JPH0448678A - フレキシブルプリント回路基板 - Google Patents
フレキシブルプリント回路基板Info
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- JPH0448678A JPH0448678A JP15641790A JP15641790A JPH0448678A JP H0448678 A JPH0448678 A JP H0448678A JP 15641790 A JP15641790 A JP 15641790A JP 15641790 A JP15641790 A JP 15641790A JP H0448678 A JPH0448678 A JP H0448678A
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- Japan
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- polyether copolymer
- insulating substrate
- film
- printed circuit
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、ポリエーテル系共重合体からなる結晶性フィ
ルムを絶縁基板とするフレキシブルプリント回路基板に
関する。さらに詳しく言うと、耐熱性、機械的特性等の
緒特性に優れるとともに。
ルムを絶縁基板とするフレキシブルプリント回路基板に
関する。さらに詳しく言うと、耐熱性、機械的特性等の
緒特性に優れるとともに。
特に吸水率および吸湿膨張率が小さくて、吸湿に伴なう
変形かなく1寸法安定性に優れたポリエーテル系共重合
体からなる結晶性フィルムを絶縁基板からなるフレキシ
ブルプリント回路基板に関する。
変形かなく1寸法安定性に優れたポリエーテル系共重合
体からなる結晶性フィルムを絶縁基板からなるフレキシ
ブルプリント回路基板に関する。
[従来技術および発明が解決しようとする課題近年、耐
熱性、機械的特性、寸法安定性等に優れた素材を目的と
して、ポリアミド、ポリエステル、ポリスルホン、ボッ
イミド等種々のエンジニアリングプラスチックか開発さ
れ、これらの素材を用いて成形されたフィルムは、電子
・電、^産業分野において広汎な用途に使用されている
。
熱性、機械的特性、寸法安定性等に優れた素材を目的と
して、ポリアミド、ポリエステル、ポリスルホン、ボッ
イミド等種々のエンジニアリングプラスチックか開発さ
れ、これらの素材を用いて成形されたフィルムは、電子
・電、^産業分野において広汎な用途に使用されている
。
なかでも、ポリイミドフィルムは、現在も9とも優れた
特性をもつと言われているが、なお問題点の一つとして
吸湿による膨張率が大きいため。
特性をもつと言われているが、なお問題点の一つとして
吸湿による膨張率が大きいため。
寸法安定性に劣る点か挙げられている。すなわち、ポリ
イミドフィルムに金属を積層してなるフレキシブルプリ
ント回路基板等において、樹脂フィルムと金属層との湿
度膨張率の差が大きいため、プリント回路基板が反りを
生じて変形することがある問題である。
イミドフィルムに金属を積層してなるフレキシブルプリ
ント回路基板等において、樹脂フィルムと金属層との湿
度膨張率の差が大きいため、プリント回路基板が反りを
生じて変形することがある問題である。
本発明は前記の事情に基づいてなされたもので2その目
的とするところは、前記ポリイミドの諸物件と同レベル
の特性を有し、かつ湿度膨張率の小さいポリエーテル系
共重合体からなるフィルムを基板とし、湿度膨張率の差
による反り等変形することのないフレキシブルプリント
回路基板を提供することにある。
的とするところは、前記ポリイミドの諸物件と同レベル
の特性を有し、かつ湿度膨張率の小さいポリエーテル系
共重合体からなるフィルムを基板とし、湿度膨張率の差
による反り等変形することのないフレキシブルプリント
回路基板を提供することにある。
[課題を解決するための手段
前記目的を達成するための本発明の構成は。
次式(1);
で表わされる繰り返し単位および次式(■);(II)
で表される繰り返し単位からなり、前記式(1)で表さ
れる繰り返し単位の組成比[モル比・(I)/((I)
+(II))]か0.15〜0−40−Tニルであると
ともに、400℃における溶融粘度か3.000〜10
0,000ボイズであるポリエーテル系共重合体樹脂か
らなる結晶性フィルムを絶縁基板とし、この絶縁基板に
導電層を設けてなることを特徴とするフレキシブルプリ
ント回路基板である。
れる繰り返し単位の組成比[モル比・(I)/((I)
+(II))]か0.15〜0−40−Tニルであると
ともに、400℃における溶融粘度か3.000〜10
0,000ボイズであるポリエーテル系共重合体樹脂か
らなる結晶性フィルムを絶縁基板とし、この絶縁基板に
導電層を設けてなることを特徴とするフレキシブルプリ
ント回路基板である。
以下詳細に説明する。
本発明のフレキシブルプリント回路基板(以下プリント
回路基板と記す)は、ポリエーテル系共重合体からなる
結晶性フィルムを絶縁基板とする。
回路基板と記す)は、ポリエーテル系共重合体からなる
結晶性フィルムを絶縁基板とする。
このポリエーテル系共重合体からなる結晶性フィルムの
絶縁基板は、ハンダ付けの際の加熱温度250℃、加熱
時間30秒間であるときの寸法変化は0.2%以下であ
