JPH0453253B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、パターンの欠陥検査方法および装
置、とくにIC（集積回路）製造用のレチクル、マ
スクあるいはプリント基板およびその製造用マス
ク等の回路パターンの検査方法および装置に関す
るものである。

〔発明の背景〕

第１１図に示す如く、IC製造用マスク１の一
部Ａ位置にパターンの欠け１ａがあり、Ｂ位置に
パターンの突起１ｂがあり、Ｃ，Ｄ位置に孤立欠
陥１ｃ，１ｄがある場合、このようなマスクパタ
ーンの欠陥を検査する従来の方法としては、被検
査マスク上の同一パターンを有する２個のチツプ
パターンを同時に撮像し、一方のパターンを手本
パターン、他方のパターンを被検査パターンとし
て両者を比較し、両者の間の差異がある部分を欠
陥として判定する方法が実施されている。

然るに、上記の方法では、マスク上にICのチ
ツプのパターンを繰り返して焼き付けるための原
版になるレチクル（ICの１チツプ分のパターン
を形成したもの）上のパターン欠陥や異物等によ
つて、マスク上に焼き付けられたパターンに生ず
る各チツプ共通の欠陥を検出することができな
い。また、手本パターンと、被検査パターンとの
間に差異があるため、欠陥があると判定した場合
でも、この欠陥が手本パターンにあるのか、被検
査パターンにあるのかを判定するには、さらに別
のパターンを用意し、このパターンと上記手本パ
ターンおよび被検査パターンとの比較により欠陥
検査をする必要がある。

また、従来の欠陥検査の他の方法としては、撮
像によつて得られるパターン同志を比較するので
はなく、被検査パターンに対し、その手本となる
パターンとしてたとえばレチクル製造時の設計パ
ターンを用いて被検査パターンと比較する方法が
実用化されている。

この方法としては、たとえば、テレビカメラあ
るいは固体撮像素子等の光電変換素子により撮像
された被検査パターンを、画素と呼ばれる最小単
位で標本化した後（光電変換素子として固体撮像
素子を用いた場合、その出力は素子の受光面の大
きさにより標本化されたものとなつている。）各
画素についてある閾値で２値化した後、手本パタ
ーンと比較する方法がある。この方法における被
検査パターンと手本パターンとの比較の状況は第
１２図に示す如きもので、ａ図は本来直線である
Ａ部分に欠陥２ａを有する被検査パターン２、ｂ
図はａ図に示す被検査パターン２を撮像し、標本
化したのち、２値化した被検査パターン２′を示
す。

また、ｃ図は欠陥のない完全なマスクを形成す
る手本パターン３、Ｄ図は上記ｂ図に示す２値化
した被検査パターン２′と上記ｃ図に示す手本パ
ターン３とを比較したとき、両者の間のハツチン
グ部分に差異が生じた場合を示す。なお上記ｂ図
に示す格子Ｚは標本化の画素を表わしている。上
記ｂ図から明らかな如くａ図い示す被検査パター
ンを２値化した場合、標本化および２値化による
量子化誤差により、２値化した被検査パターン
２′の輪郭部分にはａ図に示す被検査パターン２
に本来存在しない高さ１画素の凹凸２b′，２c′が
発生している。

そのため、ｂ図に示す２値化した被検査パター
ン２′とｃ図に示す手本パターン３とを比較する
と、ｄ図に示すハツチング部分が両パターンの差
異として検査される。即ち、ｄ図に示すハツチン
グ部分は、ａ図に示す被検査パターンの欠陥２ａ
の２値化後の欠陥２a′と、標本化および２値化に
よる量子化誤差によつて発生した疑似欠陥２b′，
２c′とが含まれている。

