JPH0453823A - 熱硬化性樹脂組成物 - Google Patents

熱硬化性樹脂組成物

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JPH0453823A
JPH0453823A JP16310390A JP16310390A JPH0453823A JP H0453823 A JPH0453823 A JP H0453823A JP 16310390 A JP16310390 A JP 16310390A JP 16310390 A JP16310390 A JP 16310390A JP H0453823 A JPH0453823 A JP H0453823A
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JP
Japan
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epoxy resin
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integer
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JP16310390A
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Shoichi Hirose
広瀬 正一
Iwao Bando
坂東 巌
Akio Oura
大浦 昭雄
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Toray Industries Inc
Original Assignee
Toray Industries Inc
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、半導体封止用の液状熱硬化性樹脂組成物に関
するものである。特に本発明は、信頼性にすぐれたTA
B用封止材料に関するものである。
最近、電子腕時計、カメラ、電卓、ICカード、ワープ
ロ、液晶テレビなどの電子機器が軽薄短小化、高機能化
の流れをたどるなかで、その製品の中枢部である半導体
素子の実装形態も変りつつある。
フィルムキャリヤ(TAB)実装方法は、半導体素子の
多端子化、実装の高密度化という流れに沿ったもので、
時計、電卓、サーマルヘッド、液晶デイスプレーにおけ
る実装に使用されており、今後の拡大が期待されている
。種々の用途でTAB実装方法の有用性が認められなが
ら、メモリー用途などへの本格的な普及が遅れている理
由の1つとして、トランスファーモールド用封止樹脂と
同レベルの高信頼性を有するTAB用封止材料が現在未
だ市場に提供されていないということが挙げられる。
〈従来の技術〉 従来、TAB用封止材料としては、エピビス型エポキシ
樹脂、1分子中にメトキシ基を3個有する有機けい素化
合物、レゾール型フェノール樹脂硬化剤、有機顔料又は
無機顔料、および有機溶剤を成分とする液状エポキシ樹
脂が提案されている(特公平1−36984)。
〈発明が解決しようとする課題〉 この先行技術をベースとする封止材で封止された半導体
素子は、トランスファーモールド用の封止樹脂で封止さ
れた半導体素子に比較すると信頼性の点では劣るものの
、電卓、液晶デイスプレーなどの信頼性に関する要求が
メモリー用途はど厳しくない民生用の分野ではすでに実
用化されている。
しかしながら、TAB用封用材止材モリー用途を含む産
業用分野でも広く使用されるためには、より高度の信頼
性を有し、かつ大サイズチップにも適用可能な低応力タ
イプのTAB用封用材止材発が必要な状況になっている
〈課題を解決するための手段〉 発明者らは、従来提案されているTAB用封止剤に比較
して信頼性の面でより改善されると共に、低応力性が付
与された新規なTAB封止剤を得るために、鋭意検討を
重ねた結果、次の発明に達した。
すなわち、本発明は、 (A)下記の一般式で表わされる多官能エポキシ樹脂 (nは0または1以上、10以下の整数を表わす。) 100重量部、 (B)−船蔵 (C)1分子中に、ケイ素原子に直接結合した下記の構
造単位を含む有機ケイ素化合物(nは0または1以上、
10以下の整数を表わす。) のビスフェノールA系エポキシ樹脂、および/または一