る。また、熱膨張率は1.5×10−’ 〜2.5 x
10−’であって、銅、ニッケル、銀などの導電性金
属の熱膨張率の2.Ox 10−’に近い値である。
絶縁基板は、ハンダ付けの際の加熱温度250℃、加熱
時間30秒間であるときの寸法変化は0.2%以下であ
る。また、熱膨張率は1.5×10−’ 〜2.5 x
10−’であって、銅、ニッケル、銀などの導電性金
属の熱膨張率の2.Ox 10−’に近い値である。
さらに、この絶縁基板は、湿度膨張率が5xto−’/
%R)I (RHは相対湿度である)以下てあり、かつ
吸水率か0.5%以下であって、吸湿による基板の反り
などの変形が生しにくい。
%R)I (RHは相対湿度である)以下てあり、かつ
吸水率か0.5%以下であって、吸湿による基板の反り
などの変形が生しにくい。
また、ポリエーテル系共重合体は、電気的性質に関して
十分に優れた特性を示す、したがって、ポリエーテル系
共重合体からなる結晶性フィルムは、フレキシブルプリ
ント回路基板用q絶縁基板として優れたものである。
十分に優れた特性を示す、したがって、ポリエーテル系
共重合体からなる結晶性フィルムは、フレキシブルプリ
ント回路基板用q絶縁基板として優れたものである。
この絶縁基板の基本材料であるボッエーテル系共重合体
について以下に説明する。
について以下に説明する。
−ポリエーテル系共重合体−
本発明のフレキシブルプリント回路基板における絶縁基
板の原料になるポリエーテル系共重合体において重要な
点の一つは、前記ポリエーテル系共重合体か、前記式(
I)て表わされる繰り返し単位と前記式(II)て表わ
される繰り返し単位とからなるとともに、前記式(I)
て表わされる繰り返し単位の含有割合[モル比、(I)
/((I)+(■))コか0.15〜0.40の範囲に
あり1式(■)て表わされる繰り返し単位の組成比(モ
ル比)か0.85〜0.60であることである。
板の原料になるポリエーテル系共重合体において重要な
点の一つは、前記ポリエーテル系共重合体か、前記式(
I)て表わされる繰り返し単位と前記式(II)て表わ
される繰り返し単位とからなるとともに、前記式(I)
て表わされる繰り返し単位の含有割合[モル比、(I)
/((I)+(■))コか0.15〜0.40の範囲に
あり1式(■)て表わされる繰り返し単位の組成比(モ
ル比)か0.85〜0.60であることである。
前記式(I)て表わされる縁り返し単位の組成比が0.
15未満であると、ポリエーテル系共重合体のガラス転
移温度か低くなって耐熱性が低下したり、融点か高くな
って成形性の劣化を招いたりする。一方、0,40を超
えると、ポリエーテル系重合体の結晶性が失われて、耐
熱性、屹壇剤性が低下する。
15未満であると、ポリエーテル系共重合体のガラス転
移温度か低くなって耐熱性が低下したり、融点か高くな
って成形性の劣化を招いたりする。一方、0,40を超
えると、ポリエーテル系重合体の結晶性が失われて、耐
熱性、屹壇剤性が低下する。
また、本発明に用いられるポリエーテル系共重合体にお
いては、温度400°Cにおける溶融粘度(ゼロ剪断粘
度)か3,000〜100,000ポイズであることか
重要である。
いては、温度400°Cにおける溶融粘度(ゼロ剪断粘
度)か3,000〜100,000ポイズであることか
重要である。
この溶融粘度か3,000ボイズ未満である低分子量の
ポリエーテル系共重合体ては、十分な耐熱性および機械
的強度を達成することができないからである。
ポリエーテル系共重合体ては、十分な耐熱性および機械
的強度を達成することができないからである。
また、溶融粘度が100.000ボイズを超えるとフィ
ルム化など成形加工性か低下する。
ルム化など成形加工性か低下する。
本発明に用いられるポリエーテル系共重合体は、たとえ
ば結晶融点か330〜400℃程度てあって、高い結晶
性を宥するとともに、十分に高分子量であり、十分な耐
熱性を示すとともに、耐溶剤性、機械的強度に優れて、
たとえば電気・電子機器分野、機械分野等における新た
な素材として好適に用いることかてきる。
ば結晶融点か330〜400℃程度てあって、高い結晶
性を宥するとともに、十分に高分子量であり、十分な耐
熱性を示すとともに、耐溶剤性、機械的強度に優れて、
たとえば電気・電子機器分野、機械分野等における新た
な素材として好適に用いることかてきる。
このようなポリエーテル系共重合体は、以下のようにし
て製造することかできる。
て製造することかできる。
−ポリエーテル系共重合体の製造方法−ポリエーテル系
共重合体は、特定使用比率てジハロゲノベンゾニトリル
、および4,4′−ビフェノール、ならびにアルカリ金
属化合物を中性極性溶媒の存在下に反応させた後、反応
生成物と特定量の4,4′−ジハロゲノベンゾフェノン
との共重合反応を行なうことにより、製造することかで
きる。
共重合体は、特定使用比率てジハロゲノベンゾニトリル
、および4,4′−ビフェノール、ならびにアルカリ金
属化合物を中性極性溶媒の存在下に反応させた後、反応
生成物と特定量の4,4′−ジハロゲノベンゾフェノン
との共重合反応を行なうことにより、製造することかで
きる。
使用に供される前記ジハロゲノベンゾニトリルの具体例
としては、たとえば、次式。
としては、たとえば、次式。
N
(たたし、式中、Xはハロゲン原子である。)て表わさ
れる2、6−ジハロゲノベンゾニトリル、2,4−ジハ
ロゲノベンゾニトリルなどが挙げられる。
れる2、6−ジハロゲノベンゾニトリル、2,4−ジハ