この疑似欠陥２b′，２c′が除去する方法とし
て、従来たとえば特公昭54−37475号公報で述べ
られている方法がある。この方法は、互いに同一
パターンを有する２個の被検査パターン同志を比
較するもので、説明の便宜上手本パターンと被検
査パターンとの比較を例にして第１３図により説
明する。同図においてａ図は第１２図ａと同様、
本来直線であるＡ部分に欠陥２ａを有する被検査
パターン２，ｂ図はａ図に示す被検査パターン２
を撮像し、標本化したのち、２値化した被検査パ
ターン２′を示す。またｃ図は欠陥のない完全な
マスクを形成する手本パターン３、ｄ図はｂ図に
示す２値化した被検査パターン２′とｃ図に示す
手本パターン３とを比較したとき、両者の間に差
異が生じた場合を示す。ｅ図は２値化した被検査
パターン２′および手本パターン３に対しｂ図お
よびｃ図にハツチングで示した夫々の輪郭部を抽
出し、その共通部分をハツチングして示し、ｆ図
はｄ図に示す不一致部分のうちｅ図に示す共通部
分に属さない部分をハツチングして示したもので
ある。而して特公昭54−37475号公報で述べられ
ている方法は、ｄ図の如く被検査パターン２と手
本パターン３との差異部分を抽出すると同時に両
パターンのｂ，ｃ図にハツチングで示すように
夫々の輪郭部を抽出し、その共通部をｅ図にハツ
チングで示すように抽出する。そしてｄ図に示す
被検査パターン２′と手本パターン３との不一致
部分のうちｅ図に示す共通輪郭部分に属さない部
分２a′のみをｆ図に示すように抽出してこれを真
の欠陥２ａとして検出している。

然るに、上記の方法ではｂ図に示す如く被検査
パターン２′を２値化したときに標本化、量子化
誤差によつて発生する疑似欠陥２b′，２c′を除去
して真の欠陥のみを検出することは可能かもしれ
ないが、パターンの境界部分に存在する１〜２画
素程度の大きさの微小な欠陥（パターンの欠けあ
るいは突起）は、共通輪郭部分に覆われて検出す
ることが困難になる。また、このような微小な欠
陥を検出するために、標本化のための画素サイズ
を小さくすると、検査速度が遅くなつて、装置の
スループツトが低下してしまうことになる。

本発明は、上記従来の欠点を除去し、被検査パ
ターンに発生する微小な欠陥でも、高速度で検査
を可能とするパターン欠陥検査方法および装置を
提供することにある。

本発明は、上記の目的を達成するため、疑似欠
陥の発生する可能性のある領域即ち、パターンの
境界部すべての検出感度を零とする（あるいは減
少させる）のではなく、手本パターンと被検査パ
ターンの不一致部のうち、微小な真の欠陥とパタ
ーン境界部に生じる疑似欠陥とを区別することを
特徴とするものである。

