JPH0447612A - 絶縁電線の製造方法 - Google Patents
絶縁電線の製造方法Info
- Publication number
- JPH0447612A JPH0447612A JP15445690A JP15445690A JPH0447612A JP H0447612 A JPH0447612 A JP H0447612A JP 15445690 A JP15445690 A JP 15445690A JP 15445690 A JP15445690 A JP 15445690A JP H0447612 A JPH0447612 A JP H0447612A
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- JP
- Japan
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- insulating layer
- crystalline polyolefin
- layer
- extrusion
- crosslinked
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- Pending
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- Processes Specially Adapted For Manufacturing Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、架橋ポリオレフィンからなる絶縁層を何す
る絶縁電線の製造方法に関する。
る絶縁電線の製造方法に関する。
本発明者等は、先にポリエチレンやポリプロピレンなと
の結晶性ポリオレフィンをその結晶融点以上の温度で紫
外線照射すると、これら結晶性ポリオレフィンを極めて
効率よく短時間て紫外線架橋させることかできることを
知見し、既に特許出願している。
の結晶性ポリオレフィンをその結晶融点以上の温度で紫
外線照射すると、これら結晶性ポリオレフィンを極めて
効率よく短時間て紫外線架橋させることかできることを
知見し、既に特許出願している。
本発明は、この新技術を架橋ポリエチレンなとの架橋ポ
リオレフィンからなる絶縁層と半導電層を有する絶縁電
線の製造に応用したちのである。
リオレフィンからなる絶縁層と半導電層を有する絶縁電
線の製造に応用したちのである。
従来、架橋ポリオレフィンからなる絶縁層と半導電層を
有する絶縁電線の製造に紫外線照射による架橋法を適用
した例は知られていない。
有する絶縁電線の製造に紫外線照射による架橋法を適用
した例は知られていない。
よって、この発明の課題は、紫外線照射架橋法によって
架橋ポリオレフィンからなる絶縁層とミ１′−導電層を
有する絶縁電線を製造する方法を提［１，することにあ
る。
架橋ポリオレフィンからなる絶縁層とミ１′−導電層を
有する絶縁電線を製造する方法を提［１，することにあ
る。
かかる課題は、導体上に、結晶性ポリオレフィンからな
る絶縁層もしくは内部半導電層と結晶性ポリオレフィン
からなる絶縁層とを押出被覆し、ついでこの絶縁層に絶
縁層をなす結晶性ポリオレフィンの結晶融点以上の温度
で紫外線を照射して絶縁層を架橋したのち、この架橋絶
縁層上に外部半導電層を押出被覆することにより解決さ
れる。
る絶縁層もしくは内部半導電層と結晶性ポリオレフィン
からなる絶縁層とを押出被覆し、ついでこの絶縁層に絶
縁層をなす結晶性ポリオレフィンの結晶融点以上の温度
で紫外線を照射して絶縁層を架橋したのち、この架橋絶
縁層上に外部半導電層を押出被覆することにより解決さ
れる。
以下、この発明の詳細な説明する。
まず、導体上に絶縁層もしくは内部半導電層と絶縁層ど
を押出被覆する。内部半導電層と絶縁層とを押出被覆す
る場合は、同時押出法によることが好ましい。
を押出被覆する。内部半導電層と絶縁層とを押出被覆す
る場合は、同時押出法によることが好ましい。
内部半導電層としては、エチレン−酢酸ビニル共重合体
、エチレン−エチルアクリレート共重合体などのベース
