JPH0456260A - 半動体装置用リードフレーム - Google Patents
半動体装置用リードフレームInfo
- Publication number
- JPH0456260A JPH0456260A JP2167200A JP16720090A JPH0456260A JP H0456260 A JPH0456260 A JP H0456260A JP 2167200 A JP2167200 A JP 2167200A JP 16720090 A JP16720090 A JP 16720090A JP H0456260 A JPH0456260 A JP H0456260A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor chip
- die pad
- lead frame
- semiconductor device
- groove
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/013—Manufacture or treatment of die-attach connectors
- H10W72/01308—Manufacture or treatment of die-attach connectors using permanent auxiliary members, e.g. using alignment marks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
- H10W72/07141—Means for applying energy, e.g. ovens or lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/931—Shapes of bond pads
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体装置用リードフレームに関し、特にグイ
パッド面の半導体チップより外側もしくは吊りリードに
溝を設け、グイボンド時の接着剤またはＡｕ−５ｉ溶融
層の流出を防止し、半導体チップ側面の付着を抑えるも
のである。
パッド面の半導体チップより外側もしくは吊りリードに
溝を設け、グイボンド時の接着剤またはＡｕ−５ｉ溶融
層の流出を防止し、半導体チップ側面の付着を抑えるも
のである。
従来の技術
近年、半導体素子の微細化および大集積化が進み、チッ
プサイズもパッケージの限界まで大きく配置されている
。
プサイズもパッケージの限界まで大きく配置されている
。
以下に従来のグイボンド済みのリードフレームおよび代
表的なグイボンド方法について第３図（ａ）、 （ｂｌ
を参照して説明する。
表的なグイボンド方法について第３図（ａ）、 （ｂｌ
を参照して説明する。
第３図（ａ）において周辺部にリードフレーム１が設け
られ、その中央部には半導体チップを搭載するダイパッ
ド２が、このダイパッドから側方に延びる吊りリード３
を介してリードフレームの外枠に固定接続され、また、
半導体チップと金属の細線で接続されるインナーリード
４がある。次にグイボンド方法として、第３図（ｂｌに
示すように半導体チップ５を搭載するダイパッド２の上
に、接着剤６が塗布され、角錐コレット７により真空８
で吸着された半導体チップ５は、ダイパッド２および接
着剤６の上で荷重およびスクラブ動作を加えてグイボン
ドされる。しかし、接着剤を使用しなくて、加熱による
加重、またはスクラブ動作を加え、グイボンドする方法
もある。
られ、その中央部には半導体チップを搭載するダイパッ
ド２が、このダイパッドから側方に延びる吊りリード３
を介してリードフレームの外枠に固定接続され、また、
半導体チップと金属の細線で接続されるインナーリード
４がある。次にグイボンド方法として、第３図（ｂｌに
示すように半導体チップ５を搭載するダイパッド２の上
に、接着剤６が塗布され、角錐コレット７により真空８
で吸着された半導体チップ５は、ダイパッド２および接
着剤６の上で荷重およびスクラブ動作を加えてグイボン
ドされる。しかし、接着剤を使用しなくて、加熱による
加重、またはスクラブ動作を加え、グイボンドする方法
もある。
発明が解決しようとする課題
しかし、上記従来の構成では角錐コレット７により真空
８で吸着された半導体チップ５を接着剤６が塗布された
ダイパッド２に、荷重またはスクラブ動作を加えた場合
、接着剤６の量、角錐コレット７への荷重、またはスク
ラブ回数など、様様な条件によって接着剤６がグイパッ
ド２から流出し、インナーリード４へ接触したり、角錐
コレット７の先端に付着し半導体チップ表面へも付着す
る場合がある。
８で吸着された半導体チップ５を接着剤６が塗布された
ダイパッド２に、荷重またはスクラブ動作を加えた場合
、接着剤６の量、角錐コレット７への荷重、またはスク
ラブ回数など、様様な条件によって接着剤６がグイパッ
ド２から流出し、インナーリード４へ接触したり、角錐
コレット７の先端に付着し半導体チップ表面へも付着す
る場合がある。
第４図は、グイボードとして角錐コレット７により真空
８で吸着された半導体チップ５を接着剤６が塗布された
グイパッド２に、荷重およびスクラブ動作を加えた時、
接着剤６がインナーリードードに接触および、半導体チ
ップ５側面に付着した様子を示す。また、矢印Ａは角錐
コレット７の動きの様子を示す。
８で吸着された半導体チップ５を接着剤６が塗布された
グイパッド２に、荷重およびスクラブ動作を加えた時、
