JPH044394B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH044394B2
JPH044394B2 JP59136024A JP13602484A JPH044394B2 JP H044394 B2 JPH044394 B2 JP H044394B2 JP 59136024 A JP59136024 A JP 59136024A JP 13602484 A JP13602484 A JP 13602484A JP H044394 B2 JPH044394 B2 JP H044394B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal
substrate
ion
film
present
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP59136024A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6115967A (ja
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP59136024A priority Critical patent/JPS6115967A/ja
Priority to DE8585107462T priority patent/DE3573806D1/de
Priority to AT85107462T priority patent/ATE47431T1/de
Priority to EP85107462A priority patent/EP0166349B1/en
Priority to US06/746,388 priority patent/US4634600A/en
Priority to CA000485073A priority patent/CA1240281A/en
Publication of JPS6115967A publication Critical patent/JPS6115967A/ja
Publication of JPH044394B2 publication Critical patent/JPH044394B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Transition And Organic Metals Composition Catalysts For Addition Polymerization (AREA)
  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
(1) 産業上の利用分野 この発明は金属基板上に金属あるいは非金属イ
オンを被覆形成して該基板上に硬質層を得る表面
処理方法に関するものである。 (2) 従来の技術 従来、基板表面に硬質層を得る方法としては、
CVD法、イオンプレーティング法などが実用化
されている。 これらは基材の表面に数ミクロンの炭化物、窒
化物、酸化物、硼化物などの硬質層を被覆するも
のであり、精度を問題とするような用途には用い
ることができない。 さらに、CVD法では基材と被膜の間に脆化層
を生じ、脆くなるという問題があり、またイオン
プレーテイング法では基板と被膜の密着性が不十
分であるという問題がある。 また表面硬化法として非金属イオンを基材に注
入するという方法も提案されているが、この方法
は基材の材質によつて限定されるという欠点があ
る。 (3) 発明が解決しようとする課題 上気した従来法の欠点を解消するために、本発
明者らは先に蒸着とイオン注入を組合せた表面処
理方法を提案したが、この発明の方法はこれをさ
らに発展改良したものである。 前記したような各種蒸着法で、工具材料に適用
できるような硬質化合物層を形成する場合、最大
の技術的課題は被膜の基板に対する密着性と膜質
である。ここで密着性について見ると、従来の技
術では密着性を上げるために温度を上げたり、表
面を清浄化したり、蒸着物質をイオン化し電界で
加速したりする方法が用いられている。 これらの技術で確かにある程度の密着性向上は
認められるものの、切削工具のような苛酷な条件
下で用いられる場合には、十分とは言い難い。 次に膜質について見ると、硬質材料として知ら
れる各種セラミツクス（例えばTiC、TiN等）は
その化学量論組成からのずれにより特性が大きく
変わることが知られている。TiCを例にとれば、
正確にはTiC1-x（0.05≦ｘ≦0.5）と表わされ、ｘ
が０に近い化学量論組成ほど硬さが大きくなる。
従来の技術では必ずしも化学量論値に近い組成の
ものが得られない問題があつた。 (4) 課題を解決するための手段 即ち、この発明は金属蒸気の雰囲気下にある基
