JPH0451557B2 - - Google Patents
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- JPH0451557B2 JPH0451557B2 JP22271885A JP22271885A JPH0451557B2 JP H0451557 B2 JPH0451557 B2 JP H0451557B2 JP 22271885 A JP22271885 A JP 22271885A JP 22271885 A JP22271885 A JP 22271885A JP H0451557 B2 JPH0451557 B2 JP H0451557B2
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＶ族金属エタンジチオラート錯体およ
びその製造方法に関し、詳しくは特定の式で表わ
される新規なＶ族金属エタンジチオラート錯体お
よびその効率のよい製造方法に関する。
びその製造方法に関し、詳しくは特定の式で表わ
される新規なＶ族金属エタンジチオラート錯体お
よびその効率のよい製造方法に関する。
ニオブ、タンタル等の周期表第Ｖ族金属のカル
コゲニド化合物は、特有の電磁気的性質等、興味
深い物性を示す無機高分子化合物であり、最近
様々な分野で注目を浴びてきている。
コゲニド化合物は、特有の電磁気的性質等、興味
深い物性を示す無機高分子化合物であり、最近
様々な分野で注目を浴びてきている。
しかし、これまでのところ上述の無機高分子化
合物を製造するには、Ｖ族金属の粉末とカルコゲ
ンを混合したものを500〜1000℃の高温下で固相
反応させる方法に限られていた。しかも、この固
相反応によつて得られる無機高分子化合物は、必
ずしも所望する物性を示さず、実用的価値のある
ものはなかなか製造することができなかつた。
合物を製造するには、Ｖ族金属の粉末とカルコゲ
ンを混合したものを500〜1000℃の高温下で固相
反応させる方法に限られていた。しかも、この固
相反応によつて得られる無機高分子化合物は、必
ずしも所望する物性を示さず、実用的価値のある
ものはなかなか製造することができなかつた。
そこで、本発明者らは、上述の固相反応による
方法の欠点を解消し、全く新たな方法で効率よく
しかも物性のすぐれた上記無機高分子化合物であ
るＶ族金属カルコゲニドを製造すべく鋭意研究を
重ねた。
方法の欠点を解消し、全く新たな方法で効率よく
しかも物性のすぐれた上記無機高分子化合物であ
るＶ族金属カルコゲニドを製造すべく鋭意研究を
重ねた。
その結果、錯体化学的な新しい手法を採用し
て、特定のＶ族金属錯体を熱分解することによ
り、目的とする物性を有するＶ族金属カルコゲニ
ドを製造することに成功した。また、その研究過
程において、本発明者らは上述の熱分解原料とし
てのＶ族金属錯体として、全く新たな錯体を開発
することにも成功した。
て、特定のＶ族金属錯体を熱分解することによ
り、目的とする物性を有するＶ族金属カルコゲニ
ドを製造することに成功した。また、その研究過
程において、本発明者らは上述の熱分解原料とし
てのＶ族金属錯体として、全く新たな錯体を開発
することにも成功した。
本発明の目的は、すぐれた物性を有する無機高
分子化合物たるＶ族金属カルコゲニドの製造原料
として有用な新規なＶ族金属錯体を提供するこ
と、およびこの錯体の有効な製造方法を提供する
ことにある。
分子化合物たるＶ族金属カルコゲニドの製造原料
として有用な新規なＶ族金属錯体を提供するこ
と、およびこの錯体の有効な製造方法を提供する
ことにある。
すなわち本発明は、
一般式
〔（C6H5）4Ｐ〕〔Ｍ（S2C2H4）3〕 …（）
（式中、Ｍはニオブあるいはタンタルを示す。）
で表わされるＶ族金属エタンジチオラート錯体を
提供するものであり、またこの一般式（）で表
わされるＶ族金属エタンジチオラート錯体を製造
する方法として、一般式MX1 5（式中、X1はハロ
ゲン原子を示し、Ｍは前記と同じである。で表わ
される五ハロゲン化金属、式 LiSCH2CH2SLi
で表わされるエタンジチオールのリチウム塩およ
