JPH0454567A - 電子部品の外観検査方法 - Google Patents
電子部品の外観検査方法Info
- Publication number
- JPH0454567A JPH0454567A JP2161347A JP16134790A JPH0454567A JP H0454567 A JPH0454567 A JP H0454567A JP 2161347 A JP2161347 A JP 2161347A JP 16134790 A JP16134790 A JP 16134790A JP H0454567 A JPH0454567 A JP H0454567A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- appearance
- external appearance
- quantization level
- gradation
- electronic parts
- Prior art date
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- Pending
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- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
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- Closed-Circuit Television Systems (AREA)
- Supply And Installment Of Electrical Components (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は、例えばＤＩＰ型ＩＣ等の電子部品の外観を検
査する電子部品の外観検査方法に関する。
査する電子部品の外観検査方法に関する。
（従来の技術）
ＤＩＰ型ＩＣの外観はモールド樹脂で形成されているが
、ＩＣを製品として出荷するには、内部的な電子回路の
機能および性能等に加えて、外観も製品としての重要な
要素である。このＩＣの外観検査は、ＩＣの外観をＣＣ
Ｄ撮像素子て撮像し、その撮像した画像データを量子化
してから、所定の量子化レベルと比較して行っている。
、ＩＣを製品として出荷するには、内部的な電子回路の
機能および性能等に加えて、外観も製品としての重要な
要素である。このＩＣの外観検査は、ＩＣの外観をＣＣ
Ｄ撮像素子て撮像し、その撮像した画像データを量子化
してから、所定の量子化レベルと比較して行っている。
更に詳しくは、この比較においては、撮像した画像デー
タを位置検出用固定量子化レベルと比較して、撮像した
画像の中からＩＣ部分を検出し、それからこの検出した
ＩＣ部分に対応する画像データを良否判定用固定量子化
レベルと比較している。
タを位置検出用固定量子化レベルと比較して、撮像した
画像の中からＩＣ部分を検出し、それからこの検出した
ＩＣ部分に対応する画像データを良否判定用固定量子化
レベルと比較している。
（発明が解決しようとする課題）
従来の外観検査は、撮像素子て撮像したＩＣの画像デー
タを位置検出用固定量子化レベルおよび良否判定用固定
量子化レベルと比較して行っているが、ＩＣの外観のモ
ールド樹脂には濃淡のばらつきがあるため、このように
固定の量子化レベルによる比較では、ＩＣの外観にきす
等が存在していても検出しに＜＜、外観検査を適確に行
うことができないという問題がある。
タを位置検出用固定量子化レベルおよび良否判定用固定
量子化レベルと比較して行っているが、ＩＣの外観のモ
ールド樹脂には濃淡のばらつきがあるため、このように
固定の量子化レベルによる比較では、ＩＣの外観にきす
等が存在していても検出しに＜＜、外観検査を適確に行
うことができないという問題がある。
本発明は、上記に鑑みてなされたもので、その目的とす
るところは、外観に濃淡のばらつきがあっても適確に検
査できる電子部品の外観検査方法を提供することにある
。
るところは、外観に濃淡のばらつきがあっても適確に検
査できる電子部品の外観検査方法を提供することにある
。
（課題を解決するための手段）
上記目的を達成するため、本発明の電子部品の外観検査
方法は、電子部品の外観を撮像し、この撮像した画像の
濃度分布を求め、この濃度分布から検査判定用の最適量
子化レベルを決定することを要旨とする。
方法は、電子部品の外観を撮像し、この撮像した画像の
濃度分布を求め、この濃度分布から検査判定用の最適量
子化レベルを決定することを要旨とする。
（作用）
