JPH0461329A - ウエットエッチング装置 - Google Patents
ウエットエッチング装置Info
- Publication number
- JPH0461329A JPH0461329A JP2173683A JP17368390A JPH0461329A JP H0461329 A JPH0461329 A JP H0461329A JP 2173683 A JP2173683 A JP 2173683A JP 17368390 A JP17368390 A JP 17368390A JP H0461329 A JPH0461329 A JP H0461329A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- particles
- impurities
- tank
- etching
- inner tank
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
本発明は半導体の製造過程で用いられるウェットエツチ
ング装置に関するものである。
ング装置に関するものである。
従来のウェットエツチング装置は、例えば［半導体、電
子部品の精密洗浄システム技術集成」株式会社リアライ
ズ社発行、第１２７〜１２９頁、第１５０〜１５５頁に
記載されているように、エンチング槽を内槽と外槽との
二重構造とし、内槽から外槽部こオーバーフローしたエ
ツチング液をポンプとフィルタによって循環して内槽に
エツチング液を還流させ、フィルタによってエツチング
液中の粒子を除去するようにした装置が知られている。
子部品の精密洗浄システム技術集成」株式会社リアライ
ズ社発行、第１２７〜１２９頁、第１５０〜１５５頁に
記載されているように、エンチング槽を内槽と外槽との
二重構造とし、内槽から外槽部こオーバーフローしたエ
ツチング液をポンプとフィルタによって循環して内槽に
エツチング液を還流させ、フィルタによってエツチング
液中の粒子を除去するようにした装置が知られている。
〔発明が解決しようとする課題］
しかしながらこのような従来のウェットエツチング装置
において、例えばフン酸で半導体基板を処理した場合に
は半導体基板をエツチング液より取出すときに半導体基
板の表面にパーティクルが付着し易いという欠点があっ
た。これはエツチングによって発生するパーティクルの
多くはエツチング液よりも比重が大きいため、パーティ
クルはエツチング液中で沈降していく。従って従来のウ
ェットエツチング装置のように内槽部の底に循環してき
たエツチング液を注入し外槽部にエッチンダ液をオーバ
ーフローさせて還流させる場合には、パーティクルが内
槽部で対流し易く、薬品の循環濾過を行ってもパーティ
クルが十分除去できないという欠点があった。又フィル
タの孔径によって循環時に濾過することができるパーテ
ィクルの大きさが定まってしまう。従ってフィルタの孔
径以下のパーティクルやイオン性不純物、コロイド等の
物質は除去することができないという欠点があった。
において、例えばフン酸で半導体基板を処理した場合に
は半導体基板をエツチング液より取出すときに半導体基
板の表面にパーティクルが付着し易いという欠点があっ
た。これはエツチングによって発生するパーティクルの
多くはエツチング液よりも比重が大きいため、パーティ
クルはエツチング液中で沈降していく。従って従来のウ
ェットエツチング装置のように内槽部の底に循環してき
たエツチング液を注入し外槽部にエッチンダ液をオーバ
ーフローさせて還流させる場合には、パーティクルが内
槽部で対流し易く、薬品の循環濾過を行ってもパーティ
クルが十分除去できないという欠点があった。又フィル
タの孔径によって循環時に濾過することができるパーテ
ィクルの大きさが定まってしまう。従ってフィルタの孔
径以下のパーティクルやイオン性不純物、コロイド等の
物質は除去することができないという欠点があった。
本発明はこのような従来のウェットエツチング装置の問
題点に鑑みてなされたものであって、半導体基板をエツ
チングする際に薬品中のパーティクルを速やかに除去す
ると共に、フィルタの孔径以下のパーティクル及びイオ
ン性不純物を除去し、半導体基板へのパーティクルの付
着を防止できるようにすることを技術的課題とする。
題点に鑑みてなされたものであって、半導体基板をエツ
チングする際に薬品中のパーティクルを速やかに除去す
ると共に、フィルタの孔径以下のパーティクル及びイオ
ン性不純物を除去し、半導体基板へのパーティクルの付
着を防止できるようにすることを技術的課題とする。
本発明はエツチング液を保持する内槽と、内槽の外周に
設けられ内槽にエツチング液を供給する外槽と、内槽の
底部と外槽との間に連結された循環用ダクトと、ダクト
の間に設けられエツチング液の粒子を除去するフィルタ
と、ダクトの間に設けられ相対向する電極間に電圧を印
加することによってパーティクルを除去するパーティク
ル除去装置と、を具備することを特徴とするものである
。
設けられ内槽にエツチング液を供給する外槽と、内槽の
底部と外槽との間に連結された循環用ダクトと、ダクト
の間に設けられエツチング液の粒子を除去するフィルタ