び一般式（C6H5）4PX2（式中、X2はハロゲン原子
を示す。）で表わされるハロゲン化テトラフエニ
ルホスホニウムをアセトニトリルの存在下で反応
させる方法（以下「方法１」という。）、ならびに
一般式MX1 5（式中、Ｍ，X1は前記と同じ。）で
表わされる五ハロゲン化金属および式 LiSCH2
CH2SLiで表わされるエタンジチオールのリチウ
ム塩を不活性炭化水素溶媒の存在下で反応させ、
次いで得られた反応生成物にテトラヒドロフラン
を加えて一般式 〔Li（thf）3〕〔Ｍ（S2C2H4）3〕（式中、（thf）は
テトラヒドロフランを示し、Ｍは前記と同じであ
る。）で表わされるリチウム含有錯体を得、しか
る後に該錯体を一般式（C6H5）4PX2（式中、X2は
前記と同じ。）で表わされるハロゲン化テトラフ
エニルホスホニウムと反応させる方法（以下「方
法２」という。）を提供するものである。
で表わされるＶ族金属エタンジチオラート錯体を
提供するものであり、またこの一般式（）で表
わされるＶ族金属エタンジチオラート錯体を製造
する方法として、一般式MX1 5（式中、X1はハロ
ゲン原子を示し、Ｍは前記と同じである。で表わ
される五ハロゲン化金属、式 LiSCH2CH2SLi
で表わされるエタンジチオールのリチウム塩およ
び一般式（C6H5）4PX2（式中、X2はハロゲン原子
を示す。）で表わされるハロゲン化テトラフエニ
ルホスホニウムをアセトニトリルの存在下で反応
させる方法（以下「方法１」という。）、ならびに
一般式MX1 5（式中、Ｍ，X1は前記と同じ。）で
表わされる五ハロゲン化金属および式 LiSCH2
CH2SLiで表わされるエタンジチオールのリチウ
ム塩を不活性炭化水素溶媒の存在下で反応させ、
次いで得られた反応生成物にテトラヒドロフラン
を加えて一般式 〔Li（thf）3〕〔Ｍ（S2C2H4）3〕（式中、（thf）は
テトラヒドロフランを示し、Ｍは前記と同じであ
る。）で表わされるリチウム含有錯体を得、しか
る後に該錯体を一般式（C6H5）4PX2（式中、X2は
前記と同じ。）で表わされるハロゲン化テトラフ
エニルホスホニウムと反応させる方法（以下「方
法２」という。）を提供するものである。
前記一般式（）で表わされる本発明のＶ族金
属エタンジチオラート錯体は、具体的には 式〔（C6H5）4Ｐ〕〔Nb（S2C2H4）3〕で表わされ
るニオブエタンジチオラート錯体あるいは式
〔（C6H5）4Ｐ〕〔Ta（S2C2H4）3〕で表わされるタン
タルエタジチオラート錯体をあげることができ
る。
属エタンジチオラート錯体は、具体的には 式〔（C6H5）4Ｐ〕〔Nb（S2C2H4）3〕で表わされ
るニオブエタンジチオラート錯体あるいは式
〔（C6H5）4Ｐ〕〔Ta（S2C2H4）3〕で表わされるタン
タルエタジチオラート錯体をあげることができ
る。
前述した本発明の方法１によつて、上記Ｖ族金
属エタンジチオラート錯体を製造するには、五ハ
ロゲン化金属、エタンジチオールのリチウム塩お
よびハロゲン化テトラフエニルホスホニウムをア
セトニトリルの存在下で反応させればよい。ここ
で五ハロゲン化金属は一般式MX1 5で表わされる
ものであり、具体的には五塩化ニオブ（NbCl5），
五塩化タンタル（TaCl5），五臭化ニオブ
（NbBr5），五臭化タンタル（TaBr5）などがあげ
られる。
属エタンジチオラート錯体を製造するには、五ハ
ロゲン化金属、エタンジチオールのリチウム塩お
よびハロゲン化テトラフエニルホスホニウムをア
セトニトリルの存在下で反応させればよい。ここ
で五ハロゲン化金属は一般式MX1 5で表わされる
ものであり、具体的には五塩化ニオブ（NbCl5），
五塩化タンタル（TaCl5），五臭化ニオブ
（NbBr5），五臭化タンタル（TaBr5）などがあげ
られる。
またエタンジチオールのリチウム塩は
式 LiSCH2CH2SLiで表わされるジリチウム
塩である。さらに、ハロゲン化テトラフエニルホ
スホニウムは、一般式（C6H5）4PX2で表わされ
るが、具体的には塩化テトラフエニルホスホニウ
ム（（C6H5）4PCl），臭化テトラフエニルホスホニ
