JPH0453823A - 熱硬化性樹脂組成物 - Google Patents
熱硬化性樹脂組成物Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、半導体封止用の液状熱硬化性樹脂組成物に関
するものである。特に本発明は、信頼性にすぐれたTA
B用封止材料に関するものである。
するものである。特に本発明は、信頼性にすぐれたTA
B用封止材料に関するものである。
最近、電子腕時計、カメラ、電卓、ICカード、ワープ
ロ、液晶テレビなどの電子機器が軽薄短小化、高機能化
の流れをたどるなかで、その製品の中枢部である半導体
素子の実装形態も変りつつある。
ロ、液晶テレビなどの電子機器が軽薄短小化、高機能化
の流れをたどるなかで、その製品の中枢部である半導体
素子の実装形態も変りつつある。
フィルムキャリヤ(TAB)実装方法は、半導体素子の
多端子化、実装の高密度化という流れに沿ったもので、
時計、電卓、サーマルヘッド、液晶デイスプレーにおけ
る実装に使用されており、今後の拡大が期待されている
。種々の用途でTAB実装方法の有用性が認められなが
ら、メモリー用途などへの本格的な普及が遅れている理
由の1つとして、トランスファーモールド用封止樹脂と
同レベルの高信頼性を有するTAB用封止材料が現在未
だ市場に提供されていないということが挙げられる。
多端子化、実装の高密度化という流れに沿ったもので、
時計、電卓、サーマルヘッド、液晶デイスプレーにおけ
る実装に使用されており、今後の拡大が期待されている
。種々の用途でTAB実装方法の有用性が認められなが
ら、メモリー用途などへの本格的な普及が遅れている理
由の1つとして、トランスファーモールド用封止樹脂と
同レベルの高信頼性を有するTAB用封止材料が現在未
だ市場に提供されていないということが挙げられる。
〈従来の技術〉
従来、TAB用封止材料としては、エピビス型エポキシ
樹脂、1分子中にメトキシ基を3個有する有機けい素化
合物、レゾール型フェノール樹脂硬化剤、有機顔料又は
無機顔料、および有機溶剤を成分とする液状エポキシ樹
脂が提案されている(特公平1−36984)。
樹脂、1分子中にメトキシ基を3個有する有機けい素化
合物、レゾール型フェノール樹脂硬化剤、有機顔料又は
無機顔料、および有機溶剤を成分とする液状エポキシ樹
脂が提案されている(特公平1−36984)。
〈発明が解決しようとする課題〉
この先行技術をベースとする封止材で封止された半導体
素子は、トランスファーモールド用の封止樹脂で封止さ
れた半導体素子に比較すると信頼性の点では劣るものの
、電卓、液晶デイスプレーなどの信頼性に関する要求が
メモリー用途はど厳しくない民生用の分野ではすでに実
用化されている。
素子は、トランスファーモールド用の封止樹脂で封止さ
れた半導体素子に比較すると信頼性の点では劣るものの
、電卓、液晶デイスプレーなどの信頼性に関する要求が
メモリー用途はど厳しくない民生用の分野ではすでに実
用化されている。
しかしながら、TAB用封用材止材モリー用途を含む産
業用分野でも広く使用されるためには、より高度の信頼
性を有し、かつ大サイズチップにも適用可能な低応力タ
イプのTAB用封用材止材発が必要な状況になっている
。
業用分野でも広く使用されるためには、より高度の信頼
性を有し、かつ大サイズチップにも適用可能な低応力タ
イプのTAB用封用材止材発が必要な状況になっている
。
〈課題を解決するための手段〉
発明者らは、従来提案されているTAB用封止剤に比較
して信頼性の面でより改善されると共に、低応力性が付
与された新規なTAB封止剤を得るために、鋭意検討を
重ねた結果、次の発明に達した。
して信頼性の面でより改善されると共に、低応力性が付
与された新規なTAB封止剤を得るために、鋭意検討を
重ねた結果、次の発明に達した。
すなわち、本発明は、
(A)下記の一般式で表わされる多官能エポキシ樹脂
(nは0または1以上、10以下の整数を表わす。)
100重量部、
(B)−船蔵
(C)1分子中に、ケイ素原子に直接結合した下記の構
造単位を含む有機ケイ素化合物(nは0または1以上、
10以下の整数を表わす。) のビスフェノールA系エポキシ樹脂、および/または一
般式 (n=2または3;Rは同一または相異なる置換基であ
って、炭素数1〜20のアルキル基、アルコキシ基、置
換アルキル基を表わす;m二〇〜4の整数) 1〜900重量部、 (D)下記の一般式で表わされるフェノールノボラック
樹脂 (nは0または1以上、10以下の整数を表わす。) のビスフェノールAD型エポキシ樹脂1〜900重量部
、 (R−は同一または相異なる置換基であって、炭素数1
〜10のアルキル基、アルケニル基、ビニル基、アリル
基を表わす。Ωの平均値は0以上、3以下であり、kは
0または1以上、20以下の整数を表わす。) 10〜900重量部 (E)1分子中にけい素原子に直結した2個以上のアル
コキシ基、水酸基を有する有機けい素化合物0.001
〜500重量部 を必須成分とする半導体封止用の熱硬化性樹脂組成物に
関するものである。
造単位を含む有機ケイ素化合物(nは0または1以上、
10以下の整数を表わす。) のビスフェノールA系エポキシ樹脂、および/または一
般式 (n=2または3;Rは同一または相異なる置換基であ
って、炭素数1〜20のアルキル基、アルコキシ基、置
換アルキル基を表わす;m二〇〜4の整数) 1〜900重量部、 (D)下記の一般式で表わされるフェノールノボラック
樹脂 (nは0または1以上、10以下の整数を表わす。) のビスフェノールAD型エポキシ樹脂1〜900重量部
、 (R−は同一または相異なる置換基であって、炭素数1
〜10のアルキル基、アルケニル基、ビニル基、アリル
基を表わす。Ωの平均値は0以上、3以下であり、kは
0または1以上、20以下の整数を表わす。) 10〜900重量部 (E)1分子中にけい素原子に直結した2個以上のアル
コキシ基、水酸基を有する有機けい素化合物0.001
〜500重量部 を必須成分とする半導体封止用の熱硬化性樹脂組成物に
関するものである。
以下、本発明について詳細に説明する。
本発明で使用される多官能エポキシ樹脂(成分A)は下
記の構造式を示すものであり、純度の点では半導体封止
用グレードであることが望ましい。
記の構造式を示すものであり、純度の点では半導体封止
用グレードであることが望ましい。
(nはOまたは1以上、10以下の整数を表わす。)
その全塩素含有量(エポキシ樹脂協会による全塩素測定
法による。アルカリ成分+INKOH−プロピレングリ
コール、溶剤ニブチルカルピトール、還流時間:10分
)の値が2000ppm以下、好ましくは11000p
pであるものが使用される。
法による。アルカリ成分+INKOH−プロピレングリ
コール、溶剤ニブチルカルピトール、還流時間:10分
)の値が2000ppm以下、好ましくは11000p
pであるものが使用される。
本発明におけるビスフェノールA系エポキシ樹脂として
は、−船蔵 (nは0または1以上、10以下の整数を表わす。) で表わされるものであり、重合度nが一定である単分散
なものであってもよいが、重合度nの異なる成分の混合
