JPH0442908B2 - - Google Patents
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- JPH0442908B2 JPH0442908B2 JP58178596A JP17859683A JPH0442908B2 JP H0442908 B2 JPH0442908 B2 JP H0442908B2 JP 58178596 A JP58178596 A JP 58178596A JP 17859683 A JP17859683 A JP 17859683A JP H0442908 B2 JPH0442908 B2 JP H0442908B2
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- semiconductor switch
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- power supply
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- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M3/00—Conversion of DC power input into DC power output
- H02M3/02—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC
- H02M3/04—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters
- H02M3/10—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
- H02M3/125—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a thyratron or thyristor type requiring extinguishing means
- H02M3/135—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a thyratron or thyristor type requiring extinguishing means using semiconductor devices only
- H02M3/137—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a thyratron or thyristor type requiring extinguishing means using semiconductor devices only with automatic control of output voltage or current, e.g. switching regulators
- H02M3/142—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a thyratron or thyristor type requiring extinguishing means using semiconductor devices only with automatic control of output voltage or current, e.g. switching regulators including plural semiconductor devices as final control devices for a single load
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- Power Engineering (AREA)
- Particle Accelerators (AREA)
- Rectifiers (AREA)
- Control Of Electrical Variables (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は核融合装置の中性粒子入射装置などに
用いられる加速電源装置に関するものである。
用いられる加速電源装置に関するものである。
中性粒子入射装置用加速電源装置は、プラズマ
化された気体中のイオンを加速し、途中でこれを
中性化したものを他のプラズマ等に入射するため
のイオン加速用の高電圧直流電源装置である。負
荷であるイオン源はしばしば短絡状態となること
があり、加速電源装置は、短絡を検出して高速に
しや断する機能を有することが必要となる。従来
の加速電源装置の主回路は第１図に示すような構
