JPH0450780A - 半導体評価装置 - Google Patents
半導体評価装置Info
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- JPH0450780A JPH0450780A JP16080990A JP16080990A JPH0450780A JP H0450780 A JPH0450780 A JP H0450780A JP 16080990 A JP16080990 A JP 16080990A JP 16080990 A JP16080990 A JP 16080990A JP H0450780 A JPH0450780 A JP H0450780A
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- Japan
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- jig
- electrode
- fet
- semiconductor element
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体評価装置に関し、特に、高周波用ト
ランジスタの電気的特性を測定する装置に関するもので
ある。
ランジスタの電気的特性を測定する装置に関するもので
ある。
高周波用半導体素子、特に電界効果トランジスタなどの
高周波性能を評価する場合、その測定精度には充分注意
する必要がある。特に半導体素子の電極端子と測定装置
の端子間の接触状態は半導体素子の特性評価に大きな影
響を与える。
高周波性能を評価する場合、その測定精度には充分注意
する必要がある。特に半導体素子の電極端子と測定装置
の端子間の接触状態は半導体素子の特性評価に大きな影
響を与える。
第３図（ａ）は高周波用半導体素子、例えば電界効果ト
ランジスタ（以下ＦＥＴという）のパッケージを示す平
面図であり、第３図価）および第３図（Ｃ１は、第３図
（ａｌの側面図および斜視図である。
ランジスタ（以下ＦＥＴという）のパッケージを示す平
面図であり、第３図価）および第３図（Ｃ１は、第３図
（ａｌの側面図および斜視図である。
このようなＦＥＴ０高周波電気特性を測定する為、測定
装置内に、ＦＥＴを搭載する治具を用いている。第４図
（ａ）は従来の技術によるこの種の治具にＦＥＴを搭載
した場合の一例を示す平面図であり、第４図価）は第４
図（ａｌ側面図である。
装置内に、ＦＥＴを搭載する治具を用いている。第４図
（ａ）は従来の技術によるこの種の治具にＦＥＴを搭載
した場合の一例を示す平面図であり、第４図価）は第４
図（ａｌ側面図である。
第３図において（１）はＦＥＴ、！２＋は第１の誘電体
基板、（２ａ）および（２ｂ）は前記第１の誘電体基板
（２）上に設けられた金属膜で（２ａ）は第１のＦＥＴ
電極、（２ｂ）は第２のＦＥＴ電極、（３）は第２の誘
電体基板、（４）は第２のＦＥＴ電極（２ｂ）が接触し
ている外囲金属、（５）はキャップである。（６）はＦ
ＥＴ取付用ネジ穴、（７）はベース金属である。
基板、（２ａ）および（２ｂ）は前記第１の誘電体基板
（２）上に設けられた金属膜で（２ａ）は第１のＦＥＴ
電極、（２ｂ）は第２のＦＥＴ電極、（３）は第２の誘
電体基板、（４）は第２のＦＥＴ電極（２ｂ）が接触し
ている外囲金属、（５）はキャップである。（６）はＦ
ＥＴ取付用ネジ穴、（７）はベース金属である。
第４図において（１１は第３図に示されるＦＥＴ。
（８）はＦ Ｅ Ｔ （１）を搭載する治具ヘース、（
９）は治具ヘース（８）上に固着された第３の誘電体基
板の（９ａ）および（９ｂ）は第３の誘電体基板（９）
上に設けられた金属膜で（９ａ）は第１の治具電極、（
９ｂ）は第２の治具電極、ａ＠はコネクタ、ａυはコネ
クタを取付ける第１の金属板である。（２）はＦ Ｅ
