JPH0457175B2 - - Google Patents

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JPH0457175B2
JPH0457175B2 JP61225103A JP22510386A JPH0457175B2 JP H0457175 B2 JPH0457175 B2 JP H0457175B2 JP 61225103 A JP61225103 A JP 61225103A JP 22510386 A JP22510386 A JP 22510386A JP H0457175 B2 JPH0457175 B2 JP H0457175B2
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heating plate
resin
molded part
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Sekisui Chemical Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) この発明は、磁気デイスク用基板等の精密成形
品の製造に使用される成形金型に関する。
(従来の技術) 一般に、磁気デイスクや光デイスク用の基板に
は極めて精度の高い表示平滑性が要求される。そ
のため、これらの基板を射出成形により製造する
場合には、キヤビテイ内に樹脂を射出する際に固
定型及び可動型を加熱して成形面を樹脂固化温度
以上に熱しておき、樹脂がキヤビテイ内に充分に
行き渡つた後、各型を冷却して樹脂を固化させ離
型するようにしている。
上記型の加熱方法の一つに、特開昭57−4748号
公報に開示されているような誘導加熱を応用した
ものがある。上記公報には二種類の方法が開示さ
れている。即ち、第一の方法は、樹脂を射出する
前に、高周波発振装置に接続されたコイルを有す
る金属体(以下、インダクタという。)を可動型
と固定型とで挾み、上記コイルに高周波電流を流
して高周波誘導加熱により成形部を加熱した後、
型開きしてインダクタを除去し、再び型閉じして
キヤビテイ内に樹脂を射出する方法であり、第二
の方法は、可動型と固定型の成形部の背部にそれ
ぞれ上記インダクタを埋め込んでおき、型閉じ状
態において高周波誘導加熱により各成形面を加熱
し、キヤビテイ内に樹脂を射出する方法である。
(発明が解決しようとする問題点) しかしながら、上記誘導加熱方法においてはそ
れぞれ次のような問題があつた。
第一の方法にあつては、樹脂を射出する前にイ
ンダクタを取り付けたり取り外したりする作業が
必要となつて煩雑であり、又、インダクタを取り
外した後樹脂を射出する間に、加熱した成形部が
冷却されるという欠点があつた。
第二の方法にあつては、インダクタが成形部に
直接に接触しているので、誘導加熱されるのは各
型の成形部のみならずインダクタにも及ぶので、
熱容量が大きくなり、加熱、冷却に長時間を要し
生産性が悪かつた。
(問題点を解決するための手段) この発明は上記問題点を解消するためになされ
たもので、その要旨は、キヤビテイを構成する金
属製の成形部を有し、成形部の背部に非金属製の
断熱部が形成され、断熱部の成形部側に冷却通路
が設けられ、断熱部の背部に誘導加熱用コイルが
配置されていることを特徴とする成形金型にあ
る。
(作用) 誘導加熱用コイルに高周波電流を流すと成形部
に誘導電流が生じ、成形部は誘導加熱される。コ
イルと成形部の間に介在する断熱部は非金属製で
あるので誘導電流は生じず加熱されない。そし
て、この断熱部によつて断熱部よりも背部への熱
の伝達が遮断される。したがつて成形部だけが効
率的に短時間で加熱される。
又、上記加熱状態においてキヤビテイ内に樹脂
を射出した後、誘導加熱を停止し、冷却通路内に
冷媒を流通させて成形部を冷却し、キヤビテイ内
の樹脂を冷却する。この時、冷媒はほぼ直接的に
成形部に接触するので、成形部及び樹脂は速やか
に冷却される。
したがつて、成形部の加熱、冷却サイクルの所
要時間を短縮することができ、生産性が向上す
る。
(実施例) 以下、この発明の一実施例を第1図から第3図
までの図面に基づいて説明する。
第1図において、符号20は成形金型の成形部
ユニツトであり、成形部ユニツト20は金属製の
円筒状リングコア1を有している。リングコア1
の外周端部には段差部1aが形成され、この段差