板に金属イオンあるいは非金属イオンを注入する
表面処理方法において、該金属蒸気をイオン化す
ることを特徴とするものであり、金属蒸気をイオ
ン化する方法を付加することによつて得られた基
板上の膜の密着状態を制御するものである。 金属蒸気イオン化の形態は、色々あるが、プラ
ズマ（DCもしくは高周波）およびアーク放電や
熱電子を利用するのが好適である。即ち、本発明
においては、密着性を改善するために蒸着法とイ
オン注入法を併用し、イオン注入即ち、加速電圧
を数10KV以上、200KV以下とすることにより基
板最表面に蒸着金属と注入イオン又はその化合物
と基板材料の混合層を形成する。しかる後に連続
的に行われる蒸着とイオン注入の併用により硬質
化合物を形成する。 (5) 作用 この発明において、イオン化された金属粒子は
より高いエネルギーをもつて基板に到達し、該基
板により強く密着すると同時に注入されたイオン
との反応も促進されることになる。 非金属粒子はイオン源により加速されて基板表
面に至り、この加速されたイオンが基材表面を活
性化することにより、被膜の密着性はさらに強固
となるのである。 この発明の目的に対しては、特に必要ではない
が引出し加速されたイオンを質量分析し、特定の
イオン種のみ取出して蒸着室に導入してもよい。
さらにこの発明は炭化物、窒化物、酸化物、硼化
物などの耐摩耗、耐食性を有する硬質被覆とする
ことに特に効果を示し、なかんずく切削工具のよ
うな被覆の密着性を要求する用途については、そ
の効果は顕著である。 イオンビームミキシング法と本願の最大の違い
はイオンの加速電圧がイオンビームミキシング法
では5KVであるのに対し、本発明法では10KV以
上と高いことにある。また、イオンビームミキシ
ング法では蒸着金属のイオン化は行つていない
が、本発明法ではDCアーク放電によりイオン化
を行つた。基板と被膜の界面部分でイオンビーム
ミキシング法では両者の元素が急速に入れ替つて
いるのに対し、本発明法では基板の内部から膜に
かけて組成が連続的に変化している。 また、出来たTiN膜の組成を見ると、イオン
ビームミキシング法に比べ本発明法ではＮの含有
量が高くより化学量論組成に近くなつていること
がわかる。 これらの結果からわかる様に、本発明における
イオン注入の効果は基板内部にまで、蒸着金属と
注入イオンが入り込み、基板材料と混合層を作り
組成が基板から被膜にかけて連続的に変化するこ
とにある。このように組成が連続的に変化、しは
つきりした界面で形成しないことにより被膜の密
着性は飛躍的に向上した。 次にイオン化の効果を見るために蒸着金属のイ
オン化を行わず、イオン注入を行つた場合の界面
のEPMA分析を行つた。本発明法による場合と
比べ、基板内部のTi原子の量が少なく、また入
り込む深さも浅い。これは蒸発したTi金属が十
分な速度で基板に到達しないためと考えられる。
更に生成した膜中のＮの割合が低いのは基板に到
達したTiの活性が低くＮと化合する事が出きな
かつたものと思われる。Ｘ線回折の結果、被膜は
金属TiとTiNが混在した構成になつていること
が確かめられた。 これに対し本発明法の膜は完全にTiNとなつ
ていた。このように密着金属のイオン化は、基板
中に入り込む蒸着金属の量と深さ並びに生成する
膜中の化学量論組成からのずれに大きな影響を及
ぼすことが明らかである。 注入イオンの加速電圧は数10KV未満では基板
中に十分入り込むことができず、混合層を形成す
ることができない。例えば、真空第26巻第４号
（1983年）第287〜293頁「イオン注入と蒸着の併
用による改質と薄膜形成」の第１頁右欄を参照。
また、200KVを超えると基板表面および生成し
た膜が逆にスパツタされ、膜形成ができなくなる
ので、その範囲を数10KVから200KVが好適であ
る。 イオン化の手段として、高周波放電とDCアー
ク放電が特に有効である。蒸着金属は注入イオン
においてもある程度イオン化されるが、これのみ
では不十分である。イオン化率10％を超えると高
周波放電とDCアーク放電のどちらか又は両方を
併用することにより、基板中まで蒸着金属が入り
込み、膜中の化学量論組成からのずれが小さくな
る。他のイオン化法でも10％以上のイオン化率を
達成できれば同様の効果をあげることは可能であ
るが、簡便性、コストの点で高周波放電、DCア
ーク放電が優れる。基板に加速電圧を印可するこ
とは、密着性並びに膜質を良する上で好ましい実
施態様である。 この場合、この加速電圧とイオン注入の加速電
圧は区別されなければならないのは言うまでもな
い。 (6) 実施例 以下実施例について詳細に説明する。 実施例 １ 第１図に示す表面処理装置を用いるが、同図に
おいて、１は図示省略した排気装置により排気さ
