JPH0455028B2 - - Google Patents
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- JPH0455028B2 JPH0455028B2 JP58147534A JP14753483A JPH0455028B2 JP H0455028 B2 JPH0455028 B2 JP H0455028B2 JP 58147534 A JP58147534 A JP 58147534A JP 14753483 A JP14753483 A JP 14753483A JP H0455028 B2 JPH0455028 B2 JP H0455028B2
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- JP
- Japan
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- photosensitive resin
- photoelectric conversion
- imaging device
- solid
- state imaging
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/30—Coatings
- H10F77/306—Coatings for devices having potential barriers
- H10F77/331—Coatings for devices having potential barriers for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/40—Optical elements or arrangements
- H10F77/413—Optical elements or arrangements directly associated or integrated with the devices, e.g. back reflectors
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は固体撮像装置の感度向上に関するもの
である。
である。
一般に固体撮像装置は、半導体基板主面に光電
変換部及び信号読み出し部を有するため、100％
の領域を光電変換部として使用することができな
い。この欠点を解決する手段として、光電変換部
と信号読み出し部を分離したCCDフレーム転送
方式がある。この方式はチツプサイズが大きくな
る問題点がある。また、CCDインターライン転
送方式およびMOS型撮像素子に光導電膜を形成、
光電変換効率を向上させる構成が提案されてい
る。この方式は通常のシリコン集積回路製造技術
と整合していないこと、および光導電膜特有の残
像、焼付き現象など新たな問題点も多くもつてい
る。
変換部及び信号読み出し部を有するため、100％
の領域を光電変換部として使用することができな
い。この欠点を解決する手段として、光電変換部
と信号読み出し部を分離したCCDフレーム転送
方式がある。この方式はチツプサイズが大きくな
る問題点がある。また、CCDインターライン転
送方式およびMOS型撮像素子に光導電膜を形成、
光電変換効率を向上させる構成が提案されてい
る。この方式は通常のシリコン集積回路製造技術
と整合していないこと、および光導電膜特有の残
像、焼付き現象など新たな問題点も多くもつてい
る。
本発明の目的は上記の欠点をなくした高感度な
固体撮像装置の製造方法を提供することにある。
固体撮像装置の製造方法を提供することにある。
本発明によれば同一半導体基板上に光電変換素
子群がモザイク状に配列され、隣接する光電変換
素子間に設けられた信号電荷を読み出す遮光され
た信号読み出し群からなる置が複数個形成されて
いる半導体ウエハー上に第１の感光性樹脂を塗布
した後、写真蝕刻により光電変換領域以外の第１
感性樹脂を除去する手段と、第１の感光性樹脂を
樹脂の軟化温度以上で処理する手段と、前記第１
の感光性樹脂上に、第２の感光性樹脂を塗布し写
真蝕刻法により光電変換素子以外の第２の感光性
樹脂の一部を除去する手段と、前記、残された第
２の感光性樹脂を第２の樹脂の軟化温度以上で、
且つ、第１の感光性樹脂の熱処理以下の温度によ
り流動させる手段を含む固体撮像装置の製造方法
が得られる。
子群がモザイク状に配列され、隣接する光電変換
素子間に設けられた信号電荷を読み出す遮光され
た信号読み出し群からなる置が複数個形成されて
いる半導体ウエハー上に第１の感光性樹脂を塗布
した後、写真蝕刻により光電変換領域以外の第１
感性樹脂を除去する手段と、第１の感光性樹脂を
樹脂の軟化温度以上で処理する手段と、前記第１
の感光性樹脂上に、第２の感光性樹脂を塗布し写
真蝕刻法により光電変換素子以外の第２の感光性
樹脂の一部を除去する手段と、前記、残された第
２の感光性樹脂を第２の樹脂の軟化温度以上で、
且つ、第１の感光性樹脂の熱処理以下の温度によ
り流動させる手段を含む固体撮像装置の製造方法
が得られる。
次に図面を用いて本発明について説明する。第
１図は本発明の一実施例を説明するための図で、
インターライン転送CCD撮像装置の平面概念図
を示している。
１図は本発明の一実施例を説明するための図で、
インターライン転送CCD撮像装置の平面概念図
を示している。
１１は、例えばフオトダイオードからなる光電
変換領域、１２は光電変換領域１１で光電変換し
た信号を読み出す垂直CCDレジスタで、図示し
てないがフオトダイオードと垂直CCDレジスタ
１２の間には信号電荷の転送を制御するトランス
フアゲートが配置されている。１３は並列に転送
されて来た垂直CCDレジスタの信号を一ライン
毎に出力部１４へ読み出す水平CCDレジスタで
ある。第２図は第１図の部分拡大図である。１１
