JPH0441672B2 - - Google Patents
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- JPH0441672B2 JPH0441672B2 JP58250139A JP25013983A JPH0441672B2 JP H0441672 B2 JPH0441672 B2 JP H0441672B2 JP 58250139 A JP58250139 A JP 58250139A JP 25013983 A JP25013983 A JP 25013983A JP H0441672 B2 JPH0441672 B2 JP H0441672B2
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- dicyano
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- naphthoquinone
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/246—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
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- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
（産業上の利用分野）
本発明はレーザ光によつて情報を記録再生する
ことのできる光学記録媒体に関し、さらに詳しく
は有機色素を用いる光学記録媒体に関する。 （従来技術とその問題点） 従来、この種の光学記録媒体としてTe合金，
Te酸化物及び有機色素等が用いられている。有
機色素は、一般に高感度で無公害の媒体を安価に
製作し得るという優れた特性を有するので、これ
まで種々の媒体が開発されている。それらを大別
すると色素単体型と色素を高分子樹脂中に溶剤で
溶解させた相溶型に分けられる。相溶型の媒体
は、たとえば特開昭55−161690号に開示されてい
るように高分子樹脂であるポリビニールアセテー
トに色素としてポリエステルイエローを溶剤で相
溶し、回転塗布法で基板上に形成される。一般に
相溶型の媒体は、媒体形成法が溶媒塗布に限られ
る。このため基板に樹脂を使用する場合は、樹脂
を溶解しない溶剤を選択しなければならないとい
う制約がある。一方、蒸着で形成される色素単体
媒体は、基板の選択に制約を与えないので実用上
望ましい媒体である。但し、蒸着色素膜は一般に
会合（凝集）による表面性の劣化を示す。この劣
化が媒体の寿命を決めるので色素単体媒体の場
合、会合性の低い色素材料を用いることが重要で
あるが、これまで充分な寿命を有する媒体は開発
されていない。 （発明の目的） 本発明の目的は、前述の従来技術の欠点を改良
し、長期保存性に優れた有機色素から成る光学記
録媒体を提供することである。 （発明の構成） 本発明は基板の片側または両側に記録層を設
け、情報をレーザ光線によつて記録しかつ読み取
る光学記録媒体において、前記記録層として５−
アミノ−８−（置換アニリノ）−２，３−ジシアノ
−１，４−ナフトキノン色素の金属錯体或いは
５，８−（置換アニリノ）−２，３−ジシアノ−
１，４−ナフトキノン色素の金属錯体を主成分と
する有機薄膜を形成したことを特徴とする。ま
た、本発明に係る光学記録媒体の製造方法は、前
記ナフトキノン色素の金属錯体を蒸着法で前記基
板上に形成することを特徴とする。 （構成の詳細な説明） 本発明は、上述の構成をとることにより従来技
術の問題点を解決した。 ５−アミノ−８−（置換アニリノ）−２，３−ジ
シアノ−１，４−ナフトキノン色素或いは５，８
−（置換アニリノ）−２，３−ジシアノ−１，４−
ナフトキノン色素の置換アニリノの置換基として
アルキル基、アルコキシル基、アリル基、アミノ
基、置換アミノ基を選択することにより、蒸着に
よる成膜性および蒸着膜の会合性が無置換アニリ
ノ（
ことのできる光学記録媒体に関し、さらに詳しく
