JPH045263A - 第4級アンモニウム塩の製造方法 - Google Patents
第4級アンモニウム塩の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
童!上ム■亙光互
本発明は、種々の反応における相間移動触媒や殺菌剤な
どとして有用な第49アンモニウム塩を製造する方法に
関する。
どとして有用な第49アンモニウム塩を製造する方法に
関する。
灸米夏14
ベンジル基が4級窒素に結合した第4級アンモニウム塩
で対アニオンが塩素原子のものの製造方法は、例えば特
開昭54−122231号公報に報告されており、トリ
ブチルアミンと塩化ベンジルとを反応させることにより
ベンジルトリブチルアンモニウムクロリドを得ている。
で対アニオンが塩素原子のものの製造方法は、例えば特
開昭54−122231号公報に報告されており、トリ
ブチルアミンと塩化ベンジルとを反応させることにより
ベンジルトリブチルアンモニウムクロリドを得ている。
しかし、この方法を応用して1次式の如く第3級アミン
と臭化ベンジルまたはヨウ化ベンジルから、一般式(I
I)で示した第4級アンモニウム塩を製造しようとして
も問題が大きい。
と臭化ベンジルまたはヨウ化ベンジルから、一般式(I
I)で示した第4級アンモニウム塩を製造しようとして
も問題が大きい。
(Rxs Rat R−:アルキル基、アルケニル基、
アラルキル基またはポ リオキシアルキレン基を表 わし、それぞれ同一でも異 なってもよい X:臭素原子またはヨウ素原子) すなわち、溶媒の存在下に第3級アミンと臭化ベンジル
またはヨウ化ベンジルとを反応させる方法は、臭化ベン
ジル、ヨウ化ベンジルの催涙性、皮膚刺激性が極端に強
いため、取扱い上、作業環境上の点で望ましくない、さ
らに、臭化ベンジル、ヨウ化ベンジルは、反応性が高す
ぎて不安定であり、4級化反応時に副生物の生成を招き
やすく、しかも入手しにくく高価である。
アラルキル基またはポ リオキシアルキレン基を表 わし、それぞれ同一でも異 なってもよい X:臭素原子またはヨウ素原子) すなわち、溶媒の存在下に第3級アミンと臭化ベンジル
またはヨウ化ベンジルとを反応させる方法は、臭化ベン
ジル、ヨウ化ベンジルの催涙性、皮膚刺激性が極端に強
いため、取扱い上、作業環境上の点で望ましくない、さ
らに、臭化ベンジル、ヨウ化ベンジルは、反応性が高す
ぎて不安定であり、4級化反応時に副生物の生成を招き
やすく、しかも入手しにくく高価である。
また、溶媒の存在下に第3級アンモニウム塩と塩化ベン
ジルとを反応させて対イオンが塩素イオンである第4級
アンモニウムクロリドを製造したのち、イオン交換樹脂
を用いて所望の対アニオンに変換することが考えられる
。
ジルとを反応させて対イオンが塩素イオンである第4級
アンモニウムクロリドを製造したのち、イオン交換樹脂
を用いて所望の対アニオンに変換することが考えられる
。
しかしこの方法では、高濃度でイオン交換処理ができな
いことから希釈のために多量の溶媒を使用する必要があ
り、また、大掛りなイオン交換カラムを必要とするので
、工業的に不利である。さらに、4級化反応とイオン交
換との2段階で製造するために9時間、装置等の面から
不経済である。
いことから希釈のために多量の溶媒を使用する必要があ
り、また、大掛りなイオン交換カラムを必要とするので
、工業的に不利である。さらに、4級化反応とイオン交
換との2段階で製造するために9時間、装置等の面から
不経済である。
また、上記と同様に対アニオンが塩素イオンである第4
INアンモニウムクロリドを製造したのち、同一の溶媒
または異なる溶媒中で、アルカリ金属またはアルカリ土
類金属の臭化物もしくはヨウ化物を用いてイオン交換を
行なうことが報告されている[5ynthetic C
ommunication。
INアンモニウムクロリドを製造したのち、同一の溶媒
または異なる溶媒中で、アルカリ金属またはアルカリ土
類金属の臭化物もしくはヨウ化物を用いてイオン交換を
行なうことが報告されている[5ynthetic C
ommunication。
vol、 6. p313−31−8(I976)]。
しかしこの場合も、4級化反応とイオン交換との2段階
で製造することになるので、製造に要する時間および装
置の面で不経済となり工業上不利である。