ロゲノベンゾニトリルなどが挙げられる。
これらの中ても、好ましいのは2,6−ジクロロベンゾ
ニトリル、2,6−シフルオロペンゾニトリル、2,4
−ジクロロベンゾニトリル、2゜4−シフルオロペンゾ
ニトソルてあり、特に好ましいのは2,6−ジクロロベ
ンゾニトリルである。
ニトリル、2,6−シフルオロペンゾニトリル、2,4
−ジクロロベンゾニトリル、2゜4−シフルオロペンゾ
ニトソルてあり、特に好ましいのは2,6−ジクロロベ
ンゾニトリルである。
前記ジハロゲノベンゾニトリルと次式;て表わされる4
、4′−ビフェノールとをアルカリ金属化合物および中
性極性溶媒の存在下て反応させる。
、4′−ビフェノールとをアルカリ金属化合物および中
性極性溶媒の存在下て反応させる。
使用に供される前記アルカリ金属化合物は、前記4.4
′−ビフェノールをアルカリ金Ji塩にすることのてき
るものてあればよく、特に制限はないが、好ましいのは
アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属炭酸水素塩である。
′−ビフェノールをアルカリ金Ji塩にすることのてき
るものてあればよく、特に制限はないが、好ましいのは
アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属炭酸水素塩である。
前記アルカリ金m炭酸塩としては、たとえば炭徴リチウ
ム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸ルビジウム、
炭酸セシウムなどが挙げられる。
ム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸ルビジウム、
炭酸セシウムなどが挙げられる。
これらの中ても、好ましいのは炭酸ナトリウム、炭酸カ
リウムである。
リウムである。
前記アルカリ金属炭酸水素塩としては、たとえば炭酸水
素リチウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリクム、
炭酸水素ルビジウム、炭酸水素セシウムなどが挙げられ
る。
素リチウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリクム、
炭酸水素ルビジウム、炭酸水素セシウムなどが挙げられ
る。
これらの中でも、好ましいのは炭酸水素ナトリウム、炭
酸水素カリウムである。
酸水素カリウムである。
前記中性極性溶媒としては、たとえばN、N−ジメチル
ホルムアミドN、N−ジエチルホルムアミド、N、N−
ジメチルアセトアミド、N。
ホルムアミドN、N−ジエチルホルムアミド、N、N−
ジメチルアセトアミド、N。
N−ジエチルアセトアミド、N、N−ジプロピルアセト
アミド、N、N−ジメチル安息香酸アミド、N−メチル
−2−ピロリドン、N−エチル−2−ピロリドン、N−
イソプロピル−2−ピロリドン、N−イソブチル−2−
ピロリドン、N−n−プロピル−2−ピロリドン、N−
n−フチルー2−ピロリドン、N−シクロへキシル−2
ピロリドン、N−メチル−3−メチル−2−ヒ°口ソト
ン、N−エチル−3−メチル−2−ピロリドン、N−メ
チル−3,4,5−ヒソメチル−2−ピロリドン、N−
メチル−2−ピペリトン、N−エチル−2−ピペリトン
、N、−イソプロピル−2−ピペリトン、N−メチル−
6−メチル−2−ピペリトン、N−メチル−3−エチル
ピペリトン、ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキ
シド、l−メチル−1−オキソスルホラン、1−エチル
−1−オキソスルホラン、l−7エニルー1−才キソス
ルホラン、N、N’−ジメチルイミダゾリジノン、ジフ
ェニルスルホンなどか挙げられる。
アミド、N、N−ジメチル安息香酸アミド、N−メチル
−2−ピロリドン、N−エチル−2−ピロリドン、N−
イソプロピル−2−ピロリドン、N−イソブチル−2−
ピロリドン、N−n−プロピル−2−ピロリドン、N−
n−フチルー2−ピロリドン、N−シクロへキシル−2
ピロリドン、N−メチル−3−メチル−2−ヒ°口ソト
ン、N−エチル−3−メチル−2−ピロリドン、N−メ
チル−3,4,5−ヒソメチル−2−ピロリドン、N−
メチル−2−ピペリトン、N−エチル−2−ピペリトン
、N、−イソプロピル−2−ピペリトン、N−メチル−
6−メチル−2−ピペリトン、N−メチル−3−エチル
ピペリトン、ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキ
シド、l−メチル−1−オキソスルホラン、1−エチル
−1−オキソスルホラン、l−7エニルー1−才キソス
ルホラン、N、N’−ジメチルイミダゾリジノン、ジフ
ェニルスルホンなどか挙げられる。
製造方法の一例としては、前記アルカリ金属化合物およ
び前記中性極性溶媒の存在下ての前記ジハロゲノベンゾ
ニトリルと前記4.4゛−ビフェノールとの反応を行な
って得られる反応生成物と前記4.4′−ジハロゲノベ
ンゾフェノンとを反応させる。
び前記中性極性溶媒の存在下ての前記ジハロゲノベンゾ
ニトリルと前記4.4゛−ビフェノールとの反応を行な
って得られる反応生成物と前記4.4′−ジハロゲノベ
ンゾフェノンとを反応させる。
使用に供される前記4,4゛−ジハロゲノベンゾフェノ
ンは、次式: (ただし、Xは前記と同し意味である。)て表わされる
化合物てあり、本発明においそば、4.4゛−ジフルオ