れた真空蒸着室、２は基板材料、３は基板加速用
電源、４は溶融金属、５は電子ビーム、６はイオ
ン化電極、７はイオン化電源、８は注入されるイ
オンを生成し、加速引出しを行なうイオン源（８
ａはイオン源中の加速部）、９はイオン化された
蒸発金属ビーム、１０はイオンビームである。 上記のような構造の表面処理装置において、基
板２として超硬合金製のプリント基板加工用極小
径ドリル（φ0.90mm）、蒸発金属としてTi注入用
イオンにN2 +用いて、本発明の表面処理を施した
サンプルＡ−１を試作した。 比較材としてTiのイオン化を行わないサンプ
ルＢ−1N2 +イオン注入のみを行つたサンプルＣ
−１、CVD法にてTiNを被覆したサンプルＤ−
１、イオンプレーテイング法によりTiNを被覆
したサンプルＥ−１を試作した。これに無処理品
のＦ−１を加え切削テストを行つた。第１表には
Ａ−１の処理条件、第２表には切削テストの条
件、第３表に工具寿命になるまでの加工穴数を示
す。
【表】
【表】
【表】 実施例 ２ 第２図に示す装置を用いて、表面処理を行なつ
た。同図において番号１〜５、８〜10は実施例１
におけると同じものを示しているのでそれらの説
明は省略する。次に６ａはイオン化用RF電極、
７ａは高周波電源、１１は整合装置である。 このような装置にて、基板としてM10超硬合金
（SNG432）、蒸発金属としてAl、注入用イオンと
してO2 +を用いて、本発明の表面処理を施したサ
ンプルＡ−２を試作した。 比較材としては、イオン化せずにAlを蒸発さ
せながらO2 +イオン注入を行なつて得たサンプル
Ｂ−２、O2 +イオン注入のみのサンプルＣ−２、
CVD法およびイオンプレーテイング法にてAl2O3
を被覆して作成したサンプルＤ−２、Ｅ−２およ
び無処理品Ｆ−２を作つた。そしてこれらのサン
プルを用いて切削テストを行い、寿命（VB＝0.20
mm）に至るまでの切削時間を調査した。Ａ−２の
処理条件、切削条件、テスト結果をそれぞれ第４
表、第５表、第６表に示す。
【表】
【表】
【表】 実施例 ３ 高速度鋼（SKH57種相当）製のロールに第１
図に示す装置で本発明の表面処理を施した。 蒸着金属としてＢを用い、注入イオンN2 -を用
いた。
【表】 共通条件は第７表の通りとし、イオン注入の加
速電圧を各種変えたサンプルを試作して、これら
のサンプルで鋼の圧延テストを行つた。テスト条
件を第８表に示す。
【表】 イオン注入加速電圧と圧延テストの結果を第９
表にまとめて示す。
【表】 (7) 発明の効果 以上の実施例からも明らかなように、本発明に
よれば基板と被膜が連続的につながることにより
密着性が著しく向上し、形成される被膜の膜質も
優れるものとなることから、工具用途に適用する
と極めて良好な結果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図及び第２図は何れもこの発明の方法にて
使用する装置の説明図である。 １……真空蒸着室、２……基板、３……加速用
電源、４……溶融金属、５……電子ビーム、６…
…イオン化電極、６ａ……高周波コイル、７，７
ａ……電源、８……イオン源、８ａ……イオン源
中の加速部、９……イオン化された蒸発金属ビー
ム、１０……イオンビーム。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 金属蒸気を発生させた後、該金属蒸気を、高
    周波放電によりイオン化し、非金属元素をイオン
    源によりイオン注入状態に加速し、該金属と該非
    金属からなる硬質層を、負電圧を印加した基板上
    に被覆形成することを特徴とする工具の表面処理
    方法。 ２ 金属蒸気を発生させた後、該金属蒸気をDC
    アーク放電によりイオン化し、非金属元素をイオ
    ン源によりイオン注入状態に加速し、該金属と該
    非金属からなる硬質層を、負電圧を印加した基板
    上に被覆形成することを特徴とする工具の表面処
    理方法。
JP59136024A 1984-06-29 1984-06-29 表面処理方法 Granted JPS6115967A (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59136024A JPS6115967A (ja) 1984-06-29 1984-06-29 表面処理方法
DE8585107462T DE3573806D1 (en) 1984-06-29 1985-06-14 Surface treatment process
AT85107462T ATE47431T1 (de) 1984-06-29 1985-06-14 Verfahren zur oberflaechenbehandlung.
