JPH0461506A - 電磁遅延素子及び電磁遅延線 - Google Patents
電磁遅延素子及び電磁遅延線Info
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- JPH0461506A JPH0461506A JP2171858A JP17185890A JPH0461506A JP H0461506 A JPH0461506 A JP H0461506A JP 2171858 A JP2171858 A JP 2171858A JP 17185890 A JP17185890 A JP 17185890A JP H0461506 A JPH0461506 A JP H0461506A
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- variable
- electromagnetic delay
- electromagnetic
- capacitance
- inductance
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- Measurement Of Velocity Or Position Using Acoustic Or Ultrasonic Waves (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Ultrasonic Waves (AREA)
- Ultra Sonic Daignosis Equipment (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は電磁遅延素子及び電磁遅延線に関し、例えば、
超音波診断装置において送受信信号を遅延させるための
電磁遅延素子及び電磁遅延線に関する。
超音波診断装置において送受信信号を遅延させるための
電磁遅延素子及び電磁遅延線に関する。
(従来の技術)
従来のこの種の電磁遅延素子及び電磁遅延線を第6図に
示す。同図において、遅延素子31は、インダクタ32
及びコンデンサ33から構成される装置素子31の遅延
時間td、特性インピーダンスZ0は周知のように次式
で与えられる。なお1次式において、Lはインダクタ3
2のインダクタンス値、Cはコンデンサ33の静電容量
値である。
示す。同図において、遅延素子31は、インダクタ32
及びコンデンサ33から構成される装置素子31の遅延
時間td、特性インピーダンスZ0は周知のように次式
で与えられる。なお1次式において、Lはインダクタ3
2のインダクタンス値、Cはコンデンサ33の静電容量
値である。
td=fTで−(sec)
zo=mで 〔Ω〕
この遅延素子31を、第6@に示すように所望の遅延量
tdXnが得られるように複数段(n段)カスケード接
続して電磁遅延線を構成し、この電磁遅延線の初段と終
段にインピーダンスマツチングを行うための終端抵抗3
4を接続する。ここで、遅延素子31における遅延時間
tdの決定に当たっては、通常、次の2点が考慮されて
いる。
tdXnが得られるように複数段(n段)カスケード接
続して電磁遅延線を構成し、この電磁遅延線の初段と終
段にインピーダンスマツチングを行うための終端抵抗3
4を接続する。ここで、遅延素子31における遅延時間
tdの決定に当たっては、通常、次の2点が考慮されて
いる。
■電磁遅延線に要求される周波数特性
すなわち、遅延時間tdが短く、カスケード接続段数が
多い程、周波数特性の偏位量、信号の歪みが少なくなる
。
多い程、周波数特性の偏位量、信号の歪みが少なくなる
。
■電磁遅延線の寸法
遅延素子31のカスケード接続段数が多い程、電磁遅延
線の寸法は当然長くなるため、小型化を図るにはカスケ
ード接続段数が少ないことが望まれる。
線の寸法は当然長くなるため、小型化を図るにはカスケ
ード接続段数が少ないことが望まれる。
さて、上述したような電磁遅延線が多く用いられている
装置として、例えば特願平1−293736号に示され
るように超音波の送受信により被検体の断層画像を得る
超音波診断装置を挙げることができる。以下、この種の