はフオトダイオード、１２は垂直CCDレジスタ、
１５はトランスフアゲート領域、１６，１７は垂
直CCDレジスタの転送電極で、通常多結晶シリ
コンが使用されている。転送電極１６，１７は１
つの光電変換素子１１に対応して1/2段のCCDを
形成しており、図示してないが各転送電極共垂直
CCD１２の部分では二つの異る電位をもつよう、
二層ゲート構造あるいは、基板半導体の不純物制
御を行つている。また、転送電極１６，１７は光
電変換素子１１の垂直分離部１８を通して隣接す
る垂直CCDへ接続される。また、トランスフア
ゲート部、垂直CCDレジスタ部１２は例えばAl
のような光を通さない層１９で遮光されている。
この様に光電変換素子１１の実際の開口率は20〜
40％に制限される。
変換領域、１２は光電変換領域１１で光電変換し
た信号を読み出す垂直CCDレジスタで、図示し
てないがフオトダイオードと垂直CCDレジスタ
１２の間には信号電荷の転送を制御するトランス
フアゲートが配置されている。１３は並列に転送
されて来た垂直CCDレジスタの信号を一ライン
毎に出力部１４へ読み出す水平CCDレジスタで
ある。第２図は第１図の部分拡大図である。１１
はフオトダイオード、１２は垂直CCDレジスタ、
１５はトランスフアゲート領域、１６，１７は垂
直CCDレジスタの転送電極で、通常多結晶シリ
コンが使用されている。転送電極１６，１７は１
つの光電変換素子１１に対応して1/2段のCCDを
形成しており、図示してないが各転送電極共垂直
CCD１２の部分では二つの異る電位をもつよう、
二層ゲート構造あるいは、基板半導体の不純物制
御を行つている。また、転送電極１６，１７は光
電変換素子１１の垂直分離部１８を通して隣接す
る垂直CCDへ接続される。また、トランスフア
ゲート部、垂直CCDレジスタ部１２は例えばAl
のような光を通さない層１９で遮光されている。
この様に光電変換素子１１の実際の開口率は20〜
40％に制限される。
第３図〜第７図は本発明の固体撮像装置の製造
方法の一実施例を説明するための図で、第１図に
示すインターライン転送CCD撮像装置に応用し
た例である。
方法の一実施例を説明するための図で、第１図に
示すインターライン転送CCD撮像装置に応用し
た例である。
第３図は第２図の−線上の断面を模式的に
示している。第２図と同一部分は同一記号を用い
てある。インターライン転送CCD撮像素子は基
板半導体１０の主面に、例えば基板不純物と反対
の導電型をもつフオトダイオード部１１、閾値電
圧を不純物によつて制御されたトランスフアゲー
ト領域１５、埋込みチヤネルから成る垂直CCD
レジスタ１２が形成されている。基板の表面には
絶縁膜２０を介して転送電極１６が配置されてい
る。さらにリンガラス層２１を介して垂直CCD
１２およびトランスフアゲート部１５を遮光する
ようにアルミニウム層１９が配置されている。
示している。第２図と同一部分は同一記号を用い
てある。インターライン転送CCD撮像素子は基
板半導体１０の主面に、例えば基板不純物と反対
の導電型をもつフオトダイオード部１１、閾値電
圧を不純物によつて制御されたトランスフアゲー
ト領域１５、埋込みチヤネルから成る垂直CCD
レジスタ１２が形成されている。基板の表面には
絶縁膜２０を介して転送電極１６が配置されてい
る。さらにリンガラス層２１を介して垂直CCD
１２およびトランスフアゲート部１５を遮光する
ようにアルミニウム層１９が配置されている。
最初に第４図に示すように、第３図に示した従
来のインターライン転送CCDの主面に透明で感
光性のある樹脂層２２を形成する。感光性樹脂２
２はCCD撮像装置の主面の凹凸をなくすと共に、
後で形成するレンズの焦点が光電変換素子上に結
ぶようレンズの焦点距離を調整する役目を兼ねて
いる。透明感光樹脂層２２の厚さはレンズの曲
率、レンズ材料の屈折率、光電変換素子の開口率
によつて決定される。この発明のように樹脂を集
光レンズとして使用する場合、屈折率を1.5、レ
ンズの曲率半径を光電変換素子のピツチ、光電変
換素子の開口率を50％とすると少くとも感光性樹
脂の厚さは光電変換素子のピツチの1/2以上必要
となる。
来のインターライン転送CCDの主面に透明で感
光性のある樹脂層２２を形成する。感光性樹脂２
２はCCD撮像装置の主面の凹凸をなくすと共に、
後で形成するレンズの焦点が光電変換素子上に結
ぶようレンズの焦点距離を調整する役目を兼ねて
いる。透明感光樹脂層２２の厚さはレンズの曲
率、レンズ材料の屈折率、光電変換素子の開口率
によつて決定される。この発明のように樹脂を集
光レンズとして使用する場合、屈折率を1.5、レ
ンズの曲率半径を光電変換素子のピツチ、光電変
換素子の開口率を50％とすると少くとも感光性樹
脂の厚さは光電変換素子のピツチの1/2以上必要
となる。
感光性樹脂２２を被着した後、撮像装置のボン
デングパツト部およびスクライブ線上の感光性樹
脂２２を樹脂自身のフオトレジスト作用を用いて
除去する。その後感光性樹脂を硬化するため樹脂
２２の軟化温度以上で熱処理する。次に、感光性
樹脂２２上にレンズアレーを形成するための第２
の感光性樹脂層２３を被着する。その後、第２の
感光性樹脂２３は露光、現象のフオトレジストの
工程により遮光部１９上の一部および光電変換素
子１１垂直方向に分離している１８上の一部を除
去される。第５図は第２感光性樹脂２３の現象後
の平面模式図で、樹脂２３は光電変換素子１１に
対応してモザイク状に形成される。
デングパツト部およびスクライブ線上の感光性樹
脂２２を樹脂自身のフオトレジスト作用を用いて
除去する。その後感光性樹脂を硬化するため樹脂
２２の軟化温度以上で熱処理する。次に、感光性
樹脂２２上にレンズアレーを形成するための第２
の感光性樹脂層２３を被着する。その後、第２の
感光性樹脂２３は露光、現象のフオトレジストの
工程により遮光部１９上の一部および光電変換素
子１１垂直方向に分離している１８上の一部を除
