JPH046130A - 電子部品用基板の製造方法 - Google Patents
電子部品用基板の製造方法Info
- Publication number
- JPH046130A JPH046130A JP10574190A JP10574190A JPH046130A JP H046130 A JPH046130 A JP H046130A JP 10574190 A JP10574190 A JP 10574190A JP 10574190 A JP10574190 A JP 10574190A JP H046130 A JPH046130 A JP H046130A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- crystallized glass
- substrate
- magnetic material
- magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C10/00—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition
- C03C10/0018—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing SiO2, Al2O3 and monovalent metal oxide as main constituents
- C03C10/0027—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing SiO2, Al2O3 and monovalent metal oxide as main constituents containing SiO2, Al2O3, Li2O as main constituents
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
- Joining Of Glass To Other Materials (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は電子部品用基板の製造方法に関するものである
。
。
[従来技術]
従来より磁気センサ等の電子部品を作製する方法の一つ
として、あらかじめ磁性材料上に非磁性層を備えた基板
を作製し、これにパターンを形成した後、所定の大きさ
に切断する方法がある。このような電子部品用基板の非
磁性層は、素子と磁性材料との磁路を遮断するために形
成され、その材質としては、一般にガラスや結晶化ガラ
スが使用されている。
として、あらかじめ磁性材料上に非磁性層を備えた基板
を作製し、これにパターンを形成した後、所定の大きさ
に切断する方法がある。このような電子部品用基板の非
磁性層は、素子と磁性材料との磁路を遮断するために形
成され、その材質としては、一般にガラスや結晶化ガラ
スが使用されている。
磁性材料上に非磁性層を形成するには、磁性材料の表面
にガラス粉末をペースト化したものを、スクリーン印刷
した後、焼成することによって非磁性層を形成する方法
や本出願人の出願に係る特願平1−171578号に示
されている方法、すなわち−旦、加圧しながら熱処理す
ることにより他部材との接着が可能、いわゆる熱圧着が
可能な結晶化ガラスを所定の寸法形状に加工し、その−
面を磁性材料に熱圧着して両者を接着した後、該結晶化
ガラス板を所定の厚さに研磨する方法がある。
にガラス粉末をペースト化したものを、スクリーン印刷
した後、焼成することによって非磁性層を形成する方法
や本出願人の出願に係る特願平1−171578号に示
されている方法、すなわち−旦、加圧しながら熱処理す
ることにより他部材との接着が可能、いわゆる熱圧着が
可能な結晶化ガラスを所定の寸法形状に加工し、その−
面を磁性材料に熱圧着して両者を接着した後、該結晶化
ガラス板を所定の厚さに研磨する方法がある。
[発明が解決しようとする問題点]
しかしながら前者のガラス粉末を用いる方法は、磁性材
料上に形成された非磁性層の表面が凹凸状を呈している
ため、研磨することによってその表面を平滑にする必要
があるが、ガラス内に泡が存在するため、研磨すると表
面にピンホールと呼ばれる小さな穴が発生して欠陥部品
になるという問題が生じる。さらに磁気センサ等では非
磁性層を所定の厚みにすることが要求され、具体的には
100〜30(N+mの厚みにすることが要求されるが
、この方法によって形成される非磁性層の厚みは精々1
0〜30μmに限定される。
料上に形成された非磁性層の表面が凹凸状を呈している