本発明の電子部品の外観検査方法では、撮像した電子部
品の外観の画像の濃度分布を求め、この濃度分布から検
査判定用の最適量子化レベルを決定している。
品の外観の画像の濃度分布を求め、この濃度分布から検
査判定用の最適量子化レベルを決定している。
（実施例）
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の一実施例に係わる電子部品の外観検査
方法を実施する検査装置の構成図である。同図に示す装
置は、検査工程等を搬送中のＩＣ１をＩＣモールド用Ｃ
ＣＤ撮像カメラ３て撮像し、この撮像したＩＣＩの画像
信号を光電変換回路５で電気信号に変換し、更にＡ／Ｄ
変換器７てディジタル画像データに変換し、モールド多
値画像メモリ９に記憶する。
方法を実施する検査装置の構成図である。同図に示す装
置は、検査工程等を搬送中のＩＣ１をＩＣモールド用Ｃ
ＣＤ撮像カメラ３て撮像し、この撮像したＩＣＩの画像
信号を光電変換回路５で電気信号に変換し、更にＡ／Ｄ
変換器７てディジタル画像データに変換し、モールド多
値画像メモリ９に記憶する。
多値画像メモリ９に記憶された画像データは、スライス
テーブルメモリ１１からのモールド位置検出用固定スラ
イスレベルと比較されて、量子化画像が形成され、この
量子化画像は量子化メモリ１５に記憶され、これにより
ＩＣＩの位置を検出している。
テーブルメモリ１１からのモールド位置検出用固定スラ
イスレベルと比較されて、量子化画像が形成され、この
量子化画像は量子化メモリ１５に記憶され、これにより
ＩＣＩの位置を検出している。
一方、多値画像メモリ９に記憶された画像データは、モ
ールド濃淡検知部１７を介してパターンプロセッサユニ
ット１９に供給されるが、前記量子化メモリ１５に記憶
されたＩＣＩの位置に相当する量子化画像情報はパター
ンプロセッサユニット１９に供給され、パターンプロセ
ッサユニット１９においてＩＣＩの濃淡分布が検知され
る。
ールド濃淡検知部１７を介してパターンプロセッサユニ
ット１９に供給されるが、前記量子化メモリ１５に記憶
されたＩＣＩの位置に相当する量子化画像情報はパター
ンプロセッサユニット１９に供給され、パターンプロセ
ッサユニット１９においてＩＣＩの濃淡分布が検知され
る。
このようにして得られたＩＣＩの濃淡分布が第２図に示
されている。同図に示す濃淡分布は横軸に濃度を取って
、ヒストグラムであられされているが、この濃淡分布の
最大値の部分は同図に拡大して示されているようにいく
つかの山に割れているので、その最大値（ＭＡＸ）より
数％低下した位置の中心をモールド濃淡中心値としてい
る。そして、この濃淡中心値よりある一定値を濃度方向
にバイアスした濃度位置を検査用最適量子化レベルと決
定している。なお、この最適量子化レベルは、同図に示
す濃淡分布曲線を７対３の比率、すなわち左側が７で右
側が３の比率で分割した点に設定されている。そして、
この検査用最適量子化レベルに基づいて比較器１３で比
較を行い、量子化メモリ画像を作成し、検査判定を行っ
ている。
されている。同図に示す濃淡分布は横軸に濃度を取って
、ヒストグラムであられされているが、この濃淡分布の
最大値の部分は同図に拡大して示されているようにいく
つかの山に割れているので、その最大値（ＭＡＸ）より
数％低下した位置の中心をモールド濃淡中心値としてい
る。そして、この濃淡中心値よりある一定値を濃度方向
にバイアスした濃度位置を検査用最適量子化レベルと決
定している。なお、この最適量子化レベルは、同図に示
す濃淡分布曲線を７対３の比率、すなわち左側が７で右
側が３の比率で分割した点に設定されている。そして、
この検査用最適量子化レベルに基づいて比較器１３で比
較を行い、量子化メモリ画像を作成し、検査判定を行っ
ている。
このようにＩＣ１の外観を構成しているモールド樹脂の
濃淡分布から決定した最適量子化レベルによりモールド
樹脂の濃淡ばらつきを補うことにより、ＩＣの外観検査
を適確に高い信頼性をもって行うことができるのである
。
濃淡分布から決定した最適量子化レベルによりモールド
樹脂の濃淡ばらつきを補うことにより、ＩＣの外観検査
を適確に高い信頼性をもって行うことができるのである
。
第３図は第１図の外観検査装置の作用を示すフローチャ
ートであるが、ＩＣＩのモールド樹脂の外観を撮像カメ
ラ３て撮像しくステップ１１０）、その撮像データから
ＩＣの位置を固定スライスレベルによって検出しくステ
ップ１２０）、それから濃淡分布を検知しくステップ１
３０）、この濃淡分布特性から検査判定用最適量子化レ
ベルを決定しくステップ１４０）、この最適量子化レベ
ルに基づいて検査判定を行い（ステップ１５０）、これ