ロベンゾフェノン、4.4−ジクロロベンゾフェノンを
特に好適に使用することかてきる。
ンは、次式: (ただし、Xは前記と同し意味である。)て表わされる
化合物てあり、本発明においそば、4.4゛−ジフルオ
ロベンゾフェノン、4.4−ジクロロベンゾフェノンを
特に好適に使用することかてきる。
ジハロゲノベンゾニトリルと4,4°−ジハロゲノベン
ゾフェノンとの合計量の、前記4,4′−ビフェノール
の使用量に対するモル比か、通常、0.98〜1.02
.好ましくは、l、00〜1.01である。アルカリ金
属化合物の4.4゛−ビフェノールに対するモル比は、
通常、1.03〜2.50、好ましくは、 1.05〜
1.25である。
ゾフェノンとの合計量の、前記4,4′−ビフェノール
の使用量に対するモル比か、通常、0.98〜1.02
.好ましくは、l、00〜1.01である。アルカリ金
属化合物の4.4゛−ビフェノールに対するモル比は、
通常、1.03〜2.50、好ましくは、 1.05〜
1.25である。
前記中性極性溶媒の使用量については、特に制限はない
が、中性極性溶媒200m1に対して、通常、前記ジハ
ロゲノベンゾニトリルと前記4゜4゛ −ビフェノール
と前記アルカリ金属化合物との合計か0.05〜1モル
になるように調整される。
が、中性極性溶媒200m1に対して、通常、前記ジハ
ロゲノベンゾニトリルと前記4゜4゛ −ビフェノール
と前記アルカリ金属化合物との合計か0.05〜1モル
になるように調整される。
ポリエーテル系共重合体を得るには、たとえば、前記中
性極性溶媒中に、前記ジハロゲノベンゾニトリルと、前
記4.4°−ビフェノールと、前記アルカリ金属化合物
とを、同時に添加して。
性極性溶媒中に、前記ジハロゲノベンゾニトリルと、前
記4.4°−ビフェノールと、前記アルカリ金属化合物
とを、同時に添加して。
前記ジハロゲノベンゾニトリルと前記4.4′ビフエノ
ールとの反応を行なわせた後、さらに前記4.4°−ジ
ハロゲノベンゾフェノンを添加し、通常は150〜38
0℃、好ましくは180〜330°Cの範囲の温度にお
いて一連の反応を行なわせる0反応温度か150°C未
満ては、反応速度か遅すぎて実用的てはないし、 コ8
0°Cを超えると、副反応を招くことかある。
ールとの反応を行なわせた後、さらに前記4.4°−ジ
ハロゲノベンゾフェノンを添加し、通常は150〜38
0℃、好ましくは180〜330°Cの範囲の温度にお
いて一連の反応を行なわせる0反応温度か150°C未
満ては、反応速度か遅すぎて実用的てはないし、 コ8
0°Cを超えると、副反応を招くことかある。
また、この一連の反応の反応時間は、通常0.1〜10
時間てあり、好ましくは0.5時間〜5時間である。
時間てあり、好ましくは0.5時間〜5時間である。
反応の終了後、得られるポリエーテル系共重合体を含有
する中性極性溶媒溶液から、公知の方法に従って、ポリ
エーテル系共重合体を分離、精製することにより、ボッ
エーテル系共重合体を得ることかてきる。
する中性極性溶媒溶液から、公知の方法に従って、ポリ
エーテル系共重合体を分離、精製することにより、ボッ
エーテル系共重合体を得ることかてきる。
また、本発明に用いられるポリエーテル系共重合体は、
中性極性溶媒中にジハロゲノベンツニトリルとビフェノ
ールとアルカリ金属塩とジハロゲノベンゾフェノンとを
同時に添加することにより得ることもてきる。
中性極性溶媒中にジハロゲノベンツニトリルとビフェノ
ールとアルカリ金属塩とジハロゲノベンゾフェノンとを
同時に添加することにより得ることもてきる。
本発明において用いるポリエーテル系共重合体は、 4
00℃における溶融粘度か3,000〜too、000
ボイズてあり、その結晶融点は330〜400°Cであ
る。
00℃における溶融粘度か3,000〜too、000
ボイズてあり、その結晶融点は330〜400°Cであ
る。
本発明においては、絶縁基板の原料である前記ポリエー
テル系共重合体につき、該ポリエーテル系共重合体に含
まれるアルカリ金属塩の含有量かてきるたけ少なく、特
に50pp園以下であることか望ましい。
テル系共重合体につき、該ポリエーテル系共重合体に含
まれるアルカリ金属塩の含有量かてきるたけ少なく、特
に50pp園以下であることか望ましい。
というのは、ポリエーテル系共重合体中に50ppmを
越えるアルカリ金属塩か含有されていると、このような
ポリエーテル系共重合体から形成された絶縁基板を有す
るフレキシブルプリント回路基板を長期間にわたって使
用していると、周辺機器の金属部分を腐食させたりする
ことかあるからである。
越えるアルカリ金属塩か含有されていると、このような
ポリエーテル系共重合体から形成された絶縁基板を有す
るフレキシブルプリント回路基板を長期間にわたって使
用していると、周辺機器の金属部分を腐食させたりする
ことかあるからである。
重合終了後のポリエーテル系共重合体中からアルカリ金
属塩を低減させるには、ポリエーテル系共重合体を、有
機酸もしくは無41酸含有の、pH3,5以下に調整さ
れた酸性水溶液て、洗浄するのかよい。
属塩を低減させるには、ポリエーテル系共重合体を、有
機酸もしくは無41酸含有の、pH3,5以下に調整さ
れた酸性水溶液て、洗浄するのかよい。
前記有機酸としては、たとえば、ギ酸、酢酸、モノクロ
ル酢酸、ジクロル酢酸、トリクロル酢酸、プロピオン酸
等のモノカルボン酸、シュウ酸、マロン酸等のジカルボ
ン酸を挙げることかできる。これらの中でも好ましいの
はシュウ酸等のジカルボン酸てあり、特にシュウ酸か好
