JPH046559B2 - - Google Patents
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- JPH046559B2 JPH046559B2 JP56107033A JP10703381A JPH046559B2 JP H046559 B2 JPH046559 B2 JP H046559B2 JP 56107033 A JP56107033 A JP 56107033A JP 10703381 A JP10703381 A JP 10703381A JP H046559 B2 JPH046559 B2 JP H046559B2
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光、熱等のエネルギービームの照射に
より記録層に穴もしくは凹部を形成することによ
つて情報を記録するようにした光学的情報記録媒
体の製造方法に関する。
より記録層に穴もしくは凹部を形成することによ
つて情報を記録するようにした光学的情報記録媒
体の製造方法に関する。
基板上に形成された薄膜層にエネルギービーム
を照射し、記録されるべき信号に対応したビツト
列を形成するようにした光学的情報記録媒体にお
いて、従来より記録薄膜としてテルル（Te）を
使用することが知られている。Te薄膜は、最も
低いエネルギーで所望のビツトを形成できる材料
でありこの種用途においては高感度材料として極
めて有効である。ここで感度とは単位面積当りの
ビツト形成にに要するエネルギー（ｍＪ／cm2）で
定義される。
を照射し、記録されるべき信号に対応したビツト
列を形成するようにした光学的情報記録媒体にお
いて、従来より記録薄膜としてテルル（Te）を
使用することが知られている。Te薄膜は、最も
低いエネルギーで所望のビツトを形成できる材料
でありこの種用途においては高感度材料として極
めて有効である。ここで感度とは単位面積当りの
ビツト形成にに要するエネルギー（ｍＪ／cm2）で
定義される。
しかしながら、Teは大気中に放置された場合、
酸素や水分により酸化される透明になる度合が早
い記録膜として使用する場合、膜圧は700位と極
めて薄いため、ビスマス薄膜の酸化で生じた透明
度増加に基因する膜の感度劣化、出力減少は著し
い。即ち、膜が酸化されると融解、蒸発温度が上
昇するため感度劣化となり、透明化するため反射
率又は透過率が情報記録されるビツトの有無に敏
感に対応しなくなつてしまうためである。たとえ
ば70℃相対湿度85％の雰囲気に放置した場合約５
時間で感度が約20％低下し、約15時間で約50％低
下してしまう。このため、Te膜の酸化防止のた
めに種々の防止策がとられている。最も有効な手
段は無機ガラス体でおおう事だか、プロセスが複
雑であり、高価なため実用化されていない。有機
樹脂、例えば透明プラスチツクにすれば、安価で
あり、熱伝導率もガラスの1/2のため感度も２倍
となるため、プラスチツクを如何に使いこなすか
が現状の最重点項目の１つとなつている。ここで
プラスチツクには決定的な欠陥がある。即ち大気
中の酸素、水分を自由に通過させてしまうことで
あり、上述のTe薄膜の基板としては使えないと
いうことである。
酸素や水分により酸化される透明になる度合が早
い記録膜として使用する場合、膜圧は700位と極
めて薄いため、ビスマス薄膜の酸化で生じた透明
度増加に基因する膜の感度劣化、出力減少は著し
い。即ち、膜が酸化されると融解、蒸発温度が上
昇するため感度劣化となり、透明化するため反射
率又は透過率が情報記録されるビツトの有無に敏
感に対応しなくなつてしまうためである。たとえ
ば70℃相対湿度85％の雰囲気に放置した場合約５
時間で感度が約20％低下し、約15時間で約50％低
下してしまう。このため、Te膜の酸化防止のた
めに種々の防止策がとられている。最も有効な手
段は無機ガラス体でおおう事だか、プロセスが複
雑であり、高価なため実用化されていない。有機
樹脂、例えば透明プラスチツクにすれば、安価で
あり、熱伝導率もガラスの1/2のため感度も２倍
となるため、プラスチツクを如何に使いこなすか
が現状の最重点項目の１つとなつている。ここで
プラスチツクには決定的な欠陥がある。即ち大気
中の酸素、水分を自由に通過させてしまうことで
あり、上述のTe薄膜の基板としては使えないと
いうことである。
本発明はこの問題点に鑑みなされたもので、有
機樹脂基盤を使用しながら、高感度でかつ長寿命
の光学的情報記録媒体を得ることができる光学的
情報記録媒体の製造方法を提供することを目的と
する。
機樹脂基盤を使用しながら、高感度でかつ長寿命
の光学的情報記録媒体を得ることができる光学的
情報記録媒体の製造方法を提供することを目的と
する。
この発明は、基板上に記録膜を形成し、前記記
録膜にエネルギービームを照射し、記録膜に変形
部を形成して情報を記録する光学的情報記録媒体
の製造方法において、テルルをターゲツトとし、
炭素及び水素を含むガスと窒素ガスの混合ガス中