以下本発明の実施例を示す第１図乃至第８図に
ついて説明する。

第１図は本発明の原理図について、そのａ図は
欠陥のない直線で囲まれた被検査パターン４を示
し、ｂ図はａ図に示す被検査パターン４を撮像
し、標本化して得られる検出信号のうち、パター
ン境界部e₁上のp₁，p₂，p₃各点での検出信号レベ
ルをパターン境界部e₁に垂直な方向の数画素につ
いて表わした図、ｃ図はａ図に示す被検査パター
ン４の境界部e₁上の各画素の検出信号レベルと２
値化閾値との関係を示す図、ｄ図はａ図に示す被
検査パターン４の境界部e₂上の各画素の検出信号
レベルと２値化閾値との関係を示す図である。同
図に示す如く、ａ図に示す直線で囲まれた被検査
パターン４を撮像し、標本化して得られる検出信
号のうち、パターン境界部e₁上のp₁，p₂，p₃各点
での検出信号レベルを上記パターン境界部e₁に垂
直な方向の数画素について表わすとｂ図に示す如
くになる。なおｂ図においては、パターン内部の
検出信号レベルは低く、パターン外部の検出信号
レベルは高いものとしている。即ち、ｂ図に示す
如く、パターン境界部e₁上の各画素の検出信号レ
ベルはp₁，p₂，p₃の各点において少しづつ異なつ
ている。この場合説明の都合上、パターン境界部
e₁上のすべての点における検出信号レベルがｃ図
に示すハツチング部イ，ロ，ハのいずれかの値に
なるものとする。このパターン検出信号をたとえ
ば閾値Th１で２値化すると、ｃ図イで示すハツ
チング部の検出信号レベルを持つ画素のうち、閾
値Th１より高い値を持つ画素は“１”に、Th１
より低い値を持つ画素は“０”となるため、２値
化後のパターン境界部e₁は直線とならずに、１画
素の凹凸が生じることになる。これに対して閾値
Th２により２値化を行うと、イで示すハツチン
グ部の検出信号を持つ画素はすべて“１”とな
り、ロおよびハで示すハツチング部の検出信号レ
ベルを持つ画素はすべて“０”になるため、２値
化後のパターン境界部e₁は直線になる。これに対
して閾値Th２で２値化を行うと、被検査パター
ンのすべての境界部が１画素の凹凸を生じること
なく直線となるわけでない。たとえば、ａ図の他
のパターン境界部e₂がｄ図に示す検出信号レベル
を持つていたとする。この場合は、パターン境界
部e₁とは逆に閾値Th１では２値化後の境界が直
線となるのに対して閾値Th２では１画素の凹凸
が生じてしまう。この事から、疑似欠陥の原因と
なるパターン境界部の１画素の凹凸は閾値を変化
させると、その発生場所も変化することが明らか
である。そこで、相異する２個以上の数種の閾値
に対して被検査パターンの２値化を行い、どの閾
値に対する２値化パターンにおいても、凹凸の生
じる部分が真の欠陥であり閾値を変化させると凹
凸が生じなくなる部分は疑似欠陥であると判断す
ることができる。

つぎに第２図および第３図は本発明によるパタ
ーン欠陥検査装置を示すブロツク図およびその動
作図である。第２図において、７ａ，７ｂは２個
の２値化回路にして、被検査パターン４を標本化
したのち、異なる２種の閾値Th１，Th２で２値
化する。８ａ，８ｂは２個の欠陥候補検出器にし
て、第３図に示す如く上記２個の２値化回路から
の２値化後の被検査パターンと、手本パターン５
とを比較して差異のある部分を検出する。９は欠
陥判定器にして上記２個の欠陥候補検出器８ａ，
８ｂからの２値化被検査パターンと手本パターン
５との差異部分を比較し、共通の欠陥候補のみを
真の欠陥として出力する。つぎに第３図におい
て、ａ図は、Ｂ位置に欠陥６ａを有する被検査パ
ターン４、ｂ図は上記被検査パターン４に対応す
る手本パターン５、ｃ図は上記被検査パターン４
を標本化したのち、ある閾値Th１で２値化した
被検査パターン４′、ｄ図は上記被検査パターン
４を標本化したのち、閾値Th２で２値化した被
検査パターン４″、ｅ図およびｆ図は上記ｃ図お
よびｄ図に示す２値化した被検査パターン４′，
４″と上記手本パターン５とを比較して差異を生
じた部分６ａ，６ｂ，６ｃをハツチングして示す
図、ｇ図は上記ｅ図とｆ図とにおける共通部分６
a′をハツチングして示す図である。図に示す如
く、微小な欠陥６ａを有する被検査パターン４を
標本化したのちある閾値Th１，Th２で２値化し
た被検査パターン４′，４″と上記ｂ図に示す手本
パターン５とを比較し、これらの差異部分６a′，
６b′および６c′の中、共通部分６a′がａ図に示す
欠陥６ａになる。このように１〜２画素程度の大
きさの微小な欠陥であつても、疑似欠陥を発生さ
せることなく、真の欠陥６ａのみを検出すること
ができる。

上記、欠陥候補検出器８ａ，８ｂは原理的に
は、２値化された被検査パターン４′あるいは
４″と、手本パターン５とを重合し、各画素毎に
不一致となる部分を検出すれば良いのである。然
るに実際には真の欠陥と、上記の方法によつて除
去可能な疑似欠陥（標本化、量子誤差による１画
素の凹凸）以外の別な原因によつて発生する疑似
欠陥をも検出してしまう可能性がある。