去される。第５図は第２感光性樹脂２３の現象後
の平面模式図で、樹脂２３は光電変換素子１１に
対応してモザイク状に形成される。
その後、感光性樹脂２３は、樹脂の軟化温度以
上で、且つ、第１の感光性樹脂２２を熱処理した
温度より低い条件で熱処理を行い、樹脂２３の熱
流動によりレンズ形状を形成する。第７図は樹脂
２３の熱処理後の断面図である。
上で、且つ、第１の感光性樹脂２２を熱処理した
温度より低い条件で熱処理を行い、樹脂２３の熱
流動によりレンズ形状を形成する。第７図は樹脂
２３の熱処理後の断面図である。
入射光は樹脂２３の曲率半径、樹脂２２の厚さ
により遮光部１９、光電変換素子の垂直分離部１
８に照射した光も光電変換素子１１の中に完全に
集光することができる。
により遮光部１９、光電変換素子の垂直分離部１
８に照射した光も光電変換素子１１の中に完全に
集光することができる。
本発明はインターライン転送CCD撮像装置だ
けでなくMOS型撮像装置など、あらゆる固体撮
像装置に応用できる。また光ダイオード、太陽電
池等の電極部分に照射した光を光電変換部に集光
させることに応用できる。
けでなくMOS型撮像装置など、あらゆる固体撮
像装置に応用できる。また光ダイオード、太陽電
池等の電極部分に照射した光を光電変換部に集光
させることに応用できる。
第１図は本発明の実施例を説明するためインタ
ーライン転送方式CCD撮像装置の平面模式図、
第２図は第１図の部分拡大図、第３図は第２図に
示す−線上の断面図、第４図〜第７図は、本
発明の撮像装置を形成するための主要工程におけ
る断面図を示している。 １０は基板半導体、１１は光電変換素子、１２
は信号読み出し領域、１６，１７は転送電極、１
９は遮光層、２２は第１の感光性樹脂層、２３は
第２の感光性樹脂層を示す。
ーライン転送方式CCD撮像装置の平面模式図、
第２図は第１図の部分拡大図、第３図は第２図に
示す−線上の断面図、第４図〜第７図は、本
発明の撮像装置を形成するための主要工程におけ
る断面図を示している。 １０は基板半導体、１１は光電変換素子、１２
は信号読み出し領域、１６，１７は転送電極、１
９は遮光層、２２は第１の感光性樹脂層、２３は
第２の感光性樹脂層を示す。
Claims (1)
- １ 同一半導体基板上に光電変換素子群がモザイ
ク状に配列され、隣接する前記光電変換素子間に
設けられ信号電荷を読み出す遮光された信号読み
出し群からなる固体撮像装置の製造において、前
記固体撮像装置を形成した後固体撮像装置の主面
に第１の感光性樹脂を塗布する工程と、第１の感
光性樹脂の光重合作用により光電変換素子及び信
号読み出し群を含む光電変換領域以外の第１の感
光性樹脂を除去する工程と、前記第１の感光性樹
脂を軟化温度以上で熱処理する工程と、前記第１
の感光性樹脂上に第２の感光性樹脂を塗布する工
程と、第２の感光性樹脂の光重合作用により前記
光電変換素子群に対応するように第２の感光性樹
脂を残す工程と前記残された第２の感光性樹脂
を、第２の感光性樹脂の軟化温度以上で且つ、前
記第１の感光性樹脂の熱処理温度以下の熱処理に
より第２の感光性樹脂を流動させる工程からなる
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58147534A JPS6038989A (ja) | 1983-08-12 | 1983-08-12 | 固体撮像装置の製造方法 |
| US06/564,403 US4667092A (en) | 1982-12-28 | 1983-12-22 | Solid-state image device with resin lens and resin contact layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58147534A JPS6038989A (ja) | 1983-08-12 | 1983-08-12 | 固体撮像装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6038989A JPS6038989A (ja) | 1985-02-28 |
| JPH0455028B2 true JPH0455028B2 (ja) | 1992-09-02 |
Family
ID=15432482
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58147534A Granted JPS6038989A (ja) | 1982-12-28 | 1983-08-12 | 固体撮像装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6038989A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7380684B2 (en) | 1999-12-08 | 2008-06-03 | Metal Container Corporation | Can lid closure |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6060756A (ja) * | 1983-09-14 | 1985-04-08 | Hitachi Ltd | マイクロレンズ付固体撮像素子の製造方法 |
| JPH0624232B2 (ja) * | 1987-03-19 | 1994-03-30 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置の製造方法 |
| JP2826317B2 (ja) * | 1988-03-31 | 1998-11-18 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| JP2622185B2 (ja) * | 1990-06-28 | 1997-06-18 | シャープ株式会社 | カラー液晶表示装置 |
