JPH0455330B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0455330B2 JPH0455330B2 JP58219397A JP21939783A JPH0455330B2 JP H0455330 B2 JPH0455330 B2 JP H0455330B2 JP 58219397 A JP58219397 A JP 58219397A JP 21939783 A JP21939783 A JP 21939783A JP H0455330 B2 JPH0455330 B2 JP H0455330B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- electrodeposition
- semiconductor
- electrode
- power feeding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は半導体電着装置に係り、特にガラス
パツシベーシヨン半導体素子の製造に用いられる
電着装置の改良に関する。
パツシベーシヨン半導体素子の製造に用いられる
電着装置の改良に関する。
半導体素子の耐圧を向上させるために接合部に
ガラスパツシベーシヨンを施す技術がある。これ
は第１図に示すように、導電型が相互に異なる領
域が形成された半導体基板１の１方の主面（上主
面）に接合をこえる溝２を穿設し、第２図に示す
ように溝内にガラス粉３を電着させたのち、加熱
してガラス粉を溶融しガラス層（図示省略）のパ
ツシベーシヨンを達成するものである。上記電着
に用いる装置は第３図に示すように、容器４にガ
ラス粉を懸濁させた電着液５を容れ、この中にク
リツプ６で固定した半導体基板１，１と、これら
に対面して設けられた電着用電極体７とを浸漬
し、電源部８により半導体基板と電極体とに所定
の時間、電圧を印加して電着を施すようになつて
いる。
ガラスパツシベーシヨンを施す技術がある。これ
は第１図に示すように、導電型が相互に異なる領
域が形成された半導体基板１の１方の主面（上主
面）に接合をこえる溝２を穿設し、第２図に示す
ように溝内にガラス粉３を電着させたのち、加熱
してガラス粉を溶融しガラス層（図示省略）のパ
ツシベーシヨンを達成するものである。上記電着
に用いる装置は第３図に示すように、容器４にガ
ラス粉を懸濁させた電着液５を容れ、この中にク
リツプ６で固定した半導体基板１，１と、これら
に対面して設けられた電着用電極体７とを浸漬
し、電源部８により半導体基板と電極体とに所定
の時間、電圧を印加して電着を施すようになつて
いる。
叙上の従来の技術には次にあげる問題点があ
る。
る。
(a) 上記クリツプによる半導体基板の保持が半導
体基板の周辺の一部でなされるので、保持が不
安定であるとともに、導電性にするための電極
を予め形成する必要があつた。このため、接触
が不安定で変化するので電着ガラス量がばらつ
きという問題があつた。
体基板の周辺の一部でなされるので、保持が不
安定であるとともに、導電性にするための電極
を予め形成する必要があつた。このため、接触
が不安定で変化するので電着ガラス量がばらつ
きという問題があつた。
(b) 次に電着は液を静止状態にして施すので、時
間の経過に伴いガラス電着量が重力方向にばら
つき、少ない半導体素子は耐圧劣化となり、過
大なれば後の写真蝕刻工程で切れ不良やマスク
欠陥の原因になつていた。
間の経過に伴いガラス電着量が重力方向にばら
つき、少ない半導体素子は耐圧劣化となり、過
大なれば後の写真蝕刻工程で切れ不良やマスク
欠陥の原因になつていた。
(c) さらに、叙上の電着液の状態に基づき電着液
は調製後短時間内に作業を完了する必要があ
り、作業性に問題があつた。
は調製後短時間内に作業を完了する必要があ
り、作業性に問題があつた。
上記に鑑みて改良された通電支持治具に第４図
と第５図によつて示されるものである。これは電
気絶縁板９に半導体基板１をその周辺部の３点で
支持するものである。すなわち、電気絶縁板に半
導体基板７をその周辺部を等間隔に支持する支持
部材１０ａ，１０a′，１０ｂが設けられている。
上記支持部材１０ａ，１０a′は側方からみてＬ字
型に電気絶縁板から突出しており、支持部材１０
ｂはスプリング１０ｃの押圧力によつて半導体基
板を電気絶縁板に押圧支持する。
と第５図によつて示されるものである。これは電