ましい。なお、これらの有機酸はその一種を単独で使用
することもてきるし、またその二1!以上を併用するこ
ともてきる。
ル酢酸、ジクロル酢酸、トリクロル酢酸、プロピオン酸
等のモノカルボン酸、シュウ酸、マロン酸等のジカルボ
ン酸を挙げることかできる。これらの中でも好ましいの
はシュウ酸等のジカルボン酸てあり、特にシュウ酸か好
ましい。なお、これらの有機酸はその一種を単独で使用
することもてきるし、またその二1!以上を併用するこ
ともてきる。
前記無機酸としては、塩酸、硫酸、リン酸等を挙げるこ
とかできる。これらの中ても好ましいのは塩酸である。
とかできる。これらの中ても好ましいのは塩酸である。
これらの酸を含有する溶液は、PH3,5以下になるよ
うに濃度を調整し、あるいは酸の種類を決定するのがよ
い。
うに濃度を調整し、あるいは酸の種類を決定するのがよ
い。
酸性水溶液でポリエーテル系共重合体を洗浄する時間は
、ポリエーテル系共重合体中のアルカリ金属塩の含有量
が50pp1以下になるのに十分な時間である。なお、
洗浄による脱塩効果を促進するために、洗浄時に酸性水
溶液とポリエーテル系共重合体との混合物を加温または
加圧下に加温してもよい。
、ポリエーテル系共重合体中のアルカリ金属塩の含有量
が50pp1以下になるのに十分な時間である。なお、
洗浄による脱塩効果を促進するために、洗浄時に酸性水
溶液とポリエーテル系共重合体との混合物を加温または
加圧下に加温してもよい。
酸性水溶液て洗浄した後には、ポリエーテル系共重合体
から酸を除去するために、純水、イオン交換水、蒸留水
等で十分に洗浄することか推奨される。
から酸を除去するために、純水、イオン交換水、蒸留水
等で十分に洗浄することか推奨される。
次に1本発明における絶縁基板は、前記ポリエーテル系
共重合体、好ましくは十分に脱塩した前記ポリエーテル
系共重合体から形成することもてきるし、また、脱塩し
た前記ポリエーテル系共重合体と無機質充填剤との混合
されたポリエーテル系共重合体樹脂組成物から形成する
こともてきる。
共重合体、好ましくは十分に脱塩した前記ポリエーテル
系共重合体から形成することもてきるし、また、脱塩し
た前記ポリエーテル系共重合体と無機質充填剤との混合
されたポリエーテル系共重合体樹脂組成物から形成する
こともてきる。
前記ポリエーテル系共重合体樹脂組成物は、前記ポリエ
ーテル系共重合体と無機質充填剤とを、ポリエーテル系
共重合体に対し、無機質充填剤をその含有割合を10重
量%未満、好ましくはo、oos〜5重量%とすること
により、絶縁基板表面の滑り性か改善され、またその含
有割合を10〜50重量%、好ましくは15〜40重量
%とすることにより、熱膨張率の小さい絶縁基板を得る
ことかてきる。
ーテル系共重合体と無機質充填剤とを、ポリエーテル系
共重合体に対し、無機質充填剤をその含有割合を10重
量%未満、好ましくはo、oos〜5重量%とすること
により、絶縁基板表面の滑り性か改善され、またその含
有割合を10〜50重量%、好ましくは15〜40重量
%とすることにより、熱膨張率の小さい絶縁基板を得る
ことかてきる。
前記無機質充填剤としては、たとえば、炭酸カルシウム
、炭酸マグネシウム、ドロマイト等の炭酸塩、硫酸カル
シウム、硫酸マグネシウム等の硫酸塩、亜硫酸カルシウ
ム等の亜硫酸塩、タルク、クレー、マイカ、アスベスト
、ガラス繊維、ガラスど−ズ、ケイ酸カルシウム、モン
モリロナイトベントナイト等のケイ酸塩、二酸化ケイ素
、アルミナ、炭化ケイ素、チッ化ケイ19のセラミック
およびこれらのウィスカなどを挙げることかできる0本
発明において好ましいのは、たとえば、炭酸カルシウム
、二酸化ケイ素、アルミナ粘土(カオリン、ベントナイ
ト、白土等)、タルク、金属酸化物(MgO、ZnO、
Ti02)等である。
、炭酸マグネシウム、ドロマイト等の炭酸塩、硫酸カル
シウム、硫酸マグネシウム等の硫酸塩、亜硫酸カルシウ
ム等の亜硫酸塩、タルク、クレー、マイカ、アスベスト
、ガラス繊維、ガラスど−ズ、ケイ酸カルシウム、モン
モリロナイトベントナイト等のケイ酸塩、二酸化ケイ素
、アルミナ、炭化ケイ素、チッ化ケイ19のセラミック
およびこれらのウィスカなどを挙げることかできる0本
発明において好ましいのは、たとえば、炭酸カルシウム
、二酸化ケイ素、アルミナ粘土(カオリン、ベントナイ
ト、白土等)、タルク、金属酸化物(MgO、ZnO、
Ti02)等である。
前記無41貫充填剤は、粒状、板状、繊維状のいずれの
形態てあってもよいか、この発明においては粒径か5μ
m以下てあればよく、好ましくはより細かいものを用い
る。
形態てあってもよいか、この発明においては粒径か5μ
m以下てあればよく、好ましくはより細かいものを用い
る。
これらの無機質充填剤は、一種単独て使用してもよいし
、あるいは二種以上を併用してもよい。
、あるいは二種以上を併用してもよい。
ポリエーテル系共重合体樹脂組成物は、上述したポリエ
ーテル系共重合体の製造方法により得られたポリエーテ
ル系共重合体のパラターに適宜に選択した無機質充填剤
を50重量%以下の適宜の割合て混合し、ヲレントした
後、押出機にて混練し、ペレット化することにより得る
ことかてきる。
ーテル系共重合体の製造方法により得られたポリエーテ
ル系共重合体のパラターに適宜に選択した無機質充填剤
を50重量%以下の適宜の割合て混合し、ヲレントした
後、押出機にて混練し、ペレット化することにより得る
ことかてきる。
