問題となっているのが通信内容の秘密の確保
（秘匿性の向上）である。この秘匿性を向上させるため
に通信用電子機器に暗号回路を組込む例も多い。しかし
、この方法では通信用電子機器が盗難され内蔵する暗号
回路の動作が解読されれば、秘密を確保することができ
なくなってしまう。かといって、１台でも盗難にあった
場合に全ての暗号回路を変更するのは実際には非常に困
難である。このため、たとえ盗難にあっても容易には解
読できない暗号回路が必要となる。
電子機器を多方面で使用するようになってきた。特に、
情報通信の分野で多くの電子機器を使用している。この
分野で最近問題となっているのが通信内容の秘密の確保
（秘匿性の向上）である。この秘匿性を向上させるため
に通信用電子機器に暗号回路を組込む例も多い。しかし
、この方法では通信用電子機器が盗難され内蔵する暗号
回路の動作が解読されれば、秘密を確保することができ
なくなってしまう。かといって、１台でも盗難にあった
場合に全ての暗号回路を変更するのは実際には非常に困
難である。このため、たとえ盗難にあっても容易には解
読できない暗号回路が必要となる。
一般に、電子回路の動作を解析するには実際に動作させ
て各部信号の波形を解析するのが最も能率的な方法であ
る。第３図に示した従来の混成集積回路では半導体チッ
プ３の内部構造から動作を解析することも原理的には可
能だが、近年、半導体の集積度が飛躍的に向上している
関係から、この方法は実際には非常に困難である。とこ
ろが、このような混成１積回路であってもパッケージを
開封しさえすれば、基板１上の電極２を容易にブロービ
ングでき、動作状態を観察することができる。
て各部信号の波形を解析するのが最も能率的な方法であ
る。第３図に示した従来の混成集積回路では半導体チッ
プ３の内部構造から動作を解析することも原理的には可
能だが、近年、半導体の集積度が飛躍的に向上している
関係から、この方法は実際には非常に困難である。とこ
ろが、このような混成１積回路であってもパッケージを
開封しさえすれば、基板１上の電極２を容易にブロービ
ングでき、動作状態を観察することができる。
第４図に従来の混成集積回路の他の例を示す。
第４図は樹脂封止された従来の混成集積回路の断面図で
、同図において前記第３図で説明したものと同一もしく
は同等部材については、同一符号を付し詳細な説明は省
略する。第４図において、６は半導体チップ３．ワイヤ
５．基板１上の電極２等を封止するための封止樹脂であ
る。このように封止樹脂６で各部材を覆うと、基板１上
の電極２を直接にはブロービングできなくなる。
、同図において前記第３図で説明したものと同一もしく
は同等部材については、同一符号を付し詳細な説明は省
略する。第４図において、６は半導体チップ３．ワイヤ
５．基板１上の電極２等を封止するための封止樹脂であ
る。このように封止樹脂６で各部材を覆うと、基板１上
の電極２を直接にはブロービングできなくなる。
ところが、このように樹脂封止された混成集積回路であ
っても、封止樹脂６に穴を開ければ基板１の電極２が露
出され、ブロービングされてしまうという問題があった
。
っても、封止樹脂６に穴を開ければ基板１の電極２が露
出され、ブロービングされてしまうという問題があった
。
この発明は上記のような問題点を解消するためのもので
、動作を解析するのが困難で、しかも製造時の作業性、
信顛性に大きな影響を与えない半導体装置を得ることを
目的とする。
、動作を解析するのが困難で、しかも製造時の作業性、
信顛性に大きな影響を与えない半導体装置を得ることを
目的とする。
本発明に係る半導体装置は、半導体チップ、ワイヤおよ
び外部装置用電極からなる回路部分に、この回路部分の
側方および上方を覆う蓋体を被冠させてなり、この蓋体
内を半導体チップ、ワイヤおよび外部装置用電極が埋没
される封止樹脂で満たし、この封止樹脂によって蓋体を
回路部分に接着したものである。
び外部装置用電極からなる回路部分に、この回路部分の
側方および上方を覆う蓋体を被冠させてなり、この蓋体
内を半導体チップ、ワイヤおよび外部装置用電極が埋没
