JPH0444235A - 高速バイポーラトランジスタの製造方法 - Google Patents
高速バイポーラトランジスタの製造方法Info
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- JPH0444235A JPH0444235A JP2148813A JP14881390A JPH0444235A JP H0444235 A JPH0444235 A JP H0444235A JP 2148813 A JP2148813 A JP 2148813A JP 14881390 A JP14881390 A JP 14881390A JP H0444235 A JPH0444235 A JP H0444235A
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- JP
- Japan
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- layer
- buried layer
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- diffusion coefficient
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- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 31
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 4
- 238000002513 implantation Methods 0.000 abstract 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005465 channeling Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- -1 boron ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高速バイポーラトランジスタの製造方法、特
に、より狭いベース拡散層を実現する方法に関する。
に、より狭いベース拡散層を実現する方法に関する。
〔従来の技術］
第２図は従来のバイポーラトランジスタの一例の構造を
示す。
示す。
図においてｌはＰサブストレート、２はＮ゛埋込層、３
は分離拡散層、４はエピタキシャル層、５はベース拡散
層、６はエミッタ拡散層、７はコレクタ拡散層である。
は分離拡散層、４はエピタキシャル層、５はベース拡散
層、６はエミッタ拡散層、７はコレクタ拡散層である。
バイポーラトランジスタの高速化には、ベース幅を狭く
することが絶対条件である。
することが絶対条件である。
一方、高速バイポーラトランジスタのベース拡散層の形
成には、ボロンイオン注入法が用いられているが、チャ
ンネリングのため、 不純物分布がガウス分布からはず
れ、第３図のボロンプロファイルの一例に示すようにな
るため、急峻な分布が実現できず、これがベース幅をよ
り狭くするのに障害となってきた。
成には、ボロンイオン注入法が用いられているが、チャ
ンネリングのため、 不純物分布がガウス分布からはず
れ、第３図のボロンプロファイルの一例に示すようにな
るため、急峻な分布が実現できず、これがベース幅をよ
り狭くするのに障害となってきた。
従来、高速バイポーラトランジスタの製造において、上
記のように、チャンネリングのため、ベース拡散層の不
純物分布がガウス分布からはずれ急峻な不純物分布を実
現できなく、ベース幅を狭くする妨げになってきた。
本発明は上記の問題を解消するためになされたもので、
より狭いベース幅を実現できる製造方法を提供すること
を目的とする。
記のように、チャンネリングのため、ベース拡散層の不
純物分布がガウス分布からはずれ急峻な不純物分布を実
現できなく、ベース幅を狭くする妨げになってきた。
本発明は上記の問題を解消するためになされたもので、
より狭いベース幅を実現できる製造方法を提供すること
を目的とする。
本発明の製造方法は、埋込層形成時に該埋込層の真性ベ
ース直下の部分に他の部分より拡散係数の大きい不純物
をドーピングし、後の熱処理で拡散係数の大きい不純物
がセリ上がることを利用して、不純物分布が急峻で、狭
いベース拡散層を実現するものである。
ース直下の部分に他の部分より拡散係数の大きい不純物
をドーピングし、後の熱処理で拡散係数の大きい不純物
がセリ上がることを利用して、不純物分布が急峻で、狭
いベース拡散層を実現するものである。
第１図は本発明の製造方法による高速バイポーラトラン
ジスタの一例の構造を示す。
ジスタの一例の構造を示す。
図において１，３，４．５．６．７は第２図の同一符号
と同一または相当する部分を示し、２ａる。
と同一または相当する部分を示し、２ａる。
Ｐサブストレート１に対しＮ゛埋込層の不純物をドーピ
ングする際、真性ベース直下の部分に他の部分より拡散
係数の大きい不純物をドーピングし、その上にエピタキ
シャル層４を成長させ、素子分離のための分離拡散層３
を形成する。
ングする際、真性ベース直下の部分に他の部分より拡散
係数の大きい不純物をドーピングし、その上にエピタキ
シャル層４を成長させ、素子分離のための分離拡散層３
を形成する。
Ｎ゛埋込層２の真性ベース直下にドーピングした拡散係
数の大きな不純物は、その後熱処理により、図に示すよ
うにせり上がり、ボロンイオン注入によるベース拡散層
５の真性ベース部分のボロンイオンの拡散を抑え、不純
物分布を急峻にし、狭いベース幅の実現を助ける働きを
する。
数の大きな不純物は、その後熱処理により、図に示すよ
うにせり上がり、ボロンイオン注入によるベース拡散層
５の真性ベース部分のボロンイオンの拡散を抑え、不純
物分布を急峻にし、狭いベース幅の実現を助ける働きを
する。
以下のエミッタ拡散層６、コレクタ拡散層７、電極配線
の形成などは、従来の方法による。
の形成などは、従来の方法による。
Ｃ発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば、より狭いベース
幅を実現することができることとなり、バイポーラトラ
ンジスタのより高速化が計れるという効果がある。
幅を実現することができることとなり、バイポーラトラ
ンジスタのより高速化が計れるという効果がある。
第１図は本発明の製造方法による高速バイポーラトラン
ジスタの一例の構造を示す断面図、第２図は従来のバイ
ポーラトランジスタの一例の構造を示す断面図、第３図
はボロンプロファイルの一例を示す説明図である。 １・・・Ｐサブストレート、２ａ・・・Ｎ゛埋込層、３
・・・分離拡散層、４・・・エピタキシャル層、５・・
・ベース拡散層、６・・・エミッタ拡散層、７・・・コ
レクタ拡散層 なお図中同一符号は同一または相当するｉ示す。 特許出願人 新日本無線株式会社 −ｘＪ（ｕ） 表面深さ 第３図
ジスタの一例の構造を示す断面図、第２図は従来のバイ
ポーラトランジスタの一例の構造を示す断面図、第３図
はボロンプロファイルの一例を示す説明図である。 １・・・Ｐサブストレート、２ａ・・・Ｎ゛埋込層、３
・・・分離拡散層、４・・・エピタキシャル層、５・・
・ベース拡散層、６・・・エミッタ拡散層、７・・・コ
レクタ拡散層 なお図中同一符号は同一または相当するｉ示す。 特許出願人 新日本無線株式会社 −ｘＪ（ｕ） 表面深さ 第３図
Claims (1)
- 埋込層形成時に該埋込層の真性ベース直下の部分に他
の部分より拡散係数の大きい不純物をドーピングし、該
埋込層の上記拡散係数の大きい不純物のせり上がりを利
用して不純物分布が急峻で狭いベース拡散層を形成する
ことを特徴とする高速バイポーラトランジスタの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2148813A JPH0444235A (ja) | 1990-06-08 | 1990-06-08 | 高速バイポーラトランジスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2148813A JPH0444235A (ja) | 1990-06-08 | 1990-06-08 | 高速バイポーラトランジスタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0444235A true JPH0444235A (ja) | 1992-02-14 |
Family
ID=15461290
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2148813A Pending JPH0444235A (ja) | 1990-06-08 | 1990-06-08 | 高速バイポーラトランジスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0444235A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9675593B2 (en) | 2012-10-02 | 2017-06-13 | Intermune, Inc. | Anti-fibrotic pyridinones |
-
1990
- 1990-06-08 JP JP2148813A patent/JPH0444235A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9675593B2 (en) | 2012-10-02 | 2017-06-13 | Intermune, Inc. | Anti-fibrotic pyridinones |
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