JPH0456450B2 - - Google Patents
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- JPH0456450B2 JPH0456450B2 JP58226656A JP22665683A JPH0456450B2 JP H0456450 B2 JPH0456450 B2 JP H0456450B2 JP 58226656 A JP58226656 A JP 58226656A JP 22665683 A JP22665683 A JP 22665683A JP H0456450 B2 JPH0456450 B2 JP H0456450B2
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- mesh
- film
- conductive mesh
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/24—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using chemical vapour deposition [CVD]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
- H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
- H10P14/3404—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being Group IVA materials
- H10P14/3411—Silicon, silicon germanium or germanium
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、たとえば、多数のアモルフアス・シ
リコン感光体ドラムを連続的にかつ従来に比べて
ごく短時間に製造するための成膜方法に関する。
リコン感光体ドラムを連続的にかつ従来に比べて
ごく短時間に製造するための成膜方法に関する。
第１図に従来のアモルフアス・シリコン感光体
（以後ａ−Si感光体と記す。）ドラムの成膜装置の
一例を示す。この第１図に示す成膜装置を参照し
て、以下順を追つて従来のａ−Si感光体ドラムの
成膜方法を説明する。まず、図示しない拡散ポン
プ及び回転ポンプで反応容器１内を10-5Torr程
度の真空に引く。同時に加熱ヒーター２によつて
ドラム状基体３を150℃〜250℃に昇温する。次い
でバルブ４を開きSiを含むガスを反応容器１内に
導入すると同時に排気系を図示しない拡散ポン
プ、回転ポンプ系からメカニカルブースターポン
プ５、回転ポンプ５系に切りかえる。Siを含むガ
スはガス噴出管兼対向電極７よりドラム状基体３
に噴きつけられ、メカニカルブースターポンプ５
および回転ポンプ６を通り、図示しない燃焼塔及
びスクラバーを通過の後廃棄される。Siを含むガ
スは、図示しないマスフローコントローラを通し
て一定流量で反応容器１内に導入される様になつ
ている。なお、図中９Ａは回転基台、９Ｂは９Ａ
と一体のギヤ、９Ｃはギヤ９Ｂと噛合するととも
にモータ９Ｄによつて駆動される駆動ギヤ、９Ｅ
は排気管、９Ｆはフイルタである。
（以後ａ−Si感光体と記す。）ドラムの成膜装置の
一例を示す。この第１図に示す成膜装置を参照し
て、以下順を追つて従来のａ−Si感光体ドラムの
成膜方法を説明する。まず、図示しない拡散ポン
プ及び回転ポンプで反応容器１内を10-5Torr程
度の真空に引く。同時に加熱ヒーター２によつて
ドラム状基体３を150℃〜250℃に昇温する。次い
でバルブ４を開きSiを含むガスを反応容器１内に
導入すると同時に排気系を図示しない拡散ポン
プ、回転ポンプ系からメカニカルブースターポン
プ５、回転ポンプ５系に切りかえる。Siを含むガ