で製造することになるので、製造に要する時間および装
置の面で不経済となり工業上不利である。
さらに、例えばベンジルジアルキルアミンと臭化アルキ
ルとを用い、取扱い上難点のある臭化ベンジルを用いる
ことなく、本発明の目的とする4I&アンモニウム塩を
製造することも考えられる。しかしこの方法では、高い
反応温度等の厳しい条件が必要で、しがも反応の進行が
著しく遅く、また、収率も低い。
ルとを用い、取扱い上難点のある臭化ベンジルを用いる
ことなく、本発明の目的とする4I&アンモニウム塩を
製造することも考えられる。しかしこの方法では、高い
反応温度等の厳しい条件が必要で、しがも反応の進行が
著しく遅く、また、収率も低い。
が しようとする
本発明は、取扱い上難点がある臭化またはヨウ化ベンジ
ルを使用することなく、−段の反応で短時間に、しかも
高収率で、ベンジル基を有し対アニオンが臭素またはヨ
ウ素である第4級アンモニウム塩を製造することを目的
とする。
ルを使用することなく、−段の反応で短時間に、しかも
高収率で、ベンジル基を有し対アニオンが臭素またはヨ
ウ素である第4級アンモニウム塩を製造することを目的
とする。
見回ム豊處
本発明は、溶媒あるいは分散媒の存在下に、下記(a)
、 (b) 、 (c)の反応成分を共存させて反応
せしめることにより下記一般式(II)の第4級アンモ
ニウム塩を製造することを特徴とし、この反応は(e)
成分として臭化ナトリウムを用いた場合を例に挙げると
、下記反応式のように進行する。
、 (b) 、 (c)の反応成分を共存させて反応
せしめることにより下記一般式(II)の第4級アンモ
ニウム塩を製造することを特徴とし、この反応は(e)
成分として臭化ナトリウムを用いた場合を例に挙げると
、下記反応式のように進行する。
(a)下記一般式(I)で示される第3Rアミン。
(b)塩化ベンジル。
(c)1価または2価金属の臭化物もしくはヨウ化物。
N−R2・・・(I)
R3
(上記式中、R工、 Rよ、 R,はそれぞれ同一また
は相異なり、アルキル基、 アルケニル基、アラルキル基または ポリオキシアルキレン基を表わし、 Xは上記反応成分(C)に応じて臭素 原子またはヨウ素原子を表わす) (II) 以下、本発明についてさらに詳細に説明する。
は相異なり、アルキル基、 アルケニル基、アラルキル基または ポリオキシアルキレン基を表わし、 Xは上記反応成分(C)に応じて臭素 原子またはヨウ素原子を表わす) (II) 以下、本発明についてさらに詳細に説明する。
出発原料である(a)第3級アミンの具体例としては、
トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルア
ミン、トリブチルアミン、トリヘキシルアミン、トリオ
クチルアミン、ジメチルエチルアミン、ジエチルメチル
アミン、ジメチルプロピルアミン、ジプロピルメチルア
ミン、ベンジルジメチルアミン、ベンジルジエチルアミ
ン、ベンジルジプロピルアミン、ベンジルジブチルアミ
ン、ベンジルヘキシルアミン、ベンジルジオクチルアミ
ン、ベンジルジデシルアミン、ジメチルオクチルアミン
、ジメチルデシルアミン、ジメチルドデシルアミン、ジ
メチルテトラデシルアミン、ジメチルヘキサデシルアミ
ン、ジメチルオクタデシルアミン、ジメチルオクタデセ
ニルアミン、ジメチルエイコセニルアミン、ジメチルト
コセニルアミン、ジオクチルメチルアミン、ジデシルメ
チルアミン、ジドデシルメチルアミン、ジオクタデシル
メチルアミン、ジオクタデシルメチルアミン、ジオクタ
デシルメチルアミン、ジオクタデセニルメチルアミン、
ジエイコセニルメチルアミン、ジオクチルメチルアミン
、アンモニアにエチレンオキシドやプロピレンオキシド
を単独でまたは混合して付加して得られる第3級アミン
、モノアルキル(炭素数1〜22)アミンにエチレンオ
キシドやプロピレンオキシドを単独でまたは混合して付
加して得られる第3級アミン、ジアルキル(炭素数1〜
22)アミンにエチレンオキシドやプロピレンオキシド
を単独でまたは混合して付加して得られる第3級アミン
などが挙げられる。
トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルア
ミン、トリブチルアミン、トリヘキシルアミン、トリオ