気絶縁板９に半導体基板１をその周辺部の３点で
支持するものである。すなわち、電気絶縁板に半
導体基板７をその周辺部を等間隔に支持する支持
部材１０ａ，１０a′，１０ｂが設けられている。
上記支持部材１０ａ，１０a′は側方からみてＬ字
型に電気絶縁板から突出しており、支持部材１０
ｂはスプリング１０ｃの押圧力によつて半導体基
板を電気絶縁板に押圧支持する。
また、第６図ないし第８図によつて示される支
持治具は例えばゴムのように柔軟材で形成された
支持体１１がカツプ部１１ａとその開端から拡が
つて突出した薄肉のつば部１１ｂからなり、カツ
プ部にはこれを同軸に弾力をもつて突出する電極
部材１２とこれに通電するための配線１２ａおよ
びカツプ部にこの軸心に垂直に取着された支持管
１３がある。この支持管は減圧源に接続され、つ
ば部に半導体基板をあて形成された密閉空間を減
圧にして吸引保持するようになつている。前記つ
ば部は柔軟で薄いため半導体基板主面の周辺によ
く密接して密閉するが、減圧で吸引すると後退し
半導体基板が電極部材１２に圧接する。
持治具は例えばゴムのように柔軟材で形成された
支持体１１がカツプ部１１ａとその開端から拡が
つて突出した薄肉のつば部１１ｂからなり、カツ
プ部にはこれを同軸に弾力をもつて突出する電極
部材１２とこれに通電するための配線１２ａおよ
びカツプ部にこの軸心に垂直に取着された支持管
１３がある。この支持管は減圧源に接続され、つ
ば部に半導体基板をあて形成された密閉空間を減
圧にして吸引保持するようになつている。前記つ
ば部は柔軟で薄いため半導体基板主面の周辺によ
く密接して密閉するが、減圧で吸引すると後退し
半導体基板が電極部材１２に圧接する。
上記支持治具によれば、クリツプによる支持の
不安定に基づく問題点(a)は解決されるが、減圧吸
引により半導体基板が割れるという重大な問題点
がある。しかも、この傾向は最近半導体基板が大
径化しつつあるため重大な問題になつている。
不安定に基づく問題点(a)は解決されるが、減圧吸
引により半導体基板が割れるという重大な問題点
がある。しかも、この傾向は最近半導体基板が大
径化しつつあるため重大な問題になつている。
この発明は上記従来の問題点に鑑み半導体素子
に対するパツシベーシヨンのための電着装置を改
良する。
に対するパツシベーシヨンのための電着装置を改
良する。
本発明に係る半導体電着装置は、ガラス粉の懸
濁液中に給電電極を接触させた半導体基板を通電
支持治具に支持させて浸漬し電着を施す半導体電
着装置において、前記給電電極端面がこれに支持
される半導体基板に対しその一主面の周辺部を除
く全領域に接触する給電電極平面部と、前記給電
電極平面部の中央部および周辺部に連接して設け
られた減圧導路と、前記給電電極の平面部周辺に
おいて半導体基板の前記周辺部に接して気密空間
を形成するスカート部とを備えた通電支持治具を
特徴とする半導体電着装置であり、また、前記通
電支持治具、および、懸濁液を攪拌するための攪
拌子と、その駆動源からなる攪拌装置を備えたこ
とを特徴とする半導体電着装置である。
濁液中に給電電極を接触させた半導体基板を通電
支持治具に支持させて浸漬し電着を施す半導体電
着装置において、前記給電電極端面がこれに支持
される半導体基板に対しその一主面の周辺部を除
く全領域に接触する給電電極平面部と、前記給電
電極平面部の中央部および周辺部に連接して設け
られた減圧導路と、前記給電電極の平面部周辺に
おいて半導体基板の前記周辺部に接して気密空間
を形成するスカート部とを備えた通電支持治具を
特徴とする半導体電着装置であり、また、前記通
電支持治具、および、懸濁液を攪拌するための攪
拌子と、その駆動源からなる攪拌装置を備えたこ
とを特徴とする半導体電着装置である。
次にこの発明を１実施例につき図面を参照して
詳細に説明する。なお、１実施例の説明において
従来と変わらない部分について図面に同じ番号を
付して示し説明を省略する。
詳細に説明する。なお、１実施例の説明において
従来と変わらない部分について図面に同じ番号を
付して示し説明を省略する。
まず、第９図に示す装置は第１図の発明にかか
り、半導体基板の通電支持治具２１の装置内にお
ける装着状態を示し、その細部を第１０図と第１
１図に示す。各図において、２１は金属で形成さ
れた電極体でその本体２１ａは電着電源から給電
されて一端に密接される半導体基板に電着を施
す。すなわち、その一端面２１ｂは半導体基板よ