成となつている。第１図において１１はサイリス
タスイツチ、１２は変圧器、１３は整流器、１４
は平滑用コンデンサであり、負荷１８に直列に接
続された電力管１５は負荷に電圧を印加またはし
や断するとともに、負荷電圧を一定に保つように
制御される。サイリスタスイツチ１１の制御角
は、電力管１５の陽極損失を規定値以下にする目
的で、コンデンサ１４の電圧が負荷電圧より、電
力管１５の電圧降下分だけ高くなるよう設定され
る。負荷電圧の制御は以下のようにして行なわれ
る。電圧制御回路２０は設定器１９から送られて
きた電圧基準信号２２と分圧器１７によつて検出
された出力電圧信号２３とが等しくなるよう自動
制御する。電圧制御回路２０より、制御信号２１
が電力管駆動回路１６に送られ、電力管１５のグ
リツド電圧が御されることによつて出力電圧は一
定に制御される。電力管１５の周波数応答は数
MHz以上であり、電圧制御回路２０、電力管駆
動回路１６の応答を高速に選べば、自動制御ルー
プの応答は、負荷１８（図示しないコンデンサと
抵抗で構成されている。）の時定数でほぼ決まる
値となる。ここで、サイリスタスイツチ１１もコ
ンデンサ１４の電圧を制御する機能を有するが、
電力管１５に比べ応答が遅く、またサイリスタス
イツチ１１では、コンデンサ１４の電圧を下げる
制御ができないので、負荷１８へ安定した電圧を
供給する為には、電力管１５の高速制御機能が必
要である。また電力管１５は、負荷１８の短絡を
検出して、負荷１８へ流入する電流を高速しや断
する目的でも用いられる。
化された気体中のイオンを加速し、途中でこれを
中性化したものを他のプラズマ等に入射するため
のイオン加速用の高電圧直流電源装置である。負
荷であるイオン源はしばしば短絡状態となること
があり、加速電源装置は、短絡を検出して高速に
しや断する機能を有することが必要となる。従来
の加速電源装置の主回路は第１図に示すような構
成となつている。第１図において１１はサイリス
タスイツチ、１２は変圧器、１３は整流器、１４
は平滑用コンデンサであり、負荷１８に直列に接
続された電力管１５は負荷に電圧を印加またはし
や断するとともに、負荷電圧を一定に保つように
制御される。サイリスタスイツチ１１の制御角
は、電力管１５の陽極損失を規定値以下にする目
的で、コンデンサ１４の電圧が負荷電圧より、電
力管１５の電圧降下分だけ高くなるよう設定され
る。負荷電圧の制御は以下のようにして行なわれ
る。電圧制御回路２０は設定器１９から送られて
きた電圧基準信号２２と分圧器１７によつて検出
された出力電圧信号２３とが等しくなるよう自動
制御する。電圧制御回路２０より、制御信号２１
が電力管駆動回路１６に送られ、電力管１５のグ
リツド電圧が御されることによつて出力電圧は一
定に制御される。電力管１５の周波数応答は数
MHz以上であり、電圧制御回路２０、電力管駆
動回路１６の応答を高速に選べば、自動制御ルー
プの応答は、負荷１８（図示しないコンデンサと
抵抗で構成されている。）の時定数でほぼ決まる
値となる。ここで、サイリスタスイツチ１１もコ
ンデンサ１４の電圧を制御する機能を有するが、
電力管１５に比べ応答が遅く、またサイリスタス
イツチ１１では、コンデンサ１４の電圧を下げる
制御ができないので、負荷１８へ安定した電圧を
供給する為には、電力管１５の高速制御機能が必
要である。また電力管１５は、負荷１８の短絡を
検出して、負荷１８へ流入する電流を高速しや断
する目的でも用いられる。
プラズマを加熱するための中性粒子入射装置に
用いられる加速電源装置の定格の一例では、出力
電圧が100KV、出力電流は100Aで立ち上がりが
数100μS、しや断時間が20μS程度であり、第１図
の従来方式でも実現可能なレベルである。しかし
ながら、近年加速電源の電圧、電流定格は次第に
増加して来ており、電力管を直列あるいは並列に
接続したり、或は大きい定格の電力管が必要とな
るが、この場合第１図の従来装置を使用したので
は以下に述べる問題が生ずる。
用いられる加速電源装置の定格の一例では、出力
電圧が100KV、出力電流は100Aで立ち上がりが
数100μS、しや断時間が20μS程度であり、第１図
の従来方式でも実現可能なレベルである。しかし
ながら、近年加速電源の電圧、電流定格は次第に
増加して来ており、電力管を直列あるいは並列に
接続したり、或は大きい定格の電力管が必要とな
るが、この場合第１図の従来装置を使用したので
は以下に述べる問題が生ずる。
このように大きい定格の電力管は、高価であ
り、そのフイラメントの寿命が非常に短かく3000
時間以下になること、および電力管内部のフラツ
シオーバ（短絡）が発生しやすく、電源装置の信
頼性が低下すること、また電力管の動作原理上、
電圧が10KV以上になるとＸ線を発生するので、
鉛板によるＸ線シールドが必要となる。
