JPH0456972B2 - - Google Patents

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JPH0456972B2
JPH0456972B2 JP58191618A JP19161883A JPH0456972B2 JP H0456972 B2 JPH0456972 B2 JP H0456972B2 JP 58191618 A JP58191618 A JP 58191618A JP 19161883 A JP19161883 A JP 19161883A JP H0456972 B2 JPH0456972 B2 JP H0456972B2
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JP
Japan
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vernier
composite
vernier pattern
mask
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Kenichi Kobayashi
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Fujitsu Ltd
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    • G03F1/42—Alignment or registration features, e.g. alignment marks on the mask substrates
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    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
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    • H—ELECTRICITY
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    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (a) 発明の技術分野 本発明はフオトマスクの検査に係り、特にステ
ツプ・アンド・リピートカメラ（以下リピータと
略称する）に起因する送りピツチ誤差を、バーニ
アパターンを利用して検査するマスクの送りピツ
チ検査方法に関する。
(b) 技術の背景 半導体装置の主要部をなす半導体素子の製造に
おいて、ウエハープロセスに使用されるフオトマ
スクは必須のものであり、使用量の増大に伴いそ
の検査の簡便化が望まれている。
(c) 従来技術と問題点 第１図は原板の一例、第２図は第１図に示した
原版から同一フオトマスク上に焼きつけられたマ
スクパターンの一例、第３図はフオトマスク上の
バーニアパターン部拡大図を示す。
第１図において原版１のマスクパターン２は周
縁部にバーニアパターン３ａ，３ｂ，３ｃおよび
３ｄを有しており、これをリピータで焼付け第２
図に示したフオトマスク４を作製する。したがつ
てフオトマスク４にはリピータで繰り返し焼き付
けた数だけマスクパターン２が形成されている。
しかしフオトマスク４にマスクパターン２を繰
り返し焼き付けるために感光基材を載置したリピ
ータのステージをＸ方向・Ｙ方向に移動させる必
要があり、移動の際の誤差によつてフオトマスク
４上に形成されたマスクパターン２の間隔は必ず
しも同一ではない。この誤差（以後ピツチ誤差と
称する）が極小であれば問題は無いが、ピツチ誤
差が許容範囲を越えるとパターンずれの原因とな
るため、そのようなフオトマスクは不良品として
取り除かれる。
そこでマスクパターン２のピツチ誤差の変化を
容易に検出できるようにバーニアパターン３ａ〜
３ｄが設けられている。第３図においてマスクパ
ターン２Ａのバーニアパターン３ａと隣接するマ
スクパターン２Ｄのバーニアパターン３ｂ、マス
クパターン２Ｂのバーニアパターン３ａと隣接す
るマスクパターン２Ｅのバーニアパターン３ｂ、
マスクパターン２Ｃのバーニアパターン３ａと隣
接するマスクパターン２Ｆのバーニアパターン３
ｂを比較して、二つのバーニアパターン３ａと３
ｂの“ずれ”の大きさが等しければそれぞれのマ
スクパターンのピツチ誤差は皆無とみなされる
が、二つのバーニアパターン３ａと３ｂの“ず
れ”の大きさが変化すると、そのマスクパターン
と隣接するマスクパターンとの間にピツチ誤差が
生じているといえる。従来は全てのバーニアパタ
ーンについて隣接するマスクパターンのバーニア
パターンとの“ずれ”の大きさを目視で検査し、
相違点があればその間におけるピツチ誤差の大き
さを計測してフオトマスクの良否を判定してい
た。しかし顕微鏡の下で数多くのバーニアパター
ンの“ずれ”の大きさを検査する作業は多くの労
力と時間を要し、フオトマスクに傷をつけ塵埃を
付着せしめる原因となる。
(d) 発明の目的 本発明の目的はフオトマスクの検査における上
記問題点を無くし、フオトマスクの検査を簡便に
する方法を提供することにある。
(e) 発明の構成 そしてこの目的は、 任意のマスクパターンのバーニアパターンと、
それに隣接するマスクパターンのバーニアパター
