JPS63285190A - 液相エピタキシャル成長方法 - Google Patents
液相エピタキシャル成長方法Info
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- JPS63285190A JPS63285190A JP11925387A JP11925387A JPS63285190A JP S63285190 A JPS63285190 A JP S63285190A JP 11925387 A JP11925387 A JP 11925387A JP 11925387 A JP11925387 A JP 11925387A JP S63285190 A JPS63285190 A JP S63285190A
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- Japan
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- growth
- solution
- substrate
- epitaxial growth
- substrates
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- Granted
Links
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- 239000007788 liquid Substances 0.000 title 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 28
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- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は液相エピタキシャル成長方法、特にディッピン
グ法に関するものである。
グ法に関するものである。
［従来の技術］
液相エピタキシャル法のうち、量産性のある方法として
はＧａＰのエピタキシセル成長において広く用いられて
いるディッピング法が一般的である。この方法は第２図
に示すようにエピタキシャル成長炉内で基板１を縦に配
列し、成長用溶液２を、基板１をセットした基板ホルダ
ー３に上部より落下するかく第３図参照）、又は下部よ
り押し上げる（第４図参照）等の方法により基板１と成
長用溶液２を接触させ成長を行うものである。
はＧａＰのエピタキシセル成長において広く用いられて
いるディッピング法が一般的である。この方法は第２図
に示すようにエピタキシャル成長炉内で基板１を縦に配
列し、成長用溶液２を、基板１をセットした基板ホルダ
ー３に上部より落下するかく第３図参照）、又は下部よ
り押し上げる（第４図参照）等の方法により基板１と成
長用溶液２を接触させ成長を行うものである。
［５１！明が解決しようとする問題点コしかしながら、
従来技術では第２図に示したように、基板ホルダー３内
に基板１を２枚ずつ対面させた形でセットし、炉内温度
を均一にして成長させているため、成長用溶液２が双方
の基板１に同じ膜厚で成長してしまい、その結果十分に
厚く成長しないという問題があった。
従来技術では第２図に示したように、基板ホルダー３内
に基板１を２枚ずつ対面させた形でセットし、炉内温度
を均一にして成長させているため、成長用溶液２が双方
の基板１に同じ膜厚で成長してしまい、その結果十分に
厚く成長しないという問題があった。
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、そ
の目的とするところは前記した従来技術の欠点を解消し
、多数枚の基板に対して膜厚の厚いエピタキシャル層の
成長を可能にする方法を提供することにある。
の目的とするところは前記した従来技術の欠点を解消し
、多数枚の基板に対して膜厚の厚いエピタキシャル層の
成長を可能にする方法を提供することにある。
［１１ｍ題点を解決するための手段］
本発明の要旨は、エピタキシャル成長炉内で基板を縦に
配列し、成長用溶液と基板を接触させて成長を行う方法
において、成長用溶液側の温度よりも基板側の温度が低
い温度勾配を設けることを特徴とする液相エピタキシャ
ル成長方法にある。
配列し、成長用溶液と基板を接触させて成長を行う方法
において、成長用溶液側の温度よりも基板側の温度が低
い温度勾配を設けることを特徴とする液相エピタキシャ
ル成長方法にある。
［作 用］
成長用溶液に基板側が温度が低い温度勾配を設けたこと
により、成長用溶液中の溶媒が基板上に移送され、成長
に有効に利用される。
により、成長用溶液中の溶媒が基板上に移送され、成長
に有効に利用される。
［実 施 例］
以下本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。第１
図は本発明の成長方法を示す説明図であって、成長前に
成長用溶液２を入れておく溶液ホルダー４及び基板１を
縦にセットするための基板ホルダー３と、成長終了後に
成長用溶液２を受けるための溶液収容部５と成長用溶液
２と基板ホルダー３とを分離するためのシャッター７と
、基板ホルダー３から成長用溶液２を分離するためのシ
ャッター６とから構成されている。尚、本発明において
、多数枚成長を行う場合は、夫々の基板１の成長面を同
一方向を向かせて配列することが望ましい。
図は本発明の成長方法を示す説明図であって、成長前に
成長用溶液２を入れておく溶液ホルダー４及び基板１を
縦にセットするための基板ホルダー３と、成長終了後に
成長用溶液２を受けるための溶液収容部５と成長用溶液