物であってもよい。
は、−船蔵 (nは0または1以上、10以下の整数を表わす。) で表わされるものであり、重合度nが一定である単分散
なものであってもよいが、重合度nの異なる成分の混合
物であってもよい。
ビスフェノールA系エポキシ樹脂としては、より好まし
くは室温にて流動性を有しているものがよく、そのエポ
キシ当量が170〜400(g/equiv )の範囲
にあるものがより望ましい。
くは室温にて流動性を有しているものがよく、そのエポ
キシ当量が170〜400(g/equiv )の範囲
にあるものがより望ましい。
本発明におけるビスフェノールAD型エポキシ樹脂は、
−船蔵 (nは0または1以上、10以下の整数を表わす。〉 で表わされるものであり、重合度nが一定な単分散なも
のであってもよいが、重合度nの異なる成分の混合物で
あってもよい。
−船蔵 (nは0または1以上、10以下の整数を表わす。〉 で表わされるものであり、重合度nが一定な単分散なも
のであってもよいが、重合度nの異なる成分の混合物で
あってもよい。
ビスフェノールAD型エポキシ樹脂はより好ましくは室
温にて流動性を有しているものがよく、より低粘度であ
るほど本発明の熱硬化性樹脂組成物から得られる液状コ
ンパウンドのスクリーン印刷性などの塗布適性、ディス
ペンス性の点て好ましい。そのエポキシ当量は163〜
400 (g /equiv )の範囲にあるものが望
ましい。
温にて流動性を有しているものがよく、より低粘度であ
るほど本発明の熱硬化性樹脂組成物から得られる液状コ
ンパウンドのスクリーン印刷性などの塗布適性、ディス
ペンス性の点て好ましい。そのエポキシ当量は163〜
400 (g /equiv )の範囲にあるものが望
ましい。
同一の分子量においては、ビスフェノールA型エポキシ
樹脂よりもビスフェノールAD型エポキシ樹脂の方が低
粘度であるとともに、硬化物の機械的特性と耐熱性(ガ
ラス転移温度、長期耐熱性)がほぼ同等であることから
、後者を単独で使用することが最も好ましいが、両者の
混合物ないし前者を単独で使用してもよい。
樹脂よりもビスフェノールAD型エポキシ樹脂の方が低
粘度であるとともに、硬化物の機械的特性と耐熱性(ガ
ラス転移温度、長期耐熱性)がほぼ同等であることから
、後者を単独で使用することが最も好ましいが、両者の
混合物ないし前者を単独で使用してもよい。
ビスフェノールA型エポキシ樹脂とビスフェノールAD
型エポキシ樹脂ともその全塩素含有量(エポキシ樹脂協
会による全塩素測定法による)が2000ppm以下、
より好ましくは10ooppm以下であるものが望まし
く使用される。
型エポキシ樹脂ともその全塩素含有量(エポキシ樹脂協
会による全塩素測定法による)が2000ppm以下、
より好ましくは10ooppm以下であるものが望まし
く使用される。
本発明の熱硬化性樹脂組成物中における成分Bの配合量
については、100重量部の成分Aに対して、1〜90
0重量部の成分Bを配合するのがよい。
については、100重量部の成分Aに対して、1〜90
0重量部の成分Bを配合するのがよい。
成分Bの配合量が1重量部未満のときには、硬化後の応
力が高くなるため硬化物の耐湿熱性と信頼性が不十分と
なり、成分Bの配合量が900重−1部を超えると、硬
化物のガラス転移温度が低下するために耐湿熱性と信頼
性が悪化する。
力が高くなるため硬化物の耐湿熱性と信頼性が不十分と
なり、成分Bの配合量が900重−1部を超えると、硬
化物のガラス転移温度が低下するために耐湿熱性と信頼
性が悪化する。
成分Bの配合量は、より好ましくは、成分A100重量
部に対して、10〜500重量部である。
部に対して、10〜500重量部である。
本発明においては、ケイ素原子′に直接結合した下記の
構造単位を1分子中に少くとも1個以上含む含ケイ素エ
ポキシ化合物が、硬化物を低応力化するために使用され
る。
構造単位を1分子中に少くとも1個以上含む含ケイ素エ
ポキシ化合物が、硬化物を低応力化するために使用され
る。
\0/
(n=2または3:Rは同一または相異なる置換基であ
って、炭素数1〜20のアルキル基、アルコキシ基、置
換アルキル基を表わす;mO〜4の整数) 本発明の熱硬化性樹脂組成物中における含ケイ素エポキ
シ化合物の配合量は、成分A100重量部に対して1重
量部以上、100重量部以下であることが好ましい。
って、炭素数1〜20のアルキル基、アルコキシ基、置
換アルキル基を表わす;mO〜4の整数) 本発明の熱硬化性樹脂組成物中における含ケイ素エポキ
シ化合物の配合量は、成分A100重量部に対して1重
量部以上、100重量部以下であることが好ましい。
含ケイ素エポキシ化合物の配合量が100重量部を超え
ると、本発明の熱硬化性樹脂組成物から選ばれた硬化物
のガラス転移温度、力学特性(弾性率、曲げ強度、破断
強度)がその配合量が100重景部具下である場合に比
較して著しく低下するため好ましくない。
ると、本発明の熱硬化性樹脂組成物から選ばれた硬化物
のガラス転移温度、力学特性(弾性率、曲げ強度、破断
強度)がその配合量が100重景部具下である場合に比
較して著しく低下するため好ましくない。
含ケイ素エポキシ化合物の配合量が1重量部未満のとき
には、硬化物の応力が高くなるため、本発明の組成物を
使用して封止したIC素子の耐湿熱信頼性が悪化するた
めに好ましくない。
には、硬化物の応力が高くなるため、本発明の組成物を
使用して封止したIC素子の耐湿熱信頼性が悪化するた
めに好ましくない。
本発明の含ケイ素エポキシ化合物は、分子内に5i−H
基を有するポリオルガノシロキサンオリゴマーとアリル
またはビニル基を含するフェニルグリシジルエーテル誘
導体との下記の反応によって容易に合成することができ
る。
基を有するポリオルガノシロキサンオリゴマーとアリル
またはビニル基を含するフェニルグリシジルエーテル誘
導体との下記の反応によって容易に合成することができ
る。
\○′
H2PtCl6触媒
\○/
(ここに、
m二2゜
、R=
H
H2
H2
CH=CH2
e
\0′
H,PtC1&触媒
e
e
\○′
含ケイ素エポキシ化合物の具体的な例としては、
下記の化合物を挙げることができるが特にこれらに限ら
れた訳ではない。
れた訳ではない。
これらの化合物のなかでも特に好ましく使用されるのは
下記の化合物である。
下記の化合物である。
本発明の熱硬化性樹脂組成物において硬化剤成分として
は、下記の一般式のフェノールノボラック樹脂が使用さ
れる。
は、下記の一般式のフェノールノボラック樹脂が使用さ
れる。
以上、3以下であり、kは1以上、20以下の整数を表
わす。) その重合度(=に+2)については、0≦に≦20の範
囲にあることが望ましく、分子量の異なる多種類の成分
の混合物であってもよい。
わす。) その重合度(=に+2)については、0≦に≦20の範
囲にあることが望ましく、分子量の異なる多種類の成分
の混合物であってもよい。
より好ましいkの値は0≦に≦10である。kが10を
超えると、本発明の熱硬化性樹脂組成物から得られる液
状コンパウンドの粘度が高くなるため、作業性(ディス
ペンス性、スクリーン印刷性)が悪化し問題となる。