スはガス噴出管兼対向電極７よりドラム状基体３
に噴きつけられ、メカニカルブースターポンプ５
および回転ポンプ６を通り、図示しない燃焼塔及
びスクラバーを通過の後廃棄される。Siを含むガ
スは、図示しないマスフローコントローラを通し
て一定流量で反応容器１内に導入される様になつ
ている。なお、図中９Ａは回転基台、９Ｂは９Ａ
と一体のギヤ、９Ｃはギヤ９Ｂと噛合するととも
にモータ９Ｄによつて駆動される駆動ギヤ、９Ｅ
は排気管、９Ｆはフイルタである。
そして、反応容器１内の圧力が、0.1〜1Torr
になる様に排気系の能力を調整した後、対向電極
７とドラム状基体３の間に直流又は交番の電力を
電源８により印加してSiを含むガスのプラズマ状
態を発生させてドラム状基体３の表面にａ−Si感
光体の成膜を開始する。ところがこの様な成膜方
法でａ−Si感光体の成膜を行なうとまず反応容器
１内を10-5Torrの真空に引き同時にドラム状基
体３を150℃〜250℃に昇温するために少なくとも
１時間の時間を要する。また、ａ−Si感光体は現
状では成膜速度が最大でも6μｍ／時間であるた
め感光体として必要な15μｍの膜厚を得るために
は2.5時間程度の成膜時間を必要とする。さらに
は成膜後、ａ−Si感光体ドラムを大気中に取り出
す時急激な温度変化をさけるためドラム状基体３
が150℃〜250℃から少なくとも100℃以下になる
まで徐冷するため約１〜２時間待機しなければな
らない。結果的には１本のａ−Si感光体を成膜す
るのに合計で約６時間も必要とし量産性に問題が
あつた。
になる様に排気系の能力を調整した後、対向電極
７とドラム状基体３の間に直流又は交番の電力を
電源８により印加してSiを含むガスのプラズマ状
態を発生させてドラム状基体３の表面にａ−Si感
光体の成膜を開始する。ところがこの様な成膜方
法でａ−Si感光体の成膜を行なうとまず反応容器
１内を10-5Torrの真空に引き同時にドラム状基
体３を150℃〜250℃に昇温するために少なくとも
１時間の時間を要する。また、ａ−Si感光体は現
状では成膜速度が最大でも6μｍ／時間であるた
め感光体として必要な15μｍの膜厚を得るために
は2.5時間程度の成膜時間を必要とする。さらに
は成膜後、ａ−Si感光体ドラムを大気中に取り出
す時急激な温度変化をさけるためドラム状基体３
が150℃〜250℃から少なくとも100℃以下になる
まで徐冷するため約１〜２時間待機しなければな
らない。結果的には１本のａ−Si感光体を成膜す
るのに合計で約６時間も必要とし量産性に問題が
あつた。
上記問題点を改良するために本発明者らは、す
でに第２図に示す様なａ−Si感光体ドラムの量産
に適した成膜方法を提案している。すなわち、反
応容器１０とゲートバルブ１１及び１２を介して
第１の真空控室１３及び第２の真空控室１４を設
ける。
でに第２図に示す様なａ−Si感光体ドラムの量産
に適した成膜方法を提案している。すなわち、反
応容器１０とゲートバルブ１１及び１２を介して
第１の真空控室１３及び第２の真空控室１４を設
ける。
まず、第１の真空控室１３、反応容器１０及び
第２の真空控室１４を回転ポンプ１５及びメカニ
カルブースターポンプ１６を用いて10-5Torrの
真空に引く。この時あらかじめ第１の真空控室１
３内に配列されていた複数本の導電性ドラム状基
体１７Ａ…をヒーター１８…で150℃〜250℃の間
の所定の温度に昇温しておく。次いでゲートバル
ブ１１を開にして複数本のドラム状基体１７Ａ…
及び回転基台２５Ａ…を図示しないレール上を第
１の真空控室１３から反応容器１０の中へ移動さ
せた後、ゲートバルブ１１を閉にする。次いでバ
ルブ２０を開にして、SiH4（シラン）、Si2H6（ジ
シラン）等のSiを含む原料ガス又は、必要に応じ
てSiを含むガスとO2、NH3、CH4等の不純物ガ
スとの混合ガスを反応容器１０内に導入する。こ
の時、反応容器１０内に導入されるガスは、図示
しないマスフローコントローラによつて所定の流