クチルアミン、ジメチルエチルアミン、ジエチルメチル
アミン、ジメチルプロピルアミン、ジプロピルメチルア
ミン、ベンジルジメチルアミン、ベンジルジエチルアミ
ン、ベンジルジプロピルアミン、ベンジルジブチルアミ
ン、ベンジルヘキシルアミン、ベンジルジオクチルアミ
ン、ベンジルジデシルアミン、ジメチルオクチルアミン
、ジメチルデシルアミン、ジメチルドデシルアミン、ジ
メチルテトラデシルアミン、ジメチルヘキサデシルアミ
ン、ジメチルオクタデシルアミン、ジメチルオクタデセ
ニルアミン、ジメチルエイコセニルアミン、ジメチルト
コセニルアミン、ジオクチルメチルアミン、ジデシルメ
チルアミン、ジドデシルメチルアミン、ジオクタデシル
メチルアミン、ジオクタデシルメチルアミン、ジオクタ
デシルメチルアミン、ジオクタデセニルメチルアミン、
ジエイコセニルメチルアミン、ジオクチルメチルアミン
、アンモニアにエチレンオキシドやプロピレンオキシド
を単独でまたは混合して付加して得られる第3級アミン
、モノアルキル(炭素数1〜22)アミンにエチレンオ
キシドやプロピレンオキシドを単独でまたは混合して付
加して得られる第3級アミン、ジアルキル(炭素数1〜
22)アミンにエチレンオキシドやプロピレンオキシド
を単独でまたは混合して付加して得られる第3級アミン
などが挙げられる。
(c)1価または2価金属の臭化物もしくはヨウ化物と
しては、臭化リチウム、ヨウ化リチウム、臭化ナトリウ
ム、ヨウ化ナトリウム、臭化カリウム、ヨウ化カリウム
、臭化マグネシウム、ヨウ化マグネシウム、臭化カルシ
ウム、ヨウ化カルシウム、臭化バリウム、ヨウ化バリウ
ム、臭化亜鉛、ヨウ化亜鉛などが例示される。
しては、臭化リチウム、ヨウ化リチウム、臭化ナトリウ
ム、ヨウ化ナトリウム、臭化カリウム、ヨウ化カリウム
、臭化マグネシウム、ヨウ化マグネシウム、臭化カルシ
ウム、ヨウ化カルシウム、臭化バリウム、ヨウ化バリウ
ム、臭化亜鉛、ヨウ化亜鉛などが例示される。
本発明では、これら(a)第3級アミン、(b)塩化ベ
ンジルおよび(c)金属の臭化物もしくはヨウ化物を共
存せしめて、溶媒あるいは分散媒の存在下に反応せしめ
ることにより目的とする第4級アンモニウム塩を得る。
ンジルおよび(c)金属の臭化物もしくはヨウ化物を共
存せしめて、溶媒あるいは分散媒の存在下に反応せしめ
ることにより目的とする第4級アンモニウム塩を得る。
ここで、溶媒あるいは分散媒としては、メタノール、エ
タノール、イソプロパツールなどの低級アルコール類、
エチレングリコール、ジエチレングリコール、ポリエチ
レングリコールなどのグリコール類、あるいは、アセト
ニトリル、アセトン、メチルエチルケトン、テトラヒド
ロフラン、ジオキサン、N、N−ジメチルホルムアミド
、ジメチルスルホキシド、N−メチルピロリドン、γ−
ブチロラクトン、水などを単独でまたは2種以上を混合
して使用できる。好ましくは、低級アルコール類、アセ
トニトリル、N、N−ジメチルホルムアミド、γ−ブチ
ロラクトン、あるいはこれらと水との混合溶媒が用いら
れる。
タノール、イソプロパツールなどの低級アルコール類、
エチレングリコール、ジエチレングリコール、ポリエチ
レングリコールなどのグリコール類、あるいは、アセト
ニトリル、アセトン、メチルエチルケトン、テトラヒド
ロフラン、ジオキサン、N、N−ジメチルホルムアミド
、ジメチルスルホキシド、N−メチルピロリドン、γ−
ブチロラクトン、水などを単独でまたは2種以上を混合
して使用できる。好ましくは、低級アルコール類、アセ
トニトリル、N、N−ジメチルホルムアミド、γ−ブチ
ロラクトン、あるいはこれらと水との混合溶媒が用いら
れる。
塩化ベンジルの第3級アミンに対する使用モル比は、0
.1〜2が適当であり、好ましくは0.95〜1.0で
ある。
.1〜2が適当であり、好ましくは0.95〜1.0で
ある。
また、1価または2価金属の臭化物もしくはヨウ化物の
第3級アミンに対する使用モル比は。
第3級アミンに対する使用モル比は。
0.1〜5が適当であり、好ましくは0.95〜1.5
である。
である。
使用溶媒量は特に限定されないが、通常、反応仕込総量
の10〜80%に設定するのがよい。
の10〜80%に設定するのがよい。
反応は、常圧下、加圧下のいずれでも実施でき、所望な