ため、研磨することによってその表面を平滑にする必要
があるが、ガラス内に泡が存在するため、研磨すると表
面にピンホールと呼ばれる小さな穴が発生して欠陥部品
になるという問題が生じる。さらに磁気センサ等では非
磁性層を所定の厚みにすることが要求され、具体的には
100〜30(N+mの厚みにすることが要求されるが
、この方法によって形成される非磁性層の厚みは精々1
0〜30μmに限定される。
また後者の方法は、ピンホールを発生することなく、所
定の厚みを有する非磁性層を備えた電子部品用基板を製
造することが可能であるが、磁性材料の一面にのみ非磁
性材料を接着するため、反りが発生し易いという問題が
ある。
定の厚みを有する非磁性層を備えた電子部品用基板を製
造することが可能であるが、磁性材料の一面にのみ非磁
性材料を接着するため、反りが発生し易いという問題が
ある。
すなわちこのような基板は、一般に50+nmX 50
+nmX 0.5mmの大面積で、薄い形状を有してお
り、それを構成する磁性材料と非磁性材料との熱膨張係
数を近似させても接着時に高温下に置かれるために歪み
が生じ、その結果30μm以上の大きな反りが発生し易
い。この用途の基板は、後でその表面に電極が設けられ
るが、30μm以上の反りが発生すると、電極を設ける
前のフォトマスクを用い、露光する工程においてパター
ンのずれを発生させ、製品の歩留りを悪くする。
+nmX 0.5mmの大面積で、薄い形状を有してお
り、それを構成する磁性材料と非磁性材料との熱膨張係
数を近似させても接着時に高温下に置かれるために歪み
が生じ、その結果30μm以上の大きな反りが発生し易
い。この用途の基板は、後でその表面に電極が設けられ
るが、30μm以上の反りが発生すると、電極を設ける
前のフォトマスクを用い、露光する工程においてパター
ンのずれを発生させ、製品の歩留りを悪くする。
本発明は上記事情に鑑みなされたもので、所定の厚みの
非磁性層を磁性材料上に形成することができ、しかも非
磁性層の形成後にピンホールを発生することなく、さら
に基板の反りを10μm以下に抑えることが可能な電子
部品用基板の製造方法を提供することを目的とするもの
である。
非磁性層を磁性材料上に形成することができ、しかも非
磁性層の形成後にピンホールを発生することなく、さら
に基板の反りを10μm以下に抑えることが可能な電子
部品用基板の製造方法を提供することを目的とするもの
である。
[問題点を解決するための手段]
本発明の電子部品用基板の製造方法は、加圧しながら熱
処理することにより他部材との接着が可能な結晶化ガラ
スを所定の寸法形状に加工する工程、該結晶化ガラスを
板状の磁性材料の両面に配置した後、加圧しながら熱処
理することにより接着する工程、該結晶化ガラスの表面
を各々研磨して所定の肉厚にする工程からなることを特
徴とする。
処理することにより他部材との接着が可能な結晶化ガラ
スを所定の寸法形状に加工する工程、該結晶化ガラスを
板状の磁性材料の両面に配置した後、加圧しながら熱処
理することにより接着する工程、該結晶化ガラスの表面
を各々研磨して所定の肉厚にする工程からなることを特
徴とする。
本発明において用いる結晶化ガラスは重量百分率でS1
0□60〜85%、L1□06〜15%、K2O1〜7
%、Na、OO,1〜7%、 K2O+Na2O2〜1
4%、P2O60.1〜5%、A1.O,1〜10%、
Pb00〜15%、zr020〜10%からなり、ガラ
スマトリックス相が全容量の20〜60%を占め、残り
が結晶相であることを特徴とする。この結晶化ガラスは
、磁性材料を接触関係に置いた後、加圧しながら熱処理
することにより、表面部のガラスマトリックス相に接着
作用を付与せしめることが可能なものであるが、軟化点
以上の温度で熱処理すると形状変化をおこすため好まし
くない。
0□60〜85%、L1□06〜15%、K2O1〜7
%、Na、OO,1〜7%、 K2O+Na2O2〜1
4%、P2O60.1〜5%、A1.O,1〜10%、
Pb00〜15%、zr020〜10%からなり、ガラ
スマトリックス相が全容量の20〜60%を占め、残り
が結晶相であることを特徴とする。この結晶化ガラスは
、磁性材料を接触関係に置いた後、加圧しながら熱処理
することにより、表面部のガラスマトリックス相に接着
作用を付与せしめることが可能なものであるが、軟化点
以上の温度で熱処理すると形状変化をおこすため好まし
くない。
また磁性材料には、酸化物磁性材料と金属磁性材料があ
り、酸化物磁性材料としてはフェライト、金属磁性材料
としては磁鉄鋼が代表的である。
り、酸化物磁性材料としてはフェライト、金属磁性材料
としては磁鉄鋼が代表的である。
[作用コ
元肥した成分及び含育量からなる結晶化ガラスは、主結