また、無機質充填剤の存在下にボッエーテル系共重合体
を製造する方法を採用して、ボッエーテル系共重合体組
成物を得ることもてきる。
を製造する方法を採用して、ボッエーテル系共重合体組
成物を得ることもてきる。
−絶縁基板の作成−
本発明においては、得られたポリエーテル系共重合体あ
るいは前記ポリエーテル系共重合体樹脂組成物から、結
晶化フィルムを作成し、これから絶縁基板を作成する。
るいは前記ポリエーテル系共重合体樹脂組成物から、結
晶化フィルムを作成し、これから絶縁基板を作成する。
結晶化フィルムを得るために、先ず、ポリエーテル系共
重合体あるいは前記ポリエーテル系共重合体樹脂組成物
をフィルム化する。
重合体あるいは前記ポリエーテル系共重合体樹脂組成物
をフィルム化する。
フィルム化は、押出成形法やプレス成形法等の通常の方
法を用いて、結晶融点より10〜100°C高い温度て
、好ましくは、結晶融点より30〜70℃高い温度で行
い、急冷することによって、透明性のよい非品性フィル
ムか得られる。
法を用いて、結晶融点より10〜100°C高い温度て
、好ましくは、結晶融点より30〜70℃高い温度で行
い、急冷することによって、透明性のよい非品性フィル
ムか得られる。
たとえば、前記ポリエーテル系共重合体もしくはポリエ
ーテル系共重合体樹脂組成物を押し出し機に供給し、樹
脂温度を350〜450℃とし、溶融状態てスリット状
のダイから押出し、冷却・固化させることにより、ポリ
エーテル系共重合体もしくはポリエーテル系共重合体樹
脂組成物の未延伸の非品性フィルムを作製することかて
きる。
ーテル系共重合体樹脂組成物を押し出し機に供給し、樹
脂温度を350〜450℃とし、溶融状態てスリット状
のダイから押出し、冷却・固化させることにより、ポリ
エーテル系共重合体もしくはポリエーテル系共重合体樹
脂組成物の未延伸の非品性フィルムを作製することかて
きる。
または、熱プレス機により、プレス温度350〜450
℃にて、プレスフィルムを作製することにより、ポリエ
ーテル系共重合体もしくはポリエーテル系共重合体樹脂
組成物の未延伸の非品性フィルムを得ることかてきる。
℃にて、プレスフィルムを作製することにより、ポリエ
ーテル系共重合体もしくはポリエーテル系共重合体樹脂
組成物の未延伸の非品性フィルムを得ることかてきる。
ついて、これらの未延伸フィルムを一軸延伸あるいは二
軸延伸して配向させることにより、延伸フィルムを製造
することかてきる。
軸延伸して配向させることにより、延伸フィルムを製造
することかてきる。
延伸方法は二軸同時延伸でも、あるいは−軸づつの逐次
延伸てもいずれの方法でもよい。
延伸てもいずれの方法でもよい。
延伸温度は、ガラス転移温度から結晶融点の間の温度、
たとえば、 180〜250℃て行う。
たとえば、 180〜250℃て行う。
延伸倍率は、 1.2〜・3倍であるのか好ましく、特
に 1.3〜2.5倍であるのか好ましい。
に 1.3〜2.5倍であるのか好ましい。
延伸倍率か、1.2倍未満ては十分な延伸効果(引張強
度、引張弾性率等のフィルム物性の改良効果)が奏され
ないことがあるし、また、3倍を超えて延伸したとして
も、延伸効果はさらに向上しないことかある。
度、引張弾性率等のフィルム物性の改良効果)が奏され
ないことがあるし、また、3倍を超えて延伸したとして
も、延伸効果はさらに向上しないことかある。
また、延伸前のフィルムあるいは延伸後の延伸フィルム
を熱処理することによって、耐熱性の著しく向上した熱
処理フィルムを得ることかてきる。
を熱処理することによって、耐熱性の著しく向上した熱
処理フィルムを得ることかてきる。
熱処理は、その結晶化温度と結晶融点との間の温度て加
熱することにより行なわれ、その結果結晶化フィルムか
得られる。
熱することにより行なわれ、その結果結晶化フィルムか
得られる。
延伸の如何に拘らず、熱処理は、緊張下で行い、結晶化
温度すなわち、上記フィルム化て非晶化したポリマーか
、熱処理(昇温)で結晶化する温度より高く、結晶融点
より低い温度、たとえば、 190〜370℃て行う。
温度すなわち、上記フィルム化て非晶化したポリマーか
、熱処理(昇温)で結晶化する温度より高く、結晶融点
より低い温度、たとえば、 190〜370℃て行う。
好適な一例として、前記延伸フィルムを金属フレーム等
て固定し、緊張下て、190〜370℃に加熱しながら
、1〜600抄間かけて、熱処理することか挙げられる
。
て固定し、緊張下て、190〜370℃に加熱しながら
、1〜600抄間かけて、熱処理することか挙げられる
。
加熱の方法については特に制限がなく、様々な手段を採
用することができる。
用することができる。
さらに、この熱処理により得られた熱処理フィルムを、
再度、熱処理温度付近て再熱処理を行なっても良い。
再度、熱処理温度付近て再熱処理を行なっても良い。
この再熱処理は、必要に応じて緊張下または無緊張下て
行い、ポリエーテル系共重合体樹脂組成物のガラス転移
温度と前記熱処理温度との間の温度て行うのが良い。
行い、ポリエーテル系共重合体樹脂組成物のガラス転移
温度と前記熱処理温度との間の温度て行うのが良い。
この再熱処理を行うことにより、熱処理フィルムの熱収
縮率か小さくなり、寸法安定性に優れたフィルムを得る
ことかできる。
縮率か小さくなり、寸法安定性に優れたフィルムを得る
ことかできる。
−フレキシブルプリント回路基板の作成−本発明のフレ
キシブルプリント回路基板は、前記のようにして作成し
た、ポリエーテル系共重合体からなる結晶化フィルムの