と、ダクトの間に設けられ相対向する電極間に電圧を印
加することによってパーティクルを除去するパーティク
ル除去装置と、を具備することを特徴とするものである
。
このような特徴を有する本発明によれば、半導体基板を
エツチングすることにより発生したパーティクルは内槽
の底部よりダクトを介して排出される。そしてパーティ
クルを含むエツチング基板はフィルタにより濾過され、
フィルタの孔径以上のパーティクルはフィルタによって
除去される。
エツチングすることにより発生したパーティクルは内槽
の底部よりダクトを介して排出される。そしてパーティ
クルを含むエツチング基板はフィルタにより濾過され、
フィルタの孔径以上のパーティクルはフィルタによって
除去される。
そしてパーティクル除去装置によってフィルタの孔径以
下のパーティクルやイオン性不純物を除去し、清浄なエ
ツチング液を再びダクトを介して外槽に供給し、外槽か
らオーバーフローさせて内槽に供給するようにしている
。
下のパーティクルやイオン性不純物を除去し、清浄なエ
ツチング液を再びダクトを介して外槽に供給し、外槽か
らオーバーフローさせて内槽に供給するようにしている
。
第１図は本発明によるウェットエツチング装置の全体構
成を示す構成図である。本図においてエツチング槽１は
内槽２とその外周に設けられた外槽３とから成り立って
いる。内槽２と外槽３の壁面は外槽３の外周よりも低く
し内槽２及び外槽３にエツチング液４を保持している。
成を示す構成図である。本図においてエツチング槽１は
内槽２とその外周に設けられた外槽３とから成り立って
いる。内槽２と外槽３の壁面は外槽３の外周よりも低く
し内槽２及び外槽３にエツチング液４を保持している。
そして外槽３にエンチング液を供給することによってそ
の境界部を介してオーバーフローしたエツチング液が内
槽２に供給される。さて内槽２の底部には循環用のダク
ト５が取付けられる。そしてこのダクト５には循環用ポ
ンプ６及びフィルタ７、パーティクル除去部８を介して
外槽３に還流するように構成される。フィルタ７は所定
の孔径以上のパーティクルを除去するものであり、この
孔径以下のパーティクルはパーティクル除去部８によっ
て除去できるようにしている。又パーティクル除去部８
には電源９が接続されて、パーティクル除去装置１０を
構成している。
の境界部を介してオーバーフローしたエツチング液が内
槽２に供給される。さて内槽２の底部には循環用のダク
ト５が取付けられる。そしてこのダクト５には循環用ポ
ンプ６及びフィルタ７、パーティクル除去部８を介して
外槽３に還流するように構成される。フィルタ７は所定
の孔径以上のパーティクルを除去するものであり、この
孔径以下のパーティクルはパーティクル除去部８によっ
て除去できるようにしている。又パーティクル除去部８
には電源９が接続されて、パーティクル除去装置１０を
構成している。
第２図はパーティクル除去装置の詳細な構成を示す断面
図である。本図においてパーティクル除去装置ｌＯのパ
ーティクル除去部８は、耐熱性。
図である。本図においてパーティクル除去装置ｌＯのパ
ーティクル除去部８は、耐熱性。
耐薬品性の高い材料、例えばフッ化炭素系樹脂１■によ
って構成される。パーティクル除去部Ｓ内には多数の電
極１２が夫々相対向するように配置されており、各電極
もフッ化炭素系樹脂１０によって覆われている。又電ａ
９はこれらの電極間に任意の電位差を与えることができ
るように接続されている。
って構成される。パーティクル除去部Ｓ内には多数の電
極１２が夫々相対向するように配置されており、各電極
もフッ化炭素系樹脂１０によって覆われている。又電ａ
９はこれらの電極間に任意の電位差を与えることができ
るように接続されている。
このように構成されたパーティクル除去装置１０におい
て対向する電極間に電圧を供給すると、工・ンチンダ液
に存在するパーティクルが付着したイオン性の不純物１
３が電極側に引きつけられ、工・ンチンダ液中の不純物
が除去される。又エツチング液中にはコロイド粒子が含
まれているが、コロイド粒子も例えば水素イオン（Ｈ”
）、ナトリウムイオン（Ｎａ ” ） 、カリウムイ
オン（Ｋｏ）や水酸化イオン（ＯＨ−）が吸着しており
、電荷を持つことになる。従ってこのコロイド粒子に対
してもイオン性の不純物に対する作用と同様にしてコロ
イド粒子を電極に付着させることによってエツチング液
から除去することができる。そしてエンチング液４は第
２図に矢印Ａ、Ｂで示すように、パーティクル除去部８
に常時流れているためエツチング液４の不純物、即ちイ
オン性の不純物やコロイド粒子、その他の不純物はパー
ティクル除去部８で除去される。従ってフィルタ７では
除去することができないパーティクルを除去することが
できる。そして清浄化されたエツチング液４を外槽３を
介して内槽２に供給することにより、内槽２のエツチン
グ液は常時清浄化される。特に内槽２の上層において存
在するパーティクルは極めて少なくなり、半導体基板の
エツチング終了後にエツチング液４より゛［導体基板を
引出す場合、半導体基板の表面にパーティクルが付着す
ることがなくなる。
て対向する電極間に電圧を供給すると、工・ンチンダ液
に存在するパーティクルが付着したイオン性の不純物１