ら減圧下に行なうことができる。反応温度は一20〜1
80℃程度でよく、好ましくは20〜80℃である。
ら減圧下に行なうことができる。反応温度は一20〜1
80℃程度でよく、好ましくは20〜80℃である。
反応方式としては、原料を一括して仕込んで反応させる
回分式でも、原料の一部もしくは大部分を連続的あるい
は断続的に添加して反応させる半回分式でもよく、また
、連続式で反応を行なうこともできる。
回分式でも、原料の一部もしくは大部分を連続的あるい
は断続的に添加して反応させる半回分式でもよく、また
、連続式で反応を行なうこともできる。
反応は比較的短時間で進行し、−段で目的とする第4級
アンモニウム塩が好収率で得られる。
アンモニウム塩が好収率で得られる。
使用する溶媒にもよるが、反応は、通常、金属の臭化物
もしくはヨウ化物を懸濁させた状態で実施することが多
い。この場合、反応の終期で懸濁しているのはその大部
分が金属塩化物であるので、この金属塩化物をP別して
得たP液を。
もしくはヨウ化物を懸濁させた状態で実施することが多
い。この場合、反応の終期で懸濁しているのはその大部
分が金属塩化物であるので、この金属塩化物をP別して
得たP液を。
用途によってはそのまま製品として使用することができ
る。
る。
使用した溶媒が用途上不都合であれば、適当な溶媒に置
換することができ、また、溶媒を留去後、乾燥して固体
の製品を得ることもできる。
換することができ、また、溶媒を留去後、乾燥して固体
の製品を得ることもできる。
さらに純度の高い製品が所望の場合は、反応溶媒あるい
はそれを置換した溶媒中から析出させてF取することに
より、目的とする第49アンモニウム塩を高純度で得る
ことができる。
はそれを置換した溶媒中から析出させてF取することに
より、目的とする第49アンモニウム塩を高純度で得る
ことができる。
1璽立羞員
本発明の方法によれば、取扱い、入手が容易で、しかも
安価な塩化ベンジルを使って、−段の反応で短時間に、
しかも高収率でベンジル基を有し、対アニオンが臭素ま
たはヨウ素原子である第4級アンモニウム塩を得ること
ができる。
安価な塩化ベンジルを使って、−段の反応で短時間に、
しかも高収率でベンジル基を有し、対アニオンが臭素ま
たはヨウ素原子である第4級アンモニウム塩を得ること
ができる。
失−l−■
実施例1
1.500騰Ωのセパラブルフラスコにトリブチルアミ
ン185.4g(I,0モル)、臭化ナトリウム108
.0g(I,05モル)、塩化ベンジル125.2g(
0,99モル)、含水(5%)メタノール350gを仕
込んだ。
ン185.4g(I,0モル)、臭化ナトリウム108
.0g(I,05モル)、塩化ベンジル125.2g(
0,99モル)、含水(5%)メタノール350gを仕
込んだ。
撹拌しつつ、室温から加熱して、50℃に達してから4
時間、50〜60℃で反応を行なった。反応終了後、室
温まで冷却し、懸濁している食塩を加圧r過によりr別
した。得られたP液を分析した結果、トリブチルアミン
の反応率は97%であり、そのうち目的物であるベンジ
ルトリブチルアンモニウムプロミドへの選択率は95%
であった。トリブチルアミンを基準にしたベンジルトリ
ブチルアンモニウムプロミドへの転換率は92.2%で
あった。
時間、50〜60℃で反応を行なった。反応終了後、室
温まで冷却し、懸濁している食塩を加圧r過によりr別
した。得られたP液を分析した結果、トリブチルアミン
の反応率は97%であり、そのうち目的物であるベンジ
ルトリブチルアンモニウムプロミドへの選択率は95%
であった。トリブチルアミンを基準にしたベンジルトリ
ブチルアンモニウムプロミドへの転換率は92.2%で
あった。
実施例2
実施例1と同じ原料仕込量、同様の方法で反応、p過を
行なってP液650gとp過ケーキを得た。このr過ケ
ーキを冷メタノール100gで洗浄し、その洗液を先の
P液と一緒にした。
行なってP液650gとp過ケーキを得た。このr過ケ
ーキを冷メタノール100gで洗浄し、その洗液を先の
P液と一緒にした。
得られたr液755gを2Qのセパラブルフラスコに移
し、水750gを加えて、減圧下60〜70℃で。
し、水750gを加えて、減圧下60〜70℃で。
メタノール−本釣750gを留去した。この残液番こさ
らに水750gを加えて、同じく減圧下60〜70℃で