り、そのフイラメントの寿命が非常に短かく3000
時間以下になること、および電力管内部のフラツ
シオーバ（短絡）が発生しやすく、電源装置の信
頼性が低下すること、また電力管の動作原理上、
電圧が10KV以上になるとＸ線を発生するので、
鉛板によるＸ線シールドが必要となる。
本発明の目的は、以上の点に鑑みなされたもの
で、電力管を用いない高信頼性で、かつ経済的な
面での改善を図つた加速電源装置を提供すること
にある。
で、電力管を用いない高信頼性で、かつ経済的な
面での改善を図つた加速電源装置を提供すること
にある。
本発明は、この目的を達成するために、直列接
続される複数の第１の半導体スイツチとこの各半
導体スイツチにそれぞれ並列接続される非線形抵
抗からなる電圧分担素子で構成された電圧制御回
路と、この電圧制御回路に直列接続され電流しや
断機能を有する第２の半導体スイツチにより電力
管と同等の機能を持たせたものである。
続される複数の第１の半導体スイツチとこの各半
導体スイツチにそれぞれ並列接続される非線形抵
抗からなる電圧分担素子で構成された電圧制御回
路と、この電圧制御回路に直列接続され電流しや
断機能を有する第２の半導体スイツチにより電力
管と同等の機能を持たせたものである。
以下、本発明を第１図と同一部に同一付号を付
して示す第２図の一実施例を参照して説明する。
して示す第２図の一実施例を参照して説明する。
第２図において、１１はサイリスタスイツチ、
１２は変圧器、１３は整流器、１４は平滑用コン
デンサ、１７は分圧器、１９は出力電圧の設定器
で、これらは第１図と同一の機能を有するもので
あるからその説明は省略する。
１２は変圧器、１３は整流器、１４は平滑用コン
デンサ、１７は分圧器、１９は出力電圧の設定器
で、これらは第１図と同一の機能を有するもので
あるからその説明は省略する。
直流電源と負荷１８との間に設けられる電圧制
御回路３０は、直列接続される複数の第１の半導
体スイツチ３１１，３１２，…３１ｎと、この各
第１の半導体スイツチ３１１，３１２，…３１ｎ
にそれぞれ並列接続される非線形抵抗からなる電
圧分担素子３２１，３２２，…３２ｎとで構成さ
れ、前記第１の半導体スイツチ３１１，３１２，
…３１ｎを制御回路４０によりオン、オフ制御す
ることで負荷１８の電圧を制御する。制御回路４
０は、負荷１８の印加電圧が電圧設定器１９で設
定された値２２より上昇した場合には第１の半導
体スイツチ３１１，３１２，…３１ｎいずれか
に、例えば３１１にオフ指令を与える。その結果
負荷１８の印加電圧は電圧分担素子３２１が分担
する電圧だけ低下するが、それでも負荷電圧が所
望値より高い場合は第１の半導体素子３１２にオ
フ指令を与え、このようにして負荷１８の電圧を
所望の値に制御する機能を有する。
御回路３０は、直列接続される複数の第１の半導
体スイツチ３１１，３１２，…３１ｎと、この各
第１の半導体スイツチ３１１，３１２，…３１ｎ
にそれぞれ並列接続される非線形抵抗からなる電
圧分担素子３２１，３２２，…３２ｎとで構成さ
れ、前記第１の半導体スイツチ３１１，３１２，
…３１ｎを制御回路４０によりオン、オフ制御す
ることで負荷１８の電圧を制御する。制御回路４
０は、負荷１８の印加電圧が電圧設定器１９で設
定された値２２より上昇した場合には第１の半導
体スイツチ３１１，３１２，…３１ｎいずれか
に、例えば３１１にオフ指令を与える。その結果
負荷１８の印加電圧は電圧分担素子３２１が分担
する電圧だけ低下するが、それでも負荷電圧が所
望値より高い場合は第１の半導体素子３１２にオ
フ指令を与え、このようにして負荷１８の電圧を
所望の値に制御する機能を有する。
第３図は、制御回路４０の具体的一例を示す構
成図であり、図中１９は加速電源装置の出力電圧
の設定器、２２は電圧基準信号、２３は出力電圧
信号、３０は電圧制御回路で第１図と同一の機能
を有するので説明は省略する。４０は制御回路
で、その構成について述べると、４０１は電圧誤
差増幅器、４１１，４１２，…４１ｎは電圧比較
器、４２１，４２２，…４２ｎは、電圧比較器４
１１，４１２，…４１ｎのそれぞれの動作値を決
める設定器である。
成図であり、図中１９は加速電源装置の出力電圧
の設定器、２２は電圧基準信号、２３は出力電圧
信号、３０は電圧制御回路で第１図と同一の機能
を有するので説明は省略する。４０は制御回路
で、その構成について述べると、４０１は電圧誤
差増幅器、４１１，４１２，…４１ｎは電圧比較
器、４２１，４２２，…４２ｎは、電圧比較器４
１１，４１２，…４１ｎのそれぞれの動作値を決
める設定器である。
かかる構成においてその動作原理を説明する
と、電圧誤差増幅器４０１は、設定器１９から送
られてきた電圧基準信号２２と、出力電圧信号２
３とが等しくなるよう、自動制御し、電圧比較器
４１１，４１２，…４１ｎに指令値４０１Ａを与
