JPH0440459A - フォトガラスマスク - Google Patents
フォトガラスマスクInfo
- Publication number
- JPH0440459A JPH0440459A JP2148085A JP14808590A JPH0440459A JP H0440459 A JPH0440459 A JP H0440459A JP 2148085 A JP2148085 A JP 2148085A JP 14808590 A JP14808590 A JP 14808590A JP H0440459 A JPH0440459 A JP H0440459A
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- JP
- Japan
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- aligned
- mask
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- Pending
Links
- 239000011521 glass Substances 0.000 title description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 9
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 4
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、フォトリソグラフィー工程に使用するフォト
ガラスマスクに関するものである。
ガラスマスクに関するものである。
［従来の技術］
従来のフォトガラスマスクは、第３図の様な構造をして
おり、本パターン領域１０３は、第４図の被アライメン
ト物となる半導体基板１０４の直径より、通常６ｍｍ程
度小さい直径の円に内接する領域にのみ面付けされてい
た。
おり、本パターン領域１０３は、第４図の被アライメン
ト物となる半導体基板１０４の直径より、通常６ｍｍ程
度小さい直径の円に内接する領域にのみ面付けされてい
た。
［発明が解決しようとする課題］
上述の従来の技術では、フォトガラスマスク１０１上に
円形に面付けされた本パターン領域１０３を、被アライ
メント物１０４に対して上下左右均一になる様に初期露
光でパターニングする場合、ミラープロジェクション・
アライナ−の様に、フォトガラスマスク１０１と被アラ
イメント物１０４のパターニング位置精度を直接確認す
ることができない場合には、フォトガラスマスク１０１
のステージと被アライメント物１０３のステジとの機械
的精度によってのみパターニング位置精度が決まって、
フォトガラスマスク１０１のステージと被アライメント
物１０４のステージの機械的精度は、アライナ−間及び
経時的な変動による不安定性があり、±２ｍｍ程度のバ
ラツキがあった。この結果第４図に示される様に、フォ
トガラスマスク１０１上に面付けされた本パターン領域
１０３は、被アライメント物１０４の中心位置に対して
、上下左右均一にパターニングされず、被アライメント
物１０４の外周端までパタニングされることがしばしあ
った。−Ｅ９に被アライメント物１０４の外周端から２
ｍｍ程度まで内側の領域は、電気的にも、機械的にも保
証されない領域で、従って、その領域にパターニングさ
れてできた製品は歩留りも低く、かつ品質的にも不安定
で、信頼性上の問題点を多発していた。
円形に面付けされた本パターン領域１０３を、被アライ
メント物１０４に対して上下左右均一になる様に初期露
光でパターニングする場合、ミラープロジェクション・
アライナ−の様に、フォトガラスマスク１０１と被アラ
イメント物１０４のパターニング位置精度を直接確認す
ることができない場合には、フォトガラスマスク１０１
のステージと被アライメント物１０３のステジとの機械
的精度によってのみパターニング位置精度が決まって、
フォトガラスマスク１０１のステージと被アライメント
物１０４のステージの機械的精度は、アライナ−間及び
経時的な変動による不安定性があり、±２ｍｍ程度のバ
ラツキがあった。この結果第４図に示される様に、フォ
トガラスマスク１０１上に面付けされた本パターン領域
１０３は、被アライメント物１０４の中心位置に対して
、上下左右均一にパターニングされず、被アライメント
物１０４の外周端までパタニングされることがしばしあ
った。−Ｅ９に被アライメント物１０４の外周端から２
ｍｍ程度まで内側の領域は、電気的にも、機械的にも保
証されない領域で、従って、その領域にパターニングさ
れてできた製品は歩留りも低く、かつ品質的にも不安定
で、信頼性上の問題点を多発していた。
そこで、本発明はこの様な問題点を解決する為のもので
、その目的とするところは、フォトガラスマスク１０１
上に面付けされた本パターン領域１０３を被アライメン
ト物１０４の中心位置に対して上下左右均一に、外周端
にかからない様にパターニングするものであり、それに
よって歩留り、品質の安定した信頼性の高い製品の製造
を可能にするフォトマスク１０１を提供するところにあ
る。
、その目的とするところは、フォトガラスマスク１０１
上に面付けされた本パターン領域１０３を被アライメン
ト物１０４の中心位置に対して上下左右均一に、外周端
にかからない様にパターニングするものであり、それに
よって歩留り、品質の安定した信頼性の高い製品の製造
を可能にするフォトマスク１０１を提供するところにあ
る。
［課題を解決するための手段〕
本発明のフォトガラスマスク１０１は、被アライメント
物１０４にパターニングされる本パタン領域１０３の中
心位置から左右対象にかつ、本パターン領域１０３の外
側にアライメント・マクな配置することを特徴とするフ
ォトガラスマス先 〔実 施 例１ 第１図は、本発明の実施例におけるフォトガラスマスク
１平面図を示したものである。本パターン領域３は、被
アライメント物となる半導体基板４内側にパターニング
される様、半導体基板４の直径より、通常６ｍｍ、程度
小さい直径の円に内接する領域にのみ面付けされている
。又、アライメント・マーク２は、上述の本パターン領
域３の面付は中心位置から左右対象かつ、本パターン領
域３か６１ｍｍ程度外側に配置されている。アライメン
トマーク２は、本パターン領域３の中心に対して左右対
称に配置されている為、例えばミラープロジェクション
アライナ−において、左右のウェハーアライメント顕微
鏡に対して左右上下均一にアライメントすることで被ア
ライメント物である半導体基板４の中心に対しておおよ
そ左右上下均一な位置にパターニングすることが可能に