、メタノール−本釣1 、050gを留去した。
らに水750gを加えて、同じく減圧下60〜70℃で
、メタノール−本釣1 、050gを留去した。
残液を、撹拌下4時間かけて20℃まで冷却し、ベンジ
ルトリブチルアンモニウムプロミドの結晶を析出させた
。この結晶を、加圧濾過番こより枦取し、200gの氷
冷水で洗浄したのち、減圧下70〜80℃で一夜乾燥し
て、純度99%以上のベンジルトリブチルアンモニウム
プロミド278.3g(トリブチルアミン基準の収率で
78%)を得た。
ルトリブチルアンモニウムプロミドの結晶を析出させた
。この結晶を、加圧濾過番こより枦取し、200gの氷
冷水で洗浄したのち、減圧下70〜80℃で一夜乾燥し
て、純度99%以上のベンジルトリブチルアンモニウム
プロミド278.3g(トリブチルアミン基準の収率で
78%)を得た。
r液、洗液は再濃縮して、晶析、V過、洗浄、乾燥を行
ない、純度98%のペンシルト1ノブチルアンモニウム
プロミド32gをさら番こ得た。
ない、純度98%のペンシルト1ノブチルアンモニウム
プロミド32gをさら番こ得た。
比較例1
取扱いの難しい臭化ベンジルを用し1ず番こベンジルト
リブチルアンモニウムプロミドを得るべく、ベンジルジ
ブチルアミンと奥イヒブチルとの反応を試みた。
リブチルアンモニウムプロミドを得るべく、ベンジルジ
ブチルアミンと奥イヒブチルとの反応を試みた。
すなわち、IQのオートクレープレこベンジルジブチル
アミン219.3g(I,0モル)、臭化ブチル137
.0g(I,0モル)、アセトニトリル240gを仕込
み、100〜105℃で66時間反応させた。その結果
、ベンジルジブチルアミンの反応率は97%であり、そ
のうち、目的とするベンジルトリブチルアンモニウムプ
ロミド った。なお、4時間反応を行なった時点でのベンジルジ
ブチルアミンの反応率はわずか16%にすぎなかった。
アミン219.3g(I,0モル)、臭化ブチル137
.0g(I,0モル)、アセトニトリル240gを仕込
み、100〜105℃で66時間反応させた。その結果
、ベンジルジブチルアミンの反応率は97%であり、そ
のうち、目的とするベンジルトリブチルアンモニウムプ
ロミド った。なお、4時間反応を行なった時点でのベンジルジ
ブチルアミンの反応率はわずか16%にすぎなかった。
比較例2
トリブチルアミンと塩化ベンジルのみからベンジルトリ
ブチルアンモニウムクロリドを得たのち、臭化ナトリウ
ムを用いてイオン交換を行ない、ベンジルトリブチルア
ンモニウムプロミドを得る方法を試みた。
ブチルアンモニウムクロリドを得たのち、臭化ナトリウ
ムを用いてイオン交換を行ない、ベンジルトリブチルア
ンモニウムプロミドを得る方法を試みた。
すなわち、 1,500mQのセパラブルフラスコにト
リブチルアミン185.4g(I.0モル)、塩化ベン
ジル125.2g(0.99モル)、メタノール342
gを仕込んだ.撹拌しつつ、室温から加熱して、65℃
に達してから65〜75℃で反応を続けた。反応速度は
遅く、トリブチルアミンの反応率が97%に達したのは
、反応温度が65℃に達してから26時間後であった1
反応したトリブチルアミンのうち、ベンジルトリブチル
アンモニウムクロリドへ転化したのは94%であった。
リブチルアミン185.4g(I.0モル)、塩化ベン
ジル125.2g(0.99モル)、メタノール342
gを仕込んだ.撹拌しつつ、室温から加熱して、65℃
に達してから65〜75℃で反応を続けた。反応速度は
遅く、トリブチルアミンの反応率が97%に達したのは
、反応温度が65℃に達してから26時間後であった1
反応したトリブチルアミンのうち、ベンジルトリブチル
アンモニウムクロリドへ転化したのは94%であった。
このようにして得られたベンジルトリブチルアンモニウ
ムクロリド水溶液に、水18gと臭化ナトリウム108
.0g(I,05モル)を加え、50〜60℃で6時間
イオン交換反応させた。その結果、ベンジルトリブチル
アンモニウムクロリド的物であるベンジルトリブチルア
ンモニウムプロミドへの選択率は95%であり、出発原
料であるトリブチルアミンを基準にしたベンジルトリブ
チルアンモニウムプロミドへの転換率は86.6%であ
った。
ムクロリド水溶液に、水18gと臭化ナトリウム108