Ｔ （１１の電極端子である第１のＦＥＴ電極（２ａ）
および第２のＦＥＴ電極（２ｂ）と第１の治具電極（９
ａ）および第２０治具電極（９ｂ）を各々接続する第２
の金属板である。Ｃ３はＦＥ Ｔ （１）を治具ヘース
（８）に固定するためのネジ、圓はコネクタα鴫の中心
導体である。
９）は治具ヘース（８）上に固着された第３の誘電体基
板の（９ａ）および（９ｂ）は第３の誘電体基板（９）
上に設けられた金属膜で（９ａ）は第１の治具電極、（
９ｂ）は第２の治具電極、ａ＠はコネクタ、ａυはコネ
クタを取付ける第１の金属板である。（２）はＦ Ｅ
Ｔ （１１の電極端子である第１のＦＥＴ電極（２ａ）
および第２のＦＥＴ電極（２ｂ）と第１の治具電極（９
ａ）および第２０治具電極（９ｂ）を各々接続する第２
の金属板である。Ｃ３はＦＥ Ｔ （１）を治具ヘース
（８）に固定するためのネジ、圓はコネクタα鴫の中心
導体である。
ここで、第１の治具電極（９ａ）は中心導体０荀に接触
し、第２０治具ｉ！権（９ｂ）は、第１の金属板ａυに
接触している。
し、第２０治具ｉ！権（９ｂ）は、第１の金属板ａυに
接触している。
次に動作について説明する。Ｆ Ｅ Ｔ （１１上の電
極端子である第１のＦＥＴ＠極（２ａ）および第２のＦ
ＥＴ電極（２ｂ）は高周波の平面回路である。第１のＦ
ＥＴ電極（２ａ）は中心線路、第２のＦＥＴ電極（２ｂ
）はグランド線路であり、いわゆるコープレーナ線路を
構成しており、入力用及び出力用の電極端子として機能
する。
極端子である第１のＦＥＴ＠極（２ａ）および第２のＦ
ＥＴ電極（２ｂ）は高周波の平面回路である。第１のＦ
ＥＴ電極（２ａ）は中心線路、第２のＦＥＴ電極（２ｂ
）はグランド線路であり、いわゆるコープレーナ線路を
構成しており、入力用及び出力用の電極端子として機能
する。
Ｆ Ｅ Ｔ （１）の高周波特性を測定する際にはＦＥ
Ｔ（１１を評価治具の治具ヘース（８）上にネジαコで
取付ける。治具ベース（８）上に固着された第３の誘電
体基板（９）上に設けられた金属膜の第１の治具電極（
９ａ）および第２０治具電極（９ｂ）は前記Ｆ Ｅ Ｔ
（１１の第１のＦＥＴ電極（２ａ）および第２のＦＥ
Ｔ電極（２ｂ）と同様にコープレーナ線路となっている
。Ｆ Ｅ Ｔ （１＋と治具との電気的接続を行う為、
第１のＦＥＴ電極（２ａ）と第１の治具電極（９ａ）、
および第２のＦＥＴ１ｔ極（２ｂ）と第２の治具電極（
９ｂ）をそれぞれ第２の金属板似で接触させている０例
えば金リボンの熱圧着方法などとっている。さらに、コ
ネクタ側で治具と測定装置本体を電気的に接続させ、電
気信号の入出力を行い、Ｆ Ｅ Ｔ （１＋の特性を測
定している。
Ｔ（１１を評価治具の治具ヘース（８）上にネジαコで
取付ける。治具ベース（８）上に固着された第３の誘電
体基板（９）上に設けられた金属膜の第１の治具電極（
９ａ）および第２０治具電極（９ｂ）は前記Ｆ Ｅ Ｔ
（１１の第１のＦＥＴ電極（２ａ）および第２のＦＥ
Ｔ電極（２ｂ）と同様にコープレーナ線路となっている
。Ｆ Ｅ Ｔ （１＋と治具との電気的接続を行う為、
第１のＦＥＴ電極（２ａ）と第１の治具電極（９ａ）、
および第２のＦＥＴ１ｔ極（２ｂ）と第２の治具電極（
９ｂ）をそれぞれ第２の金属板似で接触させている０例
えば金リボンの熱圧着方法などとっている。さらに、コ
ネクタ側で治具と測定装置本体を電気的に接続させ、電
気信号の入出力を行い、Ｆ Ｅ Ｔ （１＋の特性を測
定している。
〔発明が解決しようとする８１り
従来の半導体素子電気的特性測定装置は以上のように構
成されていたので、Ｆ Ｅ Ｔ ｆｉ＋のネジα謙どめ
や第２の金１１ｆｉ板（財）によるＦＥＴ１ｔ極（２ａ
）、 （２ｂ）と治具電極（９ａ）、（９ｂ）接続を個
々のＦＥＴに対して行なわねばならず、時間がかかる、
また第２の金属板（２）の取゛り付は方によっては正し
い特性測定結果が得られないという問題点があった。
