JPH0444314A - 半導体基板処理装置 - Google Patents
半導体基板処理装置Info
- Publication number
- JPH0444314A JPH0444314A JP15307390A JP15307390A JPH0444314A JP H0444314 A JPH0444314 A JP H0444314A JP 15307390 A JP15307390 A JP 15307390A JP 15307390 A JP15307390 A JP 15307390A JP H0444314 A JPH0444314 A JP H0444314A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- semiconductor substrate
- substrate processing
- furnace
- semiconductor
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体装置の製造に用いる半導体基板処理装
置に関するものである０ 〔従来の技術〕 第２図は従来の半導体基板処理装置を示す断面図である
。図において（１）は被処理半導体基板、（２）は半導
体基板（１）を処理する炉、（３ンは炉（２）内で半導
体基板（１）を処理する際に半導体基板（１）を並べる
ボー ） 、（４）は炉（２）内の温度を上げるための
ヒーター（５）は炉（２）内にガスを供給するためのガ
ス供給口、〔６）はガス供給口（５）より炉（２）内に
ガスを供給するための原料ガスボンベ、（７）Ｆｉ炉（
２）内で半導体基板（１）を処理したガスを排出するガ
ス排出口、ＧＯは原料ガスボンへ（６）とガス供給口（
５）とを継ぐガスパイプである。
置に関するものである０ 〔従来の技術〕 第２図は従来の半導体基板処理装置を示す断面図である
。図において（１）は被処理半導体基板、（２）は半導
体基板（１）を処理する炉、（３ンは炉（２）内で半導
体基板（１）を処理する際に半導体基板（１）を並べる
ボー ） 、（４）は炉（２）内の温度を上げるための
ヒーター（５）は炉（２）内にガスを供給するためのガ
ス供給口、〔６）はガス供給口（５）より炉（２）内に
ガスを供給するための原料ガスボンベ、（７）Ｆｉ炉（
２）内で半導体基板（１）を処理したガスを排出するガ
ス排出口、ＧＯは原料ガスボンへ（６）とガス供給口（
５）とを継ぐガスパイプである。
次にこのようにして構成される半導体基板処理装置によ
る処理方法を説明する。まず被処理半導体基板（１）は
ボート（３）上に並べられ、ｉｏ−） （３）とともに
炉（２）内に挿入される。この後、ヒーター（４）等を
使用して、炉（２）内の気圧、温度を設定したのち、ガ
ス供給管（５）より炉（２）内にガスを吸引し、所定の
処理が行われる。炉（２）内での処理が終了すると半導
体基板（１）を並べたボート（３）は炉（２）外へ取り
出され、処理済みの半導体基板（１）をボート（３）よ
りおろす。半導体基板（１）は以上のようにして処理さ
れ、処理中、炉（２）内で使用されたガスはガス排出口
（７）より炉（２）外に排出される。
る処理方法を説明する。まず被処理半導体基板（１）は
ボート（３）上に並べられ、ｉｏ−） （３）とともに
炉（２）内に挿入される。この後、ヒーター（４）等を
使用して、炉（２）内の気圧、温度を設定したのち、ガ
ス供給管（５）より炉（２）内にガスを吸引し、所定の
処理が行われる。炉（２）内での処理が終了すると半導
体基板（１）を並べたボート（３）は炉（２）外へ取り
出され、処理済みの半導体基板（１）をボート（３）よ
りおろす。半導体基板（１）は以上のようにして処理さ
れ、処理中、炉（２）内で使用されたガスはガス排出口
（７）より炉（２）外に排出される。
従来の半導体基板処理装置は以上のようであり、炉（２
）内で使用されたガスはガス排出口（７）よＦ）炉（２
＞外に排出されるのであるが、炉（２）内で高温度まで
熱せられたガスは高温度のまま排出されておシ、熱エネ
ルギーが無駄になってしまうという問題点があった０こ
の発明は上記のような問題点を解消するためになされた
もので、排出されたガスの熱エネルギーを再利用し、二
本〜ギーの損失を少なくした半導体基板処理装置を得る
ことを目的とする０ （１１１題を解決するための手段〕 この発明に係る半導体基板処理装置は、排出口から排出
されるガスを一旦、滞溜するガス滞溜部と、原料ガスを
導入するガス導入管が前記ガス滞溜部内を貫通し死後、
半導体処理手段本体のガス導入口に接続される導入部か
ら構成される熱交換手段を備えたものである。
）内で使用されたガスはガス排出口（７）よＦ）炉（２
＞外に排出されるのであるが、炉（２）内で高温度まで
熱せられたガスは高温度のまま排出されておシ、熱エネ
ルギーが無駄になってしまうという問題点があった０こ
の発明は上記のような問題点を解消するためになされた
もので、排出されたガスの熱エネルギーを再利用し、二
本〜ギーの損失を少なくした半導体基板処理装置を得る
ことを目的とする０ （１１１題を解決するための手段〕 この発明に係る半導体基板処理装置は、排出口から排出
されるガスを一旦、滞溜するガス滞溜部と、原料ガスを
導入するガス導入管が前記ガス滞溜部内を貫通し死後、
半導体処理手段本体のガス導入口に接続される導入部か
ら構成される熱交換手段を備えたものである。
この発明において、半導体処理手段本体に熱交換手段を