は有機色素を用いる光学記録媒体に関する。 （従来技術とその問題点） 従来、この種の光学記録媒体としてTe合金，
Te酸化物及び有機色素等が用いられている。有
機色素は、一般に高感度で無公害の媒体を安価に
製作し得るという優れた特性を有するので、これ
まで種々の媒体が開発されている。それらを大別
すると色素単体型と色素を高分子樹脂中に溶剤で
溶解させた相溶型に分けられる。相溶型の媒体
は、たとえば特開昭55−161690号に開示されてい
るように高分子樹脂であるポリビニールアセテー
トに色素としてポリエステルイエローを溶剤で相
溶し、回転塗布法で基板上に形成される。一般に
相溶型の媒体は、媒体形成法が溶媒塗布に限られ
る。このため基板に樹脂を使用する場合は、樹脂
を溶解しない溶剤を選択しなければならないとい
う制約がある。一方、蒸着で形成される色素単体
媒体は、基板の選択に制約を与えないので実用上
望ましい媒体である。但し、蒸着色素膜は一般に
会合（凝集）による表面性の劣化を示す。この劣
化が媒体の寿命を決めるので色素単体媒体の場
合、会合性の低い色素材料を用いることが重要で
あるが、これまで充分な寿命を有する媒体は開発
されていない。 （発明の目的） 本発明の目的は、前述の従来技術の欠点を改良
し、長期保存性に優れた有機色素から成る光学記
録媒体を提供することである。 （発明の構成） 本発明は基板の片側または両側に記録層を設
け、情報をレーザ光線によつて記録しかつ読み取
る光学記録媒体において、前記記録層として５−
アミノ−８−（置換アニリノ）−２，３−ジシアノ
−１，４−ナフトキノン色素の金属錯体或いは
５，８−（置換アニリノ）−２，３−ジシアノ−
１，４−ナフトキノン色素の金属錯体を主成分と
する有機薄膜を形成したことを特徴とする。ま
た、本発明に係る光学記録媒体の製造方法は、前
記ナフトキノン色素の金属錯体を蒸着法で前記基
板上に形成することを特徴とする。 （構成の詳細な説明） 本発明は、上述の構成をとることにより従来技
術の問題点を解決した。 ５−アミノ−８−（置換アニリノ）−２，３−ジ
シアノ−１，４−ナフトキノン色素或いは５，８
−（置換アニリノ）−２，３−ジシアノ−１，４−
ナフトキノン色素の置換アニリノの置換基として
アルキル基、アルコキシル基、アリル基、アミノ
基、置換アミノ基を選択することにより、蒸着に
よる成膜性および蒸着膜の会合性が無置換アニリ
ノ（
【式】）より優れる。これらの
色素を金属錯体とすることにより会合性はさらに
小さくなる。置換基のアルキル基およびアルコキ
シル基の炭素数は１〜４がより望ましい。 これらのナフトキノン色素の金属錯体は、近赤
外部に吸収極大を示し、記録・再生のレーザとし
て半導体レーザを用いるとその発振波長と良く適
合し、高感度媒体を形成し得ることが期待でき
る。 前記ナフトキノン色素の金属錯体の合成例を次
に示す。 まず公知の２，３−ジクロロ−１，４−ナフト
キノンを硝酸と硫酸でニトロ化して５−ニトロ−
２，３−ジクロロ１，４−ナフトキノンを得る。
次に、青酸ソーダでシアノ化を行ない５−ニトロ
−２，３−ジシアノ−１，４−ジヒドロキシナフ
タレンを得る。つづいて、塩化第１スズと塩酸で
還元処理後、塩化第２鉄で酸化処理して５−アミ
ノ−２，３−ジシアノ−１，４−ナフトキノン
〔１〕を得る。〔１〕１ｇをよく粉砕し、エタノー
ル400mlに分散させ還流しておく。これにｐ−エ
トキシアニリン1.23ｇ（２モル比）のエタノール
（10ml）溶液を滴下し、還元下に10分かきまぜる。
反応後熱時過し、液を氷冷して生じた沈殿を
過し、乾燥後クロロホルムから再結晶すると
380mg（収率24％）の精製品（mp254〜256℃）が
得られる。 この精製品は同定結果は、 (1) λmax 760nm（アセトニトリル中） (2) 質量分析（Ｍ／ｅ） 358，330，329 (3) 元素分析直 計算値 Ｃ：67.03％ Ｎ：15.64％ Ｈ：
3.94％ 実験値 Ｃ：67.09％ Ｎ：15.85％ Ｈ：
3.85％ のようになり、これは５−アミノ−８−（Ｐ−エ
トキシアニリノ）−２，３−ジシアノ−１，４−
