JPH0441414B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0441414B2 JPH0441414B2 JP59271763A JP27176384A JPH0441414B2 JP H0441414 B2 JPH0441414 B2 JP H0441414B2 JP 59271763 A JP59271763 A JP 59271763A JP 27176384 A JP27176384 A JP 27176384A JP H0441414 B2 JPH0441414 B2 JP H0441414B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- head
- insulating film
- magnetically permeable
- magnetoresistive element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はオーデイオ装置、ビデオテープレコー
ダ、コンピユータなどの磁気記録に使用される磁
気抵抗効果形ヘツド（以下MRヘツドと称す）に
係り、特にヨーク型MRヘツドの形状に関する。
ダ、コンピユータなどの磁気記録に使用される磁
気抵抗効果形ヘツド（以下MRヘツドと称す）に
係り、特にヨーク型MRヘツドの形状に関する。
近年磁気記録が高密度化されるに伴い、薄膜技
術を用いて製造されるMRヘツドが注目されてい
る。ヨーク型MRヘツドは従来は第３図に斜視図
として示すように、磁性体基板１上に絶縁膜２を
介してバイアス３を形成し、その上に絶縁膜４を
介してMR素子５を形成し、その上にさらに絶縁
膜６を介して磁気コア７を前記MR素子５の一端
を被覆するように形成するか、または第４図に斜
視図として示すように、磁性体基板１上に溝８を
形成し、この溝８の中に絶縁膜としてのガラス９
を介してバイアス３を埋込み、その上に絶縁膜２
を介してMR素子５を形成し、その上にさらに絶
縁膜６を介して磁気コア７を前記MR素子５の両
端を被覆するように形成するかして作られてい
た。
術を用いて製造されるMRヘツドが注目されてい
る。ヨーク型MRヘツドは従来は第３図に斜視図
として示すように、磁性体基板１上に絶縁膜２を
介してバイアス３を形成し、その上に絶縁膜４を
介してMR素子５を形成し、その上にさらに絶縁
膜６を介して磁気コア７を前記MR素子５の一端
を被覆するように形成するか、または第４図に斜
視図として示すように、磁性体基板１上に溝８を
形成し、この溝８の中に絶縁膜としてのガラス９
を介してバイアス３を埋込み、その上に絶縁膜２
を介してMR素子５を形成し、その上にさらに絶
縁膜６を介して磁気コア７を前記MR素子５の両
端を被覆するように形成するかして作られてい
た。
上述のように構成された従来のMRヘツドで、
第３図に示す形状のヘツドにおいては、MR素子
５と磁性体基板１の間にバイアス３を配置してい
るため磁気コア７が平坦な形状に構成できず、段
差部で透磁率が低下し、さらに製造プロセスも複
雑になる欠点があつた。第４図に示す形状のヘツ
ドは前述の第３図に示すヘツドの欠点である透磁
率の低下を防ぐため開発されたものであり、磁気
コア７は平坦に近くなるが磁性体基板１にガラス
９及びバイアス３の両方を埋込まなければならな
いため、磁路長を短くすることができないという
問題があつた。
第３図に示す形状のヘツドにおいては、MR素子
５と磁性体基板１の間にバイアス３を配置してい
るため磁気コア７が平坦な形状に構成できず、段
差部で透磁率が低下し、さらに製造プロセスも複
雑になる欠点があつた。第４図に示す形状のヘツ
ドは前述の第３図に示すヘツドの欠点である透磁
率の低下を防ぐため開発されたものであり、磁気
コア７は平坦に近くなるが磁性体基板１にガラス
９及びバイアス３の両方を埋込まなければならな
いため、磁路長を短くすることができないという
問題があつた。
本発明は上述した点に鑑みてなされたものであ
り、平坦な磁気コアと短い磁路長を有する製造コ
ストの安いヨーク型MRヘツドを提供することを
目的とする。
り、平坦な磁気コアと短い磁路長を有する製造コ
ストの安いヨーク型MRヘツドを提供することを
目的とする。
本発明は磁性体基板上に絶縁膜を介して形成さ
れたMR素子と、さらにこの上に絶縁膜を介した
不連続部が形成された磁気回路を形成する磁気コ
アとを設けてなるヨーク型MRヘツドにおいて、
前記MR素子の幅方向の両端に配設された前記磁