超音波診断装置において電磁遅延線がどのような形で用
いられるかについて説明する。
装置として、例えば特願平1−293736号に示され
るように超音波の送受信により被検体の断層画像を得る
超音波診断装置を挙げることができる。以下、この種の
超音波診断装置において電磁遅延線がどのような形で用
いられるかについて説明する。
一般的な超音波診断装置においては、複数個の超音波振
動子による送受信信号に遅延をかけて、特定の観測点に
送信超音波が収束して受信感度が向上するようになって
いる。この様子を第7図に示す。同図において、送信回
路35からの送信信号が、全体として遅延時間を段階的
に可変とした電磁遅延線すなわち可変遅延線36を通過
して所定の時間遅延され、複数の超音波振動子37に加
えられてこれらをそれぞれ励振させる。これにより、各
々の超音波振動子37から位相制御された形で超音波が
出射され、観測点Pにおいて各超音波の位相が合致して
送信超音波が観測点Pに収束することになる。
動子による送受信信号に遅延をかけて、特定の観測点に
送信超音波が収束して受信感度が向上するようになって
いる。この様子を第7図に示す。同図において、送信回
路35からの送信信号が、全体として遅延時間を段階的
に可変とした電磁遅延線すなわち可変遅延線36を通過
して所定の時間遅延され、複数の超音波振動子37に加
えられてこれらをそれぞれ励振させる。これにより、各
々の超音波振動子37から位相制御された形で超音波が
出射され、観測点Pにおいて各超音波の位相が合致して
送信超音波が観測点Pに収束することになる。
一方、受信の場合には観測点Pからの超音波が各々の超
音波振動子37により受信され、可変遅延線36によっ
て観測点Pからの信号に対して位相が合致するように整
相され、加算されて受信回路38に導かれる。なお、こ
の第7図では便宜上、送受信共同−の可変遅延線36を
使用しているが、実際には送受信各々専用の可変遅延線
が使用される。
音波振動子37により受信され、可変遅延線36によっ
て観測点Pからの信号に対して位相が合致するように整
相され、加算されて受信回路38に導かれる。なお、こ
の第7図では便宜上、送受信共同−の可変遅延線36を
使用しているが、実際には送受信各々専用の可変遅延線
が使用される。
第8図は、第7図における可変遅延線36を実現する受
信用の回路構成を示している。第7図に示したように、
超音波振動子37の数に対応する可変遅延線36を設け
ると非常に高価になるため、実際には遅延時間の短い電
磁遅延素子を複数個カスケード接続して電磁遅延線39
を構成し、長い遅延時間の実現を可能としている。第8
図において、複数個の超音波振動子37からの受信信号
を前置増幅器40により増幅し、クロスポイントスイッ
チ41へ導く。このクロスポイントスイッチ41は、第
9図に示すようにX、Y方向に複数の信号線が直交する
ように配置され、直交する各交点にスイッチ42を有す
るいわゆるマトリックススイッチである。
信用の回路構成を示している。第7図に示したように、
超音波振動子37の数に対応する可変遅延線36を設け
ると非常に高価になるため、実際には遅延時間の短い電
磁遅延素子を複数個カスケード接続して電磁遅延線39
を構成し、長い遅延時間の実現を可能としている。第8
図において、複数個の超音波振動子37からの受信信号
を前置増幅器40により増幅し、クロスポイントスイッ
チ41へ導く。このクロスポイントスイッチ41は、第
9図に示すようにX、Y方向に複数の信号線が直交する
ように配置され、直交する各交点にスイッチ42を有す
るいわゆるマトリックススイッチである。
前記第8図では、クロスポイントスイッチ41のX方向
の信号線に前置増幅器40の出力側が接続され、Y方向
の信号線は電磁遅延線39の各タップに接続されている
。このクロスポイントスイッチ41を構成する個々のス
イッチ42を1図示されていない制御回路により制御し
、個々の超音波振動子37からの受信信号に対して電磁
遅延線39により所望の遅延時間を与える。なお、第8
図において43はアンプ、44は遅延時間設定ユニット
を示す。
の信号線に前置増幅器40の出力側が接続され、Y方向
の信号線は電磁遅延線39の各タップに接続されている