ポリマーに導電性カーボンブラックを配合した半導電性
樹脂組成物が用いられる。
、エチレン−エチルアクリレート共重合体などのベース
ポリマーに導電性カーボンブラックを配合した半導電性
樹脂組成物が用いられる。
また、絶縁層としては、結晶性ポリオレフィンが用いら
れる。この結晶性ポリオレフィンとしては、ポリエチレ
ン、ポリプロピレン、ポリブテン１、ポリ−４−メチル
ペンテン−１、エチレン・プロピレン共重合体などのエ
チレン共重合体などがあるか、なかでも低密度ポリエチ
レン、高密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、超低
密度ポリエチレン、超高分子量ポリエチレンなどのポリ
エチレンが、紫外線による架橋効率が高いものとなって
好ましい。勿論、これらの混合物であってもよい。
れる。この結晶性ポリオレフィンとしては、ポリエチレ
ン、ポリプロピレン、ポリブテン１、ポリ−４−メチル
ペンテン−１、エチレン・プロピレン共重合体などのエ
チレン共重合体などがあるか、なかでも低密度ポリエチ
レン、高密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、超低
密度ポリエチレン、超高分子量ポリエチレンなどのポリ
エチレンが、紫外線による架橋効率が高いものとなって
好ましい。勿論、これらの混合物であってもよい。
この結晶性ポリオレフィンは、その単独、好ましくは光
増感剤あるいはこれと架橋助剤との混合物として用いら
れる。
増感剤あるいはこれと架橋助剤との混合物として用いら
れる。
ここでの光増感剤としては、ベンゾフェノン、４−りｏ
ロペンゾフェノン、２−クロロヘンゾフェ７ノ、ｉ４’
−ジクロロベンゾフェノン、ヘキサクロロベンゾフェノ
ンなどのベンゾフェノン類やクロレンディックアンハイ
ドライド、［サンドリー１０００４ （商品名、モン
サント社製）なとが用いられる。この光増感剤の配合量
は、結晶性ポリオレフィン１００重量部に対して０．２
〜３重量部程度が好ましく、０．２重量部未満ては架橋
効率向上効果が得られず、また３重電部を越えると過剰
となって、架橋後の成形物の電気的特性、機械的特性等
が低下して好ましくない。光増感剤の配合により、架橋
効率が格段に向上し、短時間で架橋を高いレベルまで持
ってい（ことが可能となる。
ロペンゾフェノン、２−クロロヘンゾフェ７ノ、ｉ４’
−ジクロロベンゾフェノン、ヘキサクロロベンゾフェノ
ンなどのベンゾフェノン類やクロレンディックアンハイ
ドライド、［サンドリー１０００４ （商品名、モン
サント社製）なとが用いられる。この光増感剤の配合量
は、結晶性ポリオレフィン１００重量部に対して０．２
〜３重量部程度が好ましく、０．２重量部未満ては架橋
効率向上効果が得られず、また３重電部を越えると過剰
となって、架橋後の成形物の電気的特性、機械的特性等
が低下して好ましくない。光増感剤の配合により、架橋
効率が格段に向上し、短時間で架橋を高いレベルまで持
ってい（ことが可能となる。
また、架橋助剤としては、トリアリルンアヌレ−１・、
トリアリルイソンアヌレ−１・、Ｎ Ｎ’ｍ−フェニ
レンジマレイミドなとの水素受容基を有する化合物が用
いられ、結晶性ポリオレフィン分子間の架橋反応に関与
し、架橋反応を促進するためのものである。この架橋助
剤の配合量は結晶性ポリオレフィン１００重量部に対し
て通常０゜３〜４重量部の範囲が好ましい。０．３重量
部未ン＆ｊではこれの添加の効果が十分に得られず、４
重量部を越えると過剰となり、架橋後の成形物の物性等
に悪影響を与えて不都合である。
トリアリルイソンアヌレ−１・、Ｎ Ｎ’ｍ−フェニ
レンジマレイミドなとの水素受容基を有する化合物が用
いられ、結晶性ポリオレフィン分子間の架橋反応に関与
し、架橋反応を促進するためのものである。この架橋助
剤の配合量は結晶性ポリオレフィン１００重量部に対し
て通常０゜３〜４重量部の範囲が好ましい。０．３重量
部未ン＆ｊではこれの添加の効果が十分に得られず、４
重量部を越えると過剰となり、架橋後の成形物の物性等
に悪影響を与えて不都合である。
また、上記光増感剤および架橋助剤以外に、テトラキス
