JPH0452981Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0452981Y2 JPH0452981Y2 JP17744587U JP17744587U JPH0452981Y2 JP H0452981 Y2 JPH0452981 Y2 JP H0452981Y2 JP 17744587 U JP17744587 U JP 17744587U JP 17744587 U JP17744587 U JP 17744587U JP H0452981 Y2 JPH0452981 Y2 JP H0452981Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- internal electrodes
- multilayer ceramic
- ceramic dielectric
- ceramic capacitor
- dielectric sheets
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は積層セラミツクコンデンサに関し、特
に内部電極の形状とその積層構成に関する。
に内部電極の形状とその積層構成に関する。
従来の積層セラミツクコンデンサは第２図ａに
示すように、内部電極１ａを形成したセラミツク
誘電体シート２ａを、内部電極の向きが交互にな
るように180°回転させて複数枚積層させたのち、
その上下面に保護層となるセラミツク誘電体シー
ト２１を複数枚積層して全体を熱圧着・一体化
し、セラミツクコンデンサ素体３ａを形成し、し
かるのちセラミツクコンデンサ素体３ａを焼成
し、その両端に外部電極４が被着形成されて得ら
れた。
示すように、内部電極１ａを形成したセラミツク
誘電体シート２ａを、内部電極の向きが交互にな
るように180°回転させて複数枚積層させたのち、
その上下面に保護層となるセラミツク誘電体シー
ト２１を複数枚積層して全体を熱圧着・一体化
し、セラミツクコンデンサ素体３ａを形成し、し
かるのちセラミツクコンデンサ素体３ａを焼成
し、その両端に外部電極４が被着形成されて得ら
れた。
上述した従来技術では、小容量の積層セラミツ
クコンデンサを設計したとき、内部電極１ａの必
要有効枚数が数枚から１枚以下と少い場合、セラ
ミツク誘電体シート２ａの厚みばらつき、あるい
はセラミツク誘電体シート２ａ複数枚積層したと
きの積層誤差により、設計容量を精度よく実現す
ることが困難となる。
クコンデンサを設計したとき、内部電極１ａの必
要有効枚数が数枚から１枚以下と少い場合、セラ
ミツク誘電体シート２ａの厚みばらつき、あるい
はセラミツク誘電体シート２ａ複数枚積層したと
きの積層誤差により、設計容量を精度よく実現す
ることが困難となる。
この問題を解決するため、単に内部電極１ａの
面積を小さくする手段がとられており、内部電極
１ａの必要枚数が増えるためにセラミツク誘電体
シート２ａの厚みばらつきによる影響は軽減され
る。しかしセラミツク誘電体シート２ａを複数枚
積層したときの積層誤差の影響が内部電極１ａの
面積が小さくなるほど大きくなるため、結果とし
て設計容量を精度よく実現する困難さは変らない
という欠点があつた。
面積を小さくする手段がとられており、内部電極
１ａの必要枚数が増えるためにセラミツク誘電体
シート２ａの厚みばらつきによる影響は軽減され
る。しかしセラミツク誘電体シート２ａを複数枚
積層したときの積層誤差の影響が内部電極１ａの
面積が小さくなるほど大きくなるため、結果とし
て設計容量を精度よく実現する困難さは変らない
という欠点があつた。
本考案の目的は、セラミツク誘電体シートの厚
みばらつきの影響、積層誤差の影響をなくし、小
容量品の設計精度を大幅に向上できる構造を有す
る積層セラミツクコンデンサを提供することにあ
る。
みばらつきの影響、積層誤差の影響をなくし、小
容量品の設計精度を大幅に向上できる構造を有す
る積層セラミツクコンデンサを提供することにあ
る。
本考案による積層セラミツクコンデンサは、内
部電極の中央部が空白になるようドーナツ状に内
部電極を形成し、かつ直上下面の内部電極が一定
の割合で交互にずれて積層されることによつて直
上下面の内部電極の重なり部分が２ヶ所生ずるこ
とを特徴としている。
部電極の中央部が空白になるようドーナツ状に内
部電極を形成し、かつ直上下面の内部電極が一定
の割合で交互にずれて積層されることによつて直
上下面の内部電極の重なり部分が２ヶ所生ずるこ
とを特徴としている。
上記内部電極の形状とその積層構成が、本考案
の特徴である。
の特徴である。
以下本考案の実施例について図面を参照して説
明する。
明する。
第１図ａは本考案による内部電極１を形成した
セラミツク誘電体シート２である。内部電極１は
ドーナツ状に中央部が空白になるよう形成されて
おり、かつ中心線Ａ−Ａ１線からずれて形成され
ている。
セラミツク誘電体シート２である。内部電極１は
ドーナツ状に中央部が空白になるよう形成されて
おり、かつ中心線Ａ−Ａ１線からずれて形成され
ている。
上記セラミツク誘電体シート２を内部電極１の
向きが逆になるよう交互に180°回転させて複数枚
積層したときの、直上下面２枚のセラミツク誘電
体シート２に形成された内部電極１の重なりの様
子をシート上面から透視で見たのが第１図ｃであ
る。上下面の内部電極１および１１は第１図ｃの
ＢおよびＣの２ヶ所で重なり合つている。この重
なり部分ＢおよびＣの合計面積により積層セラミ
ツクコンデンサの容量が決定される。すなわち本
考案は、第１図ｃに示したように直上下面の内部
電極が２ヶ所で重なり合うよう内部電極１を形成
する。
向きが逆になるよう交互に180°回転させて複数枚
積層したときの、直上下面２枚のセラミツク誘電
体シート２に形成された内部電極１の重なりの様
子をシート上面から透視で見たのが第１図ｃであ
る。上下面の内部電極１および１１は第１図ｃの
ＢおよびＣの２ヶ所で重なり合つている。この重
なり部分ＢおよびＣの合計面積により積層セラミ
