JPH0444329B2 - - Google Patents

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JPH0444329B2
JPH0444329B2 JP58168052A JP16805283A JPH0444329B2 JP H0444329 B2 JPH0444329 B2 JP H0444329B2 JP 58168052 A JP58168052 A JP 58168052A JP 16805283 A JP16805283 A JP 16805283A JP H0444329 B2 JPH0444329 B2 JP H0444329B2
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  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
（技術分野） 本発明はレーザー記録材料に関するものであ
る。 （従来技術） 従来、レーザービーム等の記録用ビームを記録
材料に照射して照射部分の融解、変形、蒸発等に
より光学的な変化を生ぜしめて記録を行なう方法
は知られている。このような記録方法に用いる記
録材料としては基板に低融点の金属、例えばSb、
Te、Zn、Pb、Cd、Bi、Sn、Se、In、Ga等の薄
膜層を形成してなる記録材料が用いられている。
しかしながら、これら従来のレーザー記録材料は
記録感度、記録により形成されるピツト形状、保
存安定性、及び毒性をすべて満足しうるものでは
ない。例えばTeを用いる場合、記録感度、ピツ
ト形状についてはほヾ満足なものが得られるが、
保存安定性及び毒性に問題があり、又、Snを用
いる場合、毒性が低い利点はあるものの他の諸特
性が劣るものしか得られない。 本発明者は上記の従来の記録材料が有している
欠点を解消するため種々の金属、合金について検
討を行なつたところ、錫と銅を共存させることに
より、上記従来技術における欠点が解消すること
を見い出して本発明に到達したものである。 （発明の構成） 本発明のレーザー記録材料は、基板の表面に、
ニトロセルロース樹脂層、１〜40原子数％の銅を
含む錫−銅合金からなる薄膜層を順に積層してあ
ることを特徴とするものである。 第１図は本発明の一実施例のレーザー記録材料
の構造を示す模式的な断面図である。第１図中１
で示すレーザー記録材料は基板２の表面に、ニト
ロセルース樹脂層３、金属薄膜層４が順次積層し
てある。 上記において基板２としては各種のプラスチツ
ク、例えばポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ
塩化ビニリデン、セルロースアセテート、ポリス
チレン、メチルメタクリレート等のアクリル、ポ
リプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポ
リメチルペンテン、ポリアミド、ポリカーボネー
ト、ポリフエニレンオキシド、ポリサルホン、ポ
リ弗化エチレン、ポリ弗化エチレンプロピレン、
ポリエーテルイミド、ポリイミド等のフイルム、
シート、もしくは、板、銅やアルミニウム等の金
属の箔、シート、もしくは板、或いはガラスやセ
ラミツク等を用いることができ、更には以上の各
材料を適宜に複合したものを用いてもよい。上記
のうちで耐熱性、機械的強度、平滑性、価格を考
慮するとポリエチレンテレフタレートフイルムが
好ましいが、これに限定されるものではない。 ニトロセルロース樹脂層３はニトロセルロース
を適宜な溶剤を用いて溶解し、得られた溶液を公
知の塗布方法例えばスピンナーコート、ロールコ
ート、グラビアコートなどの方法によつて塗布し
乾燥することにより基板２上に形成できる。樹脂
層３の厚みは好ましくは0.1〜10μmである。 次に本発明の金属薄膜層４について説明する
と、該金属薄膜層は１〜40原子数パーセントの銅
を含む錫−銅合金からなるものである。この好ま
しい範囲について説明すると銅の含有量が１原子
数パーセントより少ないときはひび割れが発生す
る等のピト形状の不良があり、記録に要するエネ
ルギーしきい値も好ましい範囲に比して約1.5倍
程度と高く、又、40原子数パーセントを越えると
きは記録感度が低下し、即ち記録に要するエネル
ギーしきい値が、好ましい範囲に比して２倍以上
となる上、形成されたピツト形状はその周辺が不
均一な拡がりを伴ない、好ましくないものであ
る。なお、銅単独のものでは記録エネルギーを好
ましい範囲の４倍程度に上げても記録は達成され
ない。上記において銅の含有量を５〜20原子数パ
ーセントとすると、更に一層好ましい。 以上のような成分からなる金属薄膜層３の厚み
は100〜〜5000Å、好ましくは200〜800Åである。
金属薄膜層３の厚みが100Å以下では再生光の反
射率が小さく、光学的読み取りが困難であり、
5000Åを越えると記録感度が低下して好ましくな
い。 ニトロセルロース樹脂層を介在させるとその自
己酸化効果により、ニトロセルロース樹脂層のな
い場合いにくらべて低エネルギーで記録ができる