りもやや小型の円形でその周縁にシリコンゴムの
ような柔軟材で末広がりに拡張したスカート部２
１ｆを備え、半導体基板主面の周辺部に接して電
極体の端面２１ｂと気密空間を形成するようにな
つている。また、この電極体の本体２１ａには減
圧導路２１ｃが貫設されており、その端末は端面
の中央部の開孔２１ｄと、端面の周辺部の開孔２
１ｅになり、前記気密空間を減圧にし、半導体基
板を保持する。
り、半導体基板の通電支持治具２１の装置内にお
ける装着状態を示し、その細部を第１０図と第１
１図に示す。各図において、２１は金属で形成さ
れた電極体でその本体２１ａは電着電源から給電
されて一端に密接される半導体基板に電着を施
す。すなわち、その一端面２１ｂは半導体基板よ
りもやや小型の円形でその周縁にシリコンゴムの
ような柔軟材で末広がりに拡張したスカート部２
１ｆを備え、半導体基板主面の周辺部に接して電
極体の端面２１ｂと気密空間を形成するようにな
つている。また、この電極体の本体２１ａには減
圧導路２１ｃが貫設されており、その端末は端面
の中央部の開孔２１ｄと、端面の周辺部の開孔２
１ｅになり、前記気密空間を減圧にし、半導体基
板を保持する。
なお、半導体基板主面の周縁のオリエンテーシ
ヨンフラツト部は上記スカート部の上にあるので
気密空間の形成に障害とならないで、減圧によつ
て半導体基板は電極体の端面に密着し保持される
ことになる。また、電極体が電着液に接触する部
分には電気絶縁膜２１ｇが予め被覆される。
ヨンフラツト部は上記スカート部の上にあるので
気密空間の形成に障害とならないで、減圧によつ
て半導体基板は電極体の端面に密着し保持される
ことになる。また、電極体が電着液に接触する部
分には電気絶縁膜２１ｇが予め被覆される。
次にこの発明の第２は第１２図に示されるよう
に、電着液容器４の底面にガイド２３によつて囲
まれて攪拌子２２ａが設けられ、これらの上面は
攪拌子の上面が最も低くなるような凹面に形成さ
れている。また、攪拌子２２ａは容器の底面をこ
れと液密に貫通する駆動軸２２ｂによつて攪拌駆
動源２２ｃに接続し、攪拌装置２２を形成してい
る。
に、電着液容器４の底面にガイド２３によつて囲
まれて攪拌子２２ａが設けられ、これらの上面は
攪拌子の上面が最も低くなるような凹面に形成さ
れている。また、攪拌子２２ａは容器の底面をこ
れと液密に貫通する駆動軸２２ｂによつて攪拌駆
動源２２ｃに接続し、攪拌装置２２を形成してい
る。
上記攪拌装置は少くとも１回の電着操作毎に駆
動させて沈積し、あるいは沈降中のガラス粉を起
こして液の濃度と不均一化を復旧させる。
動させて沈積し、あるいは沈降中のガラス粉を起
こして液の濃度と不均一化を復旧させる。
この発明によれば、新規な電極体の構造により
半導体基板、特に大径のものに対しても破損する
ことなく強固に保持できるという顕著な利点があ
る。また、半導体基板におけるパツシベーシヨン
を施す主面と反対側の主面に接触電極を設けてガ
ラス電着を施しても該電極はガラス粉が附着しな
いので、何回も操作を施すことができる。
半導体基板、特に大径のものに対しても破損する
ことなく強固に保持できるという顕著な利点があ
る。また、半導体基板におけるパツシベーシヨン
を施す主面と反対側の主面に接触電極を設けてガ
ラス電着を施しても該電極はガラス粉が附着しな
いので、何回も操作を施すことができる。
次に、第２の発明によれば、ガラス液中のガラ
ス粒子が沈降して濃度が低減することにより電着
ガラス量が変動するのに対し、攪拌を施すことに
よつて復旧できるようになり、ガラス電着量の一
定化と作業性が顕著に向上する利点がある。
ス粒子が沈降して濃度が低減することにより電着
ガラス量が変動するのに対し、攪拌を施すことに
よつて復旧できるようになり、ガラス電着量の一
定化と作業性が顕著に向上する利点がある。
第１図および第２図は半導体素子の断面図、第
３図は従来の電着装置の断面図、第４図および第
５図は従来の一例の支持治具にかかり、第４図は
上面図、第５図は側面図、第６図ないし第８図は
従来の一例の支持治具にかかり、第６図は断面
図、第７図は上面図、第８図は使用状態を示す断
面図、第９図以降はこの発明の実施例にかかり、
第９図は第１の発明の１実施例の電着装置の断面
図、第１０図および第１１図は１実施例の支持治
具を示し第１０図は上面図、第１１図は断面図、
第１２図は第２の発明の１実施例の支持治具の断
面図である。 ５……ガラス電着液、２１……支持治具、２１
