JPH0335366A - パターン判別装置 - Google Patents
パターン判別装置Info
- Publication number
- JPH0335366A JPH0335366A JP1169642A JP16964289A JPH0335366A JP H0335366 A JPH0335366 A JP H0335366A JP 1169642 A JP1169642 A JP 1169642A JP 16964289 A JP16964289 A JP 16964289A JP H0335366 A JPH0335366 A JP H0335366A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- image
- quantization level
- memory
- pattern
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Image Processing (AREA)
- Image Analysis (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
この発明は、例えば集積回路等の半導体装置の外観を判
別するパターン判別装置に関する。
別するパターン判別装置に関する。
（従来の技術）
一般に、製造された半導体装置は、その外観が検査され
る。この半導体装置の外観を検査する場合、従来は検査
対象としての半導体装置をテレビジョンカメラ（ＴＶカ
メラ）によって撮像し、これを多値画像としてのディジ
タル信号に変換する。この多値画像は所定の量子化レベ
ルで量子化され、この量子化された画像から、検査対象
としてのマークが記載された領域や、リード端子を含む
領域等からなる検査対象領域が決定される。そして、こ
の決定した検査対象領域内の画像と予め登録した基準パ
ターンとを照合したり、寸法等の測定を行うことにより
、半導体装置の外観の良否を検査している。
る。この半導体装置の外観を検査する場合、従来は検査
対象としての半導体装置をテレビジョンカメラ（ＴＶカ
メラ）によって撮像し、これを多値画像としてのディジ
タル信号に変換する。この多値画像は所定の量子化レベ
ルで量子化され、この量子化された画像から、検査対象
としてのマークが記載された領域や、リード端子を含む
領域等からなる検査対象領域が決定される。そして、こ
の決定した検査対象領域内の画像と予め登録した基準パ
ターンとを照合したり、寸法等の測定を行うことにより
、半導体装置の外観の良否を検査している。
ところで、従来は、１つの量子化レベルによって撮像し
た画像を量子化し、この量子化した画像から検査対象領
域を決定するとともに、その検査対象領域内の画像の照
合等を行っている。このため、半導体装置の表面が汚れ
ている場合等においては、検査対象領域を決定すること
ができず、また、マークが薄い場合やかすれている場合
には、確実に照合することができないという問題を有し
ていた。
た画像を量子化し、この量子化した画像から検査対象領
域を決定するとともに、その検査対象領域内の画像の照
合等を行っている。このため、半導体装置の表面が汚れ
ている場合等においては、検査対象領域を決定すること
ができず、また、マークが薄い場合やかすれている場合
には、確実に照合することができないという問題を有し
ていた。
（発明が解決しようとする課題）
この発明は、１つの量子化レベルによって検査対象領域
と、パターンの比較を行うことにより検査対象領域の決
定不能や照合不能が生ずるという課題を解決するもので
あり、その目的とするところは、検査対象領域を確実に
決定することができるとともに、照合精度を向上するこ
とが可能なパターン判別装置を提供しようとするもので
あ°る。
と、パターンの比較を行うことにより検査対象領域の決
定不能や照合不能が生ずるという課題を解決するもので
あり、その目的とするところは、検査対象領域を確実に
決定することができるとともに、照合精度を向上するこ
とが可能なパターン判別装置を提供しようとするもので
あ°る。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
この発明は、上記課題を解決するために、敷物を撮像す
る撮像手段と、この撮像手段によって撮像された対象物
の多値画像を第１の量子化レベルによって量子化し、検
査対象領域を決定する決定手段と、前記撮像手段によっ
て撮像された対象物の多値画像から少なくとも前記決定
手段によって決定された検査対象領域内の画像のパター
ンを第２の量子化レベルによって量子化し、この量子化
した画像のパターンを判別する判別手段とを設けている
。
る撮像手段と、この撮像手段によって撮像された対象物
の多値画像を第１の量子化レベルによって量子化し、検
査対象領域を決定する決定手段と、前記撮像手段によっ
て撮像された対象物の多値画像から少なくとも前記決定
手段によって決定された検査対象領域内の画像のパター
ンを第２の量子化レベルによって量子化し、この量子化
した画像のパターンを判別する判別手段とを設けている
。
（作用）
この発明は、撮像手段によって撮像した画像を検査対象
領域を決定するために適した第１の量子化レベルによっ
て量子化するとともに、画像を判別するために適した第