般式 (n=2または3;Rは同一または相異なる置換基であ
って、炭素数1〜20のアルキル基、アルコキシ基、置
換アルキル基を表わす;m二〇〜4の整数) 1〜900重量部、 (D)下記の一般式で表わされるフェノールノボラック
樹脂 (nは0または1以上、10以下の整数を表わす。) のビスフェノールAD型エポキシ樹脂1〜900重量部
、 (R−は同一または相異なる置換基であって、炭素数1
〜10のアルキル基、アルケニル基、ビニル基、アリル
基を表わす。Ωの平均値は0以上、3以下であり、kは
0または1以上、20以下の整数を表わす。) 10〜900重量部 (E)1分子中にけい素原子に直結した2個以上のアル
コキシ基、水酸基を有する有機けい素化合物0.001
〜500重量部 を必須成分とする半導体封止用の熱硬化性樹脂組成物に
関するものである。
以下、本発明について詳細に説明する。
本発明で使用される多官能エポキシ樹脂(成分A)は下
記の構造式を示すものであり、純度の点では半導体封止
用グレードであることが望ましい。
(nはOまたは1以上、10以下の整数を表わす。) その全塩素含有量(エポキシ樹脂協会による全塩素測定
法による。アルカリ成分+INKOH−プロピレングリ
コール、溶剤ニブチルカルピトール、還流時間:10分
)の値が2000ppm以下、好ましくは11000p
pであるものが使用される。
本発明におけるビスフェノールA系エポキシ樹脂として
は、−船蔵 (nは0または1以上、10以下の整数を表わす。) で表わされるものであり、重合度nが一定である単分散
なものであってもよいが、重合度nの異なる成分の混合
物であってもよい。
ビスフェノールA系エポキシ樹脂としては、より好まし
くは室温にて流動性を有しているものがよく、そのエポ
キシ当量が170〜400(g/equiv )の範囲
にあるものがより望ましい。
本発明におけるビスフェノールAD型エポキシ樹脂は、
−船蔵 (nは0または1以上、10以下の整数を表わす。〉 で表わされるものであり、重合度nが一定な単分散なも
のであってもよいが、重合度nの異なる成分の混合物で
あってもよい。
ビスフェノールAD型エポキシ樹脂はより好ましくは室
温にて流動性を有しているものがよく、より低粘度であ
るほど本発明の熱硬化性樹脂組成物から得られる液状コ
ンパウンドのスクリーン印刷性などの塗布適性、ディス
ペンス性の点て好ましい。そのエポキシ当量は163〜
400 (g /equiv )の範囲にあるものが望
ましい。
同一の分子量においては、ビスフェノールA型エポキシ
樹脂よりもビスフェノールAD型エポキシ樹脂の方が低
粘度であるとともに、硬化物の機械的特性と耐熱性(ガ
ラス転移温度、長期耐熱性)がほぼ同等であることから
、後者を単独で使用することが最も好ましいが、両者の
混合物ないし前者を単独で使用してもよい。
ビスフェノールA型エポキシ樹脂とビスフェノールAD
型エポキシ樹脂ともその全塩素含有量(エポキシ樹脂協
会による全塩素測定法による)が2000ppm以下、
より好ましくは10ooppm以下であるものが望まし
く使用される。
本発明の熱硬化性樹脂組成物中における成分Bの配合量
については、100重量部の成分Aに対して、1〜90
0重量部の成分Bを配合するのがよい。
成分Bの配合量が1重量部未満のときには、硬化後の応
力が高くなるため硬化物の耐湿熱性と信頼性が不十分と
なり、成分Bの配合量が900重−1部を超えると、硬
化物のガラス転移温度が低下するために耐湿熱性と信頼
性が悪化する。
成分Bの配合量は、より好ましくは、成分A100重量
部に対して、10〜500重量部である。
本発明においては、ケイ素原子′に直接結合した下記の
構造単位を1分子中に少くとも1個以上含む含ケイ素エ
ポキシ化合物が、硬化物を低応力化するために使用され
る。
\0/ (n=2または3:Rは同一または相異なる置換基であ
って、炭素数1〜20のアルキル基、アルコキシ基、置
換アルキル基を表わす;mO〜4の整数) 本発明の熱硬化性樹脂組成物中における含ケイ素エポキ
シ化合物の配合量は、成分A100重量部に対して1重
量部以上、100重量部以下であることが好ましい。
含ケイ素エポキシ化合物の配合量が100重量部を超え
ると、本発明の熱硬化性樹脂組成物から選ばれた硬化物
のガラス転移温度、力学特性(弾性率、曲げ強度、破断
強度)がその配合量が100重景部具下である場合に比