晶相としてLi2O・2S10□を析出するため形状変
化を起こしにり<、一方ガラスマトリックス相は、St
O□が少なく、且つに20 、Na2O等のアルカリ成
分が多いため熱を受けるとガラスマトリックス相が溶け
て接着性を示す特性を有している。この結晶化ガラスを
磁性材料の両面に配置した後、加圧しながら軟化点以下
の温度で熱処理すると形状変化を起こすことなく、結晶
化ガラスの表面部のガラスマトリックス相が薄膜状に溶
けて磁性材料との接触界面を被い、これによって結晶化
ガラス、すなわち非磁性材料が磁性材料に強固に接着す
る。
晶相としてLi2O・2S10□を析出するため形状変
化を起こしにり<、一方ガラスマトリックス相は、St
O□が少なく、且つに20 、Na2O等のアルカリ成
分が多いため熱を受けるとガラスマトリックス相が溶け
て接着性を示す特性を有している。この結晶化ガラスを
磁性材料の両面に配置した後、加圧しながら軟化点以下
の温度で熱処理すると形状変化を起こすことなく、結晶
化ガラスの表面部のガラスマトリックス相が薄膜状に溶
けて磁性材料との接触界面を被い、これによって結晶化
ガラス、すなわち非磁性材料が磁性材料に強固に接着す
る。
本発明においては非磁性材料である2個の結晶化ガラス
を磁性材料の両面に熱圧着した後、各結晶化ガラスの外
表面を研磨するので、結晶化ガラスの厚みを薄くしても
割れることがなく、また各結晶化ガラスの肉厚が同じに
なるように研磨することにより、歪みをつりあわせ、反
りを102m以内に管理することが可能である。
を磁性材料の両面に熱圧着した後、各結晶化ガラスの外
表面を研磨するので、結晶化ガラスの厚みを薄くしても
割れることがなく、また各結晶化ガラスの肉厚が同じに
なるように研磨することにより、歪みをつりあわせ、反
りを102m以内に管理することが可能である。
また一般に結晶化ガラスは、泡が少ないためピンホール
が発生せず、化学的耐久性も良好であるため、基板の後
工程における酸処理にも耐え、且つ上記組成を有する本
発明の結晶化ガラスは、80〜150 Xl0−’/’
Cの熱膨張係数を有するため磁性材料のそれに合わすこ
とが可能である。
が発生せず、化学的耐久性も良好であるため、基板の後
工程における酸処理にも耐え、且つ上記組成を有する本
発明の結晶化ガラスは、80〜150 Xl0−’/’
Cの熱膨張係数を有するため磁性材料のそれに合わすこ
とが可能である。
[実施例コ
以下本発明を実施例に基づいて説明する。
重量百分率で510□75%、L1□08%、K2O3
%、Na2O3%、Al2O31i%、P2Ol53%
のガラス組成になるようにガラス原料を調合し、白金る
つぼを用いて約I450℃で溶融した後、カーボン鋳型
に流し込んで成形し、これを徐冷炉に入れ室温まで炉冷
することによって結晶化可能なガラス成形体を得た。そ
の後、このガラス成形体を電気炉に入れ、120℃/時
の昇温速度で約550°Cまで加熱して1時間保持し、
次いで40℃/時の昇温速度で約800℃まで加熱して
2時間保持した後室温まで炉冷した。これによってLl
。0・2S10□結晶を析出し、ガラスマトリックス相
が約25容量%を占め熱膨張係数が約120 Xl0−
7/”C1屈伏点が約730℃の結晶化ガラス成形体が
得られた。
%、Na2O3%、Al2O31i%、P2Ol53%
のガラス組成になるようにガラス原料を調合し、白金る
つぼを用いて約I450℃で溶融した後、カーボン鋳型
に流し込んで成形し、これを徐冷炉に入れ室温まで炉冷
することによって結晶化可能なガラス成形体を得た。そ
の後、このガラス成形体を電気炉に入れ、120℃/時
の昇温速度で約550°Cまで加熱して1時間保持し、
次いで40℃/時の昇温速度で約800℃まで加熱して
2時間保持した後室温まで炉冷した。これによってLl
。0・2S10□結晶を析出し、ガラスマトリックス相
が約25容量%を占め熱膨張係数が約120 Xl0−
7/”C1屈伏点が約730℃の結晶化ガラス成形体が
得られた。
次にこの結晶化ガラス成形体から50mmX 50mm
X093■の寸法に加工した2個の板状結晶化ガラスを
作製し、これらの間に50mmX 50mmX O,3
mmの寸法を有し、表面を鏡面研磨した熱膨張係数が約
]18 Xl0−7/’Cの板状フェライトが接するよ
うにして載置し、さらにその上に約2Kg/cm2の圧
力になるように荷重をかけ、それを電気炉中にセットし
、フェライトの酸化防止のためN2ガス雰囲気中におい
て常温から600℃/時の昇温速度で約71θ℃まで加
熱し、この温度に1時間保持した後、常温まで炉冷する
ことによって各板状結晶化ガラスにフェライトを接着し
た。その後、各板状結晶化ガラスの両面を研磨して0.