EP85107462A EP0166349B1 (en) 1984-06-29 1985-06-14 Surface treatment process
US06/746,388 US4634600A (en) 1984-06-29 1985-06-19 Surface treatment process
CA000485073A CA1240281A (en) 1984-06-29 1985-06-25 Surface treatment process

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59136024A JPS6115967A (ja) 1984-06-29 1984-06-29 表面処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6115967A JPS6115967A (ja) 1986-01-24
JPH044394B2 true JPH044394B2 (ja) 1992-01-28

Family

ID=15165399

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59136024A Granted JPS6115967A (ja) 1984-06-29 1984-06-29 表面処理方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4634600A (ja)
EP (1) EP0166349B1 (ja)
JP (1) JPS6115967A (ja)
AT (1) ATE47431T1 (ja)
CA (1) CA1240281A (ja)
DE (1) DE3573806D1 (ja)

Families Citing this family (72)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61209975A (ja) * 1985-03-14 1986-09-18 株式会社豊田中央研究所 炭化珪素セラミツクス体の強化方法
DE3637447A1 (de) * 1985-11-05 1987-05-07 Nippon Telegraph & Telephone Oberflaechenbehandelte(s) magnesium oder magnesiumlegierung und verfahren zur oberflaechenbehandlung von magnesium oder magnesiumlegierung
JPS62116762A (ja) * 1985-11-15 1987-05-28 Citizen Watch Co Ltd 外装部品の製造方法
US4849082A (en) * 1986-02-03 1989-07-18 The Babcock & Wilcox Company Ion implantation of zirconium alloys with hafnium
JPS62182269A (ja) * 1986-02-03 1987-08-10 ザ・バブコツク・アンド・ウイルコツクス・カンパニ− クロムによるジルコニウム合金のイオン打込み
JPS62199763A (ja) * 1986-02-25 1987-09-03 Matsushita Electric Works Ltd ＴｉＮ膜の形成法
US4888202A (en) * 1986-07-31 1989-12-19 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Method of manufacturing thin compound oxide film and apparatus for manufacturing thin oxide film
JPS6383256A (ja) * 1986-09-26 1988-04-13 Futaba Corp アルミニウム蒸着膜付銅部材
JPS63137158A (ja) * 1986-11-27 1988-06-09 Nissin Electric Co Ltd アルミ薄膜の作製方法
US4851255A (en) * 1986-12-29 1989-07-25 Air Products And Chemicals, Inc. Ion implant using tetrafluoroborate
JPS63195265A (ja) * 1987-02-10 1988-08-12 Nippon Steel Corp 高エネルギ−ビ−ムによるロ−ルおよび鋼材表面の加工方法および装置
EP0288001B1 (en) * 1987-04-20 1993-01-13 Nissin Electric Company, Limited Process for producing superconducting thin film and device therefor
DE3886586T2 (de) * 1987-05-26 1994-04-28 Sumitomo Electric Industries Verfahren zur Herstellung einer dünnen Schicht aus supraleitendem Mischoxid.