成されていたので、Ｆ Ｅ Ｔ ｆｉ＋のネジα謙どめ
や第２の金１１ｆｉ板（財）によるＦＥＴ１ｔ極（２ａ
）、 （２ｂ）と治具電極（９ａ）、（９ｂ）接続を個
々のＦＥＴに対して行なわねばならず、時間がかかる、
また第２の金属板（２）の取゛り付は方によっては正し
い特性測定結果が得られないという問題点があった。
さらに測定後、第２の金属板−をＦ Ｅ Ｔ （１）の
電極（２ａ）、 （２ｂ）からきれいに除くことができ
ないという問題点もあった。
電極（２ａ）、 （２ｂ）からきれいに除くことができ
ないという問題点もあった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たち・ので、半導体素子の測定装置内治具への固着と電
気的接続を同時に、しかも容易に行うことができる電気
的特性測定装置を得ることを目的とする。
たち・ので、半導体素子の測定装置内治具への固着と電
気的接続を同時に、しかも容易に行うことができる電気
的特性測定装置を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体評価装置は、コープレーナ型平面
回路を電極端子とする半導体素子の電気的特性を測定す
る装置であって前記半導体素子の電極端子と電気的に接
続されているコネクタ電極部と、前記半導体素子を載置
する載置部と、前記半導体素子を前記載置部に固定する
固定部とを備え、前記コネクタ電極部と前記固定部が一
体となり、載置された半導体素子の上を上下に動くこと
を特徴としたものである。
回路を電極端子とする半導体素子の電気的特性を測定す
る装置であって前記半導体素子の電極端子と電気的に接
続されているコネクタ電極部と、前記半導体素子を載置
する載置部と、前記半導体素子を前記載置部に固定する
固定部とを備え、前記コネクタ電極部と前記固定部が一
体となり、載置された半導体素子の上を上下に動くこと
を特徴としたものである。
この発明における半導体素子の電気的特性測定装置は電
気信号入出力用コネクタ電極部及び半導体素子を載置部
に固定する固定部を一体化して構成し、半導体素子の設
置された載置部の上からおとして電気的接続並びに半導
体素子の載置部への固定が同時に行なわれる。
気信号入出力用コネクタ電極部及び半導体素子を載置部
に固定する固定部を一体化して構成し、半導体素子の設
置された載置部の上からおとして電気的接続並びに半導
体素子の載置部への固定が同時に行なわれる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図は、この発明の一実施例による測定装置の治具に、第
３図（ａｌ〜（Ｃ１に示すＦ Ｅ Ｔ ｆｌ）を搭載し
た側面図である。第１図において、（１）はＦＥＴ、（
２）はＦ Ｅ Ｔ １１の１極端子用誘電体、（４）は
Ｆ Ｅ Ｔ （１）の外囲金属、（５）はＦ Ｅ ７１
１１のキャンプ、（７）はへ−ス金属、（Ｂ）は治具ベ
ース、Ｑ〔はコネクタ、（２１）は棒、（２２〉はバネ
、（２３）は金属板、（２４）はネジであり、（２５）
はこれらを取付た測定用治具上フタ、（２６）はコネク
タ電極部である。第２図は第１図のコネクタ電極部（２
６）を詳細に示した部分拡大図、およびコネクタ電極部
（２６）が、Ｆ Ｅ Ｔ ｆ１＋と接続する様子を示し
た図で、（２７）は誘電体に囲まれた金属でできた中心
導体、（２８）は治具上フタ（２５）に取り付けられた
金属板端子である。また（２ａ）は第１０ＦＥＴ電極、
（２ｂ）は第２のＦＥＴ電極である。
図は、この発明の一実施例による測定装置の治具に、第
３図（ａｌ〜（Ｃ１に示すＦ Ｅ Ｔ ｆｌ）を搭載し
た側面図である。第１図において、（１）はＦＥＴ、（
２）はＦ Ｅ Ｔ １１の１極端子用誘電体、（４）は
Ｆ Ｅ Ｔ （１）の外囲金属、（５）はＦ Ｅ ７１
１１のキャンプ、（７）はへ−ス金属、（Ｂ）は治具ベ