２と基板ホルダー３とを分離するためのシャッター７と
、基板ホルダー３から成長用溶液２を分離するためのシ
ャッター６とから構成されている。尚、本発明において
、多数枚成長を行う場合は、夫々の基板１の成長面を同
一方向を向かせて配列することが望ましい。
上記の成長治具を用い、Ｇａ１．ＡｇｘＡＳ高混晶（Ｘ
−０，６５）のエピタキシャル成長を行った。上部の溶
液ホルダー４にはＧａ５００ｇ、ＧａＡＳ４２ｇ及びＡ
ｊ）３．３ｇを入れ、基板ホルダー３には寸法５０＃ｌ
ｌｌｌＸ４５１１１１の基板１を１枚ずつ４箇所にセッ
トした。この状態で水平型エピタキシャル成長炉内にセ
ットし、水素ガス置換後９５０℃までカ湿した、Ｇａ中
でＧａＡＳとΔｇが飽和状態まで溶けた時点でシャッタ
ー６を開き、成長用溶液２を基板ホルダ−３内部に落し
た後、基板ホルダー３の左側に配設したヒーター（図示
せず）を１℃／１ｎの割合で冷却し、成長用溶液２中に
１℃／ｃＩＲの温度勾配をつけた。その後、全体を０．
５℃／ｗｉｎの割合で５時間にわたって温度を下げた。
−０，６５）のエピタキシャル成長を行った。上部の溶
液ホルダー４にはＧａ５００ｇ、ＧａＡＳ４２ｇ及びＡ
ｊ）３．３ｇを入れ、基板ホルダー３には寸法５０＃ｌ
ｌｌｌＸ４５１１１１の基板１を１枚ずつ４箇所にセッ
トした。この状態で水平型エピタキシャル成長炉内にセ
ットし、水素ガス置換後９５０℃までカ湿した、Ｇａ中
でＧａＡＳとΔｇが飽和状態まで溶けた時点でシャッタ
ー６を開き、成長用溶液２を基板ホルダ−３内部に落し
た後、基板ホルダー３の左側に配設したヒーター（図示
せず）を１℃／１ｎの割合で冷却し、成長用溶液２中に
１℃／ｃＩＲの温度勾配をつけた。その後、全体を０．
５℃／ｗｉｎの割合で５時間にわたって温度を下げた。
次いで、シャッター７を開き、成長用溶液２を下部の溶
液収容部５に落した。このようにして成長させたエピタ
キシャルウェハの膜厚を調べてみたところ、約２５０μ
に成長していた。
液収容部５に落した。このようにして成長させたエピタ
キシャルウェハの膜厚を調べてみたところ、約２５０μ
に成長していた。
［発明の効果］
以上説明したように、従来技術の如く均熱潤度分布で成
長させた場合には膜厚があまり厚く成長しなかったが、
成長用溶液に温度勾配を設けたことにより成長用溶液中
の溶媒（例えばＡｓと八ρ）が基板上に移送され成長に
有効に利用されるため、ＧａＡｊＡｓの十分な膜厚成長
が可能となった。
長させた場合には膜厚があまり厚く成長しなかったが、
成長用溶液に温度勾配を設けたことにより成長用溶液中
の溶媒（例えばＡｓと八ρ）が基板上に移送され成長に
有効に利用されるため、ＧａＡｊＡｓの十分な膜厚成長
が可能となった。
第１図は本発明の一実施例を示す説明図、第２図は従来
例を示す説明図、第３〜４図は成長治具の断面図である
。 １：基 板、 ２：成長用溶液、 ３：基板ホルダー、 ４：溶液ホルダー、 ５：溶液収容部、 ６．７：シャッター、 ８：ピ ス ト ン、 ９：水平型エピタキシャル成長炉。 第 １ 日 １ ：基オ反 ６，７ ｚレマーノク−
４−Ａξ液ホＩし７゛ Ｓ：求表収容部
例を示す説明図、第３〜４図は成長治具の断面図である
。 １：基 板、 ２：成長用溶液、 ３：基板ホルダー、 ４：溶液ホルダー、 ５：溶液収容部、 ６．７：シャッター、 ８：ピ ス ト ン、 ９：水平型エピタキシャル成長炉。 第 １ 日 １ ：基オ反 ６，７ ｚレマーノク−
４−Ａξ液ホＩし７゛ Ｓ：求表収容部
Claims (1)
- （１）エピタキシャル成長炉内に基板を縦に配置し、該
基板の成長面に成長用溶液を接触させて液相エピタキシ
ャル成長を行う方法において、前記成長用溶液側よりも
前記基板側の温度が低い温度勾配を形成して成長させる
ことを特徴とする液相エピタキシャル成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11925387A JPS63285190A (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | 液相エピタキシャル成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11925387A JPS63285190A (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | 液相エピタキシャル成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63285190A true JPS63285190A (ja) | 1988-11-22 |
| JPH058154B2 JPH058154B2 (ja) | 1993-02-01 |
Family
ID=14756750
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11925387A Granted JPS63285190A (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | 液相エピタキシャル成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63285190A (ja) |
-
1987
- 1987-05-15 JP JP11925387A patent/JPS63285190A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH058154B2 (ja) | 1993-02-01 |
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