較して著しく低下するため好ましくない。
含ケイ素エポキシ化合物の配合量が1重量部未満のとき
には、硬化物の応力が高くなるため、本発明の組成物を
使用して封止したIC素子の耐湿熱信頼性が悪化するた
めに好ましくない。
本発明の含ケイ素エポキシ化合物は、分子内に5i−H
基を有するポリオルガノシロキサンオリゴマーとアリル
またはビニル基を含するフェニルグリシジルエーテル誘
導体との下記の反応によって容易に合成することができ
る。
\○′ H2PtCl6触媒 \○/ (ここに、 m二2゜ 、R= H H2 H2 CH=CH2 e \0′ H,PtC1&触媒 e e \○′ 含ケイ素エポキシ化合物の具体的な例としては、 下記の化合物を挙げることができるが特にこれらに限ら
れた訳ではない。
これらの化合物のなかでも特に好ましく使用されるのは
下記の化合物である。
本発明の熱硬化性樹脂組成物において硬化剤成分として
は、下記の一般式のフェノールノボラック樹脂が使用さ
れる。
以上、3以下であり、kは1以上、20以下の整数を表
わす。) その重合度(=に+2)については、0≦に≦20の範
囲にあることが望ましく、分子量の異なる多種類の成分
の混合物であってもよい。
より好ましいkの値は0≦に≦10である。kが10を
超えると、本発明の熱硬化性樹脂組成物から得られる液
状コンパウンドの粘度が高くなるため、作業性(ディス
ペンス性、スクリーン印刷性)が悪化し問題となる。
本発明のフェノールノボラック樹脂の代表的な例として
は、下記の構造のものが挙げられる。
(R−は同一または相異なる置換基であって、炭素数1
〜10のアルキル基、アルケニル基、ビニル基、アリル
基を表わす。pの平均値はOCH2””CH31(OC
2H5)3、本発明において使用される、1分子中にケ
イ素原子に直接結合したアルコキシ基または水酸基を2
個以上有する有機ケイ素化合物としては、次に例示する
ような化合物が使用されるが、特にこれらに限られた訳
ではない。
H2N(CH2)2 NH(CH2)s82 N (C
H2)3 Si (OC2HsH2N (CH2)2 
NH(CH2)3CH2CHCH20(CH2)3 \0/ CトS i (OCH3) 1、 Si (OCHv )3、 )1、 Si (CHi )(OCRl)2、 Si(OCHt)1、 (CH103)Sic2H4Si (OCHl) 1、
ClCH2CH2CH2Sl (OCH3)3、CトN
HCH2S i (OCHt ) 3、CトNH(CH
2) 3 S i (OCHl) q、C2H,0CO
NHC3H6Si (OCH3’) 1、CF3CH2
CH2Si (OCH3)3、t (t=0または1以上の整数) CH3Si  CH3 本発明の熱硬化性樹脂組成物には、公知の硬化促進剤を
必要に応じて添加することができる。
硬化促進剤の具体例としては、たとえば2−メチルイミ
ダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−
フェニル−4−メチルイミダゾール、2−フェニル−4
−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾールなどのイ
ミダゾール化合物またはこれらのヒドロキシ安息香酸ま
たはジヒドロキシ安息香酸などの酸付加塩、N。
N−−ジメチルピペラジン、2,4.6−)−リス(ジ
メチルアミノメチル)フェノール、1゜8−ジアザビシ
クロ(5,4,O)ウンデセン7.4−ジメチルアミノ
ピリジンなどのアミン化合物またはこれらのヒドロキシ
安息香酸またはジヒドロキシ安息香酸などの酸付加塩な
ど、トリフェニルホスフィン、トリシクロヘキシルホス
フィン、ビス(ジフェニルホスフィノ)メタン、トリス
(2,6−シメトキシフエニル)ホスフィン、トリフェ
ニルホスフィン−トリフェニルボラン、テトラフェニル
ホスホニウムテトラフェニルボレートなどのホスフィン
化合物、トリエチルアンモニウム−テトラフェニルボレ
ート、ピリジニウム−テトラフェニルホレートなどの含
はう素化合物、アルミニウムアセチルアセトナート、コ
バルトアセチルアセトナートなどの金属アセチルアセト
ナート類が挙げられる。
上記の硬化促進剤を本発明の熱硬化性樹脂組成物に添加
する場合には、通常、エポキシ基を含む化合物の総重量
100重量部に対して0゜1〜100重量部添加される
本発明の熱硬化性樹脂組成物には、他のエポキシ樹脂を