設けることによシ、熱エネルギーの再利用が出来る０ 〔実施例〕 以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図はこの発明のｊｉｌ！施例を示す半導体基板処理装置
の断面図である。図において（１）〜（７）は従来例に
おけるものと同等のものである。
設けることによシ、熱エネルギーの再利用が出来る０ 〔実施例〕 以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図はこの発明のｊｉｌ！施例を示す半導体基板処理装置
の断面図である。図において（１）〜（７）は従来例に
おけるものと同等のものである。
（８）は熱交換器であり、石英製の中空状のチャンバー
（８ａ）と、このチャンバー（８＆）内を屈曲しながら
に通する石英製のパイプ（８ｂ）と、ガス排気口（８ｏ
）とで構成されており、（１）〜（７）からなる半導体
基板処理装置のガス排出口（７）に接続される。また、
αＧは原料ガスボンベ（６）より、炉（２）内にガスを
供給するためのガスパイプであシ、このガスパイプ００
は原料ガスボンベ（６）と熱交換器（８）内パイプ（８
ｂ）とを接続しているパイプ（ｌｏ＆）と、熱交換器（
８）内パイプ（８ｂ）と炉（２）内のガス供給口（５）
とを接続している石英製バイブ（ｌｏｂ ）とで構成さ
れている。この発明の一実施例による半導体基板処理装
置は、以上のように構成されているので、炉（２）内で
高温にまで熱せられ、使用されたガスは半導体基板処理
装置のガス排気口（７）に接続された熱交換＃（８）内
に導入され、熱交換器（８）内を通っているパイプ（８
ｂ）内の原料ガスと熱交換を行う。
（８ａ）と、このチャンバー（８＆）内を屈曲しながら
に通する石英製のパイプ（８ｂ）と、ガス排気口（８ｏ
）とで構成されており、（１）〜（７）からなる半導体
基板処理装置のガス排出口（７）に接続される。また、
αＧは原料ガスボンベ（６）より、炉（２）内にガスを
供給するためのガスパイプであシ、このガスパイプ００
は原料ガスボンベ（６）と熱交換器（８）内パイプ（８
ｂ）とを接続しているパイプ（ｌｏ＆）と、熱交換器（
８）内パイプ（８ｂ）と炉（２）内のガス供給口（５）
とを接続している石英製バイブ（ｌｏｂ ）とで構成さ
れている。この発明の一実施例による半導体基板処理装
置は、以上のように構成されているので、炉（２）内で
高温にまで熱せられ、使用されたガスは半導体基板処理
装置のガス排気口（７）に接続された熱交換＃（８）内
に導入され、熱交換器（８）内を通っているパイプ（８
ｂ）内の原料ガスと熱交換を行う。
その結果、パイプ（８ｂ）内の原料ガスは暖められてガ
ス供給口（５）より炉（２）内に供給される。
ス供給口（５）より炉（２）内に供給される。
以上のように半導体基板（１）の処理中に排出されるガ
スは従来のもののようＫｉ＊温状態のままで排出される
ことなく熱エネルギーの再利用が行われる０ 〔発明の効果〕 以上のようにこの発明によれば、半導体基板処理装置に
熱交換器を接続したので、エネルギー効率の向上がはか
られるという優れた効果が得られる０
スは従来のもののようＫｉ＊温状態のままで排出される
ことなく熱エネルギーの再利用が行われる０ 〔発明の効果〕 以上のようにこの発明によれば、半導体基板処理装置に
熱交換器を接続したので、エネルギー効率の向上がはか
られるという優れた効果が得られる０
第１図はこの発明の一実施例を示す半導体基板処理装置
の断面図、第２図は従来の半導体基板処理装置の断面図
である。 図において、（２）は炉、（４）はヒーター、（５）は
ガス供給口、（６）は原料ガスボンベ、（７）はガス排
出口、（８）は熱交換器、（９）はガス排気口、ａｏは
ガスパイプである。 なお、各図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄
の断面図、第２図は従来の半導体基板処理装置の断面図
である。 図において、（２）は炉、（４）はヒーター、（５）は
ガス供給口、（６）は原料ガスボンベ、（７）はガス排
出口、（８）は熱交換器、（９）はガス排気口、ａｏは
ガスパイプである。 なお、各図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄
Claims (1)
- 内部に原料ガスが導入され半導体基板が処理される半
導体基板処理手段本体と、この半導体基板処理手段本体
内で使用されたガスを排出するガス排出口と、この排出
口から排出されるガスを一旦滞溜するガス滞溜部と、前
記原料ガスを導入するガス導入管が前記ガス滞溜部内を
貫通した後、前記半導体処理手段本体のガス導入口に接
続されるガス導入部から構成される熱交換手段からなる
半導体基板処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15307390A JPH0444314A (ja) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 半導体基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15307390A JPH0444314A (ja) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 半導体基板処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0444314A true JPH0444314A (ja) | 1992-02-14 |