−〔メチレン−３−（３’ 、５’ −ジ第３ブチル−
４′−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕メタンな
との老化防止剤等の照射時の混度条件下で透明性を損わ
ない添加剤、充填剤あるいはサリチル酸エステル、ベン
ゾトリアゾール、ヒドロキシヘンシフエノンなとの紫外
線吸収剤を適宜配合することもできる。
−〔メチレン−３−（３’ 、５’ −ジ第３ブチル−
４′−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕メタンな
との老化防止剤等の照射時の混度条件下で透明性を損わ
ない添加剤、充填剤あるいはサリチル酸エステル、ベン
ゾトリアゾール、ヒドロキシヘンシフエノンなとの紫外
線吸収剤を適宜配合することもできる。
内部半導電層および絶縁層の押出被覆は、通常の方法に
よって行うことかできる。
よって行うことかできる。
絶縁層の厚さは、紫外線の透過の点から５〜８ｆｆｆｆ
が」二限となる。勿論、紫外線の強度（エネルキー密度
）や照射時間を大きく、長くすれば、さらに肉厚の絶縁
層でもよいが、結晶性ポリオレフィンの紫外線による劣
化も同時に進行するので注意が必要である。
が」二限となる。勿論、紫外線の強度（エネルキー密度
）や照射時間を大きく、長くすれば、さらに肉厚の絶縁
層でもよいが、結晶性ポリオレフィンの紫外線による劣
化も同時に進行するので注意が必要である。
次いで、このようにして得られた絶縁層を、その結晶性
ポリオレフィンの結晶融点以」二の温度条件で紫外線を
照射する。
ポリオレフィンの結晶融点以」二の温度条件で紫外線を
照射する。
この温度条件は、原則として結晶融点以上とされるが、
好ましくはこの結晶融点よりも１０〜２０°Ｃ程度以上
高い温度とされる。しかし、あまりに高い温度では結晶
性ポリオレフィンの熱劣化が進んで望ましくない。絶縁
層が１種以上の結晶性ポリオレフィンからなるものでは
、その温度条件を最も高い結晶融点以上とする。
好ましくはこの結晶融点よりも１０〜２０°Ｃ程度以上
高い温度とされる。しかし、あまりに高い温度では結晶
性ポリオレフィンの熱劣化が進んで望ましくない。絶縁
層が１種以上の結晶性ポリオレフィンからなるものでは
、その温度条件を最も高い結晶融点以上とする。
また、紫外線の照射条件としては、波長が３００〜４０
０ｎｍの範囲か好ましく、その強度（工不ルキー密度）
か１０−４〜１０−ｅアインシュタイン／ａｍ２・分の
範囲が望ましい。照射時間は、架橋密度、絶縁層の厚さ
などによって変わり、通常は１０〜６０秒程度であるが
、この範囲に限られるものでなく、例えば絶縁層の表面
部のみを架橋するものであれば、さらに短時間であって
もよい。
０ｎｍの範囲か好ましく、その強度（工不ルキー密度）
か１０−４〜１０−ｅアインシュタイン／ａｍ２・分の
範囲が望ましい。照射時間は、架橋密度、絶縁層の厚さ
などによって変わり、通常は１０〜６０秒程度であるが
、この範囲に限られるものでなく、例えば絶縁層の表面
部のみを架橋するものであれば、さらに短時間であって
もよい。
具体的な照Ａ＝ｊ方法としては、連続方式あるいはバッ
チ方式のいずれてもよく、石英水銀灯、水素放電管、キ
セノンランプなどの紫外線光源と電気ヒータなとの加熱
装置を有するトンネル状の照射装置なとを用いればよい
。また、絶縁層の周囲外方に光源を均一に配して、全外
周部分に均一に照射することもできる。さらに、押出成
形機のダイの出口部分に接近して紫外線光源を配置して
おき、押出成形直後の結晶融点以上の高温状態で直接紫
外線を照射するようにしてもよい。
チ方式のいずれてもよく、石英水銀灯、水素放電管、キ
セノンランプなどの紫外線光源と電気ヒータなとの加熱
装置を有するトンネル状の照射装置なとを用いればよい
。また、絶縁層の周囲外方に光源を均一に配して、全外
周部分に均一に照射することもできる。さらに、押出成
形機のダイの出口部分に接近して紫外線光源を配置して
おき、押出成形直後の結晶融点以上の高温状態で直接紫
外線を照射するようにしてもよい。
このような条件での紫外線照射によって、例えばポリエ