ナフトキノン〔〕であることが確認された。 次に、〔〕200mｇをアセトニトリル300mlに
溶かし、これに50mlのアセトニトリルに溶かした
塩化コバルト72mｇ（１モル比）の溶液を加え、
アセトニトリルの沸点で３時間還流しておく。そ
の後、減圧蒸留し、残渣をアセトニトリルで洗浄
して〔〕を洗い流し、さらに水洗した後乾燥さ
せると、５−アミノ−８−（ｐ−エトキシアニリ
ノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフトキノン
色素のコバルト錯体130mｇの精製品が得られた。 この精製品をシリカゲル薄層クロマトグラフ法
でアセトニトリルを展開剤として分析したとこ
ろ、錯体は展開しなかつた。 なお、〔〕のRf値は0.9である。 他のナフトキノン色素の金属錯体も上記合成例
と同様に合成することができる。 前記ナフトキノン色素の金属錯体の薄膜は、通
常の抵抗加熱蒸着法により基板上に形成し得る。
基板材料としては種々のものが使用できるが、一
般にはガラス、アルミニウム合金、合成樹脂が望
ましい。合成樹脂としてはポリメチルメタクリレ
ート（PMMA）、ポリカーボネート、エポキシ、
ポリエーテルイミド、ポリサルホン、ポリビニル
クロライド等がある。基板形状は円板形状、テー
プ形状、シート形状が適用できる。 基板上に形成されたナフトキノン色素の金属錯
体の薄膜に半導体レーザ光をレンズで収光して照
射すると、照射部の薄膜が除去されて孔が形成さ
れる。この孔形成の機構は明確ではないが、蒸着
（昇華）をともなう融解凝集に因ると考えられる。
形成される孔の大きさは、レーザ光の収光径、レ
ーザパワー、照射時間に依存するが、大体0.2〜
3μmであることが望ましい。このような孔形成に
必要なレーザエネルギーは小さなものであり、し
たがつて、短時間で孔形成が可能である。具体的
には、波長830nmのAlGaAs半導体レーザ光をビ
ーム径1.4μmに収光した場合、薄膜面上でのパワ
ーは２〜13mW、照射時間は50〜300nsecの範囲
で孔を形成することができる。当然のことなが
ら、上記パワー、あるいは照射時間の上限値以上
の条件でも孔を形成することができるが、上記条
件は望ましい使用条件である。情報の記録は、２
進情報を孔の有無に対応させることによりなされ
る。通常用板状媒体を等速回転させて、記録情報
に合わせて孔を形成して情報を記録する。なお、
以上の場合において薄膜の膜厚は0.01〜0.5μmで、
好適には0.02〜0.2μmである。 このように記録された情報（孔）の読み出しは、
媒体からの反射光又は透過光の光量変化を検出す
ることによりなされる。一般に反射光を検出する
方法が採用される。これは、反射光検出の方が光
学系が簡単になるためである。即ち、一つの光学
系で投光と集光が可能であるためである。読み出
しはレーザ光を連続させて照射する。その時の光
量は媒体に何らの形状変化が起らない弱いエネル
ギーに設定され、通常記録時の光量の1/5〜1/10
である。 記録，再生時の光の入射方向として、媒体面側
と基板面側の２通りがある。本例の如き単層媒体
では両方向の配置とも使用可能である。基板面側
入射では、媒体面上に付着した塵埃に影響される
ことなく記録，再生が可能であり、より望ましい
形態である。なお、媒体が形成されている面の反
対側の基板面上に付着した塵埃及びその面のキズ
等の欠陥は、基板厚さが１mm以上であれば、その
面でのビーム径が充分大きいので記録，再生に悪
影響を与えない。 情報は孔列として記録される。孔列は一般に同
心円状又はスパイラル状の多数のトラツクを形成
する。再生する場合、光ビームは特定トラツクの
孔列上を精度よく追跡する必要がある。これを実
現する一つの手段として回転機構の精度を空気軸
受などを使用して高めるという方法がある。しか
し、この場合は、回転系が複雑となり、又高価と
なるので実用的ではない。より望ましいのは、基
板上の光の案内溝を設ける方法である。ビーム径
程度の溝に光が入射すると、光が回折される。ビ
ーム中心が溝からずれるにつれて回折強度の空間
分布が異なり、これを検出して、ビームを溝の中
心に入射させるようにサーボ系を構成することが