される封止樹脂で満たし、この封止樹脂によって蓋体を
回路部分に接着したものである。
蓋体を取外すと、封止樹脂がこの蓋体と共に回路部分か
ら外れる。封止樹脂が回路から外れる時にはワイヤが切
断されたり、半導体チップがこれを支持する部材から外
れたりして各構成部材どうしの接続が断たれ、回路が破
壊される。
ら外れる。封止樹脂が回路から外れる時にはワイヤが切
断されたり、半導体チップがこれを支持する部材から外
れたりして各構成部材どうしの接続が断たれ、回路が破
壊される。
以下、本発明の一実施例を第１図によって詳細に説明す
る。
る。
第１図は本発明に係る混成集積回路の断面図である。同
図において前記第３図および第４図で説明したものと同
一もしくは同等部材については、同一符号を付し詳細な
説明は省略する。第１図において、１１は半導体チップ
３．ワイヤ５および基板１の電極２等からなる回路部分
を覆うための蓋体で、この蓋体１１は、硬質な材料によ
って有底筒状に形成されている。そして、この蓋体１は
、その内部に封止樹脂６が充填され、この封止樹脂６内
に前記回路部分を埋没させるようにして基板１に接着さ
れている。すなわち、蓋体１１はこの封止樹脂６によっ
て基板１に接着され、この蓋体１１が接着された状態で
は半導体装ツブ３．ワイヤ５および電極２等は封止樹脂
６．蓋体１１によって覆われることになる。
図において前記第３図および第４図で説明したものと同
一もしくは同等部材については、同一符号を付し詳細な
説明は省略する。第１図において、１１は半導体チップ
３．ワイヤ５および基板１の電極２等からなる回路部分
を覆うための蓋体で、この蓋体１１は、硬質な材料によ
って有底筒状に形成されている。そして、この蓋体１は
、その内部に封止樹脂６が充填され、この封止樹脂６内
に前記回路部分を埋没させるようにして基板１に接着さ
れている。すなわち、蓋体１１はこの封止樹脂６によっ
て基板１に接着され、この蓋体１１が接着された状態で
は半導体装ツブ３．ワイヤ５および電極２等は封止樹脂
６．蓋体１１によって覆われることになる。
次に、この蓋体１１を備えた混成集積回路を組立てる手
順について説明する。先ず、電極２が形成された基板１
上に接着剤４によって半導体チップ３を接着固定し、こ
の半導体チップ３の表面電極３ａと電極２とをワイヤ５
によって接続する。
順について説明する。先ず、電極２が形成された基板１
上に接着剤４によって半導体チップ３を接着固定し、こ
の半導体チップ３の表面電極３ａと電極２とをワイヤ５
によって接続する。
そして、蓋体１１内を溶融状態の封止樹脂６で満たし、
この封止樹脂６内に半導体チップ３．金属ワイヤ５およ
び電極２等を埋没させる。そして、蓋体１１の開口縁部
が基板１に近接するまで前記各部材を蓋体１１内に没入
させる。この状態で封止樹脂６を硬化させれば、蓋体１
１は封止樹脂６によって基板１に接着固定される。
この封止樹脂６内に半導体チップ３．金属ワイヤ５およ
び電極２等を埋没させる。そして、蓋体１１の開口縁部
が基板１に近接するまで前記各部材を蓋体１１内に没入
させる。この状態で封止樹脂６を硬化させれば、蓋体１
１は封止樹脂６によって基板１に接着固定される。
このようにして組立てられた混成集積回路は、半導体チ
ップ３以外に基板１上にコンデンサ、抵抗器等が実装さ
れて一定の機能をもった電子回路として動作する。
ップ３以外に基板１上にコンデンサ、抵抗器等が実装さ
れて一定の機能をもった電子回路として動作する。
組立て状態では基板１上の電極２は封止樹脂６および蓋
体１１で覆われているから容易にプロービングすること
はできな（なる。基ｔｆｉ、１上の電極２をプロービン
グするためには、先ず蓋体１１を除去し、次に封止樹脂
６に穴を開けるかこれを除去するかして電極２を露出さ
せなければならない。
体１１で覆われているから容易にプロービングすること
はできな（なる。基ｔｆｉ、１上の電極２をプロービン
グするためには、先ず蓋体１１を除去し、次に封止樹脂
６に穴を開けるかこれを除去するかして電極２を露出さ
せなければならない。
しかし、蓋体１１を除去しようとすると、蓋体１１と封