でスパツターすることにより５乃至40原子％の炭
素、５乃至40原子％の水素及び５乃至30原子％の
窒素を含むテルルを主成分とする薄膜を基板上に
形成し記録膜とすることを特徴とする光学的情報
記録媒体の製造方法である。
録膜にエネルギービームを照射し、記録膜に変形
部を形成して情報を記録する光学的情報記録媒体
の製造方法において、テルルをターゲツトとし、
炭素及び水素を含むガスと窒素ガスの混合ガス中
でスパツターすることにより５乃至40原子％の炭
素、５乃至40原子％の水素及び５乃至30原子％の
窒素を含むテルルを主成分とする薄膜を基板上に
形成し記録膜とすることを特徴とする光学的情報
記録媒体の製造方法である。
本発明で用いられる炭素及び水素を含むガスと
窒素ガスとの混合ガスの混合割合は、所望とする
テルルを主成分とする薄膜の炭素、水素及び窒素
の含有割合により適宜決定すればよく、特に限定
されるものではない。
窒素ガスとの混合ガスの混合割合は、所望とする
テルルを主成分とする薄膜の炭素、水素及び窒素
の含有割合により適宜決定すればよく、特に限定
されるものではない。
以下、図面を参照して本発明の実施例につき詳
細に説明する。
細に説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す断面構成図で
ある。図において１は基板で本実施例では合成樹
脂の１つでもあるアクリル板を用いた。しかし他
のどの様なプラスチツク板、又はガラス板であつ
ても作用効果は同じであり、使用する情報記録の
書き込み、読み出し、方法によつて適宜選択すれ
ば良い。２はＣ、Ｎ、Ｈを含む情報記録用低融点
金属並びに金属合金膜であり、その厚さは十分な
光反射率を得る程度に厚く、かつ感度を損なわな
い程度に薄いことが必要であつて、200〜1μｍ程
度が適当である。ＣとＮとＨを含む情報記録用
Te薄膜２は、Teをターゲツトとし、ＣとＨとを
含むガス、例えばCH4ガスとN2との混合ガス中
でスパツターすることにより得られる。ここで
Te膜中のＣとＨとＮの含有量はN2とCH4との混
合比、並びに印加高周波電力により自由に制御で
き、例えば、N2／CH4＝１の混合比で、約３ｍ
Ｗ／cm2のRF（13.56MHz）電力をTeターゲツトと
基板との間に印加すると、約20原子％のＣと約10
原子％のＨと約10原子％のＮを含有した膜を形成
させることができる。
ある。図において１は基板で本実施例では合成樹
脂の１つでもあるアクリル板を用いた。しかし他
のどの様なプラスチツク板、又はガラス板であつ
ても作用効果は同じであり、使用する情報記録の
書き込み、読み出し、方法によつて適宜選択すれ
ば良い。２はＣ、Ｎ、Ｈを含む情報記録用低融点
金属並びに金属合金膜であり、その厚さは十分な
光反射率を得る程度に厚く、かつ感度を損なわな
い程度に薄いことが必要であつて、200〜1μｍ程
度が適当である。ＣとＮとＨを含む情報記録用
Te薄膜２は、Teをターゲツトとし、ＣとＨとを
含むガス、例えばCH4ガスとN2との混合ガス中
でスパツターすることにより得られる。ここで
Te膜中のＣとＨとＮの含有量はN2とCH4との混
合比、並びに印加高周波電力により自由に制御で
き、例えば、N2／CH4＝１の混合比で、約３ｍ
Ｗ／cm2のRF（13.56MHz）電力をTeターゲツトと
基板との間に印加すると、約20原子％のＣと約10
原子％のＨと約10原子％のＮを含有した膜を形成
させることができる。
膜厚はスパツター時間をかえることに得られ
る。膜の光学定数はＣとＨとＮとの含有量によつ
て異なるが、情報記録用として活用するには、反
射率ならびに消耗係数に制限があり、我々の実験
結果では、前記の蒸着条件で約1000の膜圧の時に
最良の膜が得られた。この条件で作成した膜は非
晶質であり、多結晶Te膜に比べて記録状態のビ
ツト周辺エツヂ部がなめらかとなり情報読み出し
時のノイズレベルを低くおさえることができる。
る。膜の光学定数はＣとＨとＮとの含有量によつ
て異なるが、情報記録用として活用するには、反
射率ならびに消耗係数に制限があり、我々の実験
結果では、前記の蒸着条件で約1000の膜圧の時に
最良の膜が得られた。この条件で作成した膜は非
晶質であり、多結晶Te膜に比べて記録状態のビ
ツト周辺エツヂ部がなめらかとなり情報読み出し
時のノイズレベルを低くおさえることができる。
第２図は70℃、相対温度85％の雰囲気中での時
間経過に対する感度の劣化を、従来のTe単体の
ものと本発明のものとで比較した図である。
間経過に対する感度の劣化を、従来のTe単体の
ものと本発明のものとで比較した図である。
本図における感度の劣化は、記録に必要なエネ
ルギーの逆数の初期値に対する変化として表わし
ており、Te単体からなる従来の記録膜、本発明
による記録膜共にアクリル基板上に形成された場
合を示す。
ルギーの逆数の初期値に対する変化として表わし
ており、Te単体からなる従来の記録膜、本発明
による記録膜共にアクリル基板上に形成された場
合を示す。
本図からわかるようにTe単体からなる記録膜