量に調整されている事は言うまでもない。
第２の真空控室１４を回転ポンプ１５及びメカニ
カルブースターポンプ１６を用いて10-5Torrの
真空に引く。この時あらかじめ第１の真空控室１
３内に配列されていた複数本の導電性ドラム状基
体１７Ａ…をヒーター１８…で150℃〜250℃の間
の所定の温度に昇温しておく。次いでゲートバル
ブ１１を開にして複数本のドラム状基体１７Ａ…
及び回転基台２５Ａ…を図示しないレール上を第
１の真空控室１３から反応容器１０の中へ移動さ
せた後、ゲートバルブ１１を閉にする。次いでバ
ルブ２０を開にして、SiH4（シラン）、Si2H6（ジ
シラン）等のSiを含む原料ガス又は、必要に応じ
てSiを含むガスとO2、NH3、CH4等の不純物ガ
スとの混合ガスを反応容器１０内に導入する。こ
の時、反応容器１０内に導入されるガスは、図示
しないマスフローコントローラによつて所定の流
量に調整されている事は言うまでもない。
反応容器１０内のガス圧力が0.01〜10Torr間
の所定の値になる様バルブ２１の開度を調整した
後、複数本のドラム状基体１７Ｂ…と対向した対
向電極２２に直流又は交番の電力を印加し、Siを
含むガス又はSiを含むガスと不純物ガスの混合ガ
ス等の原料ガスプラズマを生起し、ａ−Si感光体
の成膜を開始する。一方、第１の真空控室１３内
は、真空状態が解除され、オーリング２３の所で
分割されて、新たな複数本のドラム状基体１７Ａ
…がセツトされる。その後再度オーリング２３の
部分が合体し、図示しない排気系によつて、再度
10-5Torrの真空に引かれる。この時新たなドラ
ム状基体１７Ａ…が再度150℃〜250℃の間の所定
の温度に昇温される事は言うまでもない。約３時
間のａ−Si感光体の成膜後、反応容器１０ではま
ず対向電極２２への電力の印加を止め、次いでバ
ルブ２０を閉にしてSiを含むガス又はSiを含むガ
スと不純物ガスとの混合ガス等の原料ガス導入を
止め、バルブ２１を全開にして反応容器１０内を
再度10-5Torrの真空状態となるようにする。こ
の時、第１の真空控室１３反応容器１０、及び第
２の真空控室１４はすべて10-5Torrの真空とな
つている。ゲートバルブ１１及び１２を開き、反
応容器１０の中にあるａ−Si感光体ドラム１７Ｂ
…は、第２の真空控室１４中へ又は第１の真空控
室１３中のドラム状基体１７Ａ…は反応容器１０
中へそれぞれ図示しないレール上を移動する。
の所定の値になる様バルブ２１の開度を調整した
後、複数本のドラム状基体１７Ｂ…と対向した対
向電極２２に直流又は交番の電力を印加し、Siを
含むガス又はSiを含むガスと不純物ガスの混合ガ
ス等の原料ガスプラズマを生起し、ａ−Si感光体
の成膜を開始する。一方、第１の真空控室１３内
は、真空状態が解除され、オーリング２３の所で
分割されて、新たな複数本のドラム状基体１７Ａ
…がセツトされる。その後再度オーリング２３の
部分が合体し、図示しない排気系によつて、再度
10-5Torrの真空に引かれる。この時新たなドラ
ム状基体１７Ａ…が再度150℃〜250℃の間の所定
の温度に昇温される事は言うまでもない。約３時
間のａ−Si感光体の成膜後、反応容器１０ではま
ず対向電極２２への電力の印加を止め、次いでバ
ルブ２０を閉にしてSiを含むガス又はSiを含むガ
スと不純物ガスとの混合ガス等の原料ガス導入を
止め、バルブ２１を全開にして反応容器１０内を
再度10-5Torrの真空状態となるようにする。こ
の時、第１の真空控室１３反応容器１０、及び第
２の真空控室１４はすべて10-5Torrの真空とな
つている。ゲートバルブ１１及び１２を開き、反
応容器１０の中にあるａ−Si感光体ドラム１７Ｂ
…は、第２の真空控室１４中へ又は第１の真空控
室１３中のドラム状基体１７Ａ…は反応容器１０
中へそれぞれ図示しないレール上を移動する。
ゲートバルブ１１及び１２が閉になり、反応容
器１０内では２回目のａ−Si感光体の成膜行程が
始まり第１の反応容器１３内では、真空状態が解