止樹脂６との接着力が封止樹脂６と基板１との接着力よ
りも大きいため、蓋体１１と封止樹脂６とが一体となっ
て基板１から外れる。上述した接着力の違いは接着面積
の違いによるものである。この際、半導体チップ３が強
固に基板１に接着されている場合には、半導体チップ３
は基板１上に残り、ワイヤ４が切れる。ワイヤ４はその
接着強度が封止樹脂６のそれより十分に小さいから簡単
に切れる。また、半導体チップ３と基板１との接着強度
が小さい場合には、蓋体１１．封止樹脂６．半導体チッ
プ３およびワイヤ５が全て一体となって基板１から外れ
る。したがって、いずれの場合にも蓋体１１を取外そう
とすると回路は完全に破壊されるから、動作を解析する
ことは不可能である。
止樹脂６との接着力が封止樹脂６と基板１との接着力よ
りも大きいため、蓋体１１と封止樹脂６とが一体となっ
て基板１から外れる。上述した接着力の違いは接着面積
の違いによるものである。この際、半導体チップ３が強
固に基板１に接着されている場合には、半導体チップ３
は基板１上に残り、ワイヤ４が切れる。ワイヤ４はその
接着強度が封止樹脂６のそれより十分に小さいから簡単
に切れる。また、半導体チップ３と基板１との接着強度
が小さい場合には、蓋体１１．封止樹脂６．半導体チッ
プ３およびワイヤ５が全て一体となって基板１から外れ
る。したがって、いずれの場合にも蓋体１１を取外そう
とすると回路は完全に破壊されるから、動作を解析する
ことは不可能である。
なお、前記実施例ではワイヤ５を封止樹脂６のみによっ
て切断する例を示したが、第２図に示すように蓋体１１
にワイヤ切断用の棒を設けることもできる。
て切断する例を示したが、第２図に示すように蓋体１１
にワイヤ切断用の棒を設けることもできる。
第２図はワイヤ切断用の棒を設けた他の実施例を示す断
面図である。同図において前記第１図で説明したものと
同一もしくは同等部材については、同一符号を付し詳細
な説明は省略する。第２図おいて１２はワイヤ切断用の
棒で、この棒１２は蓋体１１の内面に蓋体１１の幅方向
（基板１と平行な方向）に沿って立設されている。そし
て、この棒１２を備えた蓋体１１を基板１に接着するに
は、棒１２をワイヤ５の下側へ通して行なう。このよう
にした場合には、蓋体１１を取外そうとして動かすと、
棒１２によってワイヤ５が切断されるので、第１図の実
施例よりもさらに確実に回路を破壊することができる。
面図である。同図において前記第１図で説明したものと
同一もしくは同等部材については、同一符号を付し詳細
な説明は省略する。第２図おいて１２はワイヤ切断用の
棒で、この棒１２は蓋体１１の内面に蓋体１１の幅方向
（基板１と平行な方向）に沿って立設されている。そし
て、この棒１２を備えた蓋体１１を基板１に接着するに
は、棒１２をワイヤ５の下側へ通して行なう。このよう
にした場合には、蓋体１１を取外そうとして動かすと、
棒１２によってワイヤ５が切断されるので、第１図の実
施例よりもさらに確実に回路を破壊することができる。
また、上述した２つの実施例ではいずれも混成集積回路
について説明したが、本発明を一般の集積回路へ適用す
ることもでき、このようにしても上記実施例と同等の効
果が得られる。
について説明したが、本発明を一般の集積回路へ適用す
ることもでき、このようにしても上記実施例と同等の効
果が得られる。
以上説明したように本発明に係る半導体装置は、半導体
チップ、ワイヤおよび外部装置用電極からなる回路部分
に、この回路部分の側方および上方を覆う蓋体を被冠さ
せてなり、この蓋体内を半導体チ、プ、″″ワイヤおよ
び外部装置用電極が埋没される封止樹脂で満たし、この
封止樹脂によって蓋体を回路部分に接着したため、蓋体
を取外すと、封止樹脂がこの蓋体と共に回路部分から外
れる。
チップ、ワイヤおよび外部装置用電極からなる回路部分
に、この回路部分の側方および上方を覆う蓋体を被冠さ
せてなり、この蓋体内を半導体チ、プ、″″ワイヤおよ
び外部装置用電極が埋没される封止樹脂で満たし、この
封止樹脂によって蓋体を回路部分に接着したため、蓋体
を取外すと、封止樹脂がこの蓋体と共に回路部分から外
れる。