の場合は、図中Ａで示すように時間経過とともに
感度が劣化する。これは時間とともに局部的な透
明領域（シミ）が発生するためで約170時間経過
後には全面にわたつて劣化してしまう。
の場合は、図中Ａで示すように時間経過とともに
感度が劣化する。これは時間とともに局部的な透
明領域（シミ）が発生するためで約170時間経過
後には全面にわたつて劣化してしまう。
一方、本発明によるＣとＨとＮとを含有する
Te薄膜の場合は、同図中Ｂで示すように1000時
間経過後もTe薄膜に見られた様なシミは全く認
められず、常にほぼ一定の感度を保持しており、
長寿命可を達成していることがわかる。
Te薄膜の場合は、同図中Ｂで示すように1000時
間経過後もTe薄膜に見られた様なシミは全く認
められず、常にほぼ一定の感度を保持しており、
長寿命可を達成していることがわかる。
以上述べた様に本発明によるＣとＨとＮとを含
有するTe薄膜を用いた記録媒体では優れた感度
と非常に長い寿命を得ることが出来る。但し、
5at％以下のＣ含有量膜ではTe膜との有意差はみ
られずまた40at％以上では感度の低下が見られ
た。又、5at％以下のＨ含有量膜では感度の低下
となり、40at％以上では膜の反射率が低下し、記
録用薄膜としては不適当であつた。又、５原子％
以下のＮ含有量ではTe膜との有意義はみとめら
れず、30原子％以上では膜の剥離がみられた。
有するTe薄膜を用いた記録媒体では優れた感度
と非常に長い寿命を得ることが出来る。但し、
5at％以下のＣ含有量膜ではTe膜との有意差はみ
られずまた40at％以上では感度の低下が見られ
た。又、5at％以下のＨ含有量膜では感度の低下
となり、40at％以上では膜の反射率が低下し、記
録用薄膜としては不適当であつた。又、５原子％
以下のＮ含有量ではTe膜との有意義はみとめら
れず、30原子％以上では膜の剥離がみられた。
上記の例ではN2ガスとCH4ガス中の反応性ス
パツタリングによる薄膜形成法についてのべた。
パツタリングによる薄膜形成法についてのべた。
従つて膜内にＣとＨとがまつたく別個に存在し
ているわけではない。CH4ガスは電解解離により
CH3（ラジカル）、CH2（ラジカル）、CH（ラジカ
ル）、そして、ＣとＨのラジカル基に順次分解し
ており、そこにTe原子が介在して任意の
（CHm）のｎ基とTeとが重合してネツトを形成
する。従つて形成された膜は非結晶であり、ラマ
ン散乱、示差熱分析、赤外線吸収解析等の結果か
らも結論出来る。このTeとＣとＨとCmHnとに
よる半有機的非晶質構造のためTe単体膜と同一
の高感度特性をもち、酸化となるタングリングポ
ンド（未結合基）が存在しないため、長寿命特性
をもつことになる。
ているわけではない。CH4ガスは電解解離により
CH3（ラジカル）、CH2（ラジカル）、CH（ラジカ
ル）、そして、ＣとＨのラジカル基に順次分解し
ており、そこにTe原子が介在して任意の
（CHm）のｎ基とTeとが重合してネツトを形成
する。従つて形成された膜は非結晶であり、ラマ
ン散乱、示差熱分析、赤外線吸収解析等の結果か
らも結論出来る。このTeとＣとＨとCmHnとに
よる半有機的非晶質構造のためTe単体膜と同一
の高感度特性をもち、酸化となるタングリングポ
ンド（未結合基）が存在しないため、長寿命特性
をもつことになる。
ここでＮ原子の役割は膜の高感度化に寄与する
TeNという物質は爆発性がある。従つてTeN膜
はTe単体膜よりもレーザービームパワーが少な
くてビツトを形成できる。例えば、20原子％Na、
Te膜では単位Teの膜の約２倍の感度を示す微結
晶質のために寿命は短かい。これらCmHnによる
非晶質構造とＮによる爆発性とで従来にない、高
感度、長寿命の膜を作成することができた。
TeNという物質は爆発性がある。従つてTeN膜
はTe単体膜よりもレーザービームパワーが少な
くてビツトを形成できる。例えば、20原子％Na、
Te膜では単位Teの膜の約２倍の感度を示す微結
晶質のために寿命は短かい。これらCmHnによる
非晶質構造とＮによる爆発性とで従来にない、高
感度、長寿命の膜を作成することができた。
本発明の光学的情報記録媒体は1μφ以下にしぼ
つたレーザ光に敏感に作用するため微細なパター
ンを任意に形成できるという性質をもつ、この性
質を利用とした他の用い方も可能である。たとえ
ばIC用として使われているフオトレジスト的に
使用できる。現在のフオトレジストはウエツトプ
ロセスを必要とするが、本発明の膜を用いれば、
ドライプロセスですむという大きな利点がある。
又水、湿気に強い事を利用して、各種部品の保護
層として使える。例えば、従来の情報記録膜であ
るTe膜の保護膜として、IC等の保護層として、
ダイオードのｐ−ｎ接合面保護層等として、又、
絶縁層としてIC用多層配線の絶縁層、電気的絶
縁層等として使用できる。
つたレーザ光に敏感に作用するため微細なパター
ンを任意に形成できるという性質をもつ、この性
質を利用とした他の用い方も可能である。たとえ
ばIC用として使われているフオトレジスト的に