ース、Ｑ〔はコネクタ、（２１）は棒、（２２〉はバネ
、（２３）は金属板、（２４）はネジであり、（２５）
はこれらを取付た測定用治具上フタ、（２６）はコネク
タ電極部である。第２図は第１図のコネクタ電極部（２
６）を詳細に示した部分拡大図、およびコネクタ電極部
（２６）が、Ｆ Ｅ Ｔ ｆ１＋と接続する様子を示し
た図で、（２７）は誘電体に囲まれた金属でできた中心
導体、（２８）は治具上フタ（２５）に取り付けられた
金属板端子である。また（２ａ）は第１０ＦＥＴ電極、
（２ｂ）は第２のＦＥＴ電極である。
次に動作について説明する。第１図に示される様に被測
定Ｆ Ｅ Ｔ ｆｌ）が治具ヘース（８）上に置かれた
後、測定用治具上フタ（２５）を真上からおろし、治具
ベース（８）と治具上フタ（２５）を固定する。このと
きＦ Ｅ Ｔ ｆｉ＋は棒（２＋、）（例えばテフロン
やジュラコンなど）により圧迫され、治具ベース（８）
に押さえつけられ固定される。棒（２１）で押さえられ
る力はバネ（２２〉の強度により決まる。
定Ｆ Ｅ Ｔ ｆｌ）が治具ヘース（８）上に置かれた
後、測定用治具上フタ（２５）を真上からおろし、治具
ベース（８）と治具上フタ（２５）を固定する。このと
きＦ Ｅ Ｔ ｆｉ＋は棒（２＋、）（例えばテフロン
やジュラコンなど）により圧迫され、治具ベース（８）
に押さえつけられ固定される。棒（２１）で押さえられ
る力はバネ（２２〉の強度により決まる。
また、第２図に示されるようにＦ Ｅ Ｔ １１の電極
端子用誘電体（２）は、コネクタ電極部（２６）の凹部
にはめ込まれ、そのときＦ Ｅ Ｔ （１１の第１およ
び第２のＦＥＴ電極（２ａ）および（２ｂ）は治具上フ
タ（２５）にとりつけられたコネクタ中心導体（２７）
および金属板端子（２日）とそれぞれ接触され、Ｆ Ｅ
Ｔ ｌ）と治具の電気的接続が行なわれる。
端子用誘電体（２）は、コネクタ電極部（２６）の凹部
にはめ込まれ、そのときＦ Ｅ Ｔ （１１の第１およ
び第２のＦＥＴ電極（２ａ）および（２ｂ）は治具上フ
タ（２５）にとりつけられたコネクタ中心導体（２７）
および金属板端子（２日）とそれぞれ接触され、Ｆ Ｅ
Ｔ ｌ）と治具の電気的接続が行なわれる。
さらに、コネクタ（至）で治具と測定装置本体を電気的
に接続させ、電気信号の入出力を行い、ＦＥＴ ｆｌ）
の特性を測定する。
に接続させ、電気信号の入出力を行い、ＦＥＴ ｆｌ）
の特性を測定する。
なお、上記実施例ではコープレーナ型電極をもつ半導体
素子の場合について説明したが、マイクロストリップ線
路など他の電極端子をもつ半導体素子であってもよく、
上記実施例と同様の効果を奏する。
素子の場合について説明したが、マイクロストリップ線
路など他の電極端子をもつ半導体素子であってもよく、
上記実施例と同様の効果を奏する。
以上のようにこの発明によれば半導体素子の電気的特性
測定装置の治具を治具上フタに、ＦＥＴの固定部及び電
気的接続用コネクタ電極部を一体化して構成したものと
、ＦＥＴの載置部との２つに分けた構造としたので、測
定の再ＦＥＴの固定並びに電気的接続が同時にでき、容
易に、また時間的に速く測定が可能となる。
測定装置の治具を治具上フタに、ＦＥＴの固定部及び電
気的接続用コネクタ電極部を一体化して構成したものと
、ＦＥＴの載置部との２つに分けた構造としたので、測
定の再ＦＥＴの固定並びに電気的接続が同時にでき、容
易に、また時間的に速く測定が可能となる。
第１図はこの発明の一実施例による半導体素子の特性測
定装置の治具に半導体素子を搭載したものを示す側面図
、第２図は第１図のコネクタ周辺部を詳細に示した部分
拡大図、およびコネクタ周辺部が半導体素子と接続する
様子を示した図、第３図は半導体素子の一例を示した平
面図、側面図および斜視図、第４図は従来の測定装置の
治具を示す平面図および側面図である。 （１）は半導体素子、（８）は治具ベース、（２１）は