封止樹脂が回路から外れる時にはワイヤが切断されたり
、半導体チップがこれを支持する部材から外れたりして
各構成部材どうしの接続が断たれ、回路が破壊される。
、半導体チップがこれを支持する部材から外れたりして
各構成部材どうしの接続が断たれ、回路が破壊される。
したがって、本発明の半導体装置では、完成状態では動
作解析を行なうことができなくなるので、不当に動作解
析されるのを防くことができる。
作解析を行なうことができなくなるので、不当に動作解
析されるのを防くことができる。
第１図は本発明に係る混成集積回路の断面図、第２図は
ワイヤ切断用の棒を設けた他の実施例を示す断面図であ
る。第３図は従来の混成集積回路の構造図、第４図は樹
脂封止された従来の混成集積回路の断面図である。 １・・・・基板、２・・・・電極、３・・・・半導体チ
ップ、５・・・・ワイヤ、６・・・・封止樹脂、１１・
・・・蓋体。
ワイヤ切断用の棒を設けた他の実施例を示す断面図であ
る。第３図は従来の混成集積回路の構造図、第４図は樹
脂封止された従来の混成集積回路の断面図である。 １・・・・基板、２・・・・電極、３・・・・半導体チ
ップ、５・・・・ワイヤ、６・・・・封止樹脂、１１・
・・・蓋体。
Claims (1)
- 半導体チップの電極がワイヤを介して外部装置用電極
に接続された半導体装置において、前記各部材からなる
回路部分に、この回路部分の側方および上方を覆う蓋体
を被冠させてなり、この蓋体内を半導体チップ、ワイヤ
および外部装置用電極が埋没される封止樹脂で満たし、
この封止樹脂によって蓋体を回路部分に接着したことを
特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2148186A JPH0439955A (ja) | 1990-06-05 | 1990-06-05 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2148186A JPH0439955A (ja) | 1990-06-05 | 1990-06-05 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0439955A true JPH0439955A (ja) | 1992-02-10 |
Family
ID=15447168
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2148186A Pending JPH0439955A (ja) | 1990-06-05 | 1990-06-05 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0439955A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0815615A4 (en) * | 1995-03-13 | 2000-12-06 | Intel Corp | HOUSING FOR SEVERAL SEMICONDUCTOR COMPONENTS |
| CN109709654A (zh) * | 2019-02-27 | 2019-05-03 | 维沃移动通信有限公司 | 光学组件、光学组件的制作方法及终端设备 |
-
1990
- 1990-06-05 JP JP2148186A patent/JPH0439955A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0815615A4 (en) * | 1995-03-13 | 2000-12-06 | Intel Corp | HOUSING FOR SEVERAL SEMICONDUCTOR COMPONENTS |
| CN109709654A (zh) * | 2019-02-27 | 2019-05-03 | 维沃移动通信有限公司 | 光学组件、光学组件的制作方法及终端设备 |
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