ウム（（C6H5）4PBr）などがあげられる。本発明
の方法１では、上記の各化合物をアセトニトリル
の存在下で反応させればよく、その反応順序等に
ついては特に制限はないが、好ましくはまず五ハ
ロゲン化金属とエタンジチオールのリチウム塩と
をアセトニトリル中で反応させ、次いでこの反応
生成物をアセトニトリル中でハロゲン化テトラフ
エニルホスホニウムと反応させる。また、この際
の反応温度についても特に制限はなく適宜選定す
ればよいが、一般に−40℃〜50℃、好ましくは０
℃〜20℃程度の範囲で反応を進行させればよい。
塩である。さらに、ハロゲン化テトラフエニルホ
スホニウムは、一般式（C6H5）4PX2で表わされ
るが、具体的には塩化テトラフエニルホスホニウ
ム（（C6H5）4PCl），臭化テトラフエニルホスホニ
ウム（（C6H5）4PBr）などがあげられる。本発明
の方法１では、上記の各化合物をアセトニトリル
の存在下で反応させればよく、その反応順序等に
ついては特に制限はないが、好ましくはまず五ハ
ロゲン化金属とエタンジチオールのリチウム塩と
をアセトニトリル中で反応させ、次いでこの反応
生成物をアセトニトリル中でハロゲン化テトラフ
エニルホスホニウムと反応させる。また、この際
の反応温度についても特に制限はなく適宜選定す
ればよいが、一般に−40℃〜50℃、好ましくは０
℃〜20℃程度の範囲で反応を進行させればよい。
一方、本発明の方法２によつて、Ｖ族金属エタ
ンジチオラート錯体を製造するには、まず前述の
五ハロゲン化金属とエタンジチオールのリチウム
塩とをベンゼン，トルエン，キシレン等の不活性
炭化水素溶媒の存在下で反応させる。次に、この
反応の生成物にテトラヒドロフランを加えると、
式〔Li（thf）3〕〔Nb（S2C2H4）3〕や式〔Li（thf）3
〕
〔Ta（S2C2H4）3〕で表わされるリチウム含有錯体
が得られる。さらに、このリチウム含有錯体を前
述のハロゲン化テトラフエニルホスホニウムと反
応させれば目的とするＶ族金属エタンジチオラー
ト錯体が得られる。ここで、リチウム含有錯体と
ハロゲン化テトラフエニルホスホニウムを反応さ
せるにあたつては、アセトニトリル等の溶媒中で
行なうことが好ましい。また、上記方法２の一連
の反応は、様々な温度条件下で進行するが、通常
は−40℃〜50℃、好ましくは０℃〜20℃の範囲に
設定すればよい。
ンジチオラート錯体を製造するには、まず前述の
五ハロゲン化金属とエタンジチオールのリチウム
塩とをベンゼン，トルエン，キシレン等の不活性
炭化水素溶媒の存在下で反応させる。次に、この
反応の生成物にテトラヒドロフランを加えると、
式〔Li（thf）3〕〔Nb（S2C2H4）3〕や式〔Li（thf）3
〕
〔Ta（S2C2H4）3〕で表わされるリチウム含有錯体
が得られる。さらに、このリチウム含有錯体を前
述のハロゲン化テトラフエニルホスホニウムと反
応させれば目的とするＶ族金属エタンジチオラー
ト錯体が得られる。ここで、リチウム含有錯体と
ハロゲン化テトラフエニルホスホニウムを反応さ
せるにあたつては、アセトニトリル等の溶媒中で
行なうことが好ましい。また、上記方法２の一連
の反応は、様々な温度条件下で進行するが、通常
は−40℃〜50℃、好ましくは０℃〜20℃の範囲に
設定すればよい。
上述の方法１あるいは方法２によれば、一般式
（）で表わされるＶ族金属エタンジチオラート
錯体の結晶が得られるが、さらにこの結晶をジメ
チルホルムアミド（DMF）等の溶媒に溶解し、
再結晶を行なえば一層純度の高い錯体が得られ
る。
（）で表わされるＶ族金属エタンジチオラート
錯体の結晶が得られるが、さらにこの結晶をジメ
チルホルムアミド（DMF）等の溶媒に溶解し、
再結晶を行なえば一層純度の高い錯体が得られ
る。
本発明の方法１，２によれば、高い収率でしか
も高純度のＶ族金属エタンジチオラート錯体が得
られる。また、このＶ族金属エタンジチオラート
錯体は、簡単な熱分解反応によつて、ニオブカル
コゲニドやタンタルカルコゲニドのＶ族金属カル
コゲニドと称される電気伝導性の良好な無機高分
子化合物となる。
も高純度のＶ族金属エタンジチオラート錯体が得