２の量子化レベルによって量子化することにより、検査
対象領域の決定および画像の照合を確実に行うことがで
きる。
領域を決定するために適した第１の量子化レベルによっ
て量子化するとともに、画像を判別するために適した第
２の量子化レベルによって量子化することにより、検査
対象領域の決定および画像の照合を確実に行うことがで
きる。
（実施例）
以下、この発明の一実施例について図面を参照して説明
する。
する。
第１図において、ＴＶカメラ１１は検査対象としての半
導体装置１２を撮像するものである。このＴＶカメラ１
１には、Ａ／Ｄ変換器１３が接続されており、このＡ／
Ｄ変換器１３により、撮像された半導体装置１２の画像
が多値画像に変換される。このＡ／Ｄ変換器１３にはメ
モリ１４が接続されており、このメモリ１４にＡ／Ｄ変
換器１３により変換され多値画像が記憶される。このメ
モリ１４には、画像処理部１５を構成する制御部１５ａ
が接続され、この制御部１５ａには画像処理部１５を構
成する認識部１５ｂ、辞書メモリ１５ｃが順次接続され
るとともに、メモリ１６が接続されている。
導体装置１２を撮像するものである。このＴＶカメラ１
１には、Ａ／Ｄ変換器１３が接続されており、このＡ／
Ｄ変換器１３により、撮像された半導体装置１２の画像
が多値画像に変換される。このＡ／Ｄ変換器１３にはメ
モリ１４が接続されており、このメモリ１４にＡ／Ｄ変
換器１３により変換され多値画像が記憶される。このメ
モリ１４には、画像処理部１５を構成する制御部１５ａ
が接続され、この制御部１５ａには画像処理部１５を構
成する認識部１５ｂ、辞書メモリ１５ｃが順次接続され
るとともに、メモリ１６が接続されている。
前記制御部１５ａは、例えばマイクロコンピュータによ
って構成されている。この制御部１５ａでは、検査対象
領域を決定するための量子化レベルを決定したり、パタ
ーン判別を行うための量子化レベルが決定され、この決
定された量子化レベルに従って前記メモリ１４に記憶さ
れている多値画像が読出され、前記メモリ１６に記憶さ
れる。
って構成されている。この制御部１５ａでは、検査対象
領域を決定するための量子化レベルを決定したり、パタ
ーン判別を行うための量子化レベルが決定され、この決
定された量子化レベルに従って前記メモリ１４に記憶さ
れている多値画像が読出され、前記メモリ１６に記憶さ
れる。
前記認識部１５ｂは、このメモリ１６に記憶されている
画像と、辞書メモリ１５ｃに記憶されている基準パター
ンとを比較するものである。
画像と、辞書メモリ１５ｃに記憶されている基準パター
ンとを比較するものである。
上記構成において、この装置により半導体装置の表面に
記載されているマーク等を判別する場合について説明す
る。
記載されているマーク等を判別する場合について説明す
る。
この場合、先ず、ＴＶカメラ１１によって半導体装置１
２が上面から撮像され、この撮像された画像は、Ａ／Ｄ
変換器１３によって多値画像に変換され、メモリ１４に
記憶される。
２が上面から撮像され、この撮像された画像は、Ａ／Ｄ
変換器１３によって多値画像に変換され、メモリ１４に
記憶される。
第２図（ａ）は、このメモリ１４に記憶される半導体装
置１２の多値画像を示すものであり・、この画像中には
、半導体装置１２、この半導体装置１２のリード端子１
２ａ１表面に記載されたマーク１２ｂ、背景画像２１、
これら半導体装置１２、背景画像２１に付着した汚れ２
２等が含まれている。
置１２の多値画像を示すものであり・、この画像中には
、半導体装置１２、この半導体装置１２のリード端子１
２ａ１表面に記載されたマーク１２ｂ、背景画像２１、
これら半導体装置１２、背景画像２１に付着した汚れ２
２等が含まれている。
第３図（Ｌ）は、半導体装置１２を上面から撮像した場
合におけるリード端子１２ａの明るさの範囲３１、マー
ク１２ｂ等の明るさの範囲３２、背景画像２１の明るさ
の範囲３３の関係を示すものである。
合におけるリード端子１２ａの明るさの範囲３１、マー
ク１２ｂ等の明るさの範囲３２、背景画像２１の明るさ
の範囲３３の関係を示すものである。
制御部１５ａでは、後述するように、先ず、リード端子
１２ａの明るさの範囲３１内で、マーク１２ｂが記載さ
れた領域を検出するに最適な量子化レベルＡが設定され
、この後、マーク１２ｂ（７）明るさの範囲３２内で、
マーク１２ｂを判別するために最適な量子化レベルＢが
設定される。
１２ａの明るさの範囲３１内で、マーク１２ｂが記載さ
れた領域を検出するに最適な量子化レベルＡが設定され
、この後、マーク１２ｂ（７）明るさの範囲３２内で、
マーク１２ｂを判別するために最適な量子化レベルＢが
設定される。
第４図は、制御部１５ａの動作を示すものである。
制御部１５ａでは、先ず、マーク１２ｂが記載された領
域を検出するに最適な量子化レベルＡが設定され、メモ
リ１４に記憶された画像が量子化される（ＳＴＩ）。こ
の量子化された画像はメモリ１６に記憶される。
域を検出するに最適な量子化レベルＡが設定され、メモ
リ１４に記憶された画像が量子化される（ＳＴＩ）。こ
の量子化された画像はメモリ１６に記憶される。
第２図（ｂ）は、メモリ１６に記憶された量子化レベル
Ａに対応する画像を示すものである。制御部１５ａでは
、このメモリ１６に記憶された画像より、マーク１２ｂ