チレンでは約９０％までの架橋密度を持つ程度にまで架
橋でき、また厚さが３ｍｌ！程度のポリエチレンからな
る絶縁層では１０〜３０秒て架橋が行われる。
チレンでは約９０％までの架橋密度を持つ程度にまで架
橋でき、また厚さが３ｍｌ！程度のポリエチレンからな
る絶縁層では１０〜３０秒て架橋が行われる。
ついで、このように紫外線架橋された絶縁層」二に、外
部半導電層を押出被覆する。この外部半導電層を構成す
る樹脂組成物としては、内部半導電層を構成する樹脂組
成物と同様のものが用いられる。外部半導電層の押出被
覆は、絶縁層の紫外線架橋に引き続いて連続して行って
もよく、また紫外線架橋後の電線を一旦、巻き取ったの
ち、改めて押出被覆してもよい。
部半導電層を押出被覆する。この外部半導電層を構成す
る樹脂組成物としては、内部半導電層を構成する樹脂組
成物と同様のものが用いられる。外部半導電層の押出被
覆は、絶縁層の紫外線架橋に引き続いて連続して行って
もよく、また紫外線架橋後の電線を一旦、巻き取ったの
ち、改めて押出被覆してもよい。
このようにして得られた絶縁電線は、必要に応じてさら
に塩化ビニル樹脂、クロロプレンコムなどからなる７−
スが施されたり、複数本を撚り合わせたのちシースを施
してケーブルなどとされる。
に塩化ビニル樹脂、クロロプレンコムなどからなる７−
スが施されたり、複数本を撚り合わせたのちシースを施
してケーブルなどとされる。
このような絶縁電線の製造方法によれば、絶縁層を構成
する結晶性ポリオレフィンか完全に無定形で透明性が良
好な状態で紫外線の照射を受けるため、紫外線がよく吸
収かつ透過され、絶縁層の深部にまで到達して架橋が行
われる。また、結晶融点以上となっているのて、ポリマ
ー分子の動きか活発となっており、架橋反応が一層速や
かに進行する。さらに、光増感剤を添加すれば、その増
感作用で先エネルキーの利用効率か向上し、架橋反応か
促進され、架橋助剤を添加したものでは活性基の濃度か
増加してポリマー分子鎖間の反応を促すことになる。し
たかって、極めて高い製造効率で架橋ポリオレフィン絶
縁電線を製造することができる。また、従来の過酸化物
架橋での大規模な架橋設備なとも不要となる。
する結晶性ポリオレフィンか完全に無定形で透明性が良
好な状態で紫外線の照射を受けるため、紫外線がよく吸
収かつ透過され、絶縁層の深部にまで到達して架橋が行
われる。また、結晶融点以上となっているのて、ポリマ
ー分子の動きか活発となっており、架橋反応が一層速や
かに進行する。さらに、光増感剤を添加すれば、その増
感作用で先エネルキーの利用効率か向上し、架橋反応か
促進され、架橋助剤を添加したものでは活性基の濃度か
増加してポリマー分子鎖間の反応を促すことになる。し
たかって、極めて高い製造効率で架橋ポリオレフィン絶
縁電線を製造することができる。また、従来の過酸化物
架橋での大規模な架橋設備なとも不要となる。
以下、具体例を示す。
メルトインデックス（Ｍｌ）か１０の低密度ポリエチレ
ン（密度０ 、 ９２９／ Ｑｌｌ＋″、融点１１０°
Ｃ）１００重量部に、光増感剤として４−クロロベンゾ
フェノン１重量部、架橋助剤としてトリアリルシアヌレ
ート１重量部を添加した樹脂組成物を絶縁層とし、内部
半導電層および外部半導電層にはエチレン−酢酸ビニル
共重合体に導電性カーボンブラックを配合した半導電性
樹脂組成物を用いた。
ン（密度０ 、 ９２９／ Ｑｌｌ＋″、融点１１０°
Ｃ）１００重量部に、光増感剤として４−クロロベンゾ
フェノン１重量部、架橋助剤としてトリアリルシアヌレ
ート１重量部を添加した樹脂組成物を絶縁層とし、内部
半導電層および外部半導電層にはエチレン−酢酸ビニル
共重合体に導電性カーボンブラックを配合した半導電性
樹脂組成物を用いた。
これらの樹脂組成物を、断面積１００１１１１２の導体
」二にまず内部半導電層と絶縁層とを同時押出して被覆
し、厚さ３■の絶縁層を形成した。押出被覆後、絶縁層
の温度を１５０°Ｃ以」二保ちながら、紫外線照射筒に
導き、高圧水銀ランプにより紫外線を２０秒照射し、こ
の直後に外部半導電層を１６０°Ｃの温度で押出被覆し
たのち、冷却槽で冷却して３層構造の絶縁電線を得た。