接着剤６がインナーリードードに接触および、半導体チ
ップ５側面に付着した様子を示す。また、矢印Ａは角錐
コレット７の動きの様子を示す。
このようにして、接着剤６がインナーリード４に接触し
た場合特性不良となり、また、半導体チップ５表面に付
着した場合、アルミニウム腐食など、信頼性に悪影響を
およぼす。また、微細化および大集積化により半導体チ
ップとダイパッドの大きさが同等であったり、ダイパッ
ドとインナーリードまでの距離が狭くなるにつれて、よ
り一層大きな問題となってきた。
た場合特性不良となり、また、半導体チップ５表面に付
着した場合、アルミニウム腐食など、信頼性に悪影響を
およぼす。また、微細化および大集積化により半導体チ
ップとダイパッドの大きさが同等であったり、ダイパッ
ドとインナーリードまでの距離が狭くなるにつれて、よ
り一層大きな問題となってきた。
本発明は上記従来の問題を解決するもので、ダイパッド
は半導体チップより外側もしくは吊りリードに溝を設け
て、グイボンド時の接着剤またはＡｕ−５ｉ溶融層をダ
イパッドより外への流出を防止し、およびチップ側面の
付着を抑えることのできる、信頼性の高い半導体装置用
リードフレームを提供することを目的とするものである
。
は半導体チップより外側もしくは吊りリードに溝を設け
て、グイボンド時の接着剤またはＡｕ−５ｉ溶融層をダ
イパッドより外への流出を防止し、およびチップ側面の
付着を抑えることのできる、信頼性の高い半導体装置用
リードフレームを提供することを目的とするものである
。
課題を解決するための手段
上記課題を解決するために、本発明の半導体装置用リー
ドフレームは、半導体チップを搭載するダイパッドの半
導体チップより外側または、吊りリードに溝を設けたも
のである。
ドフレームは、半導体チップを搭載するダイパッドの半
導体チップより外側または、吊りリードに溝を設けたも
のである。
作用
上記構成により、ダイパッドの半導体チップより外側、
または吊りリードに溝を設けているため、グイボンド時
に荷重、スクラブ動作を加えても接着剤またはＡｕ−５
ｉ溶融層がダイパッドより外に流出もしくは、チップ表
面への付着が生じることはない。したがって、半導体装
置の信頼性が向上するとともに、半導体チップとグイパ
ッドサイズが、同等寸法で設計することができ、またイ
ンナーリードもダイパッドに接近配置が可能となり、微
細化および大集積化に対応可能となる。
または吊りリードに溝を設けているため、グイボンド時
に荷重、スクラブ動作を加えても接着剤またはＡｕ−５
ｉ溶融層がダイパッドより外に流出もしくは、チップ表
面への付着が生じることはない。したがって、半導体装
置の信頼性が向上するとともに、半導体チップとグイパ
ッドサイズが、同等寸法で設計することができ、またイ
ンナーリードもダイパッドに接近配置が可能となり、微
細化および大集積化に対応可能となる。
実施例
以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。第１図（ａ）および（ｂｌは、本発明の一実
施例における半導体装置用リードフレームの一部を示す
正面図およびＤ−Ｄ’断面図である。
説明する。第１図（ａ）および（ｂｌは、本発明の一実
施例における半導体装置用リードフレームの一部を示す
正面図およびＤ−Ｄ’断面図である。
周辺にリードフレーム１が設けられその中央に、半導体
チップを搭載するグイパッド２がありダイパッドは側方
に延びる吊りリード３を介してリードフレームの外枠に
固定接続されている。また半導体チップと外部端子を金
属の細線で接続するインナーリード４があり、そしてダ
イパッド９もしくは吊りリード３に接着剤の流出、半導
体チップ表面への付着を抑えるための溝９が設けられて
いる。なお、溝９はダイパッドおよび吊りリードのうち
、少なくとも一方を設けたもので、溝の寸法１位置、形
状はグイパッドサイズ、半導体チップ寸法、パッケージ
の大きさにより任意である。
チップを搭載するグイパッド２がありダイパッドは側方
に延びる吊りリード３を介してリードフレームの外枠に
固定接続されている。また半導体チップと外部端子を金
属の細線で接続するインナーリード４があり、そしてダ
イパッド９もしくは吊りリード３に接着剤の流出、半導
体チップ表面への付着を抑えるための溝９が設けられて
いる。なお、溝９はダイパッドおよび吊りリードのうち
、少なくとも一方を設けたもので、溝の寸法１位置、形
状はグイパッドサイズ、半導体チップ寸法、パッケージ
の大きさにより任意である。
本実施例のリードフレームによる作用について、以下に
説明する。
説明する。
第２図は接着剤または、Ａｕ−５ｉ溶融層の流出および
チップ表面の付着を抑えるための溝９を備えてグイボン
ドする際の角錐コレット７による半導体チップ５をスク
ラブ動作する様子を示した図である。ここで矢印Ａは角
錐コレット７の動きを示す。角錐コレット７で半導体チ
ップ５を荷重およびスクラブ動作すると、接着剤または
Ａｕ−８ｉ溶融層は溝９に入る。したがって、グイボン
ド時の過剰な接着剤、もしくはＡｕ−３ｉ溶融層はダイ
パッドの外へ流出することはない。また、チップ側面へ
の付着を抑えることもできる。このようにダイパッドの
外へ流出しないため、インナーリード４はグイパッド２
に接近配置することができる。
チップ表面の付着を抑えるための溝９を備えてグイボン
ドする際の角錐コレット７による半導体チップ５をスク
ラブ動作する様子を示した図である。ここで矢印Ａは角
錐コレット７の動きを示す。角錐コレット７で半導体チ
ップ５を荷重およびスクラブ動作すると、接着剤または