が記載された検査対象領域が２３検出される（Ｓｒ１）
。
Ａに対応する画像を示すものである。制御部１５ａでは
、このメモリ１６に記憶された画像より、マーク１２ｂ
が記載された検査対象領域が２３検出される（Ｓｒ１）
。
このようにマーク１２ｂが記載された領域は、リード端
子１２ａの内側であるため、このリード端子１２ａの明
るさの範囲内に量子化レベルを設定して量子化すること
により、マーク１２ｂが記載された検査対象領域２３を
確実に抽出することができる。
子１２ａの内側であるため、このリード端子１２ａの明
るさの範囲内に量子化レベルを設定して量子化すること
により、マーク１２ｂが記載された検査対象領域２３を
確実に抽出することができる。
次に、制御部１５ａでは、マーク１２ｂを判別するため
に最適な量子化レベルＢが設定され、この量子化レベル
Ｂによってメモリ１４に記憶された画像の少なくとも前
記検査対象領域に対応する範囲の画像が量子化され、メ
モリ１６に記憶される（Ｓｒ１）。
に最適な量子化レベルＢが設定され、この量子化レベル
Ｂによってメモリ１４に記憶された画像の少なくとも前
記検査対象領域に対応する範囲の画像が量子化され、メ
モリ１６に記憶される（Ｓｒ１）。
！２図（ｃ）は、量子化レベルＢによって量子化され、
メモリ１６に記憶された画像を示すものである。制御部
１５ａではこのメモリ１６に記憶された画像のうち、検
査対象領域２３内の画像が基準パターンと照合され、欠
陥が判別される（Ｓｒ４）。
メモリ１６に記憶された画像を示すものである。制御部
１５ａではこのメモリ１６に記憶された画像のうち、検
査対象領域２３内の画像が基準パターンと照合され、欠
陥が判別される（Ｓｒ４）。
すなわち、検査対象領域２３内の画像が認識部１５ｂに
おいて、辞書メモリ１５ｃに記憶された基準パターンと
照合され、マーク１２が確実に印刷されているか否か等
が判別される。
おいて、辞書メモリ１５ｃに記憶された基準パターンと
照合され、マーク１２が確実に印刷されているか否か等
が判別される。
一方、上記装置によって半導体装置のリード端子を検査
する場合は、ＴＶカメラ１１によって半導体装置１２が
側面から撮像され、この撮像された画像は、Ａ／Ｄ変換
器１３によって多値画像に変換され、メモリ１４に記憶
される。
する場合は、ＴＶカメラ１１によって半導体装置１２が
側面から撮像され、この撮像された画像は、Ａ／Ｄ変換
器１３によって多値画像に変換され、メモリ１４に記憶
される。
第５図（ａ）は、このメモリ１４に記憶される半導体装
置１２の多値画像を示すものであり、この画像中には、
半導体装置１２、この半導体装置１２のリード端子１２
ａ１背景画像２１、リード端子１２ａのメツキネ良２４
等が含まれている。
置１２の多値画像を示すものであり、この画像中には、
半導体装置１２、この半導体装置１２のリード端子１２
ａ１背景画像２１、リード端子１２ａのメツキネ良２４
等が含まれている。
第３図（ｂ）は、半導体装置１２を側面から撮像した場
合における正常なリード端子の明るさの範囲３４、メツ
キネ良や異物が付着した゛場合のリード端子の明るさの
範囲３５、背景等の明るさの範囲３６の関係を示すもの
である。
合における正常なリード端子の明るさの範囲３４、メツ
キネ良や異物が付着した゛場合のリード端子の明るさの
範囲３５、背景等の明るさの範囲３６の関係を示すもの
である。
制御部１５ａでは、先ず、メツキネ良や異物が付着した
場合のリード端子の明るさの範囲３５内で、リード端子
１２ａの各形状を検出するに最適な量子化レベルＣが設
定され、この量子化レベルＣによって、メモリ１４に記
憶されている多値画像が量子化される。この量子化され
た画像より、第５図（ｂ）に示すごとく、各リード端子
１２Ｈの検査対象領域２５が決定されるとともに、リー
ド端子の形状的な欠陥、例えば折れや曲り等が判別され
る。
場合のリード端子の明るさの範囲３５内で、リード端子
１２ａの各形状を検出するに最適な量子化レベルＣが設
定され、この量子化レベルＣによって、メモリ１４に記
憶されている多値画像が量子化される。この量子化され
た画像より、第５図（ｂ）に示すごとく、各リード端子
１２Ｈの検査対象領域２５が決定されるとともに、リー
ド端子の形状的な欠陥、例えば折れや曲り等が判別され
る。
この後、正常なリード端子の明るさの範囲３４内の量子
化レベルＤが設定され、この量子化レベルＤによって、
メモリ１４に記憶されている多値画像の少なくとも前記
検査対象領域２５に対応する範囲の画像が量子化される
。この量子化された画像より、第５図（Ｃ）に示すごと
く、各リード端子１２ａのメツキネ良や異物等の付着が
判別される。
化レベルＤが設定され、この量子化レベルＤによって、
メモリ１４に記憶されている多値画像の少なくとも前記
検査対象領域２５に対応する範囲の画像が量子化される
。この量子化された画像より、第５図（Ｃ）に示すごと
く、各リード端子１２ａのメツキネ良や異物等の付着が
判別される。
上記実施例によれば、半導体装置の検査を行う場合、検
査対象領域を決定するための量子化レベルと、検査対象
のパターン照合を行うための量子化レベルとを設定して
、撮像した画像を量子化している。したがって、１つの
量子化レベルのみによって量子化を行う場合に比べて、
検査対象領域の決定、および検査対象のパターン照合を