JPS6473069A (en) * 1987-09-10 1989-03-17 Nissin Electric Co Ltd Production of aluminum nitride film
US5015353A (en) * 1987-09-30 1991-05-14 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method for producing substoichiometric silicon nitride of preselected proportions
JP2629223B2 (ja) * 1988-01-07 1997-07-09 富士ゼロックス株式会社 電子写真感光体の製造方法
US4855026A (en) * 1988-06-02 1989-08-08 Spire Corporation Sputter enhanced ion implantation process
US4925700A (en) * 1988-10-28 1990-05-15 International Business Machines Corporation Process for fabricating high density disc storage device
US4873118A (en) * 1988-11-18 1989-10-10 Atlantic Richfield Company Oxygen glow treating of ZnO electrode for thin film silicon solar cell
JPH0686657B2 (ja) * 1989-09-11 1994-11-02 松下電工株式会社 薄膜形成装置
US5264297A (en) * 1990-03-09 1993-11-23 Kennametal Inc. Physical vapor deposition of titanium nitride on a nonconductive substrate
JPH0462716A (ja) * 1990-06-29 1992-02-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 結晶性炭素系薄膜およびその堆積方法
US5128173A (en) * 1990-09-12 1992-07-07 Micron Technology, Inc. Process for deposition of inorganic materials
GB2251631B (en) * 1990-12-19 1994-10-12 Mitsubishi Electric Corp Thin-film forming apparatus
US5234724A (en) * 1991-08-08 1993-08-10 Schmidt Instruments, Inc. Low energy ion doping of growing diamond by cvd
DE4128547A1 (de) * 1991-08-28 1993-03-04 Leybold Ag Verfahren und vorrichtung fuer die herstellung einer entspiegelungsschicht auf linsen
US5620512A (en) * 1993-10-27 1997-04-15 University Of Chicago Diamond film growth from fullerene precursors
US5772760A (en) * 1991-11-25 1998-06-30 The University Of Chicago Method for the preparation of nanocrystalline diamond thin films
US5370855A (en) * 1991-11-25 1994-12-06 Gruen; Dieter M. Conversion of fullerenes to diamond
US5989511A (en) * 1991-11-25 1999-11-23 The University Of Chicago Smooth diamond films as low friction, long wear surfaces
US5849079A (en) * 1991-11-25 1998-12-15 The University Of Chicago Diamond film growth argon-carbon plasmas
US5209916A (en) * 1991-11-25 1993-05-11 Gruen Dieter M Conversion of fullerenes to diamond
US5342681A (en) * 1992-08-28 1994-08-30 Texas Instruments Incorporated Absorbing, low reflecting coating for visible and infrared light
JP2892231B2 (ja) * 1992-09-16 1999-05-17 健 増本 Ｔｉ−Ｓｉ−Ｎ系複合硬質膜及びその製造方法
GB2290554B (en) * 1993-02-06 1996-07-24 Mcphersons Ltd Coatings
GB9302384D0 (en) * 1993-02-06 1993-03-24 Mcphersons Ltd Coatings
FR2708626B1 (fr) * 1993-08-02 1998-06-05 Director General Agency Ind Film ultramince transparent et conducteur et procédé pour sa fabrication.
SE501888C2 (sv) * 1993-10-18 1995-06-12 Ladislav Bardos En metod och en apparat för generering av en urladdning i egna ångor från en radiofrekvenselektrod för kontinuerlig självförstoftning av elektroden
DE4343354C2 (de) * 1993-12-18 2002-11-14 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Herstellung einer Hartstoffschicht
US5391407A (en) * 1994-03-18 1995-02-21 Southwest Research Institute Process for forming protective diamond-like carbon coatings on metallic surfaces
US5984905A (en) 1994-07-11 1999-11-16 Southwest Research Institute Non-irritating antimicrobial coating for medical implants and a process for preparing same
US6335062B1 (en) * 1994-09-13 2002-01-01 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Reactive oxygen-assisted ion implantation into metals and products made therefrom
CA2205052C (en) * 1994-11-09 2001-05-29 Alina C. Aguero Method of producing reactive element modified-aluminide diffusion coatings
SE515213C2 (sv) * 1995-02-08 2001-07-02 Sandvik Ab Belagd titanbaserad karbonitrid
AU5483196A (en) * 1995-04-14 1996-10-30 Spectra-Physics Lasers, Inc. Method for producing dielectric coatings
DE69611804D1 (de) * 1995-04-17 2001-03-29 Read Rite Corp Bildung eines isolierenden dünnen Filmes durch eine Vielzahl von Ionenstrahlen
EP0784102B1 (de) * 1996-01-10 2001-12-12 Alcan Technology & Management AG Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten einer Substratfläche