除され、新たなドラム状基体がセツトされる。第
２の真空控室１４は、所定の時間ａ−Si感光体ド
ラムの徐冷を行つた後、真空状態が解除され、オ
ーリング２４の部分で分割され、ａ−Si感光体ド
ラムが大気中へ取り出される。この様に本発明者
らが以前に提案したａ−Si感光体の成膜方法では
複数本のドラム状基体を連続的にむだな時間を省
いて成膜する事が可能となつた。なお、第２図
中、２５Ａは回転基台２５Ａを回転自在に支える
ベアリング、２５Ｃは排気管、２５Ｄは基台、２
５Ｅは回転基台２５Ａを駆動するためのシヤフ
ト、２５Ｆはモータ２５Ｇの駆動力を上記シヤフ
ト２５Ｅに伝達する歯車機構、２５Ｈは排気管、
２５Ｉは排気管２５Ｈに設けられたバルブ、２５
Ｊは排気管、２５Ｋは排気管に設けられたバルブ
である。ところで反応容器１０内でのａ−Si感光
体の成膜時間自体は３時間と変つていないため、
例えば第１の真空控室１３内の昇温時間を1.5時
間、第２の真空控室１４内での徐冷時間を1.5時
間とすると、すべての行程を同時進行させると
1.5時間の時間のむだがあつた。
器１０内では２回目のａ−Si感光体の成膜行程が
始まり第１の反応容器１３内では、真空状態が解
除され、新たなドラム状基体がセツトされる。第
２の真空控室１４は、所定の時間ａ−Si感光体ド
ラムの徐冷を行つた後、真空状態が解除され、オ
ーリング２４の部分で分割され、ａ−Si感光体ド
ラムが大気中へ取り出される。この様に本発明者
らが以前に提案したａ−Si感光体の成膜方法では
複数本のドラム状基体を連続的にむだな時間を省
いて成膜する事が可能となつた。なお、第２図
中、２５Ａは回転基台２５Ａを回転自在に支える
ベアリング、２５Ｃは排気管、２５Ｄは基台、２
５Ｅは回転基台２５Ａを駆動するためのシヤフ
ト、２５Ｆはモータ２５Ｇの駆動力を上記シヤフ
ト２５Ｅに伝達する歯車機構、２５Ｈは排気管、
２５Ｉは排気管２５Ｈに設けられたバルブ、２５
Ｊは排気管、２５Ｋは排気管に設けられたバルブ
である。ところで反応容器１０内でのａ−Si感光
体の成膜時間自体は３時間と変つていないため、
例えば第１の真空控室１３内の昇温時間を1.5時
間、第２の真空控室１４内での徐冷時間を1.5時
間とすると、すべての行程を同時進行させると
1.5時間の時間のむだがあつた。
本発明は上記事情に基づきなされたもので、従
来の成膜方法と比べて成膜速度を大幅に上げるこ
とができ、しかも、不要な粉末状副生成物の発生
を防ぎ効率の高い成膜を安定して行うことができ
る成膜方法を提供することを目的とする。
来の成膜方法と比べて成膜速度を大幅に上げるこ
とができ、しかも、不要な粉末状副生成物の発生
を防ぎ効率の高い成膜を安定して行うことができ
る成膜方法を提供することを目的とする。
本発明は、電極と導電性基体を含む空間を、網
目を介して原料ガスの流通が可能でかつプラズマ
の障壁となり得る電気的に接地された筒状の導電
性メツシユで囲繞したものを含む減圧状態の反応
室内において、前記導電性メツシユ内の上記空間
領域及び上記導電性メツシユの周囲の領域とに原
料ガスを流通させることにより必要量の原料ガス
を前記網目を介して導電性メツシユの内側に導入
するガス導入工程と、このガス導入工程と共に、
前記電極と前記導電性基体との間の領域にプラズ
マを生起させ、前記導電性基体上に前記原料ガス
に含まれる原子を含む膜を成膜する成膜工程とを
有し、前記電極と前記導電性メツシユとの間の距
離が、成膜中のプラズマ中の電子の平均自由行程
よりも小さいことを特徴とするものである。
目を介して原料ガスの流通が可能でかつプラズマ
の障壁となり得る電気的に接地された筒状の導電
性メツシユで囲繞したものを含む減圧状態の反応
室内において、前記導電性メツシユ内の上記空間
領域及び上記導電性メツシユの周囲の領域とに原
料ガスを流通させることにより必要量の原料ガス
を前記網目を介して導電性メツシユの内側に導入
するガス導入工程と、このガス導入工程と共に、
前記電極と前記導電性基体との間の領域にプラズ