添加してもよい。その添加量は、成分A、B、Cの総重
量100重量部に対して100重量部以下であることが
好ましい。
他のエポキシ樹脂としては1分子あたり1個以上のエポ
キシ基を有する化合物であれば特に制限はなく、たとえ
ば、ビスフェノールFジグリシジルエーテル、フェノー
ルノホラックボリグリシジルエーテル、クレゾールノボ
ラックポリグリシジルエーテル、レゾルシンジグリシジ
ルエーテル、フェニルグリシジルエーテル、ptert
−ブチルグリシジルエーテル、ビニルシクロヘキセンオ
キシドなどが挙げられる。
本発明の組成物には、必要に応じて希釈剤を添加するこ
とができる。その例としては、メチルセロソルブ、エチ
ルセロソルブ、ブチルセロソルブアセテート、エチルカ
ルピトール、ブチルカルピトール、エチルカルピトール
アセテート、γ−ブチロラクトン、4−バレロラクトン
、炭酸プロピレン、キシレン、トルエン、酢酸エチル、
メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなどが挙
げられる。
本発明の組成物には必要に応じて、無機充填剤、顔料、
染料、離型剤、酸化防止剤、難燃剤、ゴムなどの各種可
撓性付与剤などを添加してもよい。無機充填剤の例とし
ては、結晶性シリカ、非結晶性シリカなどの天然シリカ
、合成高純度シリカ、合成球状シリカ、タルク、マイカ
、炭酸カルシウム、窒化ケイ素、ボロシナイトライド、
アルミナなどから1種または2種以上を適宜使用するこ
とができる。
本発明の組成物の混合方法としては、必要に応じて高温
において溶融させる方法あるいは室温ないし150℃以
下の温度でニーダ−、プラネタリ−ミキサー、3本ロー
ル、1軸または2軸の押出機などを使用して混練する方
法が適用される。
〈作用〉 本発明においては、特定の構造の3官能エポキシ樹脂、
2官能性エポキシ樹脂、含けい素エポキシ化合物、フェ
ノールノボラック樹脂と有機けい素化合物を使用するこ
とによって、従来技術に優る信頼性と低応力を有するT
AB封止材が提供される。
〈特性の評価方法〉 なお、本発明における特性の評価方法は次の通りである
1、ガラス転移温度 試験片(5mnX 5mmX 10wm)を作成し、熱
機械的分析装置(セイコー電子工業■TMA 10型)
を用いて、30〜330℃まで10℃/分で昇温した時
の変位−温度曲線における変曲点を測定してガラス転移
温度とした。
2、吸水率 成形板(50■φ×3Trrm厚)をプレッシャークツ
カー・テスト装置(PCT)を用いて121℃、関係湿
度100%、100時間吸水させたのちの重量増加を測
定して、吸水率を算出した。
3、絶縁抵抗 アルミナ基板上に、銅膜厚30μmのくし形電極(IP
C−3M−840B形)を作成し、ワニスを塗布、硬化
させた後、極超絶縁計(東亜電波工業(IISM−10
E型)を用い、直流100Vの電圧を印加し、1分後の
抵抗値を測定して絶縁抵抗値とした。
4、シリコン板の反り シリコン板(10mmX40閣xQ、3wm厚)に、硬
化後50μmの厚さとなるようワニスを塗布し、80℃
にて50分、110℃にて20分、150℃にて3時間
加熱硬化させた後、表面粗さ計(東京精密■)を用いて
、中央部の30m間のシリコン板の反りを測定した。
[実施例1コ 下記構造式の多官能エポキシ樹脂(日本化薬味製、EP
PN501H) 20重量部、フェノールノボラック樹脂(明相化成■製
、H−1>57重量部、トリフェニルホスフィン(北回
化学■製)1.5重量部、下記の推定構造式のγ−グリ
シドキシプロピルトリメトキシシランの加水分解縮合物
(チッソ蛛製、YA−2) (n=0を主成分とする) 60重量部、ビスフェノールA型エポキシ樹脂(旭化成
側製、X−2317)20重量部、下記構造式の含けい
素エポキシ化合物 1.5重量部、下記構造式で示されるシラノール基を含
む有機けい素化合物(東し・ダウコーニングシリコーン
■製、SH−6018)(R−CH2CH2CH3、C
b Hs )1,5重量部を計量混合し、100℃に加
熱したミキシングロールで15分間溶融混練を行い、冷
却後粉砕を行って粉末状の熱硬化性樹脂組成物を得た。
この組成物を100℃に数分間加熱して溶融9させた後
、真空脱気して金型に流し込み、120℃にて1時間、
150℃にて3時間加熱して硬化させ、物性試験用の試
験片を得た。
TMA法によるガラス転移温度は170℃であり、PC