Ａｕ−８ｉ溶融層は溝９に入る。したがって、グイボン
ド時の過剰な接着剤、もしくはＡｕ−３ｉ溶融層はダイ
パッドの外へ流出することはない。また、チップ側面へ
の付着を抑えることもできる。このようにダイパッドの
外へ流出しないため、インナーリード４はグイパッド２
に接近配置することができる。
発明の効果
以上のように、本発明の半導体装置用リードフレームに
よれば、グイパッドは半導体チップより外側でもしくは
吊りリードに溝を設けることによって、グイボンドする
際に接着剤、もしくはＡｕ−８ｉ溶融層のグイパッドよ
り外へ流出を防ぎ、またチップ側面の付着を抑えること
ができ、半導体装置の信頼性を向上させることができる
とともに、微細化および大集積化に対応することができ
るものである。
よれば、グイパッドは半導体チップより外側でもしくは
吊りリードに溝を設けることによって、グイボンドする
際に接着剤、もしくはＡｕ−８ｉ溶融層のグイパッドよ
り外へ流出を防ぎ、またチップ側面の付着を抑えること
ができ、半導体装置の信頼性を向上させることができる
とともに、微細化および大集積化に対応することができ
るものである。
本発明の一実施例における半導体装置用リードフレーム
を示す正面図、およびその要部断面図、第２図は同半導
体装置用リードフレームの利用工程における要部断面図
、第３図は従来の半導体装置用リードフレームの正面図
、およびその利用工程における要部断面図、第４図は同
半導体装置用リードフレームのグイボンド状態を示す断
面図である。 １・・・・・・リードフレーム、２・・・・・・グイパ
ット、３・・・・・・吊りリード、４・・・・・・イン
ナーリード、５・・・粗生導体チップ、６・・・・・・
接着剤、７・・・・・・角錐コレット、８・・・・・・
真空、９・・・溝。
を示す正面図、およびその要部断面図、第２図は同半導
体装置用リードフレームの利用工程における要部断面図
、第３図は従来の半導体装置用リードフレームの正面図
、およびその利用工程における要部断面図、第４図は同
半導体装置用リードフレームのグイボンド状態を示す断
面図である。 １・・・・・・リードフレーム、２・・・・・・グイパ
ット、３・・・・・・吊りリード、４・・・・・・イン
ナーリード、５・・・粗生導体チップ、６・・・・・・
接着剤、７・・・・・・角錐コレット、８・・・・・・
真空、９・・・溝。
Claims (1)
- 半導体チップを搭載するダイパッドの前記半導体チッ
プより外側、もしくは吊りリードに溝を設けた半導体装
置用リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2167200A JPH0456260A (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | 半動体装置用リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2167200A JPH0456260A (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | 半動体装置用リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0456260A true JPH0456260A (ja) | 1992-02-24 |
Family
ID=15845283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2167200A Pending JPH0456260A (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | 半動体装置用リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0456260A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007012857A (ja) * | 2005-06-30 | 2007-01-18 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
| JP2013219194A (ja) * | 2012-04-09 | 2013-10-24 | Sansha Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2016105508A (ja) * | 2016-02-29 | 2016-06-09 | 株式会社三社電機製作所 | 半導体装置 |
-
1990
- 1990-06-25 JP JP2167200A patent/JPH0456260A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007012857A (ja) * | 2005-06-30 | 2007-01-18 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
| JP2013219194A (ja) * | 2012-04-09 | 2013-10-24 | Sansha Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2016105508A (ja) * | 2016-02-29 | 2016-06-09 | 株式会社三社電機製作所 | 半導体装置 |
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