られる。また、このＶ族金属エタンジチオラート
錯体は、簡単な熱分解反応によつて、ニオブカル
コゲニドやタンタルカルコゲニドのＶ族金属カル
コゲニドと称される電気伝導性の良好な無機高分
子化合物となる。
したがつて、本発明のＶ族金属エタンジチオラ
ート錯体は、良好な電気伝導性を示す無機高分子
化合物の製造原料として有効に利用することがで
きる。
ート錯体は、良好な電気伝導性を示す無機高分子
化合物の製造原料として有効に利用することがで
きる。
実施例 １
（ニオブエタンジチオラート錯体の製造）
五塩化ニオブ（NbCl5）6.8g（25ミリモル）を
アセトニトリル50mlに溶かして五塩化ニオブ溶液
を調製した。一方、エタンジチオールのリチウム
塩（LiSCH2CH2SLi）8.2g（77ミリモル）をアセ
トニトリル80mlに懸濁した懸濁液を、０℃氷浴中
で攪拌し、ここへ前記五塩化ニオブ溶液を少量ず
つ添加した。反応は直ちに起こり、赤色溶液とな
つたが、そのまま１時間攪拌した。次に、デカン
テーシヨンと濾過によつて不純物を除去した後、
約1/3体積の溶媒を留去した。
アセトニトリル50mlに溶かして五塩化ニオブ溶液
を調製した。一方、エタンジチオールのリチウム
塩（LiSCH2CH2SLi）8.2g（77ミリモル）をアセ
トニトリル80mlに懸濁した懸濁液を、０℃氷浴中
で攪拌し、ここへ前記五塩化ニオブ溶液を少量ず
つ添加した。反応は直ちに起こり、赤色溶液とな
つたが、そのまま１時間攪拌した。次に、デカン
テーシヨンと濾過によつて不純物を除去した後、
約1/3体積の溶媒を留去した。
その後、得られた溶液に、臭化テトラフエニル
ホスホニウム（（C6H5）4PBr）9.6g（23ミリモル）
をアセトニトリル40mlに溶かした溶液を少量ずつ
加えたところ、約１分後に結晶が析出しはじめ
た。一晩、冷蔵庫に静置した後、粗結晶を濾取し
た。粗結晶の収量は13.6gであり、収率は77％で
あつた。
ホスホニウム（（C6H5）4PBr）9.6g（23ミリモル）
をアセトニトリル40mlに溶かした溶液を少量ずつ
加えたところ、約１分後に結晶が析出しはじめ
た。一晩、冷蔵庫に静置した後、粗結晶を濾取し
た。粗結晶の収量は13.6gであり、収率は77％で
あつた。
続いて、上記粗結晶1.4gを採り、これをジメチ
ルホルムアミド（DMF）40mlに溶解されて濾過
した後、約1/2体積のDMFを留去し、冷蔵庫に一
晩静置した。翌日、溶液を注射器で吸出して結晶
を少量のアセトニトリルおよびジエチルエーテル
で洗浄した後、６時間減圧乾燥した。その結果精
製された結晶1.2g（収率86％）が得られた。この
ものの分析結果は次のとおりであつた。
ルホルムアミド（DMF）40mlに溶解されて濾過
した後、約1/2体積のDMFを留去し、冷蔵庫に一
晩静置した。翌日、溶液を注射器で吸出して結晶
を少量のアセトニトリルおよびジエチルエーテル
で洗浄した後、６時間減圧乾燥した。その結果精
製された結晶1.2g（収率86％）が得られた。この
ものの分析結果は次のとおりであつた。
元素分析値（％）
炭素 水素 窒素 硫黄
計算値 50.68 5.04 1.79 24.60
実測値 50.61 4.95 1.84 24.75
〔（C6H5）4Ｐ〕〔Nb（S2C2H4）3〕・DMF，組成
式：NbC33H39NOPS6 プロトン核磁気共鳴スペクトル（ジメチルスルホ
キシド−d6）， δ 3.66（SCH2 12H，ｓ）， 7.84（（C6H5）4Ｐ 20H，ｍ）， 2.82（DMF ＣH3 6H，ｄ）， 8.04（DMF 1H，sbr） 遠赤外線吸収スペクトル（Nujol mull） 440w，354m，331m（cm-1） 紫外−可視光線吸収スペクトル（CH3CN） λ，nm（10-4ε，M-1cm-1）523（0.48），386
（1.02），325（1.14） 実施例 ２ （ニオブエタンジチオラート錯体の製造） 五塩化ニオブ（NbCl5）6.2g（23ミリモル）を
ベンゼン100mlに懸濁させ、０℃の氷浴中で攪拌
しながら、これにエタンジチオールのリチウム塩