表面に、導電性の材料て電気設計に基づく配線パターン
を形成することにより得ることかてきる。
キシブルプリント回路基板は、前記のようにして作成し
た、ポリエーテル系共重合体からなる結晶化フィルムの
表面に、導電性の材料て電気設計に基づく配線パターン
を形成することにより得ることかてきる。
導電性の材料としては、一般に用いられる金属箔、たと
えば銅箔、アルミニウム箔、銀箔などが挙げられ、なか
ても銅箔か好ましい、銅箔としては、主として厚さ1B
pm、3Spm、70gmの電解銅箔あるいは圧延銅箔
か用いられる。
えば銅箔、アルミニウム箔、銀箔などが挙げられ、なか
ても銅箔か好ましい、銅箔としては、主として厚さ1B
pm、3Spm、70gmの電解銅箔あるいは圧延銅箔
か用いられる。
金属箔の接合手段や形状の具体的手段としては特に制限
かなく、たとえば銅箔などの金属箔を、絶縁基板に貼り
合わせた後、金属箔をパターンエツチングするいわゆる
サブトラクティブ法、絶縁基板上に銅等をパターン状に
メツキするアディティブ法、パターン状に打ち抜いた銅
箔等を絶縁基板に貼り合わせるスタンピングホイル法な
どを利用することかできる。
かなく、たとえば銅箔などの金属箔を、絶縁基板に貼り
合わせた後、金属箔をパターンエツチングするいわゆる
サブトラクティブ法、絶縁基板上に銅等をパターン状に
メツキするアディティブ法、パターン状に打ち抜いた銅
箔等を絶縁基板に貼り合わせるスタンピングホイル法な
どを利用することかできる。
[実施例
次に本発明を実施例に基づいてさらに具体的に説明する
。
。
(実施例1)
トルエンを満たしたディーンスタルクトラップ、攪拌装
置およびアルゴンガス吹込管を備えた内容積5fLの反
応器に、2,6−シクロロペンゾニトリル32.34g
(0,i88モル)、4.4’−ビフェノール139
.66g (0,75モル)、炭酸カリウム124.3
9g (0,9モル)およびN−メチル−2−ピロリド
ン1.5文を入れ、アルゴンガスを吹込みながら、1時
間かけて室温から195°Cにまて昇温した。
置およびアルゴンガス吹込管を備えた内容積5fLの反
応器に、2,6−シクロロペンゾニトリル32.34g
(0,i88モル)、4.4’−ビフェノール139
.66g (0,75モル)、炭酸カリウム124.3
9g (0,9モル)およびN−メチル−2−ピロリド
ン1.5文を入れ、アルゴンガスを吹込みながら、1時
間かけて室温から195°Cにまて昇温した。
昇温後、少量のトルエンを加えて生成する水を共佛によ
り除去した。
り除去した。
次いて、温度195℃において30分間かけて反応を行
なった後、4.4′−ジフルオロベンゾフェノン122
.85g (0,563モル)をN−メチル−2−ピロ
リドン1.5文に溶解した溶液を加えて、さらに1時間
かけて反応を行なフた。
なった後、4.4′−ジフルオロベンゾフェノン122
.85g (0,563モル)をN−メチル−2−ピロ
リドン1.5文に溶解した溶液を加えて、さらに1時間
かけて反応を行なフた。
反応終了後、生成物をブレンダ−(ワーニンク社製)で
粉砕し、アセトン、メタノール、水、アセトンの順に洗
浄を行なってから、乾燥させて、白色粉末状の共重合体
259.36g (収率98%)を得た。
粉砕し、アセトン、メタノール、水、アセトンの順に洗
浄を行なってから、乾燥させて、白色粉末状の共重合体
259.36g (収率98%)を得た。
このポリエーテル系共重合体の特性について測定したと
ころ、温度400℃における溶融粘度(ηm)(ゼロ剪
断粘度)は13.000ボイズてあり、ガラス転移温度
(Tg) 182°C1結晶融点(TI)379°C
1結晶化温度(Tcc) 241°C熱分解開始温度(
Td)か562℃(空気中、5%重量減)てあった。
ころ、温度400℃における溶融粘度(ηm)(ゼロ剪
断粘度)は13.000ボイズてあり、ガラス転移温度
(Tg) 182°C1結晶融点(TI)379°C
1結晶化温度(Tcc) 241°C熱分解開始温度(
Td)か562℃(空気中、5%重量減)てあった。
このポリエーテル系共重合体は、その赤外吸収スペクト
ル分析から、下記の繰り返し単位を有するものてあった
。
ル分析から、下記の繰り返し単位を有するものてあった
。
N
(ab )
(Ia ) / ((Ia ) + (II
b ) ) =0.25このポリマーを熱プレス
法(400℃)てフィルム化し、 250°Cて熱処理
することにより結晶化した厚さ25μmのフィルムを得
た。
b ) ) =0.25このポリマーを熱プレス
法(400℃)てフィルム化し、 250°Cて熱処理
することにより結晶化した厚さ25μmのフィルムを得
た。
このフィルムの表面にエポキシ樹脂系の接着剤を用いて
、電解銅箔を貼り合わせ、 120°C5kg/C■2
て加熱圧着してからテストパターンにエツチングしてフ
レキシブルプリント回路基板(FPC)を作成した。こ
のFPCについて第1表に示した諸特性を測定した。
、電解銅箔を貼り合わせ、 120°C5kg/C■2
て加熱圧着してからテストパターンにエツチングしてフ
レキシブルプリント回路基板(FPC)を作成した。こ
のFPCについて第1表に示した諸特性を測定した。
(実施例2)
式(Ia )て表わされる繰返し単位の割合か、(Ia
)/ ((Ia )+ (nb )) =OJになる
ように原料仕込み量を変更した外は前記実施例1と同様
にしてポリエーテル系共重合体を製造し、溶融粘度[η
m]か16,000ボイズてあり、ガラス転移温度[T