精度よく行うことができるものである。
査対象領域を決定するための量子化レベルと、検査対象
のパターン照合を行うための量子化レベルとを設定して
、撮像した画像を量子化している。したがって、１つの
量子化レベルのみによって量子化を行う場合に比べて、
検査対象領域の決定、および検査対象のパターン照合を
精度よく行うことができるものである。
尚、この発明は上記実施例に限定されるものではなく、
発明の要旨を変えない範囲において、種々変形実施可能
なことは勿論である。
発明の要旨を変えない範囲において、種々変形実施可能
なことは勿論である。
［発明の効果］
以上、詳述したようにこの発明によれば、撮像手段によ
って撮像した画像を検査対象領域を決定するために適し
た第１の量子化レベルによって量子化するとともに、画
像を判別するために適した第２の量子化レベルによって
量子化することにより、検査対象領域の決定および照合
精度を向上することが可能なパターン判別装置を提供で
きる。
って撮像した画像を検査対象領域を決定するために適し
た第１の量子化レベルによって量子化するとともに、画
像を判別するために適した第２の量子化レベルによって
量子化することにより、検査対象領域の決定および照合
精度を向上することが可能なパターン判別装置を提供で
きる。
第１図はこの発明の一実施例を示す構成図、第２図はマ
ークを検出する場合の動作を説明するために示す図、第
３図は量子化レベルを説明するために示す図、第４図は
第１図に示す制御部の動作を説明するために示す図、第
５図はリード端子を検出する場合の動作を説明するため
に示す図である。 １１・・・ＴＶカメラ、１５ａ・・・制御部、１５ｂ・
・・認識部。
ークを検出する場合の動作を説明するために示す図、第
３図は量子化レベルを説明するために示す図、第４図は
第１図に示す制御部の動作を説明するために示す図、第
５図はリード端子を検出する場合の動作を説明するため
に示す図である。 １１・・・ＴＶカメラ、１５ａ・・・制御部、１５ｂ・
・・認識部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 対象物を撮像する撮像手段と、 この撮像手段によって撮像された対象物の多値画像を第
１の量子化レベルによって量子化し、検査対象領域を決
定する決定手段と、 前記撮像手段によって撮像された対象物の多値画像から
少なくとも前記決定手段によって決定された検査対象領
域内の画像のパターンを第２の量子化レベルによって量
子化し、この量子化した画像のパターンを判別する判別
手段と、 を具備したことを特徴とするパターン判別装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1169642A JPH0335366A (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | パターン判別装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1169642A JPH0335366A (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | パターン判別装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0335366A true JPH0335366A (ja) | 1991-02-15 |
Family
ID=15890268
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1169642A Pending JPH0335366A (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | パターン判別装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0335366A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008216140A (ja) * | 2007-03-06 | 2008-09-18 | Fuji Mach Mfg Co Ltd | 電子部品装着装置における転写材転写検査方法 |
| JP2012154707A (ja) * | 2011-01-25 | 2012-08-16 | Stanley Electric Co Ltd | リード端子の異物検査装置 |
-
1989
- 1989-06-30 JP JP1169642A patent/JPH0335366A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008216140A (ja) * | 2007-03-06 | 2008-09-18 | Fuji Mach Mfg Co Ltd | 電子部品装着装置における転写材転写検査方法 |
| JP2012154707A (ja) * | 2011-01-25 | 2012-08-16 | Stanley Electric Co Ltd | リード端子の異物検査装置 |
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