できる。通常溝の幅は、0.4〜1.2μm、その深さは
使用する記録再生波長の1/8〜1/4の範囲に設定さ
れる。したがつて記録層は溝付基板面上に形成さ
れる。 以下本発明の実施例について図面を参照して詳
細に説明する。 （実施例 １） 第１図は実際に蒸着で基板上に作製した５−ア
ミノ−８−（ｐ−メトキシアニリノ）−２，３−ジ
シアノ−１，４−ナフトキノン色素のコバルト錯
体の薄膜の吸収スペクトルを示したものである。
これより、AlGaAs半導体レーザの発振波長であ
る〜800nm付近に吸収極大があり、本薄膜が半導
体レーザを使用する光学記録媒体として好適であ
ることが確認された。なお、本蒸着膜の複素屈折
率は波長830nmで2.2−i0.7であつた。 次に1.2mm厚、直径120mmの円板状のPMMA基
板上に、５−アミノ−８−（ｐ−メトキシアニリ
ノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフトキノン
色素のコバルト錯体を抵抗加熱法で蒸着し、膜厚
620Åのピンク色の膜を得た。抵抗加熱ボート材
はMoであり、蒸着時の真空度は1.5×10-5Torr以
下とした。基板は室温自然放置とし、蒸着による
基板温度上昇はほとんど認められなかつた。ボー
ト温度はおよそ220℃に固定して蒸着した。蒸着
速度はおよそ0.5Å／secである。 第２図はこのようにして形成された媒体を示し
ている。PMMA基板１０上に色素膜２０が形成
されている。この媒体に矢印３０の方向から波長
830nmの半導体レーザ光を光学系（図示せず）で
集光して照射した。なお、対物レンズのNAは
0.55である。レーザ光の媒体面上でのパワーを
10mWとし、記録周波数2.5MHz、線速度12m／
secの条件で記録を行うと、色素膜２０中に約
0.8μmの径の孔（ピツト）４０が形成された。こ
のような記録は、媒体に表面側、即ち矢印５０の
方向から光を入射しても同様に可能であつた。記
録したピツトを0.7mWの連続光で再生すると
54dBのＣ／Ｎ比が得られた。なお、バンド幅は
30KHzである。 記録膜の長期安定性を次の方法で評価した。蒸
着膜を2000倍の光学顕微鏡で観察し、膜表面に発
生する凝集粒の有無を劣化の判定基準として、加
速試験を行なうことにより室温（25℃）での寿命
を求めたところ25年以上を得た。この値は５−ア
ミノ−８−（ｐ−メトキシアニリノ）−２，３−ジ
シアノ−１，４−ナフトキノン色素の値（数年〜
10年）よりも大幅に大きい値である。なお同様の
方法で評価した５−アミノ−８−（無置換アニリ
ノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフトキノン
色素はその寿命が数十日以内であつた。 （実施例 ２） 実施例１と同様にして、５−アミノ−８−（ｐ
−メトキシアニリノ）−２，３−ジシアノ−１，
４−ナフトキノン色素のコバルト錯体を膜厚720
Åで成膜した。基板は室温自然放置、真空度は２
×10-5Torr以下、ボート温度は235℃、蒸着速度
は１Å／secである。波長830nmでの複素屈折率
は2.3−i0.7であつた。 実施例１と同様にして記録・再生したところ、
54dBのCN比が得られた。記録膜の長期安定性を
同様にして評価したところ、金属錯体化すること
により実施例１とほぼ同等の長寿命となることが
認められた。 なお実施例１，２でボート温度はそれぞれ30℃〜
50℃高い温度まで可能である。 （発明の効果） 上記実施例から明らかなように、本発明により
長期安定性に優れ、良好な特性の光学記録媒体お
よびその製造方法が得られる。
小さくなる。置換基のアルキル基およびアルコキ
シル基の炭素数は１〜４がより望ましい。 これらのナフトキノン色素の金属錯体は、近赤
外部に吸収極大を示し、記録・再生のレーザとし
て半導体レーザを用いるとその発振波長と良く適
合し、高感度媒体を形成し得ることが期待でき
る。 前記ナフトキノン色素の金属錯体の合成例を次
に示す。 まず公知の２，３−ジクロロ−１，４−ナフト
キノンを硝酸と硫酸でニトロ化して５−ニトロ−