| JPH0485960A (ja) * | 1990-07-30 | 1992-03-18 | Toshiba Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| JPH0521769A (ja) * | 1991-07-15 | 1993-01-29 | Sharp Corp | 固体撮像素子 |
| GB9301405D0 (en) * | 1993-01-25 | 1993-03-17 | Philips Electronics Uk Ltd | An image sensor |
| KR101114608B1 (ko) | 2006-04-03 | 2012-03-05 | 도판 인사츠 가부시키가이샤 | 컬러 촬상 소자 및 컬러 촬상 소자 제조 방법 |
| US20110123929A1 (en) | 2007-01-23 | 2011-05-26 | Fujifilm Corporation | Oxime compound, photosensitive composition, color filter, production method for the color filter, and liquid crystal display element |
| CN101679394B (zh) | 2007-05-11 | 2013-10-16 | 巴斯夫欧洲公司 | 肟酯光引发剂 |
| CN102702073B (zh) | 2007-05-11 | 2015-06-10 | 巴斯夫欧洲公司 | 肟酯光引发剂 |
| WO2012045736A1 (en) | 2010-10-05 | 2012-04-12 | Basf Se | Oxime ester derivatives of benzocarbazole compounds and their use as photoinitiators in photopolymerizable compositions |
| US9051397B2 (en) | 2010-10-05 | 2015-06-09 | Basf Se | Oxime ester |
| US9365515B2 (en) | 2011-12-07 | 2016-06-14 | Basf Se | Oxime ester photoinitiators |
| KR101968462B1 (ko) | 2012-05-09 | 2019-04-11 | 바스프 에스이 | 옥심 에스테르 광개시제 |
| JP6469669B2 (ja) | 2013-07-08 | 2019-02-13 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ | オキシムエステル光開始剤 |
| JP6530410B2 (ja) | 2013-09-10 | 2019-06-12 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ | オキシムエステル光開始剤 |
| US20220121113A1 (en) | 2019-01-23 | 2022-04-21 | Basf Se | Oxime ester photoinitiators having a special aroyl chromophore |
| EP4114825B1 (en) | 2020-03-04 | 2024-11-20 | Basf Se | Oxime ester photoinitiators |
| WO2026057274A1 (en) | 2024-09-13 | 2026-03-19 | Basf Se | Oxime ester photoinitiators |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6059752B2 (ja) * | 1976-12-15 | 1985-12-26 | 松下電器産業株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| JPS55124366A (en) * | 1979-03-19 | 1980-09-25 | Fuji Photo Film Co Ltd | Pickup device |
| JPS55132077A (en) * | 1979-03-31 | 1980-10-14 | Dainippon Printing Co Ltd | Manufacture of color solid image pickup element plate |
| JPS5610982A (en) * | 1979-07-05 | 1981-02-03 | Sony Corp | Color image pickup element |
| JPS6057711B2 (ja) * | 1980-07-15 | 1985-12-16 | 三洋電機株式会社 | 固体撮像装置 |
-
1983
- 1983-08-12 JP JP58147534A patent/JPS6038989A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7380684B2 (en) | 1999-12-08 | 2008-06-03 | Metal Container Corporation | Can lid closure |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6038989A (ja) | 1985-02-28 |
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