える。電圧比較器４１１，４１２，…４１ｎへ
は、設定器４２１，４２２，…４２ｎにより、そ
れぞれ、電圧分担素子の分担電圧に相当するきざ
みで、重みを付けて、動作値が与えられる。第４
図ａは、指令値４０１Ａと、半導体スイツチ３１
１，３１２，…３１ｎのそれぞれの状態を示した
ものである。第４図ｂ図は、時刻ｔと、指令値４
０１Ａの変化を示した１例である。即ち、時刻ｔ
の経過とともに、指令値４０１Ａが大、従つて第
２図に示す負荷１８の印加電圧を増大する場合を
例にとると、時刻ｔの経過とともに、指令値４０
１Ａが大になり時刻t1になると、電圧比較器４１
１の動作値x1に達すると電圧比較器４１１が半導
体スイツチ３１１へオン指令を与える。４０１Ａ
の出力が動作値x2未満であれば、半導体スイツチ
３１１がオン状態にあるだけで、他の半導体スイ
ツチは全て、オフ状態にある。次に、指令値４０
１Ａが更に大となり、時刻t2になると電圧比較器
４１２の動作値X2に達し、電圧比較器４１２は、
半導体スイツチ３１２へオン指令を与える。この
ときは、半導体スイツチ３１１と、３１２がオン
状態他はオフ状態となる。このように、指令値４
０１Ａの増大とともに順次半導体スイツチ３１
１，３１２，…３１ｎへオン指令を与えることに
より、第２図に示す負荷１８の印加電圧を制御す
ることができる。
と、電圧誤差増幅器４０１は、設定器１９から送
られてきた電圧基準信号２２と、出力電圧信号２
３とが等しくなるよう、自動制御し、電圧比較器
４１１，４１２，…４１ｎに指令値４０１Ａを与
える。電圧比較器４１１，４１２，…４１ｎへ
は、設定器４２１，４２２，…４２ｎにより、そ
れぞれ、電圧分担素子の分担電圧に相当するきざ
みで、重みを付けて、動作値が与えられる。第４
図ａは、指令値４０１Ａと、半導体スイツチ３１
１，３１２，…３１ｎのそれぞれの状態を示した
ものである。第４図ｂ図は、時刻ｔと、指令値４
０１Ａの変化を示した１例である。即ち、時刻ｔ
の経過とともに、指令値４０１Ａが大、従つて第
２図に示す負荷１８の印加電圧を増大する場合を
例にとると、時刻ｔの経過とともに、指令値４０
１Ａが大になり時刻t1になると、電圧比較器４１
１の動作値x1に達すると電圧比較器４１１が半導
体スイツチ３１１へオン指令を与える。４０１Ａ
の出力が動作値x2未満であれば、半導体スイツチ
３１１がオン状態にあるだけで、他の半導体スイ
ツチは全て、オフ状態にある。次に、指令値４０
１Ａが更に大となり、時刻t2になると電圧比較器
４１２の動作値X2に達し、電圧比較器４１２は、
半導体スイツチ３１２へオン指令を与える。この
ときは、半導体スイツチ３１１と、３１２がオン
状態他はオフ状態となる。このように、指令値４
０１Ａの増大とともに順次半導体スイツチ３１
１，３１２，…３１ｎへオン指令を与えることに
より、第２図に示す負荷１８の印加電圧を制御す
ることができる。
電圧制御回路３０に直列接続される第２の半導
体スイツチ５０は負荷電流をしや断する機能を有
する半導体スイツチで例えばゲートターンオフサ
イリスタを用いる。第２の半導体スイツチ５０に
直列接続されるリアクトル６０は、負荷１８で短
絡事故等が発生した場合の過電流の上昇を抑制す
るもので、該リアクトル６０に並列接続されるダ
イオード６１は負荷電流しや断時にリアクトル６
０に流れていた電流を環流させ、過電圧の発生を
防止するためのものである。そして、環流する電
流の減衰時間を所定時間に制限したい場合には、
ダイオード６１に直列に抵抗を接続すればよい。
体スイツチ５０は負荷電流をしや断する機能を有
する半導体スイツチで例えばゲートターンオフサ
イリスタを用いる。第２の半導体スイツチ５０に
直列接続されるリアクトル６０は、負荷１８で短
絡事故等が発生した場合の過電流の上昇を抑制す
るもので、該リアクトル６０に並列接続されるダ
イオード６１は負荷電流しや断時にリアクトル６
０に流れていた電流を環流させ、過電圧の発生を
防止するためのものである。そして、環流する電
流の減衰時間を所定時間に制限したい場合には、
ダイオード６１に直列に抵抗を接続すればよい。
前述のように構成された第２図の装置の動作を
説明すると、先ずサイリスタスイツチ１１の制御
角を設定し、コンデンサ１４の電圧を決め負荷１
８に所望の電圧を印加する。負荷１８に短絡が発
生すれば、第２の半導体スイツチ５０で負荷電流
がしや断されると、コンデンサ１４の電圧は、変
圧器１２のインダクタンス等に貯えられていたエ
ネルギで上昇する結果、分圧器１７により検出さ
れる出力電圧信号２３が電圧設定値２２より大き
くなるため、制御回路４０が電圧制御回路３０に
オフ指令を与える。第１の半導体スイツチ３１
１，３１２，…３１ｎのうちのオン状態にあるい
ずれかの半導体スイツチが、このオフ指令によつ
てオフされる。
説明すると、先ずサイリスタスイツチ１１の制御