ツクコンデンサの容量が決定される。すなわち本
考案は、第１図ｃに示したように直上下面の内部
電極が２ヶ所で重なり合うよう内部電極１を形成
する。
第１図ａに示したセラミツク誘電体シート２を
内部電極１の向きが逆になるよう交互に180°回転
させて複数枚積層したのち、その上下面に第１図
ｂに示した保護層となるセラミツク誘電体シート
２１を複数枚積層して、全体を熱圧着・一体化し
てセラミツクコンデンサ素体３を得る。しかるの
ち、これを焼成し、その両端に外部電極４を被着
形成して本考案の積層セラミツクコンデンサを得
る。第１図ｄは本考案の積層セラミツクコンデン
サを第１図ａのＡ−Ａ１線で切断した断面図で
あ。
内部電極１の向きが逆になるよう交互に180°回転
させて複数枚積層したのち、その上下面に第１図
ｂに示した保護層となるセラミツク誘電体シート
２１を複数枚積層して、全体を熱圧着・一体化し
てセラミツクコンデンサ素体３を得る。しかるの
ち、これを焼成し、その両端に外部電極４を被着
形成して本考案の積層セラミツクコンデンサを得
る。第１図ｄは本考案の積層セラミツクコンデン
サを第１図ａのＡ−Ａ１線で切断した断面図で
あ。
〔考案の効果〕
上記実施例から、本考案の効果は以下にまとめ
られる。
られる。
(1) 直上下面の内部電極の重なり部分の面積が小
さくでき、特に小容量の積層セラミツクコンデ
ンサを設計したとき、内部電極の必要枚数が多
くできるため、セラミツク誘電体シートの厚み
ばらつきの影響が軽減される。
さくでき、特に小容量の積層セラミツクコンデ
ンサを設計したとき、内部電極の必要枚数が多
くできるため、セラミツク誘電体シートの厚み
ばらつきの影響が軽減される。
(2) 内部電極を形成したセラミツク誘電体シート
を積層するとき積層誤差が生じても、直上下面
の内部電極の重なり部分の面積は変わらないこ
とから積層誤差の影響がなくなる。
を積層するとき積層誤差が生じても、直上下面
の内部電極の重なり部分の面積は変わらないこ
とから積層誤差の影響がなくなる。
以上(1)，(2)の効果から、本考案の積層セラミツ
クコンデンサは、特に小容量品の設計精度が従来
技術より向上する。
クコンデンサは、特に小容量品の設計精度が従来
技術より向上する。
第１図ａは本考案の内部電極を形成したセラミ
ツク誘電体シートの上面図、第１図ｂは保護層と
なるセラミツク誘電体シートの上面図、第１図ｃ
は第１図ａのセラミツク誘電体シートを内部電極
の向きが逆になるよう180°回転させて２枚積層し
たときの内部電極の重なりの様子を上から透視し
て見た図、第１図ｄは本考案の積層セラミツクコ
ンデンサを第１図ａのＡ−Ａ１線で切断した断面
図、第２図ａは従来技術の内部電極を形成したセ
ラミツク誘電体シートの上面図、第２図ｂは保護
層となるセラミツク誘電体シートの上面図、第２
図ｃは従来技術の積層セラミツクコンデンサを第
２図ａのＡ−Ａ１線で切断した断面図である。 １，１１，２１……内部電極、２，２１、２ａ
……セラミツク誘電体シート、３，３ａ……セラ
ミツクコンデンサ素体、４……外部電極。
ツク誘電体シートの上面図、第１図ｂは保護層と
なるセラミツク誘電体シートの上面図、第１図ｃ
は第１図ａのセラミツク誘電体シートを内部電極
の向きが逆になるよう180°回転させて２枚積層し
たときの内部電極の重なりの様子を上から透視し
て見た図、第１図ｄは本考案の積層セラミツクコ
ンデンサを第１図ａのＡ−Ａ１線で切断した断面
図、第２図ａは従来技術の内部電極を形成したセ
ラミツク誘電体シートの上面図、第２図ｂは保護
層となるセラミツク誘電体シートの上面図、第２
図ｃは従来技術の積層セラミツクコンデンサを第
２図ａのＡ−Ａ１線で切断した断面図である。 １，１１，２１……内部電極、２，２１、２ａ
……セラミツク誘電体シート、３，３ａ……セラ
ミツクコンデンサ素体、４……外部電極。
Claims (1)
- 導電性の内部電極を形成した誘電体シートを複
数枚交互に積層し、さらにその上下面に保護層と
なる誘電体シートを積層して一体化した積層セラ
ミツクコンデンサにおいて、内部電極の中央部が
空白になるようドーナツ状に内部電極を形成し、
かつ直上下面の内部電極が一定の割合で交互にず
れて積層されることによつて、直上下面の内部電
極の重なり部分が２ヶ所生ずることを特徴とする
積層セラツクコンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17744587U JPH0452981Y2 (ja) | 1987-11-20 | 1987-11-20 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17744587U JPH0452981Y2 (ja) | 1987-11-20 | 1987-11-20 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0180922U JPH0180922U (ja) | 1989-05-30 |
| JPH0452981Y2 true JPH0452981Y2 (ja) | 1992-12-14 |
Family
ID=31469109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17744587U Expired JPH0452981Y2 (ja) | 1987-11-20 | 1987-11-20 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0452981Y2 (ja) |
-
1987
- 1987-11-20 JP JP17744587U patent/JPH0452981Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0180922U (ja) | 1989-05-30 |
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