超えると、本発明の熱硬化性樹脂組成物から得られる液
状コンパウンドの粘度が高くなるため、作業性(ディス
ペンス性、スクリーン印刷性)が悪化し問題となる。
本発明のフェノールノボラック樹脂の代表的な例として
は、下記の構造のものが挙げられる。
は、下記の構造のものが挙げられる。
(R−は同一または相異なる置換基であって、炭素数1
〜10のアルキル基、アルケニル基、ビニル基、アリル
基を表わす。pの平均値はOCH2””CH31(OC
2H5)3、本発明において使用される、1分子中にケ
イ素原子に直接結合したアルコキシ基または水酸基を2
個以上有する有機ケイ素化合物としては、次に例示する
ような化合物が使用されるが、特にこれらに限られた訳
ではない。
〜10のアルキル基、アルケニル基、ビニル基、アリル
基を表わす。pの平均値はOCH2””CH31(OC
2H5)3、本発明において使用される、1分子中にケ
イ素原子に直接結合したアルコキシ基または水酸基を2
個以上有する有機ケイ素化合物としては、次に例示する
ような化合物が使用されるが、特にこれらに限られた訳
ではない。
H2N(CH2)2 NH(CH2)s82 N (C
H2)3 Si (OC2HsH2N (CH2)2
NH(CH2)3CH2CHCH20(CH2)3 \0/ CトS i (OCH3) 1、 Si (OCHv )3、 )1、 Si (CHi )(OCRl)2、 Si(OCHt)1、 (CH103)Sic2H4Si (OCHl) 1、
ClCH2CH2CH2Sl (OCH3)3、CトN
HCH2S i (OCHt ) 3、CトNH(CH
2) 3 S i (OCHl) q、C2H,0CO
NHC3H6Si (OCH3’) 1、CF3CH2
CH2Si (OCH3)3、t (t=0または1以上の整数) CH3Si CH3 本発明の熱硬化性樹脂組成物には、公知の硬化促進剤を
必要に応じて添加することができる。
H2)3 Si (OC2HsH2N (CH2)2
NH(CH2)3CH2CHCH20(CH2)3 \0/ CトS i (OCH3) 1、 Si (OCHv )3、 )1、 Si (CHi )(OCRl)2、 Si(OCHt)1、 (CH103)Sic2H4Si (OCHl) 1、
ClCH2CH2CH2Sl (OCH3)3、CトN
HCH2S i (OCHt ) 3、CトNH(CH
2) 3 S i (OCHl) q、C2H,0CO
NHC3H6Si (OCH3’) 1、CF3CH2
CH2Si (OCH3)3、t (t=0または1以上の整数) CH3Si CH3 本発明の熱硬化性樹脂組成物には、公知の硬化促進剤を
必要に応じて添加することができる。
硬化促進剤の具体例としては、たとえば2−メチルイミ
ダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−
フェニル−4−メチルイミダゾール、2−フェニル−4
−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾールなどのイ
ミダゾール化合物またはこれらのヒドロキシ安息香酸ま
たはジヒドロキシ安息香酸などの酸付加塩、N。
ダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−
フェニル−4−メチルイミダゾール、2−フェニル−4
−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾールなどのイ
ミダゾール化合物またはこれらのヒドロキシ安息香酸ま
たはジヒドロキシ安息香酸などの酸付加塩、N。
N−−ジメチルピペラジン、2,4.6−)−リス(ジ
メチルアミノメチル)フェノール、1゜8−ジアザビシ
クロ(5,4,O)ウンデセン7.4−ジメチルアミノ
ピリジンなどのアミン化合物またはこれらのヒドロキシ
安息香酸またはジヒドロキシ安息香酸などの酸付加塩な
ど、トリフェニルホスフィン、トリシクロヘキシルホス
フィン、ビス(ジフェニルホスフィノ)メタン、トリス
(2,6−シメトキシフエニル)ホスフィン、トリフェ
ニルホスフィン−トリフェニルボラン、テトラフェニル
ホスホニウムテトラフェニルボレートなどのホスフィン
化合物、トリエチルアンモニウム−テトラフェニルボレ
ート、ピリジニウム−テトラフェニルホレートなどの含
はう素化合物、アルミニウムアセチルアセトナート、コ
バルトアセチルアセトナートなどの金属アセチルアセト
ナート類が挙げられる。
メチルアミノメチル)フェノール、1゜8−ジアザビシ
クロ(5,4,O)ウンデセン7.4−ジメチルアミノ
ピリジンなどのアミン化合物またはこれらのヒドロキシ
安息香酸またはジヒドロキシ安息香酸などの酸付加塩な
ど、トリフェニルホスフィン、トリシクロヘキシルホス
フィン、ビス(ジフェニルホスフィノ)メタン、トリス
(2,6−シメトキシフエニル)ホスフィン、トリフェ
ニルホスフィン−トリフェニルボラン、テトラフェニル
ホスホニウムテトラフェニルボレートなどのホスフィン
化合物、トリエチルアンモニウム−テトラフェニルボレ
ート、ピリジニウム−テトラフェニルホレートなどの含
はう素化合物、アルミニウムアセチルアセトナート、コ
バルトアセチルアセトナートなどの金属アセチルアセト
ナート類が挙げられる。
上記の硬化促進剤を本発明の熱硬化性樹脂組成物に添加
する場合には、通常、エポキシ基を含む化合物の総重量
100重量部に対して0゜1〜100重量部添加される
。
する場合には、通常、エポキシ基を含む化合物の総重量
100重量部に対して0゜1〜100重量部添加される
。
本発明の熱硬化性樹脂組成物には、他のエポキシ樹脂を
添加してもよい。その添加量は、成分A、B、Cの総重
量100重量部に対して100重量部以下であることが
好ましい。
添加してもよい。その添加量は、成分A、B、Cの総重
量100重量部に対して100重量部以下であることが
好ましい。
他のエポキシ樹脂としては1分子あたり1個以上のエポ
キシ基を有する化合物であれば特に制限はなく、たとえ
ば、ビスフェノールFジグリシジルエーテル、フェノー
ルノホラックボリグリシジルエーテル、クレゾールノボ
ラックポリグリシジルエーテル、レゾルシンジグリシジ
ルエーテル、フェニルグリシジルエーテル、ptert
−ブチルグリシジルエーテル、ビニルシクロヘキセンオ
キシドなどが挙げられる。
キシ基を有する化合物であれば特に制限はなく、たとえ
ば、ビスフェノールFジグリシジルエーテル、フェノー
ルノホラックボリグリシジルエーテル、クレゾールノボ
ラックポリグリシジルエーテル、レゾルシンジグリシジ
ルエーテル、フェニルグリシジルエーテル、ptert
−ブチルグリシジルエーテル、ビニルシクロヘキセンオ
キシドなどが挙げられる。
本発明の組成物には、必要に応じて希釈剤を添加するこ
とができる。その例としては、メチルセロソルブ、エチ
ルセロソルブ、ブチルセロソルブアセテート、エチルカ
ルピトール、ブチルカルピトール、エチルカルピトール
アセテート、γ−ブチロラクトン、4−バレロラクトン
、炭酸プロピレン、キシレン、トルエン、酢酸エチル、
メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなどが挙
げられる。
とができる。その例としては、メチルセロソルブ、エチ
ルセロソルブ、ブチルセロソルブアセテート、エチルカ
ルピトール、ブチルカルピトール、エチルカルピトール
アセテート、γ−ブチロラクトン、4−バレロラクトン
、炭酸プロピレン、キシレン、トルエン、酢酸エチル、
メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなどが挙
げられる。
本発明の組成物には必要に応じて、無機充填剤、顔料、
染料、離型剤、酸化防止剤、難燃剤、ゴムなどの各種可
撓性付与剤などを添加してもよい。無機充填剤の例とし
ては、結晶性シリカ、非結晶性シリカなどの天然シリカ
、合成高純度シリカ、合成球状シリカ、タルク、マイカ
、炭酸カルシウム、窒化ケイ素、ボロシナイトライド、
アルミナなどから1種または2種以上を適宜使用するこ
とができる。
染料、離型剤、酸化防止剤、難燃剤、ゴムなどの各種可
撓性付与剤などを添加してもよい。無機充填剤の例とし
ては、結晶性シリカ、非結晶性シリカなどの天然シリカ
、合成高純度シリカ、合成球状シリカ、タルク、マイカ
、炭酸カルシウム、窒化ケイ素、ボロシナイトライド、
アルミナなどから1種または2種以上を適宜使用するこ
とができる。
本発明の組成物の混合方法としては、必要に応じて高温
において溶融させる方法あるいは室温ないし150℃以
下の温度でニーダ−、プラネタリ−ミキサー、3本ロー
ル、1軸または2軸の押出機などを使用して混練する方
法が適用される。
において溶融させる方法あるいは室温ないし150℃以
下の温度でニーダ−、プラネタリ−ミキサー、3本ロー
ル、1軸または2軸の押出機などを使用して混練する方
法が適用される。
〈作用〉
本発明においては、特定の構造の3官能エポキシ樹脂、
2官能性エポキシ樹脂、含けい素エポキシ化合物、フェ
ノールノボラック樹脂と有機けい素化合物を使用するこ
とによって、従来技術に優る信頼性と低応力を有するT
AB封止材が提供される。
2官能性エポキシ樹脂、含けい素エポキシ化合物、フェ
ノールノボラック樹脂と有機けい素化合物を使用するこ
とによって、従来技術に優る信頼性と低応力を有するT
AB封止材が提供される。
〈特性の評価方法〉
なお、本発明における特性の評価方法は次の通りである
。
。
1、ガラス転移温度
試験片(5mnX 5mmX 10wm)を作成し、熱
機械的分析装置(セイコー電子工業■TMA 10型)
を用いて、30〜330℃まで10℃/分で昇温した時
の変位−温度曲線における変曲点を測定してガラス転移
温度とした。
機械的分析装置(セイコー電子工業■TMA 10型)
を用いて、30〜330℃まで10℃/分で昇温した時
の変位−温度曲線における変曲点を測定してガラス転移
温度とした。
2、吸水率
成形板(50■φ×3Trrm厚)をプレッシャークツ
カー・テスト装置(PCT)を用いて121℃、関係湿
度100%、100時間吸水させたのちの重量増加を測
定して、吸水率を算出した。
カー・テスト装置(PCT)を用いて121℃、関係湿
度100%、100時間吸水させたのちの重量増加を測
定して、吸水率を算出した。
3、絶縁抵抗
アルミナ基板上に、銅膜厚30μmのくし形電極(IP
C−3M−840B形)を作成し、ワニスを塗布、硬化
させた後、極超絶縁計(東亜電波工業(IISM−10
E型)を用い、直流100Vの電圧を印加し、1分後の
抵抗値を測定して絶縁抵抗値とした。
C−3M−840B形)を作成し、ワニスを塗布、硬化
させた後、極超絶縁計(東亜電波工業(IISM−10
E型)を用い、直流100Vの電圧を印加し、1分後の
抵抗値を測定して絶縁抵抗値とした。
4、シリコン板の反り
シリコン板(10mmX40閣xQ、3wm厚)に、硬
化後50μmの厚さとなるようワニスを塗布し、80℃
にて50分、110℃にて20分、150℃にて3時間
加熱硬化させた後、表面粗さ計(東京精密■)を用いて
、中央部の30m間のシリコン板の反りを測定した。
化後50μmの厚さとなるようワニスを塗布し、80℃
にて50分、110℃にて20分、150℃にて3時間
加熱硬化させた後、表面粗さ計(東京精密■)を用いて
、中央部の30m間のシリコン板の反りを測定した。
[実施例1コ
下記構造式の多官能エポキシ樹脂(日本化薬味製、EP
PN501H) 20重量部、フェノールノボラック樹脂(明相化成■製
、H−1>57重量部、トリフェニルホスフィン(北回
化学■製)1.5重量部、下記の推定構造式のγ−グリ
シドキシプロピルトリメトキシシランの加水分解縮合物
(チッソ蛛製、YA−2) (n=0を主成分とする) 60重量部、ビスフェノールA型エポキシ樹脂(旭化成
側製、X−2317)20重量部、下記構造式の含けい
素エポキシ化合物 1.5重量部、下記構造式で示されるシラノール基を含
む有機けい素化合物(東し・ダウコーニングシリコーン
■製、SH−6018)(R−CH2CH2CH3、C
b Hs )1,5重量部を計量混合し、100℃に加
熱したミキシングロールで15分間溶融混練を行い、冷
却後粉砕を行って粉末状の熱硬化性樹脂組成物を得た。
PN501H) 20重量部、フェノールノボラック樹脂(明相化成■製
、H−1>57重量部、トリフェニルホスフィン(北回
化学■製)1.5重量部、下記の推定構造式のγ−グリ
シドキシプロピルトリメトキシシランの加水分解縮合物
(チッソ蛛製、YA−2) (n=0を主成分とする) 60重量部、ビスフェノールA型エポキシ樹脂(旭化成
側製、X−2317)20重量部、下記構造式の含けい
素エポキシ化合物 1.5重量部、下記構造式で示されるシラノール基を含
む有機けい素化合物(東し・ダウコーニングシリコーン
■製、SH−6018)(R−CH2CH2CH3、C
b Hs )1,5重量部を計量混合し、100℃に加
熱したミキシングロールで15分間溶融混練を行い、冷
却後粉砕を行って粉末状の熱硬化性樹脂組成物を得た。
この組成物を100℃に数分間加熱して溶融9させた後
、真空脱気して金型に流し込み、120℃にて1時間、
150℃にて3時間加熱して硬化させ、物性試験用の試
験片を得た。
、真空脱気して金型に流し込み、120℃にて1時間、
150℃にて3時間加熱して硬化させ、物性試験用の試
験片を得た。
TMA法によるガラス転移温度は170℃であり、PC
T試験(121℃、関係湿度100%、100時間)後
には150℃に低下した。
T試験(121℃、関係湿度100%、100時間)後
には150℃に低下した。
吸水率は3.00重量%であった。
上記の粉末状の熱硬化性樹脂組成物40重量部に溶媒(
キシレン/n−ブタノール/メチルイソブチルケトン混
合溶媒1重量比15:20:65)を加え、均一に溶解
した。このワニスをクシ型電極上に塗布しく硬化後の膜
厚:100μm)、PCT試験(121℃、関係湿度1
00%、100時間)前後の線間の絶縁抵抗を評価した
。
キシレン/n−ブタノール/メチルイソブチルケトン混
合溶媒1重量比15:20:65)を加え、均一に溶解
した。このワニスをクシ型電極上に塗布しく硬化後の膜