なる。この時の状態を第２図に示す。尚、パターニング
位置精度は、アライメントマークの形状、アライナ−の
ウェハーアライメント顕微鏡に対するアライメント・マ
ーク２のアライメント精度で決定されるが、±３００μ
ｍ程度のパターニング位置精度は十分実現した。
物１０４にパターニングされる本パタン領域１０３の中
心位置から左右対象にかつ、本パターン領域１０３の外
側にアライメント・マクな配置することを特徴とするフ
ォトガラスマス先 〔実 施 例１ 第１図は、本発明の実施例におけるフォトガラスマスク
１平面図を示したものである。本パターン領域３は、被
アライメント物となる半導体基板４内側にパターニング
される様、半導体基板４の直径より、通常６ｍｍ、程度
小さい直径の円に内接する領域にのみ面付けされている
。又、アライメント・マーク２は、上述の本パターン領
域３の面付は中心位置から左右対象かつ、本パターン領
域３か６１ｍｍ程度外側に配置されている。アライメン
トマーク２は、本パターン領域３の中心に対して左右対
称に配置されている為、例えばミラープロジェクション
アライナ−において、左右のウェハーアライメント顕微
鏡に対して左右上下均一にアライメントすることで被ア
ライメント物である半導体基板４の中心に対しておおよ
そ左右上下均一な位置にパターニングすることが可能に
なる。この時の状態を第２図に示す。尚、パターニング
位置精度は、アライメントマークの形状、アライナ−の
ウェハーアライメント顕微鏡に対するアライメント・マ
ーク２のアライメント精度で決定されるが、±３００μ
ｍ程度のパターニング位置精度は十分実現した。
［発明の効果］
以上述べた様に、本発明によれば、フォトガラスマスク
ｌ上に面付けされた本パターン領域３を被アライメント
物４の中心位置に対して上下左右均一に、±３００μｍ
程度の位置精度でパターニングすることができた。これ
により、本パターン領域３が被アライメント物４の外周
端にかかる様にパターニングされることは無くなり、製
品の歩留りを低下させることが無くなった。又、製品の
不安定な製品が製造されることも無くなり、信頼性上の
不良による諸問題も発生しなかった。又、本発明による
フォトガラスマスク１上に配置したアライメント・マー
ク２は、本パターン領域３の外側にある為、本パターン
の有効数を減らすこともなかった。
ｌ上に面付けされた本パターン領域３を被アライメント
物４の中心位置に対して上下左右均一に、±３００μｍ
程度の位置精度でパターニングすることができた。これ
により、本パターン領域３が被アライメント物４の外周
端にかかる様にパターニングされることは無くなり、製
品の歩留りを低下させることが無くなった。又、製品の
不安定な製品が製造されることも無くなり、信頼性上の
不良による諸問題も発生しなかった。又、本発明による
フォトガラスマスク１上に配置したアライメント・マー
ク２は、本パターン領域３の外側にある為、本パターン
の有効数を減らすこともなかった。
以上の様に、本発明は、多くの効果を得ることができる
ものである。
ものである。
第１図は、本発明によるフォトガラスマスク平面図で、
第２図は、そのフォトガラスマスクを使用して半導体基
板にパターニングした状態を示した図面である。 第３図は、従来技術におけるフォトガラスマスクの平面
図で、第４図は、そのフォトガラスマスクを使用して半
導体基板にパターニングした状態を示した図面である。 １．１０１・・・フォトガラスマスク ３． ４、 ・アライメント マ ク ・本パターン領域 半導体基板 （被アライメン ト物） 以 上
第２図は、そのフォトガラスマスクを使用して半導体基
板にパターニングした状態を示した図面である。 第３図は、従来技術におけるフォトガラスマスクの平面
図で、第４図は、そのフォトガラスマスクを使用して半
導体基板にパターニングした状態を示した図面である。 １．１０１・・・フォトガラスマスク ３． ４、 ・アライメント マ ク ・本パターン領域 半導体基板 （被アライメン ト物） 以 上
Claims (2)
- （１）フォトリソグラフィー工程に使用するフォトガラ
スマスクにおいて、被アライメント物にパターニングさ
れる本パターン領域の中心位置から左右対称なる位置に
アライメント・マークを有することを特徴とするフォト
ガラスマスク。 - （２）本パターン領域の中心位置から左右対称に配置し
たアライメント・マークは、本パターン領域よりも外側
に配置されることを特徴とするフォトガラスマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2148085A JPH0440459A (ja) | 1990-06-06 | 1990-06-06 | フォトガラスマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2148085A JPH0440459A (ja) | 1990-06-06 | 1990-06-06 | フォトガラスマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0440459A true JPH0440459A (ja) | 1992-02-10 |
Family
ID=15444901
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2148085A Pending JPH0440459A (ja) | 1990-06-06 | 1990-06-06 | フォトガラスマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0440459A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6463577B1 (en) * | 1999-07-09 | 2002-10-08 | Fujitsu Limited | Method of manufacturing mask using independent pattern data files |
-
1990
- 1990-06-06 JP JP2148085A patent/JPH0440459A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6463577B1 (en) * | 1999-07-09 | 2002-10-08 | Fujitsu Limited | Method of manufacturing mask using independent pattern data files |
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