（LiSCH2CH2SLi）7.5g（71ミリモル）を粉末のま
ま少量ずつ加えた。ベンゼンを留去した後、残つ
た赤褐色の固体にテトラヒドロフラン（THF）
を注ぐと約10分で赤色の溶液になつた。これを濾
過し濃縮したところ赤色結晶が得られた。収量は
5.9g、収率は43％（NbCl5基準）であつた。また
この赤色結晶はプロトン核磁気共鳴スペクトル，
遠赤外線吸収スペクトル，紫外−可視光線吸収ス
ペクトルの分析結果から 式〔Li（thf）3〕〔Nb（S2C2H4）3〕で表わされる
リチウム含有錯体であることがわかつた。
式：NbC33H39NOPS6 プロトン核磁気共鳴スペクトル（ジメチルスルホ
キシド−d6）， δ 3.66（SCH2 12H，ｓ）， 7.84（（C6H5）4Ｐ 20H，ｍ）， 2.82（DMF ＣH3 6H，ｄ）， 8.04（DMF 1H，sbr） 遠赤外線吸収スペクトル（Nujol mull） 440w，354m，331m（cm-1） 紫外−可視光線吸収スペクトル（CH3CN） λ，nm（10-4ε，M-1cm-1）523（0.48），386
（1.02），325（1.14） 実施例 ２ （ニオブエタンジチオラート錯体の製造） 五塩化ニオブ（NbCl5）6.2g（23ミリモル）を
ベンゼン100mlに懸濁させ、０℃の氷浴中で攪拌
しながら、これにエタンジチオールのリチウム塩
（LiSCH2CH2SLi）7.5g（71ミリモル）を粉末のま
ま少量ずつ加えた。ベンゼンを留去した後、残つ
た赤褐色の固体にテトラヒドロフラン（THF）
を注ぐと約10分で赤色の溶液になつた。これを濾
過し濃縮したところ赤色結晶が得られた。収量は
5.9g、収率は43％（NbCl5基準）であつた。また
この赤色結晶はプロトン核磁気共鳴スペクトル，
遠赤外線吸収スペクトル，紫外−可視光線吸収ス
ペクトルの分析結果から 式〔Li（thf）3〕〔Nb（S2C2H4）3〕で表わされる
リチウム含有錯体であることがわかつた。
続いて、このリチウム含有錯体2.5g（4.2ミリモ
ル）をアセトニトリル35mlに溶かし、これに臭化
テトラフエニルホスホニウム1.76g（4.2ミリモル）
のアセトニトリル30ml溶液を添加した。その結
果、結晶が生成し、収量2.7g、収率約90％であつ
た。
ル）をアセトニトリル35mlに溶かし、これに臭化
テトラフエニルホスホニウム1.76g（4.2ミリモル）
のアセトニトリル30ml溶液を添加した。その結
果、結晶が生成し、収量2.7g、収率約90％であつ
た。
この結晶を上記参考例１と同様の分析を行なつ
たところ、式〔（C6H5）4Ｐ〕〔Nb（S2C2H4）3〕で
表わされるニオブエタンジチオラート錯体である
ことが確認された。
たところ、式〔（C6H5）4Ｐ〕〔Nb（S2C2H4）3〕で
表わされるニオブエタンジチオラート錯体である
ことが確認された。
実施例 ３
（タンタルエタンジチオラート錯体の製造）
実施例１において五塩化ニオブの代わりに五塩
化タンタル（TaCl5）4.0g（11.8ミリモル）を用い
たこと以外は実施例１と同様の操作を行なつて結
晶を7.2g、収率77％にて得た。このものの分析結
果は次のとおりであつた。
化タンタル（TaCl5）4.0g（11.8ミリモル）を用い
たこと以外は実施例１と同様の操作を行なつて結
晶を7.2g、収率77％にて得た。このものの分析結
果は次のとおりであつた。
元素分析値（％）
炭素 水素 窒素 硫黄
計算値 45.55 4.53 1.61 22.11
実測値 45.31 4.49 1.64 22.00
〔（C6H5）4Ｐ〕〔Ta（S2C2H4）3〕・DMF，組成
式：TaC33H39NOPS6 プロトン核磁気共鳴スペクトル（ジメチルスルホ
キシド−d6）， δ 3.87（SCH2 12H，ｓ）， 7.85（C6H5）4Ｐ 20H，ｍ）， 2.82（DMF ＣH3 6H，ｄ）， 8.05（DMF 1H，sbr） 遠赤外線吸収スペクトル（Nujol mull） 442w，333m，307m（cm-1） 紫外−可視光線吸収スペクトル（CH3CN） λ，nm（10-4ε，M-1cm-1）441（0.62），342