厚:100μm)、PCT試験(121℃、関係湿度1
00%、100時間)前後の線間の絶縁抵抗を評価した
。
PCT試験前の絶縁抵抗は5.3X10”Ω、PCT試
験後の絶縁抵抗は2.0XIO13Ωであった。
験後の絶縁抵抗は2.0XIO13Ωであった。
このワニスを、片面タイプのフィルムキャリア(Kap
tonの膜厚50 μm、接着剤厚20μm、銅箔厚み
35μm)にインナーリードボンディングされた模擬素
子(線幅、線間8μm、パッシベーション膜無し、ピン
数=20本)に塗布し、80℃にて50分、110℃に
て20分、150℃にて3時間加熱し、硬化させた。
tonの膜厚50 μm、接着剤厚20μm、銅箔厚み
35μm)にインナーリードボンディングされた模擬素
子(線幅、線間8μm、パッシベーション膜無し、ピン
数=20本)に塗布し、80℃にて50分、110℃に
て20分、150℃にて3時間加熱し、硬化させた。
PCT試験(121℃、関係湿度100%)後の断線不
良率を1000時間まで追跡し、その結果を−ei旧プ
旧ソロット理したところ、10%不良発生時間は300
時間、50%不良発生時間は620時間であった。
良率を1000時間まで追跡し、その結果を−ei旧プ
旧ソロット理したところ、10%不良発生時間は300
時間、50%不良発生時間は620時間であった。
このワニスをシリコン板に塗布、硬化後のシリコン板の
反りを測定したところ29μmであった。
反りを測定したところ29μmであった。
[実施例2]
多官能エポキシ樹脂(EPPN501H)60重量部、
ビスフェノールAD型エポキシ樹脂(三井石油化学工業
■製、R1710)20重量部、実施例1において使用
した含けい素エポキシ化合物20重量部、フェノールノ
ボラック樹脂(H−1)59重量部、トリフェニルホス
フィン1.5重量部、γ−グリシドキシプロビルトリメ
トキシシランの加水分解給金物(YA−2)1.5重量
部、シラノール基を含む有機けい素化合物(SH601
8)1.5重量部を計量混合し、実施例1と同様の手順
で粉末状の熱硬化性樹脂組成物を得た。
ビスフェノールAD型エポキシ樹脂(三井石油化学工業
■製、R1710)20重量部、実施例1において使用
した含けい素エポキシ化合物20重量部、フェノールノ
ボラック樹脂(H−1)59重量部、トリフェニルホス
フィン1.5重量部、γ−グリシドキシプロビルトリメ
トキシシランの加水分解給金物(YA−2)1.5重量
部、シラノール基を含む有機けい素化合物(SH601
8)1.5重量部を計量混合し、実施例1と同様の手順
で粉末状の熱硬化性樹脂組成物を得た。
この組成物を100℃に数分間加熱して溶融させた後、
真空脱気して金型に流し込み、120℃にて1時間、1
50℃にて3時間加熱して硬化させ、物性試験用の試験
片を得た。
真空脱気して金型に流し込み、120℃にて1時間、1
50℃にて3時間加熱して硬化させ、物性試験用の試験
片を得た。
TMA法によるガラス転移温度は168℃であり、PC
T試験(121℃、関係湿度100%、100時間)後
には151℃に低下した。
T試験(121℃、関係湿度100%、100時間)後
には151℃に低下した。
吸水率は2.98重量%であった。
上記の粉末状の熱硬化性樹脂組成物40重量部に溶媒(
キシレン/n−ブタノール/メチルイソブチルケトン混
合溶媒1重量比15:20:65)を加え、均一に溶解
した。このワニスをクシ型電極上に塗布しく硬化後の膜
厚:100μm)、PCT試験(121℃、関係湿度1
00%、100時間)前後の線間の絶縁抵抗を評価した
。
キシレン/n−ブタノール/メチルイソブチルケトン混
合溶媒1重量比15:20:65)を加え、均一に溶解
した。このワニスをクシ型電極上に塗布しく硬化後の膜
厚:100μm)、PCT試験(121℃、関係湿度1
00%、100時間)前後の線間の絶縁抵抗を評価した
。
PCT試験前の絶縁抵抗は5.lXl0”Ω、PCT試
験後の絶縁抵抗は3.0XIO”Ωであった。
験後の絶縁抵抗は3.0XIO”Ωであった。
このワニスを、片面タイプのフィルムキャリア(Kap
tOnの膜厚50 μm、接着剤厚20μm、銅箔厚み
35μm)にインナーリードボンディングされた模擬素
子(線幅、線間8μm、パッシベーション膜無し、ピン
数−20本)に塗布し、80℃にて50分、110℃に
て20分、150℃にて3時間加熱し、硬化させた。
tOnの膜厚50 μm、接着剤厚20μm、銅箔厚み
35μm)にインナーリードボンディングされた模擬素
子(線幅、線間8μm、パッシベーション膜無し、ピン
数−20本)に塗布し、80℃にて50分、110℃に
て20分、150℃にて3時間加熱し、硬化させた。
PCT試験(121℃、関係湿度100%)後の断線不
良率を1000時間まで追跡し、その結果をWeibl
プロットで整理したところ、10%不良発生時間は30
0時間、50%不良発生時間は610時間であった。
良率を1000時間まで追跡し、その結果をWeibl
プロットで整理したところ、10%不良発生時間は30
0時間、50%不良発生時間は610時間であった。
このワニスをシリコン板に塗布、硬化後のシリコン板の
反りを測定したところ29μmであった。
反りを測定したところ29μmであった。
[実施例3]
多官能エポキシ樹脂(EPPN501H)60重量部、
ビスフェノールA型エポキシ樹脂(X−2317)40
重量部、フェノールノボラック樹脂(H−1>62重量
部、トリフェニルホスフィン1.5重量部、γ−グリシ
ドキシプロビルトリメトキシシランの加水分解線金物(
YA−2>1.5重量部、シラノール基を含°む有機け
い素化合物(SH6018)1.5重量部を計量混合し
、実施例1と同様の手順で粉末状の熱硬化性樹脂組成物
を得た。
ビスフェノールA型エポキシ樹脂(X−2317)40
重量部、フェノールノボラック樹脂(H−1>62重量
部、トリフェニルホスフィン1.5重量部、γ−グリシ
ドキシプロビルトリメトキシシランの加水分解線金物(
YA−2>1.5重量部、シラノール基を含°む有機け
い素化合物(SH6018)1.5重量部を計量混合し
、実施例1と同様の手順で粉末状の熱硬化性樹脂組成物
を得た。
この組成物を100℃に数分間加熱して溶融させた後、
真空脱気して金型に流し込み、120℃にて1時間、1
50℃にて3時間加熱して硬化させ、物性試験用の試験
片を得た。
真空脱気して金型に流し込み、120℃にて1時間、1
50℃にて3時間加熱して硬化させ、物性試験用の試験
片を得た。
TMA法によるガラス転移温度は160℃であり、PC
T試験(121℃、関係湿度100%、100時間)後
には132℃に低下した。
T試験(121℃、関係湿度100%、100時間)後
には132℃に低下した。
吸水率は2.95重量%であった。
上記の粉末状の熱硬化性樹脂組成物40重量部に溶媒(
キシレン/n−ブタノール/メチルイソブチルケトン混
合溶媒1重量比15:20:65)を加え、均一に溶解
した。このワニスをクシ型電極上に塗布しく硬化後の膜
厚:100μm> 、PCT試験(121℃、関係湿度
100%、100時間)前後の線間の絶縁抵抗を評価し
た。
キシレン/n−ブタノール/メチルイソブチルケトン混