マを生起させ、前記導電性基体上に前記原料ガス
に含まれる原子を含む膜を成膜する成膜工程とを
有し、前記電極と前記導電性メツシユとの間の距
離が、成膜中のプラズマ中の電子の平均自由行程
よりも小さいことを特徴とするものである。
以下、本発明を図面を参照しながら説明する。
まず、第３図及び第４図を参照して本発明の原理
を説明する。これらの図に示す様な構造の平板基
板用のａ−Si成膜装置では成膜速度が、16μｍ／
時ときわめて速い事が判明している。すなわち、
平板基板３０をセツトするための基台３１及び基
板３０と対向した対向電極３２を導電性メツシユ
３４で囲み、基台３１と対向電極３２の間で発生
したSiを含むガスのプラズマをメツシユ３４の内
側にとじこめる事によつて対向電極側に片寄つて
いたプラズマ陽光柱３５が基板３０の側まで拡が
るため、ａ−Si膜の成膜速度が飛躍的に上がると
いう原理である。なお、図中３６Ａは高周波電
源、３６Ｂは反応容器、３６Ｃは排気管、３６Ｄ
は排気管３６Ｃに設けられたバルブ、３６Ｅはヒ
ータ、３６Ｆは原料ガス導入管、３６Ｇはガス導
入管３６Ｆに設けられたバルブ、d1はダークスペ
ースシールドのための距離である。
まず、第３図及び第４図を参照して本発明の原理
を説明する。これらの図に示す様な構造の平板基
板用のａ−Si成膜装置では成膜速度が、16μｍ／
時ときわめて速い事が判明している。すなわち、
平板基板３０をセツトするための基台３１及び基
板３０と対向した対向電極３２を導電性メツシユ
３４で囲み、基台３１と対向電極３２の間で発生
したSiを含むガスのプラズマをメツシユ３４の内
側にとじこめる事によつて対向電極側に片寄つて
いたプラズマ陽光柱３５が基板３０の側まで拡が
るため、ａ−Si膜の成膜速度が飛躍的に上がると
いう原理である。なお、図中３６Ａは高周波電
源、３６Ｂは反応容器、３６Ｃは排気管、３６Ｄ
は排気管３６Ｃに設けられたバルブ、３６Ｅはヒ
ータ、３６Ｆは原料ガス導入管、３６Ｇはガス導
入管３６Ｆに設けられたバルブ、d1はダークスペ
ースシールドのための距離である。
本発明は、この原理に従つたものであり、第５
図、第６図および第７図に本発明の成膜方法に適
したａ−Si感光体の量産装置を示す。第５図は本
発明のａ−Si感光体ドラムの量産装置の断面図で
ある。基本的な構成は、第２図に示した量産装置
と同じであるが、本発明の装置では反応容器４０
内に複数本の導電性ドラム状基体４１Ｂの上下に
導電性メツシユ４２及び４３を設けてある。第６
図は第５図のＡ−A′断面であり、第７図は第５
図のＢ−B′断面である。第６図からわかる様に
上側メツシユ４２は、ほぼ全面に設けてある。下
側メツシユ４３は複数本のドラム状基体４１Ｂが
真空控室４４から反応容器４０へ又は反応容器４
０から真空控室４５へ移動している時は、回転軸
４９の通り道４７のみがあけてある（第７図参
照）。そして、ドラム状基体４１Ｂ…が反応容器
４０内の定位置にある時は、第８図に示すごとく
下側メツシユのさらに下側に設けられた可動メツ
シユ４８が矢印の方向に移動して結果的に基体の
回転軸４９の所以外はすべてメツシユ４３及び４
８によつて囲まれる構造となつている。
図、第６図および第７図に本発明の成膜方法に適
したａ−Si感光体の量産装置を示す。第５図は本
発明のａ−Si感光体ドラムの量産装置の断面図で
ある。基本的な構成は、第２図に示した量産装置
と同じであるが、本発明の装置では反応容器４０
内に複数本の導電性ドラム状基体４１Ｂの上下に
導電性メツシユ４２及び４３を設けてある。第６
図は第５図のＡ−A′断面であり、第７図は第５
図のＢ−B′断面である。第６図からわかる様に
上側メツシユ４２は、ほぼ全面に設けてある。下
側メツシユ４３は複数本のドラム状基体４１Ｂが
真空控室４４から反応容器４０へ又は反応容器４
０から真空控室４５へ移動している時は、回転軸
４９の通り道４７のみがあけてある（第７図参
照）。そして、ドラム状基体４１Ｂ…が反応容器