気コアを形成する２個の透磁性薄膜のうち、記録
媒体と接しない側の透磁性薄膜に前記MR素子の
長手方向と平行な方向に通電するリード線を設け
て、前記透磁性薄膜に通電することにより前記
MR素子にバイアス磁界を与えるようにしたもの
である。
れたMR素子と、さらにこの上に絶縁膜を介した
不連続部が形成された磁気回路を形成する磁気コ
アとを設けてなるヨーク型MRヘツドにおいて、
前記MR素子の幅方向の両端に配設された前記磁
気コアを形成する２個の透磁性薄膜のうち、記録
媒体と接しない側の透磁性薄膜に前記MR素子の
長手方向と平行な方向に通電するリード線を設け
て、前記透磁性薄膜に通電することにより前記
MR素子にバイアス磁界を与えるようにしたもの
である。
上述の構成によると、従来のバイアスを形成せ
ずにバイアス磁界が得られるため、磁気コアが平
坦となつて透磁率が高くなり、しかも磁路が短く
なるため特性が向上するとともに製造コストも安
くなる。
ずにバイアス磁界が得られるため、磁気コアが平
坦となつて透磁率が高くなり、しかも磁路が短く
なるため特性が向上するとともに製造コストも安
くなる。
以下本発明に係るMRヘツドの一実施例を図面
を参照して説明する。
を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す斜視図、第２
図は第１図のＡ−Ａ断面を示す断面図である。な
お、第３図及び第４図に示す従来例と同一または
同等部分には同一符号を付す。フエライトなどか
らなる磁性体基板１にはガラス溝１０が形成され
ており、このガラス溝１０には溶融接着用のガラ
ス１１がスパツタや蒸着などの手段で固着されて
いる。前記磁性体基板１上にはSiO2などからな
る絶縁膜２が形成されており、この絶縁膜２を介
して前記ガラス溝１０の上方にはMR素子５が形
成されている。このMR素子５の両端にはリード
線１２が接続されており、同様に前記絶縁膜２上
に形成されている。これらのMR素子５及びリー
ド線１２の上には絶縁膜６が被覆されている。こ
のMR素子５の幅方向の両端には磁気コアを形成
する２箇のパーマロイなどからなる透磁性薄膜７
ａ，７ｂが前記絶縁膜６を介して対向形成されて
おり、その間には不連続部７ｃが設けられてい
る。これらの透磁性薄膜７ａ，７ｂのうちMRヘ
ツドのテープ摺動面１ａと接する前部透磁性薄膜
７ａと反対側の後部透磁性薄膜７ｂの前記MR素
子５の長手方向と直角な両端面には、それぞれリ
ード線１３が接続されており、前記絶縁膜６を介
して前記リード線１２とほぼ平行に形成されてい
る。このように構成されたMRヘツド全体は図示
しない絶縁層で被覆され、その上に図示しないホ
ルダが接着されている。なお、上述の絶縁層２，
６、MR素子５、薄膜７ａ，７ｂ、リード線１
２，１３は公知の各種のリングフライ技術によつ
て形成されている。
図は第１図のＡ−Ａ断面を示す断面図である。な
お、第３図及び第４図に示す従来例と同一または
同等部分には同一符号を付す。フエライトなどか
らなる磁性体基板１にはガラス溝１０が形成され
ており、このガラス溝１０には溶融接着用のガラ
ス１１がスパツタや蒸着などの手段で固着されて
いる。前記磁性体基板１上にはSiO2などからな
る絶縁膜２が形成されており、この絶縁膜２を介
して前記ガラス溝１０の上方にはMR素子５が形
成されている。このMR素子５の両端にはリード
線１２が接続されており、同様に前記絶縁膜２上
に形成されている。これらのMR素子５及びリー
ド線１２の上には絶縁膜６が被覆されている。こ
のMR素子５の幅方向の両端には磁気コアを形成
する２箇のパーマロイなどからなる透磁性薄膜７
ａ，７ｂが前記絶縁膜６を介して対向形成されて
おり、その間には不連続部７ｃが設けられてい
る。これらの透磁性薄膜７ａ，７ｂのうちMRヘ
ツドのテープ摺動面１ａと接する前部透磁性薄膜
７ａと反対側の後部透磁性薄膜７ｂの前記MR素
子５の長手方向と直角な両端面には、それぞれリ
ード線１３が接続されており、前記絶縁膜６を介
して前記リード線１２とほぼ平行に形成されてい
る。このように構成されたMRヘツド全体は図示
しない絶縁層で被覆され、その上に図示しないホ
ルダが接着されている。なお、上述の絶縁層２，
６、MR素子５、薄膜７ａ，７ｂ、リード線１
２，１３は公知の各種のリングフライ技術によつ
て形成されている。
上述の通り構成された本実施例によれば、後部
磁気コアを形成する後部透磁性薄膜７ｂにリード
線１３を介して電流を流すことにより、MR素子
５に適切なバイアス磁界を与えることができる。