合溶媒1重量比15:20:65)を加え、均一に溶解
した。このワニスをクシ型電極上に塗布しく硬化後の膜
厚:100μm> 、PCT試験(121℃、関係湿度
100%、100時間)前後の線間の絶縁抵抗を評価し
た。
PCT試験前の絶縁抵抗は5.4X101’Ω、PCT
試験後の絶縁抵抗は4.0XIOI3Ωであった。
試験後の絶縁抵抗は4.0XIOI3Ωであった。
このワニスを、片面タイプのフィルムキャリア(にap
tonの膜厚50 μm、接着剤厚201t m、銅箔
厚み35μm)にインナーリードボンディングされた模
擬素子(線幅、線間8μm、パッシベーション膜無し、
ビン数=20本)に塗布し、80℃にて50分、110
’Cにて20分、150℃にて3時間加熱し、硬化させ
た。
tonの膜厚50 μm、接着剤厚201t m、銅箔
厚み35μm)にインナーリードボンディングされた模
擬素子(線幅、線間8μm、パッシベーション膜無し、
ビン数=20本)に塗布し、80℃にて50分、110
’Cにて20分、150℃にて3時間加熱し、硬化させ
た。
PCT試験(121℃、関係湿度100%)後の断線不
良率を1000時間まで追跡し、その結果をWeibl
プロットで整理したところ、10%不良発生時間は28
0時間、50%不良発生時間は590時間であった。
良率を1000時間まで追跡し、その結果をWeibl
プロットで整理したところ、10%不良発生時間は28
0時間、50%不良発生時間は590時間であった。
このワニスをシリコン板に塗布、硬化後のシリコン板の
反りを測定したところ31μmであった。
反りを測定したところ31μmであった。
[実施例4]
実施例1において使用したγ−グリシドキシプロビルト
リメトキシシランの加水分解線金物(YA−2)1.5
重量部、シラノール基を含む有機けい素化合物(SH−
6018>1.5重量部の代りに、γ−グリシドキシプ
ロピルトリメトキシシラン(東し・ダウコーニングシリ
コーン■製、5H6040)3.0重量部を使用し、そ
の他は実施例1と同様に計量混合し、実施例1と同様の
手順で粉末状の熱硬化性樹脂組成物を得た。
リメトキシシランの加水分解線金物(YA−2)1.5
重量部、シラノール基を含む有機けい素化合物(SH−
6018>1.5重量部の代りに、γ−グリシドキシプ
ロピルトリメトキシシラン(東し・ダウコーニングシリ
コーン■製、5H6040)3.0重量部を使用し、そ
の他は実施例1と同様に計量混合し、実施例1と同様の
手順で粉末状の熱硬化性樹脂組成物を得た。
この組成物を100℃に数分間加熱して溶融させた後、
真空脱気して金型に流し込み、120℃にて1時間、1
50℃にて3時間加熱して硬化させ、物性試験用の試験
片を得た。
真空脱気して金型に流し込み、120℃にて1時間、1
50℃にて3時間加熱して硬化させ、物性試験用の試験
片を得た。
TMA法によるガラス転移温度は169℃であり、PC
T試験(121℃、関係湿度100%、100時間)後
には150℃に低下した。
T試験(121℃、関係湿度100%、100時間)後
には150℃に低下した。
吸水率は3.05重量%であった。
上記の粉末状の熱硬化性樹脂組成物40重量部に溶媒(
キシレン/n−ブタノール/メチルイソブチルケトン混
合溶媒1重量比15:20:65)を加え、均一に溶解
した。このワニスをクシ型電極上に塗布しく硬化後の膜
厚:100μm)、PCT試験(121℃、関係湿度1
00%、100時間)前後の線間の絶縁抵抗を評価した
。
キシレン/n−ブタノール/メチルイソブチルケトン混
合溶媒1重量比15:20:65)を加え、均一に溶解
した。このワニスをクシ型電極上に塗布しく硬化後の膜
厚:100μm)、PCT試験(121℃、関係湿度1
00%、100時間)前後の線間の絶縁抵抗を評価した
。
PCT試験前の絶縁抵抗は5.2X10”Ω、PCT試
験後の絶縁抵抗は1.0XIO13Ωであった。
験後の絶縁抵抗は1.0XIO13Ωであった。
このワニスを、片面タイプのフィルムキャリア(Kap
tOnの膜厚50 μm、接着剤厚20 μm、銅箔厚
み35μm)にインナーリードボンディングされた模擬
素子(線幅、線間8μm、パッシベーション膜無し、ピ
ン数220本)に塗布し、80℃にて50分、110℃
にて20分、150℃にて3時間加熱し、硬化させた。
tOnの膜厚50 μm、接着剤厚20 μm、銅箔厚
み35μm)にインナーリードボンディングされた模擬
素子(線幅、線間8μm、パッシベーション膜無し、ピ
ン数220本)に塗布し、80℃にて50分、110℃
にて20分、150℃にて3時間加熱し、硬化させた。
PCT試験(121℃、関係湿度100%)後の断線不
良率を1000時間まで追跡し、その結果をWeibl
プロットで整理したところ、10%不良発生時間は29
0時間、50%不良発生時間は600時間であった。
良率を1000時間まで追跡し、その結果をWeibl
プロットで整理したところ、10%不良発生時間は29
0時間、50%不良発生時間は600時間であった。
このワニスをシリコン板に塗布、硬化後のシリコン板の
反りを測定したところ30μmであった。
反りを測定したところ30μmであった。
[比較例1]
ビスフェノールA型エポキシ樹脂(X−2317)10
0重量部、フェノールノボラック樹脂(H−1>56重
量部、トリフェニルホスフィン1.5重量部、γ−グリ
シドキシプロピルトリメトキシシランの加水分解縮合物
(YA−2>1.5重量部、シラノール基を含む有機け
い素化合物(SH6018)1.5重量部を計量混合し
、100℃で15分間溶溶融金して熱硬化性樹脂組成物
を得た。
0重量部、フェノールノボラック樹脂(H−1>56重
量部、トリフェニルホスフィン1.5重量部、γ−グリ
シドキシプロピルトリメトキシシランの加水分解縮合物
(YA−2>1.5重量部、シラノール基を含む有機け
い素化合物(SH6018)1.5重量部を計量混合し
、100℃で15分間溶溶融金して熱硬化性樹脂組成物
を得た。
この組成物を100℃に数分間加熱して溶融させた後、
真空脱気して金型に流し込み、120℃にて1時間、1
50℃にて3時間加熱して硬化させ、物性試験用の試験
片を得た。
真空脱気して金型に流し込み、120℃にて1時間、1
50℃にて3時間加熱して硬化させ、物性試験用の試験
片を得た。
TMA法によるガラス転移温度は131℃であり、PC
T試験(121℃、関係湿度100%、100時間)後
には105℃に低下した。
T試験(121℃、関係湿度100%、100時間)後
には105℃に低下した。
吸水率は2.65重量%であった。
上記の熱硬化性樹脂組成物40重量部に溶媒(キシレン
/n−ブタノール/メチルイソブチルケトン混合溶媒、
重量比15 : 20 : 65)を加え、均一に溶解
した。このワニスをクシ型電極上に塗布しく硬化後の膜
厚:100μm)、PCT試験(121℃、関係湿度1
00%、100時間)前後の線間の絶縁抵抗を評価した
。
/n−ブタノール/メチルイソブチルケトン混合溶媒、
重量比15 : 20 : 65)を加え、均一に溶解
した。このワニスをクシ型電極上に塗布しく硬化後の膜