ａ……電極体の本体、２１ｂ……電極体の端面、
２１ｃ……電極体の減圧導路、２１ｄ，２１ｅ…
…減圧導路の開孔、２１ｆ……支持治具のスカー
ト部、２２……攪拌装置、２２ａ……攪拌装置の
攪拌子、２２ｃ……攪拌駆動源。
３図は従来の電着装置の断面図、第４図および第
５図は従来の一例の支持治具にかかり、第４図は
上面図、第５図は側面図、第６図ないし第８図は
従来の一例の支持治具にかかり、第６図は断面
図、第７図は上面図、第８図は使用状態を示す断
面図、第９図以降はこの発明の実施例にかかり、
第９図は第１の発明の１実施例の電着装置の断面
図、第１０図および第１１図は１実施例の支持治
具を示し第１０図は上面図、第１１図は断面図、
第１２図は第２の発明の１実施例の支持治具の断
面図である。 ５……ガラス電着液、２１……支持治具、２１
ａ……電極体の本体、２１ｂ……電極体の端面、
２１ｃ……電極体の減圧導路、２１ｄ，２１ｅ…
…減圧導路の開孔、２１ｆ……支持治具のスカー
ト部、２２……攪拌装置、２２ａ……攪拌装置の
攪拌子、２２ｃ……攪拌駆動源。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ガラス粉の懸濁液中に給電電極を接触させた
半導体基板を通電支持治具に支持させて漬浸し電
着を施す半導体電着装置において、前記給電電極
端面がこれに支持される半導体基板に対しその一
主面の周辺部を除く全領域に接触する給電電極平
面部と、前記給電電極平面部の中央部および周辺
部に連接して設けられた減圧導路と、前記給電電
極の平面部周辺において半導体基板の前記周辺部
に接して気密空間を形成するスカート部とを備え
た通電支持治具を特徴とする半導体電着装置。 ２ ガラス粉の懸濁液中に給電電極を接触させた
半導体基板を通電支持治具に支持させて漬浸し電
着を施す半導体電着装置において、前記給電電極
端面がこれに支持される半導体基板に対しその一
主面の周辺部を除く全領域に接触する給電電極平
面部と、前記給電電極平面部の中央部および周辺
部に連接して設けられた減圧導路と、前記給電電
極の平面部周辺において半導体基板の前記周辺部
に接して気密空間を形成するスカート部とを備え
た通電支持治具、および、懸濁液を攪拌するため
の攪拌子と、その駆動源からなる攪拌装置を備え
たことを特徴とする半導体電着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58219397A JPS60113436A (ja) | 1983-11-24 | 1983-11-24 | 半導体電着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58219397A JPS60113436A (ja) | 1983-11-24 | 1983-11-24 | 半導体電着装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60113436A JPS60113436A (ja) | 1985-06-19 |
| JPH0455330B2 true JPH0455330B2 (ja) | 1992-09-03 |
Family
ID=16734770
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58219397A Granted JPS60113436A (ja) | 1983-11-24 | 1983-11-24 | 半導体電着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60113436A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5580325A (en) * | 1978-12-13 | 1980-06-17 | Toshiba Corp | Apparatus for manufacturing semiconductor element |
-
1983
- 1983-11-24 JP JP58219397A patent/JPS60113436A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60113436A (ja) | 1985-06-19 |
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