1mmの肉厚の結晶化ガラスからなる非磁性層を備えた
肉厚0.5mmの基板を作製した。
X093■の寸法に加工した2個の板状結晶化ガラスを
作製し、これらの間に50mmX 50mmX O,3
mmの寸法を有し、表面を鏡面研磨した熱膨張係数が約
]18 Xl0−7/’Cの板状フェライトが接するよ
うにして載置し、さらにその上に約2Kg/cm2の圧
力になるように荷重をかけ、それを電気炉中にセットし
、フェライトの酸化防止のためN2ガス雰囲気中におい
て常温から600℃/時の昇温速度で約71θ℃まで加
熱し、この温度に1時間保持した後、常温まで炉冷する
ことによって各板状結晶化ガラスにフェライトを接着し
た。その後、各板状結晶化ガラスの両面を研磨して0.
1mmの肉厚の結晶化ガラスからなる非磁性層を備えた
肉厚0.5mmの基板を作製した。
上記のようにして作製した基板の平坦度を光学式平坦度
測定器によって測定したところ、10μm以下であった
。またこの基板をダイヤモンドカッターを用いて4 、
Omm X 4 、Omm X O,5mmの寸法に切
断し、その切断面を観察したところ、フェライトと結晶
化ガラスは精度良く強固に接着しており、結晶化ガラス
の表面にピンホールは認められなかった。
測定器によって測定したところ、10μm以下であった
。またこの基板をダイヤモンドカッターを用いて4 、
Omm X 4 、Omm X O,5mmの寸法に切
断し、その切断面を観察したところ、フェライトと結晶
化ガラスは精度良く強固に接着しており、結晶化ガラス
の表面にピンホールは認められなかった。
[発明の効果]
以上のように本発明の電子部品用基板の製造方法による
と、所定の厚みの非磁性層を磁性材料上に形成すること
ができ、しかも非磁性層の表面にピンホールを発生する
ことなく、さらに基板の反りを小さく抑えることができ
るので、磁気センサに用いられる基板をはじめとして磁
性材料と非磁性材料からなる各種の電子部品用基板を製
造するのに好適である。
と、所定の厚みの非磁性層を磁性材料上に形成すること
ができ、しかも非磁性層の表面にピンホールを発生する
ことなく、さらに基板の反りを小さく抑えることができ
るので、磁気センサに用いられる基板をはじめとして磁
性材料と非磁性材料からなる各種の電子部品用基板を製
造するのに好適である。
特許出願人 日本電気硝子株式会社
代表者 岸 1)清 作
Claims (2)
- (1)加圧しながら熱処理することにより他部材との接
着が可能な結晶化ガラスを所定の寸法形状に加工する工
程、該結晶化ガラスを板状の磁性材料の両面に配置した
後、加圧しながら熱処理することにより接着する工程、
該結晶化ガラスの表面を各々研磨して所定の肉厚にする
工程からなることを特徴とする電子部品用基板の製造方
法。 - (2)結晶化ガラスが重量百分率でSiO_260〜8
5%、Li_2O6〜15%、K_2O1〜7%、Na
_2O0.1〜7%、K_2O+Na_2O2〜14%
、P_2O_60.1〜5%、Al_2O_31〜10
%、PbO0〜15%、ZrO_20〜10%からなり
、ガラスマトリックス相が全容量の20〜60%を占め
、残りが結晶相であることを特徴とする特許請求の範囲
第一項記載の電子部品用基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2105741A JP2868131B2 (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | 電子部品用基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2105741A JP2868131B2 (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | 電子部品用基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH046130A true JPH046130A (ja) | 1992-01-10 |
| JP2868131B2 JP2868131B2 (ja) | 1999-03-10 |
Family
ID=14415695
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2105741A Expired - Lifetime JP2868131B2 (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | 電子部品用基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2868131B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04144938A (ja) * | 1990-10-04 | 1992-05-19 | Toshiba Glass Co Ltd | 磁気ディスク用結晶化ガラス基板 |
