JPH046097B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH046097B2 JPH046097B2 JP56062272A JP6227281A JPH046097B2 JP H046097 B2 JPH046097 B2 JP H046097B2 JP 56062272 A JP56062272 A JP 56062272A JP 6227281 A JP6227281 A JP 6227281A JP H046097 B2 JPH046097 B2 JP H046097B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carrier
- case
- integrated circuit
- microwave integrated
- foil plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W44/00—Electrical arrangements for controlling or matching impedance
- H10W44/20—Electrical arrangements for controlling or matching impedance at high-frequency [HF] or radio frequency [RF]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
- H10W70/67—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their insulating layers or insulating parts
- H10W70/68—Shapes or dispositions thereof
- H10W70/682—Shapes or dispositions thereof comprising holes having chips therein
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
- H10W72/381—Auxiliary members
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Waveguides (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、マイクロ波集積回路装置に関し、
特にその特性改善に係るものである。
特にその特性改善に係るものである。
従来この種のマイクロ波集積回路として第１図
に示すものがあつた。第１図において、イは平面
図、ロは側面図である。
に示すものがあつた。第１図において、イは平面
図、ロは側面図である。
図中、１はマイクロ波集積回路用のセラミツク
基板で、その上には、高周波回路用のパターン６
ａ，６ｂが形成されている。このセラミツク基板
１はコバール製のキヤリア２にハンダ付けされて
おり、これらはアルミニユームで作られたケース
３にネジ止め部７ａにてネジ止めされている。４
は高周波用素子であるトランジスタで、ケース３
にネジ止め部７ｂにてネジ止めされている。トラ
ンジスタ４の端子５は、パターン６ａ，６ｂにハ
ンダ付されている。８は高周波入力部、９は出力
部で、これらは通常ここには図示していない高周
波コネクタに接続されている。
基板で、その上には、高周波回路用のパターン６
ａ，６ｂが形成されている。このセラミツク基板
１はコバール製のキヤリア２にハンダ付けされて
おり、これらはアルミニユームで作られたケース
３にネジ止め部７ａにてネジ止めされている。４
は高周波用素子であるトランジスタで、ケース３
にネジ止め部７ｂにてネジ止めされている。トラ
ンジスタ４の端子５は、パターン６ａ，６ｂにハ
ンダ付されている。８は高周波入力部、９は出力
部で、これらは通常ここには図示していない高周
波コネクタに接続されている。
第１図において、高周波増巾器として動作をさ
せる場合、出力部８に加えられた高周波はパター
ン６ａを通りトランジスタ４に加えられ、増巾さ
れる。増巾された高周波は、パターン６ｂを通り
出力部９に出てくる。
せる場合、出力部８に加えられた高周波はパター
ン６ａを通りトランジスタ４に加えられ、増巾さ
れる。増巾された高周波は、パターン６ｂを通り
出力部９に出てくる。
従来のマイクロ波集積回路は、以上のように構
成されているので、動作中環境温度が変化した
り、トランジスタから発生する熱で、マイクロ波
集積回路全体の温度が変化したときに、セラミツ
ク基板１とコバール等のキヤリア２は膨脹係数が
同じであるが、アルミニウムのケース３とは膨脹
係数が異なるので、キヤリア２とケース３の間で
伸び縮みによる寸法変化が起りアース点が変化
し、特性が異常に変化するという欠点があつた。
成されているので、動作中環境温度が変化した
り、トランジスタから発生する熱で、マイクロ波
集積回路全体の温度が変化したときに、セラミツ
ク基板１とコバール等のキヤリア２は膨脹係数が
同じであるが、アルミニウムのケース３とは膨脹
係数が異なるので、キヤリア２とケース３の間で
伸び縮みによる寸法変化が起りアース点が変化
し、特性が異常に変化するという欠点があつた。