その原因としては次に述べるように理由が考え
られる。

(1) 光電変換素子で被検査パターン４を撮像する
さいに光学系で図形歪みが生じる。

(2) 標本化、量子化誤差により、被検査パターン
４が実際よりもわずかに大きくあるいは小さく
検出されてしまう。

(3) 設計データからレチクル（マスク）を焼き付
けるさいに、パターンを故意に太らせたり、細
らせたりする場合がある。

これらの理由により、上記手本パターン５と、
被検査パターン４とは，両者の位置合せがたとえ
完全であつても、必ずしも完全に一致するとは限
らない。そこで上記欠陥候補検出器８ａ，８ｂ
は、わずかに大きさの相異する２個のパターン
４，５とを比較し、真の欠陥と、前記した除去可
能な疑似欠陥のみとを検出しなければならない。

以下、本発明による欠陥候補検出器について説
明する。

第４図は、本発明による欠陥候補検出器の一実
施例の動作を示す説明図で、被検査パターンをい
くつかの領域に分割し、各領域毎にあらかじめ定
められた補正範囲内で、上記被検査パターンと手
本パターンとの位置合せを行い、同時に不一致画
素を検出する方法である。

同図においてａ図はＢ位置に欠陥６を有する被
検査パターン４で、ｂ図に示す如く、被検査パタ
ーン４を２値化したパターン４′が点線にて示す
手本パターン５よりわずかに小さく形成された場
合を示す。この２値化した被検査パターン４′と
手本パターン５との不一致部分を検出すると、ｃ
図にハツチングで示す如き出力６′が得られるが、
これは閾値を変えた２値化パターンに対しても、
同様の出力が得られるため、ｃ図に示す欠陥候補
６′から真の欠陥６のみを分離することは不可能
である。

そこで、ｄ図に示すように、２値化した被検査
パターン４′を小領域１４ａ乃至１４ｄに分割し、
各領域毎にｅ図乃至ｈ図に示す如く上記手本パタ
ーン５と位置合せをを行い、同時に各領域毎にハ
ツチングで示す不一致画素６ａ〜６ｃを検出す
る。これにより、検出結果はｉ図の如く、真の欠
陥６ａと、除去可能な疑似欠陥６ｂ，６ｃのみを
含んだものになる。

第５図は、第４図によりその動作を説明した欠
陥候補検出器の一実施例の構成である。前記２値
化回路により２値化された被検査パターン４′を
１走査線分１Ｈの遅延線１０とシフトレジスタ１
１とを複数組用いて５×５画素の２次元画像１４
とする。これは、前述した位置合せ用の分割小領
域の大きさに相当する。同様に手本パターン５も
２次元の画像とするが、上記被検査パターンとの
位置合せ補正範囲の分だけ大きな画像１４′とし
ている。図では、Ｘ，Ｙ両方向とも±２画素の位
置合せ補正範囲をとるために、手本パターン５を
９×９画素の画像１４′に展開している。つぎに
上記２個の２次元画像１４，１４′をマツチング
回路１２に入力し２個の画像１４，１４′間の位
置合せを行う。このマツチング回路１２による位
置合せは、９×９画素に展開した手本パターン５
からさらに図中のハツチングで示した画素をそれ
ぞれ中心とする25通りの５×５画素の画像を切出
し、この25通りの５×５画素手本パターン５と、
５×５画素の被検査パターン４′とを比較して、
不一致画素数をそれぞれ計数して、最も不一致画
素数の少ない５×５画素の手本パターンを、被検
査パターン４′と位置合せができた画像として上
記マツチング回路１２から出力する。このマツチ
ング回路１２から出力される５×５画素の手本パ
ターンと５×５画素の被検査パターンとから排他
的論理回路１３により不一致部分を演算し、その
結果が欠陥候補画像として出力される。