T試験(121℃、関係湿度100%、100時間)後
には150℃に低下した。
吸水率は3.00重量%であった。
上記の粉末状の熱硬化性樹脂組成物40重量部に溶媒(
キシレン/n−ブタノール/メチルイソブチルケトン混
合溶媒1重量比15:20:65)を加え、均一に溶解
した。このワニスをクシ型電極上に塗布しく硬化後の膜
厚:100μm)、PCT試験(121℃、関係湿度1
00%、100時間)前後の線間の絶縁抵抗を評価した
PCT試験前の絶縁抵抗は5.3X10”Ω、PCT試
験後の絶縁抵抗は2.0XIO13Ωであった。
このワニスを、片面タイプのフィルムキャリア(Kap
tonの膜厚50 μm、接着剤厚20μm、銅箔厚み
35μm)にインナーリードボンディングされた模擬素
子(線幅、線間8μm、パッシベーション膜無し、ピン
数=20本)に塗布し、80℃にて50分、110℃に
て20分、150℃にて3時間加熱し、硬化させた。
PCT試験(121℃、関係湿度100%)後の断線不
良率を1000時間まで追跡し、その結果を−ei旧プ
旧ソロット理したところ、10%不良発生時間は300
時間、50%不良発生時間は620時間であった。
このワニスをシリコン板に塗布、硬化後のシリコン板の
反りを測定したところ29μmであった。
[実施例2] 多官能エポキシ樹脂(EPPN501H)60重量部、
ビスフェノールAD型エポキシ樹脂(三井石油化学工業
■製、R1710)20重量部、実施例1において使用
した含けい素エポキシ化合物20重量部、フェノールノ
ボラック樹脂(H−1)59重量部、トリフェニルホス
フィン1.5重量部、γ−グリシドキシプロビルトリメ
トキシシランの加水分解給金物(YA−2)1.5重量
部、シラノール基を含む有機けい素化合物(SH601
8)1.5重量部を計量混合し、実施例1と同様の手順
で粉末状の熱硬化性樹脂組成物を得た。
この組成物を100℃に数分間加熱して溶融させた後、
真空脱気して金型に流し込み、120℃にて1時間、1
50℃にて3時間加熱して硬化させ、物性試験用の試験
片を得た。
TMA法によるガラス転移温度は168℃であり、PC
T試験(121℃、関係湿度100%、100時間)後
には151℃に低下した。
吸水率は2.98重量%であった。
上記の粉末状の熱硬化性樹脂組成物40重量部に溶媒(
キシレン/n−ブタノール/メチルイソブチルケトン混
合溶媒1重量比15:20:65)を加え、均一に溶解
した。このワニスをクシ型電極上に塗布しく硬化後の膜
厚:100μm)、PCT試験(121℃、関係湿度1
00%、100時間)前後の線間の絶縁抵抗を評価した
PCT試験前の絶縁抵抗は5.lXl0”Ω、PCT試
験後の絶縁抵抗は3.0XIO”Ωであった。
このワニスを、片面タイプのフィルムキャリア(Kap
tOnの膜厚50 μm、接着剤厚20μm、銅箔厚み
35μm)にインナーリードボンディングされた模擬素
子(線幅、線間8μm、パッシベーション膜無し、ピン
数−20本)に塗布し、80℃にて50分、110℃に
て20分、150℃にて3時間加熱し、硬化させた。
PCT試験(121℃、関係湿度100%)後の断線不
良率を1000時間まで追跡し、その結果をWeibl
プロットで整理したところ、10%不良発生時間は30
0時間、50%不良発生時間は610時間であった。
このワニスをシリコン板に塗布、硬化後のシリコン板の
反りを測定したところ29μmであった。
[実施例3] 多官能エポキシ樹脂(EPPN501H)60重量部、
ビスフェノールA型エポキシ樹脂(X−2317)40
重量部、フェノールノボラック樹脂(H−1>62重量
部、トリフェニルホスフィン1.5重量部、γ−グリシ
ドキシプロビルトリメトキシシランの加水分解線金物(
YA−2>1.5重量部、シラノール基を含°む有機け
い素化合物(SH6018)1.5重量部を計量混合し
、実施例1と同様の手順で粉末状の熱硬化性樹脂組成物
を得た。
この組成物を100℃に数分間加熱して溶融させた後、
真空脱気して金型に流し込み、120℃にて1時間、1
50℃にて3時間加熱して硬化させ、物性試験用の試験
片を得た。
TMA法によるガラス転移温度は160℃であり、PC
T試験(121℃、関係湿度100%、100時間)後
には132℃に低下した。
吸水率は2.95重量%であった。
上記の粉末状の熱硬化性樹脂組成物40重量部に溶媒(
キシレン/n−ブタノール/メチルイソブチルケトン混