この発明は、上記のような従来の欠点を除去す
るためになされたもので、キヤリアの下にキヤリ
アより小さな銅箔等の箔板で構成された薄い膜を
敷き、キヤリアをネジ止め等により常に圧力を加
えることにより、キヤリアとケースの接触部（ア
ース）を変化させないようにし、特性の安定化を
はかつたマイクロ波集積回路を提供することを目
的としている。
るためになされたもので、キヤリアの下にキヤリ
アより小さな銅箔等の箔板で構成された薄い膜を
敷き、キヤリアをネジ止め等により常に圧力を加
えることにより、キヤリアとケースの接触部（ア
ース）を変化させないようにし、特性の安定化を
はかつたマイクロ波集積回路を提供することを目
的としている。
以下この発明の一実施例を図に基づいて詳細に
説明する。
説明する。
第２図において、イは平面図、ロは側面図で、
１〜９は従来の装置と同じである。２１は銅箔板
でキヤリア２とケース３の間に挿入している。こ
の銅箔板２１の形状は任意であるが、キヤリア２
をネジ止め部７ａにてネジ止めしたときに、過大
な力がセラミツク基板１に加えられないようにす
る必要がある。第２図の実施例ではセラミツク基
板１が正方形をしており、銅箔板２１も大きさの
異なる正方形としている。そして銅箔板２１はキ
ヤリア２に対して約45゜の角度ずらせて配置され
ている。キヤリア２はケース３にネジ止めされる
が、これによつて銅箔板２１は特にその角部２１
１〜２１４がキヤリア２とケース３とにより強く
押圧される。
１〜９は従来の装置と同じである。２１は銅箔板
でキヤリア２とケース３の間に挿入している。こ
の銅箔板２１の形状は任意であるが、キヤリア２
をネジ止め部７ａにてネジ止めしたときに、過大
な力がセラミツク基板１に加えられないようにす
る必要がある。第２図の実施例ではセラミツク基
板１が正方形をしており、銅箔板２１も大きさの
異なる正方形としている。そして銅箔板２１はキ
ヤリア２に対して約45゜の角度ずらせて配置され
ている。キヤリア２はケース３にネジ止めされる
が、これによつて銅箔板２１は特にその角部２１
１〜２１４がキヤリア２とケース３とにより強く
押圧される。
マイクロ波集積回路としての作用、動作は、従
来技術のものと同じであるが、この発明によるマ
イクロ波集積回路は、温度試験をしたときにその
特徴を発揮する。
来技術のものと同じであるが、この発明によるマ
イクロ波集積回路は、温度試験をしたときにその
特徴を発揮する。
つまり、第２図構成のマイクロ波集積回路は、
温度試験時に、環境温度が高温（＋60〜＋70℃）
になつても低温（−30〜−40℃）になつても、使
用材料の膨脹係数の差による寸法変化は銅箔板２
１が吸収してしまうため、特性の異常な変動が発
生しない。
温度試験時に、環境温度が高温（＋60〜＋70℃）
になつても低温（−30〜−40℃）になつても、使
用材料の膨脹係数の差による寸法変化は銅箔板２
１が吸収してしまうため、特性の異常な変動が発
生しない。
上記実施例では、銅箔板２１を用いた場合につ
いて説明したが、この箔板の材質は銅箔に限ら
ず、アルミニユーム箔及びその他の箔も使用でき
る。また、上記実施例では正方形のセラミツク基
板１に正方形の銅箔板２１を敷いた例を示した
が、セラミツク基板１が種々な形状を取るごと
く、箔板２１も種々変化し得る。
いて説明したが、この箔板の材質は銅箔に限ら
ず、アルミニユーム箔及びその他の箔も使用でき
る。また、上記実施例では正方形のセラミツク基
板１に正方形の銅箔板２１を敷いた例を示した
が、セラミツク基板１が種々な形状を取るごと
く、箔板２１も種々変化し得る。
尚、この箔板２１は、セラミツク基板１より小
さくなければならないことはもちろんである。
さくなければならないことはもちろんである。
以上のように、この発明によれば、金属箔板を
キヤリアとケースの間に敷いており、金属箔板の
輪郭部がキヤリアとケースに他の部分より強く接
触しており、キヤリアとケースの接触部位はマイ
クロ波集積回路装置が温度変化により、キヤリア
とケースの線膨張温度係数の差による歪を生じて
もその位置は最初の金属箔板の輪郭部の接触部位
から変化しないのでマイクロ波集積回路装置とし
て安定な特性が得られる。
キヤリアとケースの間に敷いており、金属箔板の
輪郭部がキヤリアとケースに他の部分より強く接
触しており、キヤリアとケースの接触部位はマイ
クロ波集積回路装置が温度変化により、キヤリア
とケースの線膨張温度係数の差による歪を生じて
もその位置は最初の金属箔板の輪郭部の接触部位
から変化しないのでマイクロ波集積回路装置とし
て安定な特性が得られる。
第１図は従来のマイクロ波集積回路の構成を示
し、イは平面図、ロは側面図である。第２図はこ
の発明によるマイクロ波集積回路の一実施例の構
成を示し、イは平面図、ロは側面図である。 １…セラミツク基板、２…キヤリア、３…ケー
ス、６…パターン、２１…銅箔板。なお、図中、
同一符号は同一、又は相当部分を示す。
し、イは平面図、ロは側面図である。第２図はこ
の発明によるマイクロ波集積回路の一実施例の構
成を示し、イは平面図、ロは側面図である。 １…セラミツク基板、２…キヤリア、３…ケー
ス、６…パターン、２１…銅箔板。なお、図中、
同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- １ マイクロ波回路を構成する基板をキヤリアを
介して金属ケースに固着しアースするようにした