使用できる。現在のフオトレジストはウエツトプ
ロセスを必要とするが、本発明の膜を用いれば、
ドライプロセスですむという大きな利点がある。
又水、湿気に強い事を利用して、各種部品の保護
層として使える。例えば、従来の情報記録膜であ
るTe膜の保護膜として、IC等の保護層として、
ダイオードのｐ−ｎ接合面保護層等として、又、
絶縁層としてIC用多層配線の絶縁層、電気的絶
縁層等として使用できる。
第１図は本発明の実施例により得られた光学的
情報記録媒体の断面構成図、第２図は第１図に示
した光学的情報記録媒体と従来例の記録媒体との
寿命についての比較図である。 １……基板、２……Te−Ｃ−Ｈ−Ｎ膜。
情報記録媒体の断面構成図、第２図は第１図に示
した光学的情報記録媒体と従来例の記録媒体との
寿命についての比較図である。 １……基板、２……Te−Ｃ−Ｈ−Ｎ膜。
Claims (1)
- １ 基板上に記録膜を形成し、前記記録膜にエネ
ルギービームを照射し、記録膜に変形部を形成し
て情報を記録する光学的情報記録媒体の製造方法
において、テルルをターゲツトとし、メタンガス
と窒素ガスの混合ガス中でスパツターすることに
より５乃至40原子％の炭素、５乃至40原子％の水
素及び５乃至30原子％の窒素を含むテルルを主成
分とする薄膜を基板上に形成し記録膜とすること
を特徴とする光学的情報記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56107033A JPS588694A (ja) | 1981-07-10 | 1981-07-10 | 光学的情報記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56107033A JPS588694A (ja) | 1981-07-10 | 1981-07-10 | 光学的情報記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS588694A JPS588694A (ja) | 1983-01-18 |
| JPH046559B2 true JPH046559B2 (ja) | 1992-02-06 |
Family
ID=14448808
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56107033A Granted JPS588694A (ja) | 1981-07-10 | 1981-07-10 | 光学的情報記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS588694A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6134741A (ja) * | 1984-07-09 | 1986-02-19 | アメリカン テレフォン アンド テレグラフ カムパニー | 情報蓄積用媒体 |
| JPS61158051A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-17 | Pioneer Electronic Corp | 光学式情報記録媒体及びその記録再生装置 |
| JP4850333B2 (ja) * | 2000-10-23 | 2012-01-11 | ユニバーサル造船株式会社 | 砕氷船及び船型改良法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52115202A (en) * | 1976-03-24 | 1977-09-27 | Hitachi Ltd | Recording member for information |
| FR2368779A1 (fr) * | 1976-10-22 | 1978-05-19 | Thomson Brandt | Support thermosensible destine a l'enregistrement d'information et procede d'enregistrement d'information sur un tel support |
| JPS6032705B2 (ja) * | 1979-06-23 | 1985-07-30 | 昇 津屋 | 極めて保磁力の低い（１００）面内無方向性高珪素鋼薄帯とその製造方法 |
| JPS5817038B2 (ja) * | 1979-10-29 | 1983-04-04 | 日本電信電話株式会社 | 光学記録用媒体及びその製造方法 |
-
1981
- 1981-07-10 JP JP56107033A patent/JPS588694A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS588694A (ja) | 1983-01-18 |
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