４０内の定位置にある時は、第８図に示すごとく
下側メツシユのさらに下側に設けられた可動メツ
シユ４８が矢印の方向に移動して結果的に基体の
回転軸４９の所以外はすべてメツシユ４３及び４
８によつて囲まれる構造となつている。
本発明ではさらに注意深い配慮がなされてい
る。すなわち、導電性メツシユ５０と対向電極５
１の間の距離d1及び導電性メツシユ４３と対向電
極５１の間の距離d2は、ａ−Si感光体成膜時のプ
ラズマ中の電子の平均自由行程よりも小さくなつ
ている。通常、導電性メツシユ４２，４３は、反
応容器４０の内壁を通じて接地しているため、対
向電極５１とメツシユとの間に異常放電を生じ、
印加電力がその場所において消費されてしまう。
ところが本発明では、d1，d2がいわゆるダークス
ペースシールドとなつているため、この様な異常
放電を生ずる事もない。
る。すなわち、導電性メツシユ５０と対向電極５
１の間の距離d1及び導電性メツシユ４３と対向電
極５１の間の距離d2は、ａ−Si感光体成膜時のプ
ラズマ中の電子の平均自由行程よりも小さくなつ
ている。通常、導電性メツシユ４２，４３は、反
応容器４０の内壁を通じて接地しているため、対
向電極５１とメツシユとの間に異常放電を生じ、
印加電力がその場所において消費されてしまう。
ところが本発明では、d1，d2がいわゆるダークス
ペースシールドとなつているため、この様な異常
放電を生ずる事もない。
なお、図中４１Ａは導電性ドラム状基体、５０
Ａは回転基台、５０Ｂは回転基台５０Ａを回転自
在に支える。ベアリング、５０Ｃは排気管、５０
Ｄは基台、５０Ｅは回転基台５０Ａにモータ５０
Ｆの駆動力を伝達するシヤフト、５０Ｇは排気
管、５０Ｈは排気管５０Ｇに設けられたバルブ、
５０Ｉは排気管、５０Ｊは排気管５０Ｉに設けら
れたバルブ、５０Ｋは原料ガス導入管、５０Ｌは
原料ガス導入管５０Ｋに設けられたバルブであ
る。
Ａは回転基台、５０Ｂは回転基台５０Ａを回転自
在に支える。ベアリング、５０Ｃは排気管、５０
Ｄは基台、５０Ｅは回転基台５０Ａにモータ５０
Ｆの駆動力を伝達するシヤフト、５０Ｇは排気
管、５０Ｈは排気管５０Ｇに設けられたバルブ、
５０Ｉは排気管、５０Ｊは排気管５０Ｉに設けら
れたバルブ、５０Ｋは原料ガス導入管、５０Ｌは
原料ガス導入管５０Ｋに設けられたバルブであ
る。
また、５０Ｍ，５０Ｎはゲートバルブであり、
５０Ｐはメツシユ４８の回動支点であり、５０Ｑ
はヒータ、５０ＲはＯリング、５０Ｓは排気管５
０Ｃに設けられたバルブである。
５０Ｐはメツシユ４８の回動支点であり、５０Ｑ
はヒータ、５０ＲはＯリング、５０Ｓは排気管５
０Ｃに設けられたバルブである。
（実施例）
本発明のドラム状基体の上下にメツシユを設け
た反応容器２内において一度10-5Torrの真空に
引いた後、導電性ドラム状基体温度を250℃に設
定し原料ガスとしてSiH4を1000SCCMの流量で
反応圧力1.0Torrに設定された反応容器２内に導
入し、高周波電力を1KW印加した状態で、１時
間水素を含むａ−Si膜の成膜を行つたところ、５
本のドラムともほぼ18μｍの均一な膜厚のａ−Si
感光体が得られた。この５本のａ−Si感光体ドラ
ムに−6.0KVが印加されたコロナ放電器によるコ
ロナ帯電を行つたところ、−250Vの均一な表面電
位が得られ、2Luxのタングステン光による光照
射によつて0.6Lux・Secの高光感度を示し、従来
の遅い成膜速度で成膜したａ−Si感光体ドラムと
同等の特性を得た。
た反応容器２内において一度10-5Torrの真空に
引いた後、導電性ドラム状基体温度を250℃に設
定し原料ガスとしてSiH4を1000SCCMの流量で
反応圧力1.0Torrに設定された反応容器２内に導
入し、高周波電力を1KW印加した状態で、１時
間水素を含むａ−Si膜の成膜を行つたところ、５
本のドラムともほぼ18μｍの均一な膜厚のａ−Si
感光体が得られた。この５本のａ−Si感光体ドラ
ムに−6.0KVが印加されたコロナ放電器によるコ