.0g(I,05モル)を加え、50〜60℃で6時間
イオン交換反応させた。その結果、ベンジルトリブチル
アンモニウムクロリド的物であるベンジルトリブチルア
ンモニウムプロミドへの選択率は95%であり、出発原
料であるトリブチルアミンを基準にしたベンジルトリブ
チルアンモニウムプロミドへの転換率は86.6%であ
った。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、溶媒あるいは分散媒の存在下に、 (a)一般式( I )で示される第3級アミン、▲数式
、化学式、表等があります▼…( I ) (式中、R_1、R_2、R_3は、それぞれ同一また
は相異なり、アルキル基、 アルケニル基、アラルキル基または ポリオキシアルキレン基を表わす) (b)塩化ベンジルおよび (c)1価または2価金属の臭化物もしくはヨウ化物 を共存させて反応せしめることを特徴とする、一般式(
II) ▲数式、化学式、表等があります▼…(II) (式中、R_1、R_2、R_3は一般式( I )と同
じであり、Xは上記反応成分(c) に応じて臭素原子またはヨウ素原子 を表わす) で示される第4級アンモニウム塩の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10500190A JPH045263A (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | 第4級アンモニウム塩の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10500190A JPH045263A (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | 第4級アンモニウム塩の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH045263A true JPH045263A (ja) | 1992-01-09 |
Family
ID=14395850
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10500190A Pending JPH045263A (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | 第4級アンモニウム塩の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH045263A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980059282A (ko) * | 1996-12-31 | 1998-10-07 | 박영구 | 고순도 할로겐화 4급 암모늄염의 제조방법 |
| WO2002060856A1 (fr) * | 2001-01-31 | 2002-08-08 | Toagosei Co., Ltd. | Nouveaux composes de sel d'ammonium quaternaire, procede de production dudit sel d'ammonium quaternaire et son utilisation |
-
1990
- 1990-04-20 JP JP10500190A patent/JPH045263A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980059282A (ko) * | 1996-12-31 | 1998-10-07 | 박영구 | 고순도 할로겐화 4급 암모늄염의 제조방법 |
| WO2002060856A1 (fr) * | 2001-01-31 | 2002-08-08 | Toagosei Co., Ltd. | Nouveaux composes de sel d'ammonium quaternaire, procede de production dudit sel d'ammonium quaternaire et son utilisation |
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