が、上層の金属の種類によつてもピツト形状は異
なり錫−銅合金からなる金属薄膜層を設けたレー
ザー記録材料の感度及び記録時に形成されるピツ
トの形状が、錫単独若しくは銅単独の金属薄膜層
を設けたレーザー記録材料の感度及びピツト形状
にくらべて良好である。その理由は必ずしも明ら
かではないが、錫−銅合金の共晶点は錫及び銅の
それぞれの融点よりも低く、又、銅の液体状態に
おける表面張力が、錫の566×10-3N／ｍにくら
べ135×10-3N／ｍと低く、かつ、この表面張力
の値は金属の中でも比較的小さいことから、レー
ザービームの照射を受けた錫−銅合金からなる金
属薄膜層は溶融しやすく、かつ、溶融時に流動し
やすいために、照射部分の錫−銅合金が容易に排
除されるためと考えられる 上記金属薄膜層４を樹脂層３の表面に設ける方
法について次に述べると、公知の蒸着、スパツタ
リング、イオンプレーテイング、若しくはプラズ
マ蒸着等の方法を利用し得る。一例として蒸着に
よつて金属薄膜層を形成する方法について述べる
と、例えば錫と銅を別個のアルミナ製るつぼに入
れて蒸着装置内にセツトし、加熱の程度を制御す
ることにより、両者の金属の蒸着の割合を制御す
るか、或いは蒸着の時間を制御することにより蒸
着の割合を制御する等の二元蒸着法により蒸着す
るか、又は所定の組成の合金を予め作成してお
き、スパツタリングによつて行なう等の方法が例
示できる。 本発明のレーザー記録材料は基本的には以上の
構成から成るが、更に、表面保護層として、本発
明のレーザー記録材料の錫−銅合金薄膜上にSiO
やMsFなどを蒸着するか、又はアクリル樹脂、
ポリエステル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル
樹脂、ポリビニルブチラール樹脂などのビニル系
樹脂、塩化ゴムなどのゴム類、アクリル系紫外線
硬化樹脂、エポキシ系紫外線硬化樹脂などを塗布
することにより設けてもよい。或いは又、プライ
マー層としてアクリル樹脂を基材表面に設けても
よい。更に、反射防止膜としてInなどの金属や金
属酸化物等を錫−銅合金薄膜層上に設けるなどし
てもよい。 以上の本発明のレーザー記録材料は記録感度が
高く、ピツト形状も満足し得るものであり、保存
安定性、毒性に関してもすぐれている。 実施例 基板として厚み100〓ｍのポリエチレンテレフ
タレートフイルム（東レ製、ルミラーＴ−60）を
用い、フイルムの表面を洗浄し脱脂した。次にロ
ールコート法により下記の組成物を用いて塗布し
乾燥させて、厚み５〓ｍの樹脂層を形成した。 組成物 ニトロセルロース樹脂 15g 染料（ブリリアントグリーン） 0.05g トルエン 30g 酢酸エチル 30g イソプロピルアルコール 25g 次に真空蒸着装置を用い、真空度10-6Torrの
条件で錫粉末と銅粉末を別々のアルミナるつぼに
入れて同時に加熱し、二元蒸着法により各るつぼ
の加熱温度を制御し、銅の含有率が10原子数パー
セントとなるよう蒸着を行ない、膜厚が400Åに
なるようにして前記の基板の樹脂層を設けた表面
に金属薄膜層を形成した。 次に以上のようにして作成した記録の金属薄薄
膜層に波長6328ÅのHe−NeレーザーをNA（開口
数）＝0.45のレンズで集光し、金属薄膜層表面で
のレーザー光の強度が3.5mwになるよう、又、照
射時間10msecの条件で照射したところ、直径２〓
ｍのピツトが形成されていることが顕微鏡観察に
よつて確かめられた。 得られた記録材料と、比較のためニトロセルロ
ース樹脂層のみを省いたもの、及び金属薄膜層を
錫けで形成したものの三点につき、記録を行なつ
た結果を次表に示す。 比較例 (1) 実施例と同様に、但し、ニトロセルロース樹脂
層の形成を省略して行なつた。 比較例 (2) 実施例と同様に行ない、但し、金属薄膜層を錫
のみを用いて形成した。 以上の実施例、比較例(1)、および比較例(2)で得
られた記録材料を用いて記録を行ない、記録エネ
ルギー、及びピツト形状を比較した結果を次表に
示す。
【表】 のに要するレーザー出力
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明のレーザー記録材料の構造を示
す模式的な断面図である。 １……レーザー記録材料、２……基板、３……
ニトロセルロース樹脂層、４……金属薄膜層。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 基板の表面に、ニトロセルロース樹脂層、１
    〜40原子数％の銅を含む錫−銅合金からなる薄膜
    層を順に積層してあることを特徴とするレーザー
    記録材料。
JP58168052A 1983-09-12 1983-09-12 レ−ザ−記録材料 Granted JPS6059551A (ja)

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JPS6059551A JPS6059551A (ja) 1985-04-05
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