によりＩＣＩの外観の良否を判定している。
ートであるが、ＩＣＩのモールド樹脂の外観を撮像カメ
ラ３て撮像しくステップ１１０）、その撮像データから
ＩＣの位置を固定スライスレベルによって検出しくステ
ップ１２０）、それから濃淡分布を検知しくステップ１
３０）、この濃淡分布特性から検査判定用最適量子化レ
ベルを決定しくステップ１４０）、この最適量子化レベ
ルに基づいて検査判定を行い（ステップ１５０）、これ
によりＩＣＩの外観の良否を判定している。
第４図は第１図の外観検査装置の全体的外観を示す斜視
図である。同図に示す外観検査装置は、上部に前記撮像
カメラ３を構成する複数のカメラが設けられている。
図である。同図に示す外観検査装置は、上部に前記撮像
カメラ３を構成する複数のカメラが設けられている。
なお、上記実施例では、ＩＣの外観を検査するものとし
て説明しているが、本発明の外観検査方法は、これに限
定されるものでなく、ＩＣを含む多くの電子部品に適用
し得るものである。
て説明しているが、本発明の外観検査方法は、これに限
定されるものでなく、ＩＣを含む多くの電子部品に適用
し得るものである。
以上説明したように、本発明によれば、撮像した電子部
品の外観の画像の濃度分布を求め、この濃度分布から検
査判定用の最適量子化レベルを決定しているので、その
最適量子化レベルによって外観検査を行うことにより、
外観に濃淡のばらつきがあっても、これに左右されるこ
となく、適確に外観検査を行うことができる。
品の外観の画像の濃度分布を求め、この濃度分布から検
査判定用の最適量子化レベルを決定しているので、その
最適量子化レベルによって外観検査を行うことにより、
外観に濃淡のばらつきがあっても、これに左右されるこ
となく、適確に外観検査を行うことができる。
第１図は本発明の一実施例に係わる電子部品の外観検査
方法を実施する外観検査装置の構成図、第２図はＩＣの
外観の濃淡分布を示すヒストグラム、第３図は第１図の
外観検査装置の作用を示すフローチャート、第４図は第
１図の外観検査装置の全体的構成を示す斜視図である。 １・・・ＩＣ。 ３・・・撮像カメラ、 ９・・・多値画像メモリ、 １１・・・スライステーブルメモリ、 １３・・・比較器、 １５・・・量子化メモリ、 １７・・・モールド濃淡検知部、 １９・・・パターンプロセッサユニット。
方法を実施する外観検査装置の構成図、第２図はＩＣの
外観の濃淡分布を示すヒストグラム、第３図は第１図の
外観検査装置の作用を示すフローチャート、第４図は第
１図の外観検査装置の全体的構成を示す斜視図である。 １・・・ＩＣ。 ３・・・撮像カメラ、 ９・・・多値画像メモリ、 １１・・・スライステーブルメモリ、 １３・・・比較器、 １５・・・量子化メモリ、 １７・・・モールド濃淡検知部、 １９・・・パターンプロセッサユニット。
Claims (2)
- （１）電子部品の外観を撮像し、この撮像した画像の濃
度分布を求め、この濃度分布から検査判定用の最適量子
化レベルを決定することを特徴とする電子部品の外観検
査方法。 - （２）前記最適量子化レベルは、前記濃度分布の明るい
側の裾野側のレベルであることを特徴とする請求項（１
）記載の電子部品の外観検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2161347A JPH0454567A (ja) | 1990-06-21 | 1990-06-21 | 電子部品の外観検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2161347A JPH0454567A (ja) | 1990-06-21 | 1990-06-21 | 電子部品の外観検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0454567A true JPH0454567A (ja) | 1992-02-21 |
Family
ID=15733354
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2161347A Pending JPH0454567A (ja) | 1990-06-21 | 1990-06-21 | 電子部品の外観検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0454567A (ja) |
-
1990
- 1990-06-21 JP JP2161347A patent/JPH0454567A/ja active Pending
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