角を設定し、コンデンサ１４の電圧を決め負荷１
８に所望の電圧を印加する。負荷１８に短絡が発
生すれば、第２の半導体スイツチ５０で負荷電流
がしや断されると、コンデンサ１４の電圧は、変
圧器１２のインダクタンス等に貯えられていたエ
ネルギで上昇する結果、分圧器１７により検出さ
れる出力電圧信号２３が電圧設定値２２より大き
くなるため、制御回路４０が電圧制御回路３０に
オフ指令を与える。第１の半導体スイツチ３１
１，３１２，…３１ｎのうちのオン状態にあるい
ずれかの半導体スイツチが、このオフ指令によつ
てオフされる。
ここで、電圧分担素子３２１，３２２，…３２
ｎの分担電圧を1kV程度に選び直列数ｎを20に選
定すると、電圧制御回路３０の電圧制御範囲は
20kVで1kVきざみ、即ち、100kV級の加速電源
では１％の制御精度となり、実用に充分共する値
である。また、負荷１８のインピーダンスの変化
により負荷電流とコンデンサ１４の電圧上昇値が
一定に変化しなくても、電圧分担素子３２１，３
２２，…３２ｎとして非線形抵抗を使用している
ので、負荷電圧を一定に制御することができる。
ｎの分担電圧を1kV程度に選び直列数ｎを20に選
定すると、電圧制御回路３０の電圧制御範囲は
20kVで1kVきざみ、即ち、100kV級の加速電源
では１％の制御精度となり、実用に充分共する値
である。また、負荷１８のインピーダンスの変化
により負荷電流とコンデンサ１４の電圧上昇値が
一定に変化しなくても、電圧分担素子３２１，３
２２，…３２ｎとして非線形抵抗を使用している
ので、負荷電圧を一定に制御することができる。
次に再び第２の半導体スイツチ５０をオンにす
ると、負荷電流は、オフ状態にある第１の半導体
スイツチに並列接続されている電圧分担素子と、
オン状態にある第１の半導体スイツチを介して流
れる。第２の半導体スイツチ５０をオンした後、
次第にコンデンサ１４の電圧が低下して行くが、
制御回路４０はオフ状態にある第１の半導体スイ
ツチに順次点弧指令を与えるので出力電圧は一定
に制御される。ここで第１の半導体スイツチとし
てゲートターンオフサイリスタを用いると、その
スイツチング周波数は数10kHZ以上得られるた
め、加速電源装置としては充分高速の制御が可能
である。
ると、負荷電流は、オフ状態にある第１の半導体
スイツチに並列接続されている電圧分担素子と、
オン状態にある第１の半導体スイツチを介して流
れる。第２の半導体スイツチ５０をオンした後、
次第にコンデンサ１４の電圧が低下して行くが、
制御回路４０はオフ状態にある第１の半導体スイ
ツチに順次点弧指令を与えるので出力電圧は一定
に制御される。ここで第１の半導体スイツチとし
てゲートターンオフサイリスタを用いると、その
スイツチング周波数は数10kHZ以上得られるた
め、加速電源装置としては充分高速の制御が可能
である。
第２図の実施例では、第１の半導体スイツチを
ゲートターンオフサイリスタで例示したが、ゲー
トターンオフサイリスタを用いる目的は、出力電
圧を電圧基準信号２２より、高くする、あるいは
低くする両方の高速制御を可能とするためであ
る。しかしながらサイリスタスイツチ１１の入力
電源電圧変動が少さく、負荷電流しや断時のコン
デンサ１４の電圧の上昇を吸収する目的のみであ
れば第１の半導体スイツチは通常のサイリスタを
用いることが出来る。即ち、負荷１２に短絡が発
生した時に第２の半導体スイツチ５０で負荷電流
をしや断することにより、第１の半導体スイツチ
の電流もしや断されるため、一旦第１の半導体ス
イツチは全てオフ状態となり、その後コンデンサ
１４の電圧に応じて制御回路４０は電圧制御回路
３０にオン指令だけ与えるからである。
ゲートターンオフサイリスタで例示したが、ゲー
トターンオフサイリスタを用いる目的は、出力電
圧を電圧基準信号２２より、高くする、あるいは
低くする両方の高速制御を可能とするためであ
る。しかしながらサイリスタスイツチ１１の入力
電源電圧変動が少さく、負荷電流しや断時のコン
デンサ１４の電圧の上昇を吸収する目的のみであ
れば第１の半導体スイツチは通常のサイリスタを
用いることが出来る。即ち、負荷１２に短絡が発
生した時に第２の半導体スイツチ５０で負荷電流
をしや断することにより、第１の半導体スイツチ
の電流もしや断されるため、一旦第１の半導体ス
イツチは全てオフ状態となり、その後コンデンサ
１４の電圧に応じて制御回路４０は電圧制御回路
３０にオン指令だけ与えるからである。
以上説明から明らかなように、本発明によれ
ば、電力管を使用することなく、半導体スイツチ
と、非線形抵抗からなる電圧分担素子を用いるこ
とにより、加速電源装置として要求される高速電
圧制御機能、高速しや断機能を備え、しかも半導
体スイツチの定格電圧を非線形抵抗からなる電圧
分担素子と同じ値で済み、寿命が半永久的で信頼