棒、（２６）はコネクタ電極部である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 第１図 １ 牛導イ＋未子 ８、堆臭ベース ２ｊ＃ ２払、コネクタを極部 第２図 第３図
定装置の治具に半導体素子を搭載したものを示す側面図
、第２図は第１図のコネクタ周辺部を詳細に示した部分
拡大図、およびコネクタ周辺部が半導体素子と接続する
様子を示した図、第３図は半導体素子の一例を示した平
面図、側面図および斜視図、第４図は従来の測定装置の
治具を示す平面図および側面図である。 （１）は半導体素子、（８）は治具ベース、（２１）は
棒、（２６）はコネクタ電極部である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 第１図 １ 牛導イ＋未子 ８、堆臭ベース ２ｊ＃ ２払、コネクタを極部 第２図 第３図
Claims (1)
- コープレーナ型平面回路を電極端子とする半導体素子
の電気的特性を測定する装置において、前記半導体素子
の電極端子と電気的に接続されるコネクタ電極部と、前
記半導体素子を載置する載置部と、前記半導体素子を前
記載置部に固定する固定部とを備え、前記コネクタ電極
部と前記固定部が一体となり、載置された半導体素子の
上を上下に動くことを特徴とする、半導体評価装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16080990A JPH0450780A (ja) | 1990-06-18 | 1990-06-18 | 半導体評価装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16080990A JPH0450780A (ja) | 1990-06-18 | 1990-06-18 | 半導体評価装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0450780A true JPH0450780A (ja) | 1992-02-19 |
Family
ID=15722900
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16080990A Pending JPH0450780A (ja) | 1990-06-18 | 1990-06-18 | 半導体評価装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0450780A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004279110A (ja) * | 2003-03-13 | 2004-10-07 | Soshin Electric Co Ltd | アンテナ測定装置及びアンテナ測定方法 |
| JP2015015279A (ja) * | 2013-07-03 | 2015-01-22 | 三菱電機株式会社 | 高周波装置、高周波装置の検査方法 |
-
1990
- 1990-06-18 JP JP16080990A patent/JPH0450780A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004279110A (ja) * | 2003-03-13 | 2004-10-07 | Soshin Electric Co Ltd | アンテナ測定装置及びアンテナ測定方法 |
| JP2015015279A (ja) * | 2013-07-03 | 2015-01-22 | 三菱電機株式会社 | 高周波装置、高周波装置の検査方法 |
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