大きさの異なる２つのパターンを比較する欠陥
候補検出器の他の一実施例として、特徴比較によ
る方法がある。この特徴比較とは、被検査パター
ンと、手本パターンとの双方からある種の特徴を
持つ画素たとえば水平方向の境界部、垂直方向の
境界部あるいは、水平方向の微小部分等を抽出
し、その特徴を持つ画素が手本パターンと、被検
査パターンとの互いに対応する画素近傍たとえば
Ｘ，Ｙ方向それぞれ±２画素以内に存在する場
合、欠陥のない正常なものと判定し、どちらか一
方にしか、その特徴を有する画素が存在しない時
に欠陥候補ありと判定する方法である。

この方法では、第６図に示す如く、数種の特徴
抽出器１５，１５′と、この特徴抽出器の出力を
各特徴毎に比較し欠陥候補を検出する前記特徴抽
出器１５あるいは１５′と同個数の欠陥候補判定
器１６と、各欠陥候補判定器１６からの出力を合
成して検出欠陥候補信号を出力する論理和１７か
ら構成されている。

なお、図示の４′は２値化された被検査パター
ン、５は手本パターンを示す。この方法において
は、２値化された被検査パターン４′から数種の
特徴抽出器１５にて、水平方向の境界部、垂直方
向の境界部あるいは水平方向の微小部分等の特徴
を持つ画素を抽出し、同様にして、手本パターン
５から特徴抽出器１５′にて各種の特徴を持つ画
素を抽出する。そして特徴抽出器１５及び１５′
の出力から、複数個の欠陥候補判定器１６により
欠陥候補を判定し、夫々の欠陥候補判定器１６の
出力を論理和１７で合成して検出欠陥候補信号を
出力する。

上記特徴比較方式による欠陥候補検出の原理は
たとえば第７図に示す如くである。同図に示す
ａ，ｂ図はそれぞれ第４図ａ，ｂ図と同様、Ｂ位
置に欠陥６を有する被検査パターン４および、２
値化した被検査パターン４′が点線にて示す手本
パターン５よりわずかに小さい場合を示す。ｃ図
は特徴抽出器１５ａ，１５ｂを示し、それぞれ水
平方向のパターン境界部、垂直方向のパターン境
界部を抽出する。例えば特徴抽出器１５ａは注目
画素a₁が値“０”で、その隣接画素a₂が値“１”
の場合、および注目画素a₁が値“１”でその隣接
画素a₂が“０”の場合、注目画素a₁が水平方向の
パターン境界部であると判定するものである。ｄ
図は手本パターン５から、特徴抽出器１５ａによ
り抽出した特徴で、ｅ図は２値化被検査パターン
４′から特徴抽出器１５ａにより抽出した特徴で
ｆ，ｇ図は同様にして手本パターン５および２値
化被検査パターン４′から特徴抽出器１５ｂによ
り抽出した特徴である。ｄ，ｅ図からそれぞれ対
応する画素近傍の特徴同志を除去して残る特徴
と、ｆ，ｇ図から同様の操作により残る特徴とを
合成したものがｈ図で、真の欠陥６ａと除去可能
な疑似欠陥６ｂ，６ｃとを含んだ欠陥候補を示
す。

第８図は、上記第７図に示す特徴抽出器１５ａ
の構成を示す回路図である。手本パターン５ある
いは２値化された被検査パターン４′の画像信号
を遅延線１０で水平方向１走線分（1H）だけ遅
らせた信号と、上記手本パターン５あるいは２値
化被検査パターン４′から直接遅らせない信号と
の間で排他的論理和１３を演算することにより実
現することができる。同様に、第７図に示す特徴
抽出器１５ｂは手本パターン５あるいは２値化被
検査パターン４′の画像信号を１画素だけ遅せた
信号と、遅らせない信号との間で排他的論理和を
演算することにより実現できる。また、第９図は
上記第６図に示す欠陥候補判定器１６の構成を示
す回路図である。同図に示す如く、２値化被検査
パターン４′の特徴信号２４′を水平方向に２走査
線（2H）だけ遅らせた信号を出力する遅延線１
０と、この遅延線１０からの出力をさらに２画素
分だけ遅延させるシフトレジスタ１１と、手本パ
ターン５の特徴信号２５を水平方向に１走査線分
（1H）だけ遅らせた信号を出力する遅延線１０′
と、上記手本パターンの特徴信号２５から直接入
力されたいわゆる遅らせない特徴信号および上記
遅延線１０′により順次１走査線分（1H）だけ遅
らせた特徴信号とを複数個のシフトレジスタ１
１′を介して入力された特徴信号とを入力して演
算するNOR１８と、このNOR１８および上記シ
フトレジスタ１１よりの出力を入力して演算し、
欠陥候補信号を出力する論理積１９とを設けてい
る。上記の構成であるから、２値化被検査パター
ン４′にある特徴を有するときには、手本パター
ン５上の対応する画素の近傍（±２画素）を検査
するため、上記手本パターン５の特徴信号２５は
1H分の遅延線１０′とシフトレジスタ１１′を数
個用いて２次元の画像としている。なお、２値化
被検査パターン４′は遅延線１０およびシフトレ
ジスタ１１により水平および垂直方向に２画素分
だけ遅延させて、上記手本パターン特徴信号２５
の２次元画像の中央画素と対応づけている。