US5980974A (en) * 1996-01-19 1999-11-09 Implant Sciences Corporation Coated orthopaedic implant components
US6083567A (en) 1996-08-30 2000-07-04 University Of Maryland, Baltimore County Sequential ion implantation and deposition (SIID) technique
US5855950A (en) * 1996-12-30 1999-01-05 Implant Sciences Corporation Method for growing an alumina surface on orthopaedic implant components
US5885665A (en) * 1997-05-09 1999-03-23 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy VO2 precipitates for self-protected optical surfaces
FR2764309B1 (fr) * 1997-06-06 1999-08-27 Corning Inc Procede de creation d'une couche de silicium sur une surface
RU2152455C1 (ru) * 1997-12-31 2000-07-10 Институт физики прочности и материаловедения СО РАН Способ ионно-лучевой обработки изделий
US5976636A (en) * 1998-03-19 1999-11-02 Industrial Technology Research Institute Magnetic apparatus for arc ion plating
US6111314A (en) * 1998-08-26 2000-08-29 International Business Machines Corporation Thermal cap with embedded particles
KR100632425B1 (ko) 1998-10-23 2006-10-09 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 슬라이딩 부재 및 그의 제조방법
US6338879B1 (en) * 1998-12-09 2002-01-15 Nachi-Fujikoshi Corp. Solid lubricant film for coated cutting tool and method for manufacturing same
RU2164550C2 (ru) * 1999-06-22 2001-03-27 Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов Способ обработки поверхности изделия
RU2161661C1 (ru) * 1999-08-16 2001-01-10 Падеров Анатолий Николаевич Способ нанесения износостойких покрытий и повышения долговечности деталей
RU2209848C2 (ru) * 2000-06-14 2003-08-10 Обнинский институт атомной энергетики Способ модифицирования свойств металлических материалов на основе железа, никеля и ванадия
RU2188251C2 (ru) * 2000-09-14 2002-08-27 Государственное предприятие Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов Способ обработки поверхности металлического изделия
RU2192502C2 (ru) * 2000-12-04 2002-11-10 Институт физики прочности и материаловедения Ионно-лучевой способ повышения износостойкости материала изделия
US6596399B2 (en) 2000-12-04 2003-07-22 Guardian Industries Corp. UV absorbing/reflecting silver oxide layer, and method of making same
RU2187168C1 (ru) * 2000-12-18 2002-08-10 Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники Устройство для ионной обработки материалов
US20050100673A1 (en) * 2002-05-22 2005-05-12 Ulrich Schoof Method for the surface treatment of a doctor element
US7998174B2 (en) * 2005-02-17 2011-08-16 Kyphon Sarl Percutaneous spinal implants and methods
US20110005564A1 (en) * 2005-10-11 2011-01-13 Dimerond Technologies, Inc. Method and Apparatus Pertaining to Nanoensembles Having Integral Variable Potential Junctions
US20130129937A1 (en) * 2011-11-23 2013-05-23 United Technologies Corporation Vapor Deposition of Ceramic Coatings
US8829331B2 (en) 2012-08-10 2014-09-09 Dimerond Technologies Llc Apparatus pertaining to the co-generation conversion of light into electricity
US9040395B2 (en) 2012-08-10 2015-05-26 Dimerond Technologies, Llc Apparatus pertaining to solar cells having nanowire titanium oxide cores and graphene exteriors and the co-generation conversion of light into electricity using such solar cells
US8586999B1 (en) 2012-08-10 2013-11-19 Dimerond Technologies, Llc Apparatus pertaining to a core of wide band-gap material having a graphene shell
EP3977521A4 (en) 2019-06-03 2023-05-10 Dimerond Technologies, LLC HIGHLY EFFICIENT GRAPHENE BROADBAND SEMICONDUCTOR HETEROJUNCTION SOLAR CELLS

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH565869A5 (ja) * 1972-03-06 1975-08-29 Balzers Patent Beteilig Ag
US3915757A (en) * 1972-08-09 1975-10-28 Niels N Engel Ion plating method and product therefrom
GB1490063A (en) * 1974-11-05 1977-10-26 Atomic Energy Authority Uk Surface wear characteristics of materials by ion implantation
DE2624005C2 (de) * 1976-05-28 1982-04-08 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren und Vorrichtung zum Aufbringen von dünnen Schichten auf ein Substrat nach dem "Ion-plating"-Verfahren.