。このクロスポイントスイッチ41を構成する個々のス
イッチ42を1図示されていない制御回路により制御し
、個々の超音波振動子37からの受信信号に対して電磁
遅延線39により所望の遅延時間を与える。なお、第8
図において43はアンプ、44は遅延時間設定ユニット
を示す。
第10図は、受信時のフォーカスを深さ方向に切り換え
て多段受信フォーカスを可能とする超音波診断装置用受
信ダイナミックフォーカス回路を示している。すなわち
、2系統の遅延時間設定ユニット44A、44Bを備え
、これらにより遅延時間の設定を交互に行い、遅延時間
の設定が行われていない区間をゾーン切換スイッチ45
により選択、加算して受信中のダイナミックフォーカス
を可能とするものである。例えば、8段ダイナミックフ
ォ−カスの場合、一方の設定ユニット44Aは8つのゾ
ーンのうちゾーン1,3,5.7を、また他方の設定ユ
ニット44Bはゾーン2,4,6.8を受は持ち、ゾー
ン切換スイッチ45により各設定ユニット44A、44
Bの出力を切換えて一画面を構成するようになっている
。
て多段受信フォーカスを可能とする超音波診断装置用受
信ダイナミックフォーカス回路を示している。すなわち
、2系統の遅延時間設定ユニット44A、44Bを備え
、これらにより遅延時間の設定を交互に行い、遅延時間
の設定が行われていない区間をゾーン切換スイッチ45
により選択、加算して受信中のダイナミックフォーカス
を可能とするものである。例えば、8段ダイナミックフ
ォ−カスの場合、一方の設定ユニット44Aは8つのゾ
ーンのうちゾーン1,3,5.7を、また他方の設定ユ
ニット44Bはゾーン2,4,6.8を受は持ち、ゾー
ン切換スイッチ45により各設定ユニット44A、44
Bの出力を切換えて一画面を構成するようになっている
。
この回路の欠点としては、ダイナミックフォーカスのフ
ォーカス切り換えが連続的に行われず、準連続的である
ことである。すなわち、クロスポイントスイッチ41に
スイッチ42の選択データを設定している間はフォーカ
スを切り換えることができない。例えば、超音波振動子
37の周波数を7.5MHz、その配列数を96とし、
クロスポイントスイッチ41の1個のスイッチ42の設
定に要する時間を50nsとすると、総てのスイッチ4
2を設定するには4.8μs必要となる。この時間は超
音波距離で3.7mに相当し、表示深度を501omと
するとフォーカス段数は14段となるため、準連続的な
受信ダイナミックフォーカスを可能にするものではあっ
ても、連続ダイナミックフォーカスとは言えないもので
あつた・ (発明が解決しようとする課題) 上述した如〈従来の電磁遅延線では、各電磁遅延素子の
遅延時間が固定されているため、電磁遅延線にタップを
複数設けると共に、これらのタップをクロスポイントス
イッチにより選択する制御回路が必要であり、超音波診
断装置においてはこの制御回路によるスイッチの設定に
要する時間のために連続的な受信ダイナミックフォーカ
スを実現することができず、深度方向の分解能が不十分
であった。
ォーカス切り換えが連続的に行われず、準連続的である
ことである。すなわち、クロスポイントスイッチ41に
スイッチ42の選択データを設定している間はフォーカ
スを切り換えることができない。例えば、超音波振動子
37の周波数を7.5MHz、その配列数を96とし、
クロスポイントスイッチ41の1個のスイッチ42の設
定に要する時間を50nsとすると、総てのスイッチ4
2を設定するには4.8μs必要となる。この時間は超
音波距離で3.7mに相当し、表示深度を501omと
するとフォーカス段数は14段となるため、準連続的な
受信ダイナミックフォーカスを可能にするものではあっ
ても、連続ダイナミックフォーカスとは言えないもので
あつた・ (発明が解決しようとする課題) 上述した如〈従来の電磁遅延線では、各電磁遅延素子の
遅延時間が固定されているため、電磁遅延線にタップを
複数設けると共に、これらのタップをクロスポイントス
イッチにより選択する制御回路が必要であり、超音波診
断装置においてはこの制御回路によるスイッチの設定に
要する時間のために連続的な受信ダイナミックフォーカ