| JP2002163934A (ja) * | 2000-11-24 | 2002-06-07 | Yazaki Corp | 平型シールドハーネス及び平型シールドハーネスの製造方法 |
| JP2002231057A (ja) * | 2001-01-29 | 2002-08-16 | Yazaki Corp | シールドハーネス及び該シールドハーネスの製造方法 |
| JP2010111559A (ja) * | 2008-11-10 | 2010-05-20 | Taiheiyo Cement Corp | セラミックス接合体及びその製造方法 |
-
1990
- 1990-04-20 JP JP2105741A patent/JP2868131B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04144938A (ja) * | 1990-10-04 | 1992-05-19 | Toshiba Glass Co Ltd | 磁気ディスク用結晶化ガラス基板 |
| JP2002163934A (ja) * | 2000-11-24 | 2002-06-07 | Yazaki Corp | 平型シールドハーネス及び平型シールドハーネスの製造方法 |
| JP2002231057A (ja) * | 2001-01-29 | 2002-08-16 | Yazaki Corp | シールドハーネス及び該シールドハーネスの製造方法 |
| JP2010111559A (ja) * | 2008-11-10 | 2010-05-20 | Taiheiyo Cement Corp | セラミックス接合体及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2868131B2 (ja) | 1999-03-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7279432B2 (ja) | 複合基板、電子デバイス、複合基板の製造方法及び電子デバイスの製造方法 | |
| US10882778B2 (en) | Glass substrate, laminated substrate, laminate, and method for producing semiconductor package | |
| JP3664174B2 (ja) | 光導波路およびその製造方法 | |
| JP3388453B2 (ja) | X線マスク又はx線マスク材料の支持体用ガラス、x線マスク材料及びx線マスク | |
| US3669693A (en) | Germania-silica glasses and method of coating | |
| US10580666B2 (en) | Carrier substrates for semiconductor processing | |
| TW201736305A (zh) | 支持結晶化玻璃基板及使用其的積層體 | |
| CN101305115A (zh) | 强电介质单晶、使用其的弹性表面波滤波器及其制造方法 | |
| JP4537092B2 (ja) | ガラス組成物及び磁気ヘッド | |
| JPH046130A (ja) | 電子部品用基板の製造方法 | |
| TW201808845A (zh) | 無鹼玻璃基板、積層基板、及玻璃基板之製造方法 | |
| WO2020189115A1 (ja) | 複合基板、電子デバイス、複合基板の製造方法及び電子デバイスの製造方法 | |
| JPH10501101A (ja) | エレクトロニクスもしくはオプトエレクトロニクス半導体構成部材のための半製品 | |
| US20030230114A1 (en) | Method for producing glass member | |
| JP2821182B2 (ja) | 電子部品の製造方法 | |
| JP2754405B2 (ja) | 電子部品用基板の製造方法 | |
| JPS62246840A (ja) | 磁気ヘッド用結晶化ガラス | |
| JPH0118496B2 (ja) | ||
| JP2865368B2 (ja) | 電子部品用基板の製造方法 | |
| JPS61131229A (ja) | 磁気デイスク用基板とその製造方法 | |
| JPS58130547A (ja) | 電気伝導性を有する炭化珪素基板への絶縁皮膜形成方法 | |
| CN202931261U (zh) | 用于弹性波装置的复合基板 | |
| JPS63107832A (ja) | 結晶化ガラスの接着方法 | |
| JPH0251853B2 (ja) | ||
| JPH0264034A (ja) | ガラスの高精度接着方法 |