部1aと同じ側に中心方向に突出する突起部1b
が形成されている。
上記リングコア1の突起部1bの中心側には加
熱板2が嵌着されている。加熱板2は金属製であ
り、円盤状をなし、厚さは上記突起部1bよりも
厚く、中央には孔2aが形成されている。
上記リングコア1と加熱板2は第1図において
右側表面を面一にされ、各右側表面は鏡面仕上げ
にされていて、極めて精度の高い平滑性を有して
いる。
尚、上記リングコア1と加熱板2により成形部
が構成され、リングコア1と加熱板2の上記右側
表面が成形面3となる。
又、リングコア1の内部であつて加熱板2の背
部(第1図中、加熱板2の左側)にはセラミツク
ス製(SiC)の断熱部材4(断熱部)が配置さ
れ、等配分された四本のボルト5により加熱板2
に固定されている。
上記断熱部材4の素材であるセラミツクス
(SiC)は機械的強度、耐衝撃性、耐熱衝性に優
れ、高周波吸収性が低く、更に低伝熱性、高絶縁
性、快削性を有している。
上記断熱部材4は円盤状をなし、中央には上記
加熱板2の孔2aと同径の孔4aが形成されてい
る。断熱部材4には加熱板2と接する側に、断面
U字形をなす内側溝6aと外側溝6bが同心状に
形成されている。上記外側溝6bは、第2図に示
すように、図中上部及び下部において左右に分離
されていて、又、内側溝6aは図中下部において
左右に分離されている。そして、左右の下部にお
いて、それぞれ外側溝6bと内側溝6aとが接続
されている。
上記内側溝6aと外側溝6bは加熱板2によつ
て閉断面とされ、その内部は冷却通路7となる。
又、リングコア1及び断熱部材4には、第2図
に示すように、リングコア1の上部外周面から中
心方向に向かつて、外側溝6bの左右の上部終端
に至る冷媒入口通路8aと冷媒出口通路8bが形
成されている。この冷媒入口通路8aと冷媒出口
通路8bは冷媒供給装置(図示しない)に接続さ
れており、上記冷却通路7を流通する冷媒は温度
制御装置(図示しない)によつて所望の温度に制
御される。
断熱部材4には、加熱板2の内端に対向する部
分と外端に対向する部分に、Oリング溝4b,4
cが形成され各Oリング溝4b,4cにはOリン
グ9a,9bが装着され、上記冷却通路7を流通
する冷媒をシールしている。
更に、リングコア1の内部であつて、上記断熱
部材4の背部(第1図中、断熱部材4の左側)に
は、誘導加熱用コイルとしての銅パイプ10が螺
旋状に配置され、この銅パイプ10の一番外側の
一端10aと一番内側の一端10bは図示しない
高周波発振装置に接続されている。銅パイプ10
の背部(第1図中、銅パイプ10の左側)及び上
下部には絶縁部材11が固定されており、絶縁部
材11の中央も加熱板2の孔2aと同径の孔11
aが形成されている。
上記成形部ユニツト20を一対用意し、成形面
3を互いに対向させて、それぞれ固定型と可動型
の基台(いずれも図示しない)に固定する。
尚、上記固定型の成形部ユニツト20の加熱板
2及び断熱部材4及び絶縁部材11の孔2a,4
a,11aにはスプルブツシユ(図示しない)が
挿入固定され、可動型の成形部ユニツト20の加
熱板2及び断熱部材4及び絶縁部材11の各孔2
a,4a,11aにはセンタコア(図示しない)
が挿入固定されている。
そして、固定型と可動型とが閉じた状態におい
て、両成形部ユニツト20の成形面3の間にキヤ
ビテイ(図示しない)が形成される。
上述構成において、磁気デイスク用基板を成形
した場合について説明する。
固定型と可動型を閉じてキヤビテイを形成し、
冷却通路7内に冷媒としての油を流通させ、各成
形部ユニツト20の成形面3が130℃になるよう
に加熱する。この時、油は加熱板2に直接接触し
ているので、冷媒と加熱板2との間の熱伝達は極
めてスピーデイに行なわれる。又、加熱板2とリ
ングコア1との接触面を介してリングコア1へも
熱伝達される。一方、断熱部材4は熱伝達率の低
いセラミツクス製であるので、断熱部材4よりも
背部へ熱が拡散することがない。
次に、油の流通を停止して、高周波発振装置に
より銅パイプ10に出力15Kw,400kHzの高周波
電流を流し、リングコア1及び加熱板2に誘導電
流を生じさせ、各成形面3が200℃になるように
誘導加熱する。この時、非金属のセラミツクス製
である断熱部材4及び冷却通路7内の油には誘導
電流が生ぜず、断熱部材4及び油が誘導加熱され
ることはない。即ち、誘導加熱されるのはリング
コア1と加熱板2という限られた部分だけである
ので、スピーデイに加熱することができる。しか