このため従来のバイアスは不必要となり、磁気コ
アが平坦となつて透磁率が高くなり、しかも磁路
が短くなるためMRヘツドの特性が向上するとと
もに、製造工程が極めて容易となりコストも安く
なる。
磁気コアを形成する後部透磁性薄膜７ｂにリード
線１３を介して電流を流すことにより、MR素子
５に適切なバイアス磁界を与えることができる。
このため従来のバイアスは不必要となり、磁気コ
アが平坦となつて透磁率が高くなり、しかも磁路
が短くなるためMRヘツドの特性が向上するとと
もに、製造工程が極めて容易となりコストも安く
なる。
上述の通り本発明によれば、MRヘツドを構成
する磁気コアのうち後部磁気コアに電流を流すこ
とによりバイアス磁界を発生させるようにしたも
のであるから、従来のバイアスが不要となり特性
のよい安価なMRヘツドを得ることができる。
する磁気コアのうち後部磁気コアに電流を流すこ
とによりバイアス磁界を発生させるようにしたも
のであるから、従来のバイアスが不要となり特性
のよい安価なMRヘツドを得ることができる。
第１図は本発明に係るMRヘツドの一実施例を
示す斜視図、第２図は第１図のＡ−Ａ線断面図、
第３図及び第４図は従来のヨーク型MRヘツドを
示す一部断面斜視図である。 １……磁性体基板、２，４，６……絶縁膜、３
……バイアス、５……MR素子、７……磁気コ
ア、７ａ……前部透磁性薄膜、７ｂ……後部透磁
性薄膜、１２，１３……リード線。
示す斜視図、第２図は第１図のＡ−Ａ線断面図、
第３図及び第４図は従来のヨーク型MRヘツドを
示す一部断面斜視図である。 １……磁性体基板、２，４，６……絶縁膜、３
……バイアス、５……MR素子、７……磁気コ
ア、７ａ……前部透磁性薄膜、７ｂ……後部透磁
性薄膜、１２，１３……リード線。
Claims (1)
- １ 磁性体基板上に絶縁膜を介して形成された磁
気抵抗素子と、この磁気抵抗素子上に絶縁膜を介
して不連続部が形成された磁気回路を形成する磁
気コアとを設けてなるヨーク型磁気抵抗効果形ヘ
ツドにおいて、前記磁気抵抗素子の幅方向の両端
に配設された前記磁気コアを形成する２箇の透磁
性薄膜のうち、記録媒体と接しない側の透磁性薄
膜にリード線を設け、前記透磁性薄膜に前記磁気
抵抗素子の長手方向と平行な方向に通電すること
により前記磁気抵抗素子にバイアス磁界を与える
ようにしたことを特徴とする磁気抵抗効果形ヘツ
ド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27176384A JPS61150120A (ja) | 1984-12-25 | 1984-12-25 | 磁気抵抗効果形ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27176384A JPS61150120A (ja) | 1984-12-25 | 1984-12-25 | 磁気抵抗効果形ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61150120A JPS61150120A (ja) | 1986-07-08 |
| JPH0441414B2 true JPH0441414B2 (ja) | 1992-07-08 |
Family
ID=17504497
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27176384A Granted JPS61150120A (ja) | 1984-12-25 | 1984-12-25 | 磁気抵抗効果形ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61150120A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5715225A (en) * | 1980-07-01 | 1982-01-26 | Mitsubishi Electric Corp | Magnetic resistance effect type magnetic head |
-
1984
- 1984-12-25 JP JP27176384A patent/JPS61150120A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61150120A (ja) | 1986-07-08 |
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