厚:100μm)、PCT試験(121℃、関係湿度1
00%、100時間)前後の線間の絶縁抵抗を評価した
。
PCT試験前の絶縁抵抗は4.0X10”Ω、PCT試
験後の絶縁抵抗は4.5X1013Ωであった。
験後の絶縁抵抗は4.5X1013Ωであった。
このワニスを、片面タイプのフィルムキャリア(Kap
tOnの膜厚50 μm、接着剤厚20 )t m、銅
箔厚み35μm)にインナーリードボンディングされた
模擬素子(線幅、線間8μm、パッシベーション膜無し
、ピン数220本)に塗布し、80℃にて50分、11
0℃にて20分、150℃にて3時間加熱し、硬化させ
た。
tOnの膜厚50 μm、接着剤厚20 )t m、銅
箔厚み35μm)にインナーリードボンディングされた
模擬素子(線幅、線間8μm、パッシベーション膜無し
、ピン数220本)に塗布し、80℃にて50分、11
0℃にて20分、150℃にて3時間加熱し、硬化させ
た。
PCT試験(121℃、関係湿度100%)後の断線不
良率を1000時間まで追跡し、その結果を−eibl
プロットで整理したところ、10%不良発生時間は24
0時間、50%不良発生時間は520時間であった。
良率を1000時間まで追跡し、その結果を−eibl
プロットで整理したところ、10%不良発生時間は24
0時間、50%不良発生時間は520時間であった。
このワニスをシリコン板に塗布、硬化後のシリコン板の
反りを測定したところ27μmであった。
反りを測定したところ27μmであった。
[比較例2]
多官能エポキシ樹脂(EPPN501H)100重量部
、フェノールノボラック樹脂(H−1>6”4JLg、
トリフェニルホスフィン1゜5重量部、γ−グリシドキ
シプロピルトリメトキシシランの加水分解縮合物(YA
−2)1゜5重量部、シラノール基を含む有機けい素化
合物(SH6018)1.5重量部を計量混合し、実施
例1と同様の手順で粉末状の熱硬化性樹脂組成物を得た
。
、フェノールノボラック樹脂(H−1>6”4JLg、
トリフェニルホスフィン1゜5重量部、γ−グリシドキ
シプロピルトリメトキシシランの加水分解縮合物(YA
−2)1゜5重量部、シラノール基を含む有機けい素化
合物(SH6018)1.5重量部を計量混合し、実施
例1と同様の手順で粉末状の熱硬化性樹脂組成物を得た
。
この組成物を100℃に数分間加熱して溶融させた後、
真空脱気して金型に流し込み、120℃にて1時間、1
50℃にて3時間加熱して硬化させ、物性試験用の試験
片を得た。
真空脱気して金型に流し込み、120℃にて1時間、1
50℃にて3時間加熱して硬化させ、物性試験用の試験
片を得た。
TMA法によるガラス転移温度は193℃であり、PC
T試験(121℃、関係湿度100%、100時間)後
には160℃に低下した。
T試験(121℃、関係湿度100%、100時間)後
には160℃に低下した。
吸水率は3.2重量%であった。
上記の粉末状の熱硬化性樹脂組成物40重量部に溶媒(
キシレン/n−ブタノール/メチルイソブチルケトン混
合溶媒9重量比15:20+65)を加え、均一に溶解
した。このワニスをクシ型電極上に塗布しく硬化後の膜
厚:100μm)、PCT試験(121℃、関係湿度1
00%、100時間)前後の線間の絶縁抵抗を評価した
。
キシレン/n−ブタノール/メチルイソブチルケトン混
合溶媒9重量比15:20+65)を加え、均一に溶解
した。このワニスをクシ型電極上に塗布しく硬化後の膜
厚:100μm)、PCT試験(121℃、関係湿度1
00%、100時間)前後の線間の絶縁抵抗を評価した
。
PCT試験前の絶縁抵抗は3.7X10”Ω、PCT試
験後の絶縁抵抗は5.4X10’Ωであった。
験後の絶縁抵抗は5.4X10’Ωであった。
このワニスを 片面タイプのフィルムキャリア(Kap
tOnの膜厚50 μm、接着剤厚20μm、銅箔厚み
35μm)にインナーリードボンディングされた模擬素
子(線幅、線間8μm、パッシベーション膜無し、ピン
数=20本)に塗布し、80℃にて50分、110℃に
て20分、150℃にて3時間加熱し、硬化させた。
tOnの膜厚50 μm、接着剤厚20μm、銅箔厚み
35μm)にインナーリードボンディングされた模擬素
子(線幅、線間8μm、パッシベーション膜無し、ピン
数=20本)に塗布し、80℃にて50分、110℃に
て20分、150℃にて3時間加熱し、硬化させた。
PCT試験(121℃、関係湿度100%)後の断線不
良率を1000時間まで追跡し、その結果をWeibl
プロット・で整理したところ、10%不良発生時間は2
60時間、50%不良発生時間は580時間であった。
良率を1000時間まで追跡し、その結果をWeibl
プロット・で整理したところ、10%不良発生時間は2
60時間、50%不良発生時間は580時間であった。
このワニスをシリコン板に塗布、硬化後のシリコン板の
反りを測定したところ44μmであった。
反りを測定したところ44μmであった。
[比較例3]
比較例2において使用したγ−グリシドキシプロピルト
リメトキシシランの加水分解線金物(YA−2>1.5
重量部、シラノール基を含む有機けい素化合物(SH6
018)1.5重量部の代りに、γ−グリシドキシプロ
ビルトリメトキシシラン(SH6040)を使用し、そ
の他は比較例2と同様に計量混合し、実施例1と同様の
手順で粉末状の熱硬化性樹脂組成物を得た。
リメトキシシランの加水分解線金物(YA−2>1.5
重量部、シラノール基を含む有機けい素化合物(SH6
018)1.5重量部の代りに、γ−グリシドキシプロ
ビルトリメトキシシラン(SH6040)を使用し、そ
の他は比較例2と同様に計量混合し、実施例1と同様の
手順で粉末状の熱硬化性樹脂組成物を得た。
この組成物を100℃に数分間加熱して溶融させた後、
真空脱気して金型に流し込み、120℃にて1時間、1
50℃にて3時間加熱して硬化させ、物性試験用の試験
片を得た。
真空脱気して金型に流し込み、120℃にて1時間、1
50℃にて3時間加熱して硬化させ、物性試験用の試験
片を得た。
TMA法によるガラス転移温度は192℃であり、PC
T試験(121℃、関係湿度100%、100時間)後
には160℃に低下した。
T試験(121℃、関係湿度100%、100時間)後
には160℃に低下した。
吸水率は3.19重量%であった。
上記の粉末状の熱硬化性樹脂組成物40重量部に溶媒(
キシレン/n−ブタノール/メチルイソブチルケトン混
合溶媒1重量比15:20:65)を加え、均一に溶解
した。このワニスをクシ型電極上に塗布しく硬化後の膜
厚:100μm) 、PCT試験(121℃、関係湿度
100%、100時間)前後の線間の絶縁抵抗を評価し
た。
キシレン/n−ブタノール/メチルイソブチルケトン混
合溶媒1重量比15:20:65)を加え、均一に溶解
した。このワニスをクシ型電極上に塗布しく硬化後の膜
厚:100μm) 、PCT試験(121℃、関係湿度
100%、100時間)前後の線間の絶縁抵抗を評価し
た。
PCT試験前の絶縁抵抗は4.0XIO”Ω、PCT試
験後の絶縁抵抗は7.5X107Ωであった。
験後の絶縁抵抗は7.5X107Ωであった。