JPS53125277A (en) * 1977-04-07 1978-11-01 Pilot Pen Co Ltd Ion plating apparatus and method
US4108751A (en) * 1977-06-06 1978-08-22 King William J Ion beam implantation-sputtering
US4181590A (en) * 1977-08-16 1980-01-01 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Method of ion plating titanium and titanium alloys with noble metals and their alloys
US4137370A (en) * 1977-08-16 1979-01-30 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Titanium and titanium alloys ion plated with noble metals and their alloys
DE2842407C2 (de) * 1978-09-29 1984-01-12 Norbert 7122 Besigheim Stauder Vorrichtung zur Oberflächenbehandlung von Werkstücken durch Entladung ionisierter Gase und Verfahren zum Betrieb der Vorrichtung
EP0029747A1 (en) * 1979-11-27 1981-06-03 Konica Corporation An apparatus for vacuum deposition and a method for forming a thin film by the use thereof
GB2075069B (en) * 1979-12-03 1984-09-12 Atomic Energy Authority Uk Wear resistance of metals
DE3003285A1 (de) * 1980-01-30 1981-08-06 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum herstellen niederohmiger, einkristalliner metall- oder legierungsschichten auf substraten
GB2073254B (en) * 1980-04-09 1984-05-23 Atomic Energy Authority Uk Ion implanting metal coated ferrous surfaces
JPS5881967A (ja) * 1981-11-09 1983-05-17 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 化合物薄膜の製造方法および装置
EP0095384A3 (en) * 1982-05-26 1984-12-27 Konica Corporation Vacuum deposition apparatus
US4407712A (en) * 1982-06-01 1983-10-04 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Hollow cathode discharge source of metal vapor
JPS58221271A (ja) * 1982-06-18 1983-12-22 Citizen Watch Co Ltd イオンプレ−テイング法による被膜形成方法
US4520268A (en) * 1983-05-26 1985-05-28 Pauline Y. Lau Method and apparatus for introducing normally solid materials into substrate surfaces
US4520040A (en) * 1983-12-15 1985-05-28 Varian Associates, Inc. Ferromagnetic films for high density recording and methods of production
JPS60255975A (ja) * 1984-05-31 1985-12-17 Mitsubishi Electric Corp イオン注入装置
JPS64507A (en) * 1987-03-28 1989-01-05 Furukawa Electric Co Ltd:The Method for inserting optical parts into optical line and method for contrasting optical fiber of optical line

Also Published As

Publication number Publication date
EP0166349A1 (en) 1986-01-02
US4634600A (en) 1987-01-06
CA1240281A (en) 1988-08-09
EP0166349B1 (en) 1989-10-18
DE3573806D1 (en) 1989-11-23
ATE47431T1 (de) 1989-11-15
JPS6115967A (ja) 1986-01-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH044394B2 (ja)
US4622919A (en) Film forming apparatus
US5272014A (en) Wear-resistant coating for substrate and method for applying
Sioshansi Ion beam modification of materials for industry
US5306408A (en) Method and apparatus for direct ARC plasma deposition of ceramic coatings
EP0729173A1 (en) Metal ion implanting apparatus
JPH07268607A (ja) ダイヤモンドライクカーボン薄膜を有する物品およびその製造方法
JPH01129958A (ja) 高密着窒化チタン膜形成方法
JPH0911004A (ja) 硬質層被覆切削工具
JP2909248B2 (ja) 窒化硼素被覆部材
JP2875892B2 (ja) 立方晶窒化ほう素膜の形成方法
JPH036219B2 (ja)
JPS63166957A (ja) 表面被覆鋼製品
JPS61195971A (ja) 耐摩耗性皮膜の形成方法
JP2743201B2 (ja) イオンミキシング法によるセラミックス表面への金属膜形成法
Iwaki Formation of metal surface layers with high performance by ion implantation
RU2119551C1 (ru) Способ обработки твердосплавного режущего инструмента
JPS5920465A (ja) 超硬質工具及びその製造方法
JP3572240B2 (ja) 導電部材の物理的表面改質方法および表面改質装置
JPS60131964A (ja) 膜被覆物の製造方法
JPS6342362A (ja) 表面被覆鋼材の製造方法
JP2600092B2 (ja) 金属系材料の表面改質方法
JPH0827564A (ja) 表面硬化処理方法および表面硬化部材
JP3489224B2 (ja) 硬質層被覆切削工具
JPH07292460A (ja) 表面処理法