」二にまず内部半導電層と絶縁層とを同時押出して被覆
し、厚さ３■の絶縁層を形成した。押出被覆後、絶縁層
の温度を１５０°Ｃ以」二保ちながら、紫外線照射筒に
導き、高圧水銀ランプにより紫外線を２０秒照射し、こ
の直後に外部半導電層を１６０°Ｃの温度で押出被覆し
たのち、冷却槽で冷却して３層構造の絶縁電線を得た。
この絶縁電線の絶縁層の架橋密度はゲル分率で８５〜９
０％であり、また、絶縁電線の交流絶縁破壊電圧は２１
０ｋｖであった。
０％であり、また、絶縁電線の交流絶縁破壊電圧は２１
０ｋｖであった。
以」二説明したように、この発明の絶縁電線の製造方法
によれば、架橋ポリオレフィンからなる絶縁層を有する
絶縁電線を高い生産性で効率よく製造できる。また、製
造設備も簡便なものでよく、得られる絶縁電線の電気的
、機械的特性も優れたものとなるなとの効果を有する。
によれば、架橋ポリオレフィンからなる絶縁層を有する
絶縁電線を高い生産性で効率よく製造できる。また、製
造設備も簡便なものでよく、得られる絶縁電線の電気的
、機械的特性も優れたものとなるなとの効果を有する。
Claims (2)
- （１）導体上に、結晶性ポリオレフィンからなる絶縁層
もしくは内部半導電層と結晶性ポリオレフィンからなる
絶縁層とを押出被覆し、ついでこの絶縁層に絶縁層をな
す結晶性ポリオレフィンの結晶融点以上の温度で紫外線
を照射して絶縁層を架橋したのち、この架橋絶縁層上に
外部半導電層を押出被覆することを特徴とする絶縁電線
の製造方法。 - （２）絶縁層をなす結晶性ポリオレフィンには、光増感
剤が添加されていることを特徴とする請求項（１）記載
の絶縁電線の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15445690A JPH0447612A (ja) | 1990-06-13 | 1990-06-13 | 絶縁電線の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15445690A JPH0447612A (ja) | 1990-06-13 | 1990-06-13 | 絶縁電線の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0447612A true JPH0447612A (ja) | 1992-02-17 |
Family
ID=15584627
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15445690A Pending JPH0447612A (ja) | 1990-06-13 | 1990-06-13 | 絶縁電線の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0447612A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH054235A (ja) * | 1991-06-25 | 1993-01-14 | Hitachi Cable Ltd | 樹脂成形体の製造方法 |
| KR20240010000A (ko) | 2021-06-24 | 2024-01-23 | 제이에프이 스틸 가부시키가이샤 | 고강도 강판 및 그의 제조 방법, 그리고, 부재 |
-
1990
- 1990-06-13 JP JP15445690A patent/JPH0447612A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH054235A (ja) * | 1991-06-25 | 1993-01-14 | Hitachi Cable Ltd | 樹脂成形体の製造方法 |
| KR20240010000A (ko) | 2021-06-24 | 2024-01-23 | 제이에프이 스틸 가부시키가이샤 | 고강도 강판 및 그의 제조 방법, 그리고, 부재 |
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