合溶媒1重量比15:20:65)を加え、均一に溶解
した。このワニスをクシ型電極上に塗布しく硬化後の膜
厚:100μm> 、PCT試験(121℃、関係湿度
100%、100時間)前後の線間の絶縁抵抗を評価し
た。
PCT試験前の絶縁抵抗は5.4X101’Ω、PCT
試験後の絶縁抵抗は4.0XIOI3Ωであった。
このワニスを、片面タイプのフィルムキャリア(にap
tonの膜厚50 μm、接着剤厚201t m、銅箔
厚み35μm)にインナーリードボンディングされた模
擬素子(線幅、線間8μm、パッシベーション膜無し、
ビン数=20本)に塗布し、80℃にて50分、110
’Cにて20分、150℃にて3時間加熱し、硬化させ
た。
PCT試験(121℃、関係湿度100%)後の断線不
良率を1000時間まで追跡し、その結果をWeibl
プロットで整理したところ、10%不良発生時間は28
0時間、50%不良発生時間は590時間であった。
このワニスをシリコン板に塗布、硬化後のシリコン板の
反りを測定したところ31μmであった。
[実施例4] 実施例1において使用したγ−グリシドキシプロビルト
リメトキシシランの加水分解線金物(YA−2)1.5
重量部、シラノール基を含む有機けい素化合物(SH−
6018>1.5重量部の代りに、γ−グリシドキシプ
ロピルトリメトキシシラン(東し・ダウコーニングシリ
コーン■製、5H6040)3.0重量部を使用し、そ
の他は実施例1と同様に計量混合し、実施例1と同様の
手順で粉末状の熱硬化性樹脂組成物を得た。
この組成物を100℃に数分間加熱して溶融させた後、
真空脱気して金型に流し込み、120℃にて1時間、1
50℃にて3時間加熱して硬化させ、物性試験用の試験
片を得た。
TMA法によるガラス転移温度は169℃であり、PC
T試験(121℃、関係湿度100%、100時間)後
には150℃に低下した。
吸水率は3.05重量%であった。
上記の粉末状の熱硬化性樹脂組成物40重量部に溶媒(
キシレン/n−ブタノール/メチルイソブチルケトン混
合溶媒1重量比15:20:65)を加え、均一に溶解
した。このワニスをクシ型電極上に塗布しく硬化後の膜
厚:100μm)、PCT試験(121℃、関係湿度1
00%、100時間)前後の線間の絶縁抵抗を評価した
PCT試験前の絶縁抵抗は5.2X10”Ω、PCT試
験後の絶縁抵抗は1.0XIO13Ωであった。
このワニスを、片面タイプのフィルムキャリア(Kap
tOnの膜厚50 μm、接着剤厚20 μm、銅箔厚
み35μm)にインナーリードボンディングされた模擬
素子(線幅、線間8μm、パッシベーション膜無し、ピ
ン数220本)に塗布し、80℃にて50分、110℃
にて20分、150℃にて3時間加熱し、硬化させた。
PCT試験(121℃、関係湿度100%)後の断線不
良率を1000時間まで追跡し、その結果をWeibl
プロットで整理したところ、10%不良発生時間は29
0時間、50%不良発生時間は600時間であった。
このワニスをシリコン板に塗布、硬化後のシリコン板の
反りを測定したところ30μmであった。
[比較例1] ビスフェノールA型エポキシ樹脂(X−2317)10
0重量部、フェノールノボラック樹脂(H−1>56重
量部、トリフェニルホスフィン1.5重量部、γ−グリ
シドキシプロピルトリメトキシシランの加水分解縮合物
(YA−2>1.5重量部、シラノール基を含む有機け
い素化合物(SH6018)1.5重量部を計量混合し
、100℃で15分間溶溶融金して熱硬化性樹脂組成物
を得た。
この組成物を100℃に数分間加熱して溶融させた後、
真空脱気して金型に流し込み、120℃にて1時間、1
50℃にて3時間加熱して硬化させ、物性試験用の試験
片を得た。
TMA法によるガラス転移温度は131℃であり、PC
T試験(121℃、関係湿度100%、100時間)後
には105℃に低下した。
吸水率は2.65重量%であった。
上記の熱硬化性樹脂組成物40重量部に溶媒(キシレン
/n−ブタノール/メチルイソブチルケトン混合溶媒、
重量比15 : 20 : 65)を加え、均一に溶解
した。このワニスをクシ型電極上に塗布しく硬化後の膜
厚:100μm)、PCT試験(121℃、関係湿度1
00%、100時間)前後の線間の絶縁抵抗を評価した
PCT試験前の絶縁抵抗は4.0X10”Ω、PCT試
験後の絶縁抵抗は4.5X1013Ωであった。