つぎに、相異する２つの閾値により、それぞれ
２値化した被検査パターンから、上記した方法で
検出した欠陥候補を用いて、真の欠陥と疑似欠陥
を区別する欠陥判定器について説明する。

欠陥判定器の最も簡単な構成としては、それぞ
れの欠陥候補に対して論理積を演算し（以下、欠
陥候補は論理値“１”を持つものとする。）、共通
の欠陥候補のみを真の欠陥とする方法が考えられ
る。しかし、真の欠陥に対する欠陥候補点が、２
値化による量子化誤差のために、相異なる欠陥候
補画像上、対応する画素に存在せず、わずかに離
れた位置の画素に存在した場合、上記方法では、
真の欠陥を見逃す事になる。そこで、真の欠陥の
見逃しを防止するためには、共通の欠陥候補のみ
を真の欠陥とするのではなく、一方の欠陥候補画
像に欠陥候補点が存在する時に、他方の欠陥候補
画像の対応する画像だけでなく、その近傍を検査
し、その近傍領域に欠陥候補が存在した場合、そ
の候補点を真の欠陥と判定する必要がある。

第１０図に欠陥判定器の一実施例を示す。本実
施例では、対応する画素の近傍として、Ｘ，Ｙ方
向それぞれ±１画素を考慮した３×３のウインド
ウを用いている。第１０図において、一方の欠陥
候補画像２０ａのある画素２１ａに対し、他方の
欠陥候補画像２０ｂから対応する画素２１ｂを含
む周囲画素３×３領域を切出し、その９個の画素
の論理和１７を演算する。もしこの近傍領域内に
欠陥候補が存在すれば論理和１７の値は“１”と
なる。続いてこの論理和１７と画素２１ａの論理
積１９を演算すれば、欠陥候補画像２０ａの画素
２１ａが欠陥候補点であり、かつ欠陥候補画像２
０ｂにおいて、画素２１ａに対応した画素２１ｂ
の近傍に欠陥候補が存在する場合にのみ出力１９
は“１”となり、真の欠陥のみを分離・検出する
事が可能となる。

以上説明した実施例では、被検査パターンに対
し２個の閾値を用いて２枚の欠陥候補画像を作成
し、その２枚の欠陥候補画像から真の欠陥のみを
検出する例を示したが、２値化閾値をＮ個（Ｎ＝
２，３、……）を用意し、得られるＮ枚の２値化
画像からそれぞれ欠陥候補を検出し、検出したＮ
枚の欠陥候補画像から真の欠陥を抽出しても良
い。この様にすれば、標本化及び２値化による量
子化誤差で発生する疑似欠陥が、例え２枚の欠陥
候補画像上で同じ位置に発生していても、他の欠
陥候補画像で同じ位置に疑似欠陥が発生していな
ければ、その疑似欠陥は除去する事が可能とな
り、検査の信頼性を向上する事ができる。