も断熱部材4の存在により、リングコア1と加熱
板2よりも背部側に熱が拡散するのが防止され
る。
尚、この実施例においては、成形面3の温度を
130℃から200℃に昇温するための所要時間は5秒
であつた。
そして、誘導加熱により成形面3を200℃に維
持したまま、キヤビテイ内に樹脂を射出する。こ
の時、成形面3が樹脂固化温度以上の極めて高温
になつているので、樹脂は高流動性が維持されて
キヤビテイ内の隅々に流れ、成形面3に密に接す
る。
この後、銅パイプ10への高周波電流の流れを
停止するとともに、冷却通路7内に油を流通させ
て、各成形面3を再び130℃に冷却する。この冷
却によつて樹脂は固化する。
そして、固定型と可動型を開き、キヤビテイ内
で固化された製品を取り出す。
尚、この実施例において、誘導加熱による加熱
開始から製品取り出しまでの所要時間は約60秒で
あつた。
このようにして成形された磁気デイスク用基板
は、表面が極めて平滑で、そりや変形等の歪みが
極めて少ないものであつた。
尚、第3図のグラフは上記実施例における成形
面3の経時的な温度推移を示したもので、縦軸に
成形面3の温度をとり、横軸に時間をとつてい
る。図中、A点は誘導加熱開始点であり、B点は
樹脂射出開始点であり、C点は製品取り出し点で
ある。
この発明は上記実施例に制約されず種々の態様
が可能である。
例えば、断熱部はAl2O3,SiN,C等のセラミ
ツクス製であつてもよいし、更に、セラミツクス
製ではなく、プラスチツクス製であつてもよい
し、又、セラミツクスとプラスチツクスとの層状
複合材であつてもよい。
又、断熱部の表面に、蒸着又はスパツタリング
又はイオンプレーテイング等の方法により5μ〜
20mmの厚さの金属製薄膜を形成し、この金属製薄
膜を成形部としてもよい。この場合には、冷却通
路は断熱部の内部において可能な限り金属製薄膜
近くにトンネル状に設ければよい。
更に、冷却通路内を流通させる冷媒は水や水蒸
気であつてもよい。
(発明の効果) 以上説明したように、この発明によれば、金属
製の成形部と誘導加熱用コイルとの間に非金属製
の断熱部を形成したので、誘導加熱の対象となる
成形部を極めて小さくすることができ、その結
果、熱容量を小さくすることができる。更に、断
熱部により背部への熱の拡散が防止できる。した
がつて、成形部の加熱を極めて効率的に短時間で
行うことができる。
又、断熱部の成形部側に冷却通路が設けられて
いて、冷媒が成形部にほぼ直接的に接触するの
で、成形部の冷却を極めて効率的に短時間に行う
ことができる。
その結果、成形部の加熱、冷却サイクルの所要
時間を短縮でき、生産性を向上させることができ
る。
又、キヤビテイ内に樹脂を射出する際に、成形
部の温度を樹脂固化温度以上に維持することがで
きるので、極めて高品質の製品を成形することが
できる。
【図面の簡単な説明】
第1図から第3図までの図面はこの発明の一実
施例を示すものであり、第1図は第2図−断
面図、第2図は成形金型の要部正面図、第3図は
成形部の温度推移を示すグラフである。 1……リングコア(成形部)、2……加熱板
(成形部)、4……断面部、7……冷却通路、10
……誘導加熱用コイル。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 キヤビテイを構成する金属製の成形部を有
    し、成形部の背部に非金属製の断熱部が形成さ
    れ、断熱部の成形部側に冷却通路が設けられ、断
    熱部の背部に誘導加熱用コイルが配置されている
    ことを特徴とする成形金型。 2 上記断熱部がセラミツクス製であることを特
    徴とする特許請求の範囲第1項記載の成形金型。 3 上記断熱部がプラスチツクス製であることを
    特徴とする特許請求の範囲第1項記載の成形金
    型。 4 上記断熱部がセラミツクスとプラスチツクス
    の層状複合材からなることを特徴とする特許請求
    の範囲第1項記載の成形金型。
JP61225103A 1986-09-24 1986-09-24 成形金型 Granted JPS6378720A (ja)

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JPS6378720A JPS6378720A (ja) 1988-04-08
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