２，３−ジクロロ１，４−ナフトキノンを得る。
次に、青酸ソーダでシアノ化を行ない５−ニトロ
−２，３−ジシアノ−１，４−ジヒドロキシナフ
タレンを得る。つづいて、塩化第１スズと塩酸で
還元処理後、塩化第２鉄で酸化処理して５−アミ
ノ−２，３−ジシアノ−１，４−ナフトキノン
〔１〕を得る。〔１〕１ｇをよく粉砕し、エタノー
ル400mlに分散させ還流しておく。これにｐ−エ
トキシアニリン1.23ｇ（２モル比）のエタノール
（10ml）溶液を滴下し、還元下に10分かきまぜる。
反応後熱時過し、液を氷冷して生じた沈殿を
過し、乾燥後クロロホルムから再結晶すると
380mg（収率24％）の精製品（mp254〜256℃）が
得られる。 この精製品は同定結果は、 (1) λmax 760nm（アセトニトリル中） (2) 質量分析（Ｍ／ｅ） 358，330，329 (3) 元素分析直 計算値 Ｃ：67.03％ Ｎ：15.64％ Ｈ：
3.94％ 実験値 Ｃ：67.09％ Ｎ：15.85％ Ｈ：
3.85％ のようになり、これは５−アミノ−８−（Ｐ−エ
トキシアニリノ）−２，３−ジシアノ−１，４−
ナフトキノン〔〕であることが確認された。 次に、〔〕200mｇをアセトニトリル300mlに
溶かし、これに50mlのアセトニトリルに溶かした
塩化コバルト72mｇ（１モル比）の溶液を加え、
アセトニトリルの沸点で３時間還流しておく。そ
の後、減圧蒸留し、残渣をアセトニトリルで洗浄
して〔〕を洗い流し、さらに水洗した後乾燥さ
せると、５−アミノ−８−（ｐ−エトキシアニリ
ノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフトキノン
色素のコバルト錯体130mｇの精製品が得られた。 この精製品をシリカゲル薄層クロマトグラフ法
でアセトニトリルを展開剤として分析したとこ
ろ、錯体は展開しなかつた。 なお、〔〕のRf値は0.9である。 他のナフトキノン色素の金属錯体も上記合成例
と同様に合成することができる。 前記ナフトキノン色素の金属錯体の薄膜は、通
常の抵抗加熱蒸着法により基板上に形成し得る。
基板材料としては種々のものが使用できるが、一
般にはガラス、アルミニウム合金、合成樹脂が望
ましい。合成樹脂としてはポリメチルメタクリレ
ート（PMMA）、ポリカーボネート、エポキシ、
ポリエーテルイミド、ポリサルホン、ポリビニル
クロライド等がある。基板形状は円板形状、テー
プ形状、シート形状が適用できる。 基板上に形成されたナフトキノン色素の金属錯
体の薄膜に半導体レーザ光をレンズで収光して照
射すると、照射部の薄膜が除去されて孔が形成さ
れる。この孔形成の機構は明確ではないが、蒸着
（昇華）をともなう融解凝集に因ると考えられる。
形成される孔の大きさは、レーザ光の収光径、レ
ーザパワー、照射時間に依存するが、大体0.2〜
3μmであることが望ましい。このような孔形成に
必要なレーザエネルギーは小さなものであり、し
たがつて、短時間で孔形成が可能である。具体的
には、波長830nmのAlGaAs半導体レーザ光をビ
ーム径1.4μmに収光した場合、薄膜面上でのパワ
ーは２〜13mW、照射時間は50〜300nsecの範囲
で孔を形成することができる。当然のことなが
ら、上記パワー、あるいは照射時間の上限値以上
の条件でも孔を形成することができるが、上記条
件は望ましい使用条件である。情報の記録は、２
進情報を孔の有無に対応させることによりなされ
る。通常用板状媒体を等速回転させて、記録情報
に合わせて孔を形成して情報を記録する。なお、
以上の場合において薄膜の膜厚は0.01〜0.5μmで、
好適には0.02〜0.2μmである。 このように記録された情報（孔）の読み出しは、
媒体からの反射光又は透過光の光量変化を検出す
ることによりなされる。一般に反射光を検出する
方法が採用される。これは、反射光検出の方が光
学系が簡単になるためである。即ち、一つの光学
系で投光と集光が可能であるためである。読み出
しはレーザ光を連続させて照射する。その時の光
量は媒体に何らの形状変化が起らない弱いエネル
ギーに設定され、通常記録時の光量の1/5〜1/10