３が電極側に引きつけられ、工・ンチンダ液中の不純物
が除去される。又エツチング液中にはコロイド粒子が含
まれているが、コロイド粒子も例えば水素イオン（Ｈ”
）、ナトリウムイオン（Ｎａ ” ） 、カリウムイ
オン（Ｋｏ）や水酸化イオン（ＯＨ−）が吸着しており
、電荷を持つことになる。従ってこのコロイド粒子に対
してもイオン性の不純物に対する作用と同様にしてコロ
イド粒子を電極に付着させることによってエツチング液
から除去することができる。そしてエンチング液４は第
２図に矢印Ａ、Ｂで示すように、パーティクル除去部８
に常時流れているためエツチング液４の不純物、即ちイ
オン性の不純物やコロイド粒子、その他の不純物はパー
ティクル除去部８で除去される。従ってフィルタ７では
除去することができないパーティクルを除去することが
できる。そして清浄化されたエツチング液４を外槽３を
介して内槽２に供給することにより、内槽２のエツチン
グ液は常時清浄化される。特に内槽２の上層において存
在するパーティクルは極めて少なくなり、半導体基板の
エツチング終了後にエツチング液４より゛［導体基板を
引出す場合、半導体基板の表面にパーティクルが付着す
ることがなくなる。
尚本実施例では電源９を直流電源としたが、交流電源装
置を用いその周波数を適当な値に設定することによって
イオン性の不純物を除去することが可能である。尚本実
施例では半導体基板を工。
置を用いその周波数を適当な値に設定することによって
イオン性の不純物を除去することが可能である。尚本実
施例では半導体基板を工。
チングするエツチング液としまたが、半導体基板を洗浄
する薬品、例えば硫酸、塩酸、過酸化水素硝酸、アンモ
ニア等の種々の薬品を用いることができることはいうま
でもない。
する薬品、例えば硫酸、塩酸、過酸化水素硝酸、アンモ
ニア等の種々の薬品を用いることができることはいうま
でもない。
（発明の効果ｊ
以上詳細Ｑこ説明したように本発明によれば、薬品の循
環系にパーティクル除去部を設は内槽の底部から薬品を
排出し、清浄な薬品を」７部から供給することによって
薬品中のパーティクルを除去することができる。従って
半導体供給の表面へのパーティクルの付着を有効に防止
することが可能となる。
環系にパーティクル除去部を設は内槽の底部から薬品を
排出し、清浄な薬品を」７部から供給することによって
薬品中のパーティクルを除去することができる。従って
半導体供給の表面へのパーティクルの付着を有効に防止
することが可能となる。
第１図は本発明の−・実施例による半導体製造装置の全
体構成を示す構成図、第２図はパーティクル除去装置を
示す断面図である。 １ エツチング槽、 ２−−−−内槽、 ３−一一一
外槽、 ４−＝−エツチング液、 ５− ダクト、
７−− −フィルタ、 ８−一−−−−パーティクル除
去部、９〜 電源、 １０−−パーティクル除去装置
。 特許出願人 松下電器産業株式会社
体構成を示す構成図、第２図はパーティクル除去装置を
示す断面図である。 １ エツチング槽、 ２−−−−内槽、 ３−一一一
外槽、 ４−＝−エツチング液、 ５− ダクト、
７−− −フィルタ、 ８−一−−−−パーティクル除
去部、９〜 電源、 １０−−パーティクル除去装置
。 特許出願人 松下電器産業株式会社
Claims (1)
- （１）エッチング液を保持する内槽と、 前記内槽の外周に設けられ前記内槽にエッチング液を供
給する外槽と、 前記内槽の底部と外槽との間に連結された循環用ダクト
と、 前記ダクトの間に設けられエッチング液の粒子を除去す
るフィルタと、 前記ダクトの間に設けられ相対向する電極間に電圧を印
加することによってパーティクルを除去するパーティク
ル除去装置と、を具備することを特徴とするウエットエ
ッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2173683A JPH0461329A (ja) | 1990-06-29 | 1990-06-29 | ウエットエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2173683A JPH0461329A (ja) | 1990-06-29 | 1990-06-29 | ウエットエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0461329A true JPH0461329A (ja) | 1992-02-27 |
Family
ID=15965165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2173683A Pending JPH0461329A (ja) | 1990-06-29 | 1990-06-29 | ウエットエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0461329A (ja) |
-
1990
- 1990-06-29 JP JP2173683A patent/JPH0461329A/ja active Pending
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