ンとから基準合成バーニアパターンを形成し、 次いで、前記基準合成バーニアパターンの形状
を電気信号に変換して、基準合成バーニアパター
ン信号となし、 次いで、同一フオトマスク内にある他の合成バ
ーニアパターンの形状を電気信号に変換して、そ
の他の合成バーニアパターン信号となし、 次いで、前記合成バーニアパターン信号を前記
基準合成バーニアパターン信号と比較・照合して
マスクパターンの送りピツチの良否を判別する ように構成されたフオトマスクの検査方法によ
つて達成される。
(f) 発明の実施例 以下添付図により本発明の実施例を説明する。
なお全図を通し同じ対象物は同一符号で表してい
る。第４図は任意の位置にあるバーニアパターン
と、隣接するバーニアパターンとで構成される合
成バーニアパターンを示した図で、第４図ａおよ
び第４図ｂは良品のマスクパターンの例、第４図
ｃは不良のマスクパターンの例、第５図は本発明
になる検査方法を実施するための検査装置の一例
を示す。
第４図ａおよび第４図ｂにおいて任意の位置に
あるバーニアパターン３ａと隣接するバーニアパ
ターン３ｂとで構成される合成バーニアパターン
５ａを基準とし、合成バーニアパターン５ａと同
一フオトマスク上の他の位置にある合成バーニア
パターン５ｂとを比較して、合成バーニアパター
ンの形状に相違点がなければその間におけるピツ
チ誤差は極小であるといえる。しかし第４図ｃの
合成バーニアパターン５ａと合成バーニアパター
ン５ｃのように、形状に相違点があればその間に
おいて大きいピツチ誤差を生じていると見なされ
る。図ではＸ軸方向のピツチ誤差を検出する合成
バーニアパターンのみ図示しているが、Ｙ軸方向
のピツチ誤差を検出する合成バーニアパターンも
形成されており、Ｘ軸方向・Ｙ軸方向のピツチ誤
差の変化を検出することができる。上記した第４
図のｂは良品だが、ｃは不良となる例は、例え
ば、第２図の如く、ステツプアンドリピートで第
１図の原版をマトリクス状に転写する場合であつ
て、各原版が全て同じ様に回転した状態で転写さ
れる場合である。かかるケースの場合は全ての合
成バーニアパターンは第４図ｂの如くずれた状態
となり、位置ずれは生じてないので、良品と判断
される。
かかる合成バーニアパターンの比較・照合は、
本発明においては第５図に示す検査装置によつて
自動化している。
図において任意の位置にある合成バーニアパタ
ーンの像をイメージセンサで撮像し、イメージセ
ンサ内で像の細分化、細分化された像の電気信号
への置換および走査順序に沿つた信号の配列を行
い、合成バーニアパターンの像を電気信号として
取り出して記憶装置に記憶せしめ、これを基準合
成バーニアパターン信号とする。一方他の合成バ
ーニアパターンの像についてもイメージセンサで
撮像し、像を電気信号として取り出して記憶装置
に記憶せしめる。この二種類の電気信号を比較・
照合することによつて、合成バーニアパターンの
相違点が検出でき、これを表示させることも可能
である。また良否判定基準を設定して置けば装置
に良否判定をせしめることができる。
同様に他の合成バーニアパターンについても像
をイメージセンサで撮像し、その電気信号を前述
の基準合成バーニアパターン信号と比較・照合す
ることによつて、目視で検査を行うことなく装置
に良否判定をせしめることができる。
(g) 発明の効果 以上述べたように本発明によれば、フオトマス
クの検査において多くの労力と時間を要し、且つ
フオトマスクに傷をつけ塵埃を付着せしめる原因
となつていた。バーニアパターンの“ずれ”の大
きさを検査する作業が簡略化され、フオトマスク
の高品質化に寄与するフオトマスクの検査方法を
提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は原版の一例、第２図は同一フオトマス
ク上に焼きつけられたマスクパターンの一例、第
３図はバーニアパターン部拡大図、第４図は合成
バーニアパターン、第４図ａおよび第４図ｂは良
品のマスクパターンの例、第４図ｃは不良のマス
クパターンの例、第５図は検査装置の一例を示
す。 図において１は原版、２，２Ａ，２Ｂ，２Ｃ，
２Ｄ，２Ｅ，２Ｆはマスクパターン、３ａ，３
ｂ，３ｃおよび３ｄはバーニアパターン、４はフ
オトマスク、５ａ，５ｂ，５ｃは合成バーニアパ
ターンを示す。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 周縁部にバーニアパターンを有するマスクパ
    ターンの同一原版から、同一フオトマスク上に焼
    き付けられた複数個のマスクパターンの検査にお
    いて、 任意の前記マスクパターンのバーニアパターン
    と、それに隣接するマスクパターンのバーニアパ
    ターンとから基準合成バーニアパターンを形成
    し、 次いで、前記基準合成バーニアパターンの形状
    を電気信号に変換して、基準合成バーニアパター
    ン信号となし、 次いで、同一フオトマスク内にある他の合成バ
    ーニアパターンの形状を電気信号に変換して、そ
    の他の合成バーニアパターン信号となし、 次いで、前記合成バーニアパターン信号を前記
    基準合成バーニアパターン信号と比較・照合して
    マスクパターンの送りピツチの良否を判別する ことを特徴とするフオトマスクの検査方法。
JP58191618A 1983-10-13 1983-10-13 フオトマスクの検査方法 Granted JPS6083328A (ja)