性及び経済性にも優れた加速電源装置を提供する
ことが出来る。
ば、電力管を使用することなく、半導体スイツチ
と、非線形抵抗からなる電圧分担素子を用いるこ
とにより、加速電源装置として要求される高速電
圧制御機能、高速しや断機能を備え、しかも半導
体スイツチの定格電圧を非線形抵抗からなる電圧
分担素子と同じ値で済み、寿命が半永久的で信頼
性及び経済性にも優れた加速電源装置を提供する
ことが出来る。
第１図は従来の加速電源装置の構成図、第２図
は本発明の一実施例を示す加速電源装置の構成
図、第３図は第２図の回路の一部詳細図、第４図
は本発明の動作を説明するための図である。 ３０…電圧制御回路、３１１，３１２〜３１ｎ
…第１の半導体スイツチ、３２１，３２２〜３２
ｎ…電圧分担素子、４０…制御回路、４０１…電
圧誤差増幅器、４１１，４１２〜４１ｎ…電圧比
較器、４２１，４２２〜４２ｎ…設定器、５０…
第２の半導体スイツチ、６０…リアクトル、６１
…ダイオード。
は本発明の一実施例を示す加速電源装置の構成
図、第３図は第２図の回路の一部詳細図、第４図
は本発明の動作を説明するための図である。 ３０…電圧制御回路、３１１，３１２〜３１ｎ
…第１の半導体スイツチ、３２１，３２２〜３２
ｎ…電圧分担素子、４０…制御回路、４０１…電
圧誤差増幅器、４１１，４１２〜４１ｎ…電圧比
較器、４２１，４２２〜４２ｎ…設定器、５０…
第２の半導体スイツチ、６０…リアクトル、６１
…ダイオード。
Claims (1)
- １ 直流電源と負荷との間に設けられ、前記負荷
に加わる電圧を制御するための直列接続された複
数の第１の半導体スイツチと該半導体スイツチに
それぞれ並列接続される非線形抵抗からなる電圧
分担素子とで構成された電圧制御回路と、この電
圧制御回路に前記第１の半導体スイツチと同極性
にして直列接続される電流しや断機能を有する第
２の半導体スイツチおよびリアクトルからなる直
列回路と、前記リアクトルに前記第２の半導体ス
イツチと逆極性にして並列接続されるダイオード
と、前記負荷に加わる電圧を所望値に制御するた
め前記第１の半導体スイツチをオン、オフ制御す
る制御回路を具備した加速電源装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58178596A JPS6070976A (ja) | 1983-09-27 | 1983-09-27 | 加速電源装置 |
| EP84111366A EP0141238B1 (en) | 1983-09-27 | 1984-09-24 | Acceleration power supply |
| DE8484111366T DE3465668D1 (en) | 1983-09-27 | 1984-09-24 | Acceleration power supply |
| CA000464040A CA1244517A (en) | 1983-09-27 | 1984-09-26 | Acceleration power supply |
| US06/654,118 US4665458A (en) | 1983-09-27 | 1984-09-29 | Acceleration power supply |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58178596A JPS6070976A (ja) | 1983-09-27 | 1983-09-27 | 加速電源装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6070976A JPS6070976A (ja) | 1985-04-22 |
| JPH0442908B2 true JPH0442908B2 (ja) | 1992-07-14 |
Family
ID=16051219
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58178596A Granted JPS6070976A (ja) | 1983-09-27 | 1983-09-27 | 加速電源装置 |
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| JP (1) | JPS6070976A (ja) |
| CA (1) | CA1244517A (ja) |
| DE (1) | DE3465668D1 (ja) |
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-
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-
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