このワニスを、片面タイプのフィルムキャリア(Kap
tOnの膜厚50 μm、接着剤厚20μm、銅箔厚み
35μm)にインナーリードボンディングされた模擬素
子(線幅、線間8μm、パッシベーション膜無し、ビン
数=20本〉に塗布し、80℃にて50分、110℃に
て20分、150℃にて3時間加熱し、硬化させた。
tOnの膜厚50 μm、接着剤厚20μm、銅箔厚み
35μm)にインナーリードボンディングされた模擬素
子(線幅、線間8μm、パッシベーション膜無し、ビン
数=20本〉に塗布し、80℃にて50分、110℃に
て20分、150℃にて3時間加熱し、硬化させた。
PCT試験(121℃、関係湿度100%)後の断線不
良率を1000時間まで追跡し、その結果をWeibl
プロットで整理したところ、10%不良発生時間は26
0時間、50%不良発生時間は550時間であった。
良率を1000時間まで追跡し、その結果をWeibl
プロットで整理したところ、10%不良発生時間は26
0時間、50%不良発生時間は550時間であった。
このワニスをシリコン板に塗布、硬化後のシリコン板の
反りを測定したところ45μmであった。
反りを測定したところ45μmであった。
〈発明の効果〉
本発明の熱硬化性樹脂組成物から得られる硬化物は、耐
湿熱性に優れていると共に、低応力性を保持しているこ
とから、TAB方式によって実装されたデバイスを本発
明の熱硬化性樹脂組成物によって封止することによって
高い信頼性が達成される。
湿熱性に優れていると共に、低応力性を保持しているこ
とから、TAB方式によって実装されたデバイスを本発
明の熱硬化性樹脂組成物によって封止することによって
高い信頼性が達成される。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (A)下記の一般式で表わされる多官能エポキシ樹脂 ▲数式、化学式、表等があります▼ (nは0または1以上、10以下の整数を表わす。) 100重量部、 (B)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (nは0または1以上、10以下の整数を表わす。) のビスフェノールA系エポシキ樹脂、および/または一
般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (nは0または1以上、10以下の整数を わす。) のビスフェノールAD型エポキシ樹脂1〜900重量部
、 (C)1分子中に、ケイ素原子に直接結合した下記の構
造単位を含む有機ケイ素化合物 ▲数式、化学式、表等があります▼ (n=2または3;Rは同一または相異なる置換基であ
って、炭素数1〜20のアルキル基、アルコキシ基、置
換アルキル基を表わす;m=0〜4の整数) 1〜100重量部、 (D)下記の一般式で表わされるフェノールノボラック
樹脂 ▲数式、化学式、表等があります▼ (R^−は同一または相異なる置換基であって、炭素数
1〜10のアルキル基、アルケニル基、ビニル基、アリ
ル基を表わす。lの平均値は0以上、3以下であり、k
は0または1以上、20以下の整数を表わす。) 10〜900重量部 (E)1分子中にけい素原子に直結した2個以上のアル
コキシ基、水酸基を有する有機けい素化合物0.001
〜100重量部 を必須成分とする半導体封止用の液状熱硬化性樹脂組成
物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16310390A JPH0453823A (ja) | 1990-06-21 | 1990-06-21 | 熱硬化性樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16310390A JPH0453823A (ja) | 1990-06-21 | 1990-06-21 | 熱硬化性樹脂組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0453823A true JPH0453823A (ja) | 1992-02-21 |
Family
ID=15767231
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16310390A Pending JPH0453823A (ja) | 1990-06-21 | 1990-06-21 | 熱硬化性樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0453823A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001158851A (ja) * | 1999-12-02 | 2001-06-12 | Asahi Denka Kogyo Kk | 硬化性組成物 |
| WO2011125624A1 (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-13 | 日立化成工業株式会社 | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 |
| JP2013224400A (ja) * | 2012-03-22 | 2013-10-31 | Hitachi Chemical Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 |
-
1990
- 1990-06-21 JP JP16310390A patent/JPH0453823A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001158851A (ja) * | 1999-12-02 | 2001-06-12 | Asahi Denka Kogyo Kk | 硬化性組成物 |
| WO2011125624A1 (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-13 | 日立化成工業株式会社 | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 |
| JPWO2011125624A1 (ja) * | 2010-03-31 | 2013-07-08 | 日立化成株式会社 | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 |
| JP2016166373A (ja) * | 2010-03-31 | 2016-09-15 | 日立化成株式会社 | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 |
| JP2013224400A (ja) * | 2012-03-22 | 2013-10-31 | Hitachi Chemical Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 |
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