このワニスを、片面タイプのフィルムキャリア(Kap
tOnの膜厚50 μm、接着剤厚20 )t m、銅
箔厚み35μm)にインナーリードボンディングされた
模擬素子(線幅、線間8μm、パッシベーション膜無し
、ピン数220本)に塗布し、80℃にて50分、11
0℃にて20分、150℃にて3時間加熱し、硬化させ
た。
PCT試験(121℃、関係湿度100%)後の断線不
良率を1000時間まで追跡し、その結果を−eibl
プロットで整理したところ、10%不良発生時間は24
0時間、50%不良発生時間は520時間であった。
このワニスをシリコン板に塗布、硬化後のシリコン板の
反りを測定したところ27μmであった。
[比較例2] 多官能エポキシ樹脂(EPPN501H)100重量部
、フェノールノボラック樹脂(H−1>6”4JLg、
トリフェニルホスフィン1゜5重量部、γ−グリシドキ
シプロピルトリメトキシシランの加水分解縮合物(YA
−2)1゜5重量部、シラノール基を含む有機けい素化
合物(SH6018)1.5重量部を計量混合し、実施
例1と同様の手順で粉末状の熱硬化性樹脂組成物を得た
この組成物を100℃に数分間加熱して溶融させた後、
真空脱気して金型に流し込み、120℃にて1時間、1
50℃にて3時間加熱して硬化させ、物性試験用の試験
片を得た。
TMA法によるガラス転移温度は193℃であり、PC
T試験(121℃、関係湿度100%、100時間)後
には160℃に低下した。
吸水率は3.2重量%であった。
上記の粉末状の熱硬化性樹脂組成物40重量部に溶媒(
キシレン/n−ブタノール/メチルイソブチルケトン混
合溶媒9重量比15:20+65)を加え、均一に溶解
した。このワニスをクシ型電極上に塗布しく硬化後の膜
厚:100μm)、PCT試験(121℃、関係湿度1
00%、100時間)前後の線間の絶縁抵抗を評価した
PCT試験前の絶縁抵抗は3.7X10”Ω、PCT試
験後の絶縁抵抗は5.4X10’Ωであった。
このワニスを 片面タイプのフィルムキャリア(Kap
tOnの膜厚50 μm、接着剤厚20μm、銅箔厚み
35μm)にインナーリードボンディングされた模擬素
子(線幅、線間8μm、パッシベーション膜無し、ピン
数=20本)に塗布し、80℃にて50分、110℃に
て20分、150℃にて3時間加熱し、硬化させた。
PCT試験(121℃、関係湿度100%)後の断線不
良率を1000時間まで追跡し、その結果をWeibl
プロット・で整理したところ、10%不良発生時間は2
60時間、50%不良発生時間は580時間であった。
このワニスをシリコン板に塗布、硬化後のシリコン板の
反りを測定したところ44μmであった。
[比較例3] 比較例2において使用したγ−グリシドキシプロピルト
リメトキシシランの加水分解線金物(YA−2>1.5
重量部、シラノール基を含む有機けい素化合物(SH6
018)1.5重量部の代りに、γ−グリシドキシプロ
ビルトリメトキシシラン(SH6040)を使用し、そ
の他は比較例2と同様に計量混合し、実施例1と同様の
手順で粉末状の熱硬化性樹脂組成物を得た。
この組成物を100℃に数分間加熱して溶融させた後、
真空脱気して金型に流し込み、120℃にて1時間、1
50℃にて3時間加熱して硬化させ、物性試験用の試験
片を得た。
TMA法によるガラス転移温度は192℃であり、PC
T試験(121℃、関係湿度100%、100時間)後
には160℃に低下した。
吸水率は3.19重量%であった。
上記の粉末状の熱硬化性樹脂組成物40重量部に溶媒(
キシレン/n−ブタノール/メチルイソブチルケトン混
合溶媒1重量比15:20:65)を加え、均一に溶解
した。このワニスをクシ型電極上に塗布しく硬化後の膜
厚:100μm) 、PCT試験(121℃、関係湿度
100%、100時間)前後の線間の絶縁抵抗を評価し
た。
PCT試験前の絶縁抵抗は4.0XIO”Ω、PCT試
験後の絶縁抵抗は7.5X107Ωであった。
このワニスを、片面タイプのフィルムキャリア(Kap
tOnの膜厚50 μm、接着剤厚20μm、銅箔厚み
35μm)にインナーリードボンディングされた模擬素
子(線幅、線間8μm、パッシベーション膜無し、ビン
数=20本〉に塗布し、80℃にて50分、110℃に
て20分、150℃にて3時間加熱し、硬化させた。
PCT試験(121℃、関係湿度100%)後の断線不