ロナ帯電を行つたところ、−250Vの均一な表面電
位が得られ、2Luxのタングステン光による光照
射によつて0.6Lux・Secの高光感度を示し、従来
の遅い成膜速度で成膜したａ−Si感光体ドラムと
同等の特性を得た。
また、前述の本発明のａ−Si感光体ドラムの量
産装置を用いて５本単位で連続的に、ａ−Si感光
体ドラムの成膜を行つたところ８時間で30本のａ
−Si感光体ドラムの生産が出来た。
産装置を用いて５本単位で連続的に、ａ−Si感光
体ドラムの成膜を行つたところ８時間で30本のａ
−Si感光体ドラムの生産が出来た。
なお、上述の実施例では、感光体を成膜する方
法について説明したが、光センサー等の成膜に応
用することができるし、Si原子を含む膜の他、
Geを含む膜の成膜にも利用することができる。
法について説明したが、光センサー等の成膜に応
用することができるし、Si原子を含む膜の他、
Geを含む膜の成膜にも利用することができる。
以上説明したように、本発明によれば、反応室
内に配設された電極と導電性基体との間の空間周
囲を、筒状の導電性メツシユで囲繞して原料ガス
のプラズマを導電性メツシユ内に封じ込むように
したから、従来の成膜方法と比べて成膜速度を大
幅に上げることができる。
内に配設された電極と導電性基体との間の空間周
囲を、筒状の導電性メツシユで囲繞して原料ガス
のプラズマを導電性メツシユ内に封じ込むように
したから、従来の成膜方法と比べて成膜速度を大
幅に上げることができる。
また、反応室内に導入された原料ガスの内、必
要量の原料ガスだけを網目を介して導電性メツシ
ユの内側に導入し得るようにしたから、プラズマ
領域へのガスの適度な供給により、不要な粉末状
副生成物の発生を防ぎ効率の高い成膜を行うこと
ができる。
要量の原料ガスだけを網目を介して導電性メツシ
ユの内側に導入し得るようにしたから、プラズマ
領域へのガスの適度な供給により、不要な粉末状
副生成物の発生を防ぎ効率の高い成膜を行うこと
ができる。
また、電極と導電性メツシユとの間の距離が、
成膜中のプラズマ中の電子の平均自由行程よりも
小さいから、この部分がダークスペースシールド
となつて、異常放電が防止され、印加電力が消費
されてしまうようなことがなく、確実な成膜が行
えるといつた効果を奏する。
成膜中のプラズマ中の電子の平均自由行程よりも
小さいから、この部分がダークスペースシールド
となつて、異常放電が防止され、印加電力が消費
されてしまうようなことがなく、確実な成膜が行
えるといつた効果を奏する。
第１図は従来の成膜装置の概略的構成図、第２
図は量産型成膜装置の先行技術例を示す概略的構
成図、第３図ないし第８図は本発明を実施し得る
装置の構成を示すもので、第３図は原理を説明す
るための装置の基本構成を示す概略的正面図、第
４図は同じく概略的平面図、第５図は概略的構成
図、第６図は第５図Ａ−A′線に沿う断面図、第
７図は第５図Ｂ−B′線に沿う断面図、第８図ａ
は第５図Ｃ−C′線に沿う断面図、第８図ｂは第８
図ａのＡ部の拡大図である。 ４０……反応容器、４１Ｂ……導電性ドラム状
基体、４２，４３……導電性メツシユ、４９……
回転軸、５０Ｍ，５０Ｎ……ゲートバルブ、５１
……対向電極。
図は量産型成膜装置の先行技術例を示す概略的構
成図、第３図ないし第８図は本発明を実施し得る
装置の構成を示すもので、第３図は原理を説明す
るための装置の基本構成を示す概略的正面図、第
４図は同じく概略的平面図、第５図は概略的構成
図、第６図は第５図Ａ−A′線に沿う断面図、第
７図は第５図Ｂ−B′線に沿う断面図、第８図ａ
は第５図Ｃ−C′線に沿う断面図、第８図ｂは第８
図ａのＡ部の拡大図である。 ４０……反応容器、４１Ｂ……導電性ドラム状
基体、４２，４３……導電性メツシユ、４９……
回転軸、５０Ｍ，５０Ｎ……ゲートバルブ、５１
……対向電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 電極と導電性基体を含む空間を、網目を介し