Family
ID=15554391
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15307390A Pending JPH0444314A (ja) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 半導体基板処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0444314A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003051505A (ja) * | 2001-06-01 | 2003-02-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 熱処理装置及び熱処理方法 |
| US7879693B2 (en) | 2001-06-01 | 2011-02-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thermal treatment equipment and method for heat-treating |
| US7974524B2 (en) | 2001-03-16 | 2011-07-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Heat treatment apparatus and heat treatment method |
| US20130272930A1 (en) * | 2009-02-17 | 2013-10-17 | Mcalister Technologies, Llc | Induction for thermochemical processes, and associated systems and methods |
| US9617983B2 (en) | 2011-08-12 | 2017-04-11 | Mcalister Technologies, Llc | Systems and methods for providing supplemental aqueous thermal energy |
-
1990
- 1990-06-11 JP JP15307390A patent/JPH0444314A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7974524B2 (en) | 2001-03-16 | 2011-07-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Heat treatment apparatus and heat treatment method |
| US9666458B2 (en) | 2001-03-16 | 2017-05-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Heat treatment apparatus and heat treatment method |
| JP2003051505A (ja) * | 2001-06-01 | 2003-02-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 熱処理装置及び熱処理方法 |
| US7879693B2 (en) | 2001-06-01 | 2011-02-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thermal treatment equipment and method for heat-treating |
| US7923352B2 (en) | 2001-06-01 | 2011-04-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thermal treatment equipment and method for heat-treating |
| US8318567B2 (en) | 2001-06-01 | 2012-11-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thermal treatment equipment and method for heat-treating |
| US20130272930A1 (en) * | 2009-02-17 | 2013-10-17 | Mcalister Technologies, Llc | Induction for thermochemical processes, and associated systems and methods |
| US9617983B2 (en) | 2011-08-12 | 2017-04-11 | Mcalister Technologies, Llc | Systems and methods for providing supplemental aqueous thermal energy |
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