（1.28），291（1.64）
式：TaC33H39NOPS6 プロトン核磁気共鳴スペクトル（ジメチルスルホ
キシド−d6）， δ 3.87（SCH2 12H，ｓ）， 7.85（C6H5）4Ｐ 20H，ｍ）， 2.82（DMF ＣH3 6H，ｄ）， 8.05（DMF 1H，sbr） 遠赤外線吸収スペクトル（Nujol mull） 442w，333m，307m（cm-1） 紫外−可視光線吸収スペクトル（CH3CN） λ，nm（10-4ε，M-1cm-1）441（0.62），342
（1.28），291（1.64）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式 〔（C6H5）4Ｐ〕〔Ｍ（S2C2H4）3〕 （式中、Ｍはニオブあるいはタンタルを示す。）
で表わされるＶ族金属エタンジチオラート錯体。 ２ 一般式 MX1 5（式中、Ｍはニオブあるいは
タンタルを示し、X1はハロゲン原子を示す。）で
表わされる五ハロゲン化金属， 式 LiSCH2CH2SLiで表わされるエタンジチオ
ールのリチウム塩および一般式（C6H5）4PX2（式
中、X2はハロゲン原子を示す。）で表わされるハ
ロゲン化テトラフエニルホスホニウムをアセトニ
トリルの存在下で反応させることを特徴とする一
般式〔（C6H5）4Ｐ〕〔Ｍ（S2C2H4）3〕（式中、Ｍは
前記と同じ。）で表わされるＶ族金属エタンジチ
オラート錯体の製造方法。 ３ 一般式 MX1 5（式中、Ｍはニオブあるいは
タンタルを示し、X1はハロゲン原子を示す。）で
表わされる五ハロゲン化金属および 式 LiSCH2CH2SLiで表わされるエタンジチオ
ールのリチウム塩を不活性炭化水素溶媒の存在下
で反応させ、次いで得られた反応生成物にテトラ
ヒドロフランを加えて一般式 〔Li（thf）3〕〔Ｍ（S2C2H4）3〕（式中、（thf）は
テトラヒドロフランを示し、Ｍは前記と同じであ
る。）で表わされるリチウム含有錯体を得、しか
る後に該錯体を一般式（C6H5）4PX2（式中、X2は
ハロゲン原子を示す。）で表わされるハロゲン化
テトラフエニルホスホニウムと反応させることを
特徴とする一般式 〔（C6H5）4Ｐ〕〔Ｍ（S2C2H4）3〕 （式中、Ｍは前記と同じ。）で表わされるＶ族金
属エタンジチオラート錯体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22271885A JPS6284093A (ja) | 1985-10-08 | 1985-10-08 | Ｖ族金属エタンジチオラ−ト錯体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22271885A JPS6284093A (ja) | 1985-10-08 | 1985-10-08 | Ｖ族金属エタンジチオラ−ト錯体およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6284093A JPS6284093A (ja) | 1987-04-17 |
| JPH0451557B2 true JPH0451557B2 (ja) | 1992-08-19 |
Family
ID=16786818
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22271885A Granted JPS6284093A (ja) | 1985-10-08 | 1985-10-08 | Ｖ族金属エタンジチオラ−ト錯体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6284093A (ja) |
-
1985
- 1985-10-08 JP JP22271885A patent/JPS6284093A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6284093A (ja) | 1987-04-17 |
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