なお、本実施では、比較検査のための手本パタ
ーンとしてレチクル製造時の設計パターン等を用
いる場合を例としたが、被検査パターンと同一の
形状を有するパターンを撮像し、これを標本化
し、ある閾値で２値化したものを手本パターンと
して用いても同様の効果が得られる。

以上述べた様に、本実施例によれば被検査パタ
ーンの大きさが、手本パターンと多少異なつてい
ても、疑似欠陥を発生する事なく、微小な欠陥を
高い信頼度で検出する事が可能となる。また、本
実施例によれば、標本化のための画素サイズと同
程度の大きさの微小な欠陥を検出する事ができる
ため、高速に被検査パターンを撮像する事がで
き、検査時間の大幅な短縮に効果がある。

〔発明の効果〕

以上、詳細に説明したように、本発明によれ
ば、高速で信頼性の高いパターン欠陥検査装置を
実現することができるので、例えば集積回路製造
用マスクのパターン検査工程の効率を向上し、ひ
いてはIC等の製品の信頼性向上、原価低減等に
顕著な効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明によるパターンの欠陥検査の原
理を示す図、第２図は第１図の原理に基づくパタ
ーン欠陥検査装置を示すブロツク図、第３図はそ
の動作を示す説明図、第４図はその欠陥候補検出
器の構成の１例を示すブロツク図、第５図はその
動作を示す説明図、第６図はパターン欠陥検査装
置における欠陥候補検出器の構成の他の１例を示
すブロツク図、第７図はその動作を示す説明図、
第８図は第７図に示す水平方向境界抽出回路図、
第９図は第６図に示す欠陥候補検出器を示す回路
図、第１０図は欠陥判定器の１例を示す説明図、
第１１図は従来の欠陥のあるパターンの拡大像を
示す図、第１２図はパターン比較による欠陥検査
の概念を示す説明図、第１３図はその検査方法を
示す説明図である。 １……IC製造用マスク、２，４……被検査パ
ターン、３，５……手本パターン、７ａ，７ｂ…
…２値化回路、８ａ，８ｂ……欠陥候補検出器、
１０……遅延線、１１……シフトレジスタ、１２
……マツチング回路、４′……２値化した被検査
パターン、１５，１５′，１５ａ，１５ｂ……特
徴抽出器、１７……論理和。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 検査対象となるパターンを光電変換素子等を
   用いて撮像することにより得られるパターンと、
   該パターンに対応した手本パターンとを比較して
   前記検査対象となるパターンの欠陥を検出するパ
   ターン欠陥検査方法において、前記検査対象とな
   るパターンを光電変換素子等を用いて撮像する事
   により得られるパターンを相異する２つ以上の２
   値化閾値で２値化し、これによつて得られる複数
   の２値化パターンと、前記手本パターンとを各々
   比較し、不一致部分を前記複数の２値化パターン
   に各々対応する欠陥候補パターンとしてとらえ、
   該複数の欠陥候補パターンの互いに対応する位置
   近傍の各々に前記不一致部分が存在するとき、前
   記検査対象となるパターン上に欠陥が存在すると
   して判定することを特徴とするパターン欠陥検査
   方法。 ２ 検査対象となるパターンを光電変換素子等に
   て撮像することによつて得られるパターンと、該
   パターンに対応した手本パターンとを比較して前
   記検査対象となるパターンの欠陥を検出するよう
   にしたパターン欠陥検査装置において、前記検査
   対象となるパターンを光電変換素子等を用いて撮
   像することにより得られるパターンを相異する２
   値化閾値で２値化させる少なくとも２つ以上有す
   る２値化回路と、該２値化回路よりの出力と、前
   記手本パターンとを各々比較し、両者の間に不一
   致部分が存在するとき、これを欠陥候補として検
   出する該２値化回路と同一数量有する欠陥候補検
   出器と、各々の該欠陥候補検出器からの出力を入
   力とし、これら出力中の互いに対応する位置近傍
   に前記欠陥候補が存在するとき、前記検査対象と
   なるパターン上に欠陥が存在することを表示する
   欠陥信号を出力する欠陥判定器とを設けたことを
   特徴とするパターン欠陥検査装置。