スを実現することができず、深度方向の分解能が不十分
であった。
本発明は上記問題点を解決するためになされたもので、
その目的とするところは、各電磁遅延素子の遅延時間を
可変として連続的な受信ダイナミックフォーカスを可能
にした電磁遅延素子及び電磁遅延線を提供することにあ
る。
その目的とするところは、各電磁遅延素子の遅延時間を
可変として連続的な受信ダイナミックフォーカスを可能
にした電磁遅延素子及び電磁遅延線を提供することにあ
る。
(課題を解決するための手段)
上記目的を達成するため、本発明にかかる電磁遅延素子
は、この遅延素子を構成するインダクタンスとして可変
インダクタンストランスの2次側インダクタンスを用い
、前記トランスの1次側の直流電流を制御して前記2次
側インダクタンスを可変にすると共に、遅延素子を構成
する静電容量として可変容量ダイオードの静電容量を用
い、このダイオードの両端電圧を制御してその静電容量
を可変にしたものである。
は、この遅延素子を構成するインダクタンスとして可変
インダクタンストランスの2次側インダクタンスを用い
、前記トランスの1次側の直流電流を制御して前記2次
側インダクタンスを可変にすると共に、遅延素子を構成
する静電容量として可変容量ダイオードの静電容量を用
い、このダイオードの両端電圧を制御してその静電容量
を可変にしたものである。
また、本発明にかかる電磁遅延線は、上記電磁遅延素子
を複数個直列に接続したものであり、この電磁遅延線の
両端に特性インピーダンスマツチング用の終端抵抗手段
を接続する場合には、PINダイオードやFETを用い
た可変抵抗手段を接続することが望ましい。
を複数個直列に接続したものであり、この電磁遅延線の
両端に特性インピーダンスマツチング用の終端抵抗手段
を接続する場合には、PINダイオードやFETを用い
た可変抵抗手段を接続することが望ましい。
(作用)
本発明によれば、電磁遅延素子を構成する可変インダク
タンストランスの2次側インダクタンス値が1次側直流
電流(直流バイアス磁界)によって変化すると共に、可
変容量ダイオードの静電容量値がその両端に加えられる
バイアス電圧によって変化するため、これらのインダク
タンス値及び静電容量値に基づく遅延時間が可変となる
。一方、これにともなって電磁遅延素子の特性インピー
ダンスも変化するので、この特性インピーダンスに合わ
せてPINダイオード等の終端可変抵抗手段のバイアス
電流を制御し、その抵抗値を特性インピーダンスとマツ
チングさせることにより、連続可変で歪みの少ない電磁
遅延線を実現することができる。
タンストランスの2次側インダクタンス値が1次側直流
電流(直流バイアス磁界)によって変化すると共に、可
変容量ダイオードの静電容量値がその両端に加えられる
バイアス電圧によって変化するため、これらのインダク
タンス値及び静電容量値に基づく遅延時間が可変となる
。一方、これにともなって電磁遅延素子の特性インピー
ダンスも変化するので、この特性インピーダンスに合わ
せてPINダイオード等の終端可変抵抗手段のバイアス
電流を制御し、その抵抗値を特性インピーダンスとマツ
チングさせることにより、連続可変で歪みの少ない電磁
遅延線を実現することができる。
(実施例)
以下、図に沿って本発明の詳細な説明する。
第1図は本発明の一実施例の構成を示すもので。
同図において10は電磁遅延素子であり、この電磁遅延
素子10を複数個直列(カスケード)接続してその終端
に可変抵抗20をそれぞれ接続することにより、電磁遅
延線が構成されている。なお、31.32はぞれぞれ受
信信号の入力端子、出力端子である。
素子10を複数個直列(カスケード)接続してその終端
に可変抵抗20をそれぞれ接続することにより、電磁遅
延線が構成されている。なお、31.32はぞれぞれ受
信信号の入力端子、出力端子である。
ここで、電磁遅延素子10は、静電容量値が可変のコン
デンサとして機能する可変容量ダイオード11と、イン
ダクタンス値が可変のコイルとして機能する可変インダ
クタンストランス12とを備えている。また、電磁遅延
素子10の特性インビーダンスとマツチングさせるため
の終端可変抵抗手段20としては、PINダイオード2
1が用いられている。