g]か185°Cてあり、結晶融点[Tm]か348℃
であり、結晶化温度[Tcc]か250°Cてあり、熱
分解開始温度[Td]か560°Cであるポリマーを得
た。
)/ ((Ia )+ (nb )) =OJになる
ように原料仕込み量を変更した外は前記実施例1と同様
にしてポリエーテル系共重合体を製造し、溶融粘度[η
m]か16,000ボイズてあり、ガラス転移温度[T
g]か185°Cてあり、結晶融点[Tm]か348℃
であり、結晶化温度[Tcc]か250°Cてあり、熱
分解開始温度[Td]か560°Cであるポリマーを得
た。
このポリマーを用いて、実施例1と同様にしてフィルム
化、結晶化した後に、電解銅箔を用いてFPCを作成し
、諸特性を測定した。
化、結晶化した後に、電解銅箔を用いてFPCを作成し
、諸特性を測定した。
(比較例)
市販のポリイミドフィルム(デュポン社製、商品名「カ
プトンJ 200H)を用いて、実施例1と同様に電解
銅箔を用いてFPCを作成し、同様に諸特性を測定して
第1表に比較した。
プトンJ 200H)を用いて、実施例1と同様に電解
銅箔を用いてFPCを作成し、同様に諸特性を測定して
第1表に比較した。
第1表により、吸水率および湿度膨張率において、本発
明のEPCは「カプトン」を用いたFPCより優れてい
ることかわかる。
明のEPCは「カプトン」を用いたFPCより優れてい
ることかわかる。
4、発明の効果
本発明によると、#熱性、機械的特性等の緒特性に優れ
るとともに、特に吸水率および吸湿膨張率か小さくて、
吸湿に伴なう変形かなく、寸法安定性に優れたポリエー
テル系共重合体からなる結晶性フィルムの絶縁基板から
なるフレキシフルブワント回路基板を提供することかで
きる。
るとともに、特に吸水率および吸湿膨張率か小さくて、
吸湿に伴なう変形かなく、寸法安定性に優れたポリエー
テル系共重合体からなる結晶性フィルムの絶縁基板から
なるフレキシフルブワント回路基板を提供することかで
きる。
Claims (1)
- (1)次式( I ); ▲数式、化学式、表等があります▼ ( I ) で表わされる繰り返し単位および次式(II); ▲数式、化学式、表等があります▼ (II) で表される繰り返し単位からなり、前記式( I )で表
される繰り返し単位の組成比[モル比:( I )/{(
I )+(II)}]が0.15〜0.40モルであると
ともに、400℃における溶融粘度が3,000〜10
0,800ポイズであるポリエーテル系共重合体樹脂か
らなる結晶性フィルムを絶縁基板とし、この絶縁基板に
導電層を設けてなることを特徴とするフレキシブルプリ
ント回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15641790A JP2913417B2 (ja) | 1990-06-13 | 1990-06-13 | フレキシブルプリント回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15641790A JP2913417B2 (ja) | 1990-06-13 | 1990-06-13 | フレキシブルプリント回路基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0448678A true JPH0448678A (ja) | 1992-02-18 |
| JP2913417B2 JP2913417B2 (ja) | 1999-06-28 |
Family
ID=15627300
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15641790A Expired - Lifetime JP2913417B2 (ja) | 1990-06-13 | 1990-06-13 | フレキシブルプリント回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2913417B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006249443A (ja) * | 2006-05-19 | 2006-09-21 | Mitsubishi Plastics Ind Ltd | ポリアリールケトン系樹脂フィルム |
| CN107914403A (zh) * | 2017-11-14 | 2018-04-17 | 电子科技大学 | 一种耐高温挠性覆铜板基材的制备技术 |
-
1990
- 1990-06-13 JP JP15641790A patent/JP2913417B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006249443A (ja) * | 2006-05-19 | 2006-09-21 | Mitsubishi Plastics Ind Ltd | ポリアリールケトン系樹脂フィルム |
| CN107914403A (zh) * | 2017-11-14 | 2018-04-17 | 电子科技大学 | 一种耐高温挠性覆铜板基材的制备技术 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2913417B2 (ja) | 1999-06-28 |
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