である。 記録，再生時の光の入射方向として、媒体面側
と基板面側の２通りがある。本例の如き単層媒体
では両方向の配置とも使用可能である。基板面側
入射では、媒体面上に付着した塵埃に影響される
ことなく記録，再生が可能であり、より望ましい
形態である。なお、媒体が形成されている面の反
対側の基板面上に付着した塵埃及びその面のキズ
等の欠陥は、基板厚さが１mm以上であれば、その
面でのビーム径が充分大きいので記録，再生に悪
影響を与えない。 情報は孔列として記録される。孔列は一般に同
心円状又はスパイラル状の多数のトラツクを形成
する。再生する場合、光ビームは特定トラツクの
孔列上を精度よく追跡する必要がある。これを実
現する一つの手段として回転機構の精度を空気軸
受などを使用して高めるという方法がある。しか
し、この場合は、回転系が複雑となり、又高価と
なるので実用的ではない。より望ましいのは、基
板上の光の案内溝を設ける方法である。ビーム径
程度の溝に光が入射すると、光が回折される。ビ
ーム中心が溝からずれるにつれて回折強度の空間
分布が異なり、これを検出して、ビームを溝の中
心に入射させるようにサーボ系を構成することが
できる。通常溝の幅は、0.4〜1.2μm、その深さは
使用する記録再生波長の1/8〜1/4の範囲に設定さ
れる。したがつて記録層は溝付基板面上に形成さ
れる。 以下本発明の実施例について図面を参照して詳
細に説明する。 （実施例 １） 第１図は実際に蒸着で基板上に作製した５−ア
ミノ−８−（ｐ−メトキシアニリノ）−２，３−ジ
シアノ−１，４−ナフトキノン色素のコバルト錯
体の薄膜の吸収スペクトルを示したものである。
これより、AlGaAs半導体レーザの発振波長であ
る〜800nm付近に吸収極大があり、本薄膜が半導
体レーザを使用する光学記録媒体として好適であ
ることが確認された。なお、本蒸着膜の複素屈折
率は波長830nmで2.2−i0.7であつた。 次に1.2mm厚、直径120mmの円板状のPMMA基
板上に、５−アミノ−８−（ｐ−メトキシアニリ
ノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフトキノン
色素のコバルト錯体を抵抗加熱法で蒸着し、膜厚
620Åのピンク色の膜を得た。抵抗加熱ボート材
はMoであり、蒸着時の真空度は1.5×10-5Torr以
下とした。基板は室温自然放置とし、蒸着による
基板温度上昇はほとんど認められなかつた。ボー
ト温度はおよそ220℃に固定して蒸着した。蒸着
速度はおよそ0.5Å／secである。 第２図はこのようにして形成された媒体を示し
ている。PMMA基板１０上に色素膜２０が形成
されている。この媒体に矢印３０の方向から波長
830nmの半導体レーザ光を光学系（図示せず）で
集光して照射した。なお、対物レンズのNAは
0.55である。レーザ光の媒体面上でのパワーを
10mWとし、記録周波数2.5MHz、線速度12m／
secの条件で記録を行うと、色素膜２０中に約
0.8μmの径の孔（ピツト）４０が形成された。こ
のような記録は、媒体に表面側、即ち矢印５０の
方向から光を入射しても同様に可能であつた。記
録したピツトを0.7mWの連続光で再生すると
54dBのＣ／Ｎ比が得られた。なお、バンド幅は
30KHzである。 記録膜の長期安定性を次の方法で評価した。蒸
着膜を2000倍の光学顕微鏡で観察し、膜表面に発
生する凝集粒の有無を劣化の判定基準として、加
速試験を行なうことにより室温（25℃）での寿命
を求めたところ25年以上を得た。この値は５−ア
ミノ−８−（ｐ−メトキシアニリノ）−２，３−ジ
シアノ−１，４−ナフトキノン色素の値（数年〜
10年）よりも大幅に大きい値である。なお同様の
方法で評価した５−アミノ−８−（無置換アニリ
ノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフトキノン
色素はその寿命が数十日以内であつた。 （実施例 ２） 実施例１と同様にして、５−アミノ−８−（ｐ
−メトキシアニリノ）−２，３−ジシアノ−１，
４−ナフトキノン色素のコバルト錯体を膜厚720