デンサとして機能する可変容量ダイオード11と、イン
ダクタンス値が可変のコイルとして機能する可変インダ
クタンストランス12とを備えている。また、電磁遅延
素子10の特性インビーダンスとマツチングさせるため
の終端可変抵抗手段20としては、PINダイオード2
1が用いられている。
なお、第2図は可変容量ダイオード11の逆バイアス電
圧に対する容量変化を、また、第3図はPINダイオー
ド21の順電流に対する抵抗値の変化を、更に、第4図
は可変インダクタンストランス12における強磁性体(
コア)のB−H曲線をそれぞれ示している。
圧に対する容量変化を、また、第3図はPINダイオー
ド21の順電流に対する抵抗値の変化を、更に、第4図
は可変インダクタンストランス12における強磁性体(
コア)のB−H曲線をそれぞれ示している。
再び第1図において、可変インダクタンストランス12
の1次側には、可変インダクタンスバイアス電流設定信
号がベースに加えられるトランジスタ13により所望の
直流電流が流れ、第4図に示したB−H曲線のP点(ト
ランジスタで例えれば動作点)が決定される。一方、ト
ランス12の2次側は受信信号の入力端子31及び出力
端子32に接続されていて受信電流が流れることにより
、上記P点を中心としてトランス12が動作することに
なる。
の1次側には、可変インダクタンスバイアス電流設定信
号がベースに加えられるトランジスタ13により所望の
直流電流が流れ、第4図に示したB−H曲線のP点(ト
ランジスタで例えれば動作点)が決定される。一方、ト
ランス12の2次側は受信信号の入力端子31及び出力
端子32に接続されていて受信電流が流れることにより
、上記P点を中心としてトランス12が動作することに
なる。
従って、トランス12の2次側から見た時のインダグタ
ンス値りは、以下の式のようになる。
ンス値りは、以下の式のようになる。
μ0 μr 1 δB
ここで、μ0は真空の透磁率、μrは比透磁率である。
上式から、トランス12の1次側のバイアス直流電流の
値を制御することにより、2次側のインダクタンス値り
を可変できることになる。
値を制御することにより、2次側のインダクタンス値り
を可変できることになる。
この実施例では、以上のような特性を持った各素子を組
合せることにより遅延時間を可変とした電磁遅延素子1
0が構成されるが、実際にバイアス電圧/電流を設定す
る回路を含めて、この電磁遅延素子10の作用を第1図
に基づき説明する。
合せることにより遅延時間を可変とした電磁遅延素子1
0が構成されるが、実際にバイアス電圧/電流を設定す
る回路を含めて、この電磁遅延素子10の作用を第1図
に基づき説明する。
まず、可変容量ダイオード11に逆バイアス電圧が印加
されるように、オペアンプ14の入力信号として可変容
量ダイオードバイアス電圧設定信号を加える。なお、1
5は交流成分(具体的には電磁遅延線の入力端子31か
らの信号)を阻止し、オペアンプ14に対する交流成分
の影響をなくすことを目的とするインダクタンスである
。
されるように、オペアンプ14の入力信号として可変容
量ダイオードバイアス電圧設定信号を加える。なお、1
5は交流成分(具体的には電磁遅延線の入力端子31か
らの信号)を阻止し、オペアンプ14に対する交流成分
の影響をなくすことを目的とするインダクタンスである
。
一方、可変インダクタンストランス12の1次側には、
トランジスタ13及び抵抗16からなる定電流回路によ
り、トランジスタ13のベースに印加された可変インダ
クタンスバイアス電流設定信号に応じた所定の直流電流
が電源より供給される。この直流電流により、前述した
ようにトランス12の2次側のインダクタンス値が変化
するものである。
トランジスタ13及び抵抗16からなる定電流回路によ
り、トランジスタ13のベースに印加された可変インダ
クタンスバイアス電流設定信号に応じた所定の直流電流
が電源より供給される。この直流電流により、前述した
ようにトランス12の2次側のインダクタンス値が変化
するものである。
ここで、抵抗16に並列接続されたコンデンサI7は、
交流成分に対する上記定電流回路の動作阻止を目的とす
るものである。
交流成分に対する上記定電流回路の動作