装置に於て、上記キヤリアと金属ケースとの間に
キヤリア固着部周辺を切り欠いた輪郭を持つ金属
箔板を挿入すると共にこの金属箔板に常に押圧力
を加えるようにした事を特徴とするマイクロ波集
積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56062272A JPS57177544A (en) | 1981-04-24 | 1981-04-24 | Microwave ic device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56062272A JPS57177544A (en) | 1981-04-24 | 1981-04-24 | Microwave ic device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57177544A JPS57177544A (en) | 1982-11-01 |
| JPH046097B2 true JPH046097B2 (ja) | 1992-02-04 |
Family
ID=13195339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56062272A Granted JPS57177544A (en) | 1981-04-24 | 1981-04-24 | Microwave ic device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57177544A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4278617B2 (ja) | 2002-11-12 | 2009-06-17 | 富士通株式会社 | 実装構造及び電子装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5738374Y2 (ja) * | 1976-09-22 | 1982-08-24 |
-
1981
- 1981-04-24 JP JP56062272A patent/JPS57177544A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57177544A (en) | 1982-11-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4538124A (en) | Planar microwave circuit component mounting system | |
| USRE31470E (en) | Stripline filter device | |
| US4638938A (en) | Vapor phase bonding for RF microstrip line circuits | |
| JPH046097B2 (ja) | ||
| US3747044A (en) | Microwave integrated circuit (mic) ground plane connector | |
| CA1210461A (en) | Microwave oscillator | |
| JP3017750B2 (ja) | 水晶振動子 | |
| US3375407A (en) | Electronic mounting unit having spaced plate elements supported in position | |
| JP2904596B2 (ja) | 基板取付装置 | |
| US6292073B1 (en) | Solderless circuit interconnect having a spring contact passing through an aperture | |
| GB2319397A (en) | A mounting structure for a printed circuit board | |
| JPS6083401A (ja) | マイクロ波回路 | |
| RU2832855C1 (ru) | Конструкция СВЧ-устройства с элементами настройки СВЧ-цепей | |
| JPH07326909A (ja) | マイクロ波整合回路 | |
| JPH07240601A (ja) | 高周波回路基板の接続方法 | |
| JPH026441B2 (ja) | ||
| JP2758273B2 (ja) | 高周波平面回路モジュールの実装構造 | |
| JPH0812899B2 (ja) | 高周波回路用パツケ−ジ | |
| JPH04212501A (ja) | マイクロストリップラインの接続方法 | |
| JPS62160802A (ja) | 共振回路 | |
| JP3199874B2 (ja) | 減衰器 | |
| JP3093599B2 (ja) | マイクロ波回路の実装構造 | |
| JPS63285001A (ja) | モノリジックマイクロ波装置 | |
| JPH01187956A (ja) | 半導体装置用パツケージ | |
| JPH0389605A (ja) | 高周波増幅回路 |