て原料ガスの流通が可能でかつプラズマの障壁と
なり得る電気的に接地された筒状の導電性メツシ
ユで囲繞したものを含む減圧状態の反応室内にお
いて、前記導電性メツシユ内の上記空間領域及び
上記導電性メツシユの周囲の領域とに原料ガスを
流通させることにより必要量の原料ガスを前記網
目を介して導電性メツシユの内側に導入するガス
導入工程と、 このガス導入工程と共に、前記電極と前記導電
性基体との間の領域にプラズマを生起させ、前記
導電性基体上に前記原料ガスに含まれる原子を含
む膜を成膜する成膜工程と、 を有し、 前記電極と前記導電性メツシユとの間の距離
が、成膜中のプラズマ中の電子の平均自由行程よ
りも小さいことを特徴とする成膜方法。 ２ 導電性基体が、ドラム状に形成されているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の成膜
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58226656A JPS60117716A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | 成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58226656A JPS60117716A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | 成膜方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60117716A JPS60117716A (ja) | 1985-06-25 |
| JPH0456450B2 true JPH0456450B2 (ja) | 1992-09-08 |
Family
ID=16848595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58226656A Granted JPS60117716A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | 成膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60117716A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2524735Y2 (ja) * | 1991-04-05 | 1997-02-05 | 大和ハウス工業株式会社 | 鉄骨柱脚 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4033287A (en) * | 1976-01-22 | 1977-07-05 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Radial flow reactor including glow discharge limiting shield |
| JPS54134972A (en) * | 1978-04-12 | 1979-10-19 | Tokyo Denki Daigaku | Diode discharge tube having metal mesh anode |
| JPS5953211B2 (ja) * | 1982-05-27 | 1984-12-24 | 工業技術院長 | 薄膜シリコン生成装置 |
-
1983
- 1983-11-30 JP JP58226656A patent/JPS60117716A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60117716A (ja) | 1985-06-25 |
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