Åで成膜した。基板は室温自然放置、真空度は２
×10-5Torr以下、ボート温度は235℃、蒸着速度
は１Å／secである。波長830nmでの複素屈折率
は2.3−i0.7であつた。 実施例１と同様にして記録・再生したところ、
54dBのCN比が得られた。記録膜の長期安定性を
同様にして評価したところ、金属錯体化すること
により実施例１とほぼ同等の長寿命となることが
認められた。 なお実施例１，２でボート温度はそれぞれ30℃〜
50℃高い温度まで可能である。 （発明の効果） 上記実施例から明らかなように、本発明により
長期安定性に優れ、良好な特性の光学記録媒体お
よびその製造方法が得られる。
第１図は５−アミノ−８−（ｐ−メトキシアニ
リノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフトキノ
ン色素のコバルト錯体蒸着膜の吸収スペクトルを
表わす図、第２図は本発明による光学記録媒体の
概略図であり、図において、１０は基板、２０は
有機薄膜、３０，５０は光の入射方向、４０は孔
を示す。
リノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフトキノ
ン色素のコバルト錯体蒸着膜の吸収スペクトルを
表わす図、第２図は本発明による光学記録媒体の
概略図であり、図において、１０は基板、２０は
有機薄膜、３０，５０は光の入射方向、４０は孔
を示す。
Claims (1)
- １ 基板の片側または両側に記録層を設け、情報
をレーザ光線によつて記録しかつ読み取る光学記
録媒体において、前記記録層として５−アミノ−
８−（置換アニリノ）−２，３−ジシアノ−１，４
−ナフトキノン色素の金属錯体或いは５，８−
（置換アニリノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナ
フトキノン色素の金属錯体を主成分とする有機薄
膜を形成したことを特徴とする光学記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58250139A JPS60149490A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | 光学記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58250139A JPS60149490A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | 光学記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60149490A JPS60149490A (ja) | 1985-08-06 |
| JPH0441672B2 true JPH0441672B2 (ja) | 1992-07-09 |
Family
ID=17203396
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58250139A Granted JPS60149490A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | 光学記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60149490A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58112793A (ja) * | 1981-12-28 | 1983-07-05 | Ricoh Co Ltd | 光情報記録部材 |
-
1983
- 1983-12-27 JP JP58250139A patent/JPS60149490A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60149490A (ja) | 1985-08-06 |
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