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JP58191618A JPS6083328A (ja) 1983-10-13 1983-10-13 フオトマスクの検査方法
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EP84306894A EP0141548B1 (en) 1983-10-13 1984-10-10 Photomask pattern inspection
US06/659,425 US4701859A (en) 1983-10-13 1984-10-10 Inspecting method and apparatus for a photomask pattern
DE8484306894T DE3485433D1 (de) 1983-10-13 1984-10-10 Kontrolle von motiven einer fotomaske.
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Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4805123B1 (en) * 1986-07-14 1998-10-13 Kla Instr Corp Automatic photomask and reticle inspection method and apparatus including improved defect detector and alignment sub-systems
JPH077446B2 (ja) * 1986-11-12 1995-01-30 松下電器産業株式会社 部品認識方法
US4742233A (en) * 1986-12-22 1988-05-03 American Telephone And Telgraph Company Method and apparatus for automated reading of vernier patterns
JP2539856B2 (ja) * 1987-10-15 1996-10-02 株式会社ヒューテック 印刷パタ―ン周期長のずれ検知方法
JPH01284743A (ja) * 1988-05-10 1989-11-16 Toshiba Corp 半導体装置の樹脂モールドの外観検査方法とその検査装置
US5124927A (en) * 1990-03-02 1992-06-23 International Business Machines Corp. Latent-image control of lithography tools
IL96541A (en) * 1990-12-04 2000-08-13 Orbot Instr Ltd Apparatus and method for microscopic inspection of articles
US5586058A (en) 1990-12-04 1996-12-17 Orbot Instruments Ltd. Apparatus and method for inspection of a patterned object by comparison thereof to a reference
JP3224041B2 (ja) * 1992-07-29 2001-10-29 株式会社ニコン 露光方法及び装置
KR0168772B1 (ko) * 1994-03-10 1999-02-01 김주용 포토마스크 및 그를 이용한 반도체 장치 제조 방법
JP3515199B2 (ja) * 1995-01-06 2004-04-05 大日本スクリーン製造株式会社 欠陥検査装置
US6466314B1 (en) * 1998-09-17 2002-10-15 Applied Materials, Inc. Reticle design inspection system
US6040912A (en) * 1998-09-30 2000-03-21 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for detecting process sensitivity to integrated circuit layout using wafer to wafer defect inspection device
JP4265722B2 (ja) * 2000-08-07 2009-05-20 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 パターンデータ修正方法及び装置
JP2003302743A (ja) * 2002-04-12 2003-10-24 Dainippon Printing Co Ltd フォトマスクの検査方法
US7484625B2 (en) * 2003-03-13 2009-02-03 Varco I/P, Inc. Shale shakers and screens with identification apparatuses
JP2005351631A (ja) * 2004-06-08 2005-12-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 欠陥検出装置および欠陥検出方法
DE602006005628D1 (de) * 2006-06-13 2009-04-23 Abb Oy Verfahren und Vorrichtung zur Erkennung von sich wiederholenden Mustern
CN102109755B (zh) * 2009-12-29 2012-09-26 北大方正集团有限公司 一种光刻技术中实现对准偏差测量的装置和方法
JP5832345B2 (ja) * 2012-03-22 2015-12-16 株式会社ニューフレアテクノロジー 検査装置および検査方法
CN105954985A (zh) * 2016-06-30 2016-09-21 上海华力微电子有限公司 测量光刻工艺套刻精度的方法及掩膜版

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5098277A (ja) * 1973-12-26 1975-08-05
JPS5369063A (en) * 1976-12-01 1978-06-20 Hitachi Ltd Detector of position alignment patterns
US4328553A (en) * 1976-12-07 1982-05-04 Computervision Corporation Method and apparatus for targetless wafer alignment
JPS5923467B2 (ja) * 1979-04-16 1984-06-02 株式会社日立製作所 位置検出方法
US4388386A (en) * 1982-06-07 1983-06-14 International Business Machines Corporation Mask set mismatch
JPS6057952A (ja) * 1983-09-09 1985-04-03 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
US4581762A (en) * 1984-01-19 1986-04-08 Itran Corporation Vision inspection system
US4556317A (en) * 1984-02-22 1985-12-03 Kla Instruments Corporation X-Y Stage for a patterned wafer automatic inspection system

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Publication number Publication date
KR890004884B1 (ko) 1989-11-30
IE842628L (en) 1985-04-13
DE3485433D1 (de) 1992-02-20
IE57375B1 (en) 1992-08-12
JPS6083328A (ja) 1985-05-11
KR850003061A (ko) 1985-05-28
EP0141548A2 (en) 1985-05-15
EP0141548B1 (en) 1992-01-08
EP0141548A3 (en) 1987-12-02
US4701859A (en) 1987-10-20

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