良率を1000時間まで追跡し、その結果をWeibl
プロットで整理したところ、10%不良発生時間は26
0時間、50%不良発生時間は550時間であった。
このワニスをシリコン板に塗布、硬化後のシリコン板の
反りを測定したところ45μmであった。
〈発明の効果〉 本発明の熱硬化性樹脂組成物から得られる硬化物は、耐
湿熱性に優れていると共に、低応力性を保持しているこ
とから、TAB方式によって実装されたデバイスを本発
明の熱硬化性樹脂組成物によって封止することによって
高い信頼性が達成される。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (A)下記の一般式で表わされる多官能エポキシ樹脂 ▲数式、化学式、表等があります▼ (nは0または1以上、10以下の整数を表わす。) 100重量部、 (B)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (nは0または1以上、10以下の整数を表わす。) のビスフェノールA系エポシキ樹脂、および/または一
    般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (nは0または1以上、10以下の整数を わす。) のビスフェノールAD型エポキシ樹脂1〜900重量部
    、 (C)1分子中に、ケイ素原子に直接結合した下記の構
    造単位を含む有機ケイ素化合物 ▲数式、化学式、表等があります▼ (n=2または3;Rは同一または相異なる置換基であ
    って、炭素数1〜20のアルキル基、アルコキシ基、置
    換アルキル基を表わす;m=0〜4の整数) 1〜100重量部、 (D)下記の一般式で表わされるフェノールノボラック
    樹脂 ▲数式、化学式、表等があります▼ (R^−は同一または相異なる置換基であって、炭素数
    1〜10のアルキル基、アルケニル基、ビニル基、アリ
    ル基を表わす。lの平均値は0以上、3以下であり、k
    は0または1以上、20以下の整数を表わす。) 10〜900重量部 (E)1分子中にけい素原子に直結した2個以上のアル
    コキシ基、水酸基を有する有機けい素化合物0.001
    〜100重量部 を必須成分とする半導体封止用の液状熱硬化性樹脂組成
    物。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001158851A (ja) * 1999-12-02 2001-06-12 Asahi Denka Kogyo Kk 硬化性組成物
WO2011125624A1 (ja) * 2010-03-31 2011-10-13 日立化成工業株式会社 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置
JP2013224400A (ja) * 2012-03-22 2013-10-31 Hitachi Chemical Co Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001158851A (ja) * 1999-12-02 2001-06-12 Asahi Denka Kogyo Kk 硬化性組成物
WO2011125624A1 (ja) * 2010-03-31 2011-10-13 日立化成工業株式会社 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置
JPWO2011125624A1 (ja) * 2010-03-31 2013-07-08 日立化成株式会社 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置
JP2016166373A (ja) * 2010-03-31 2016-09-15 日立化成株式会社 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置
JP2013224400A (ja) * 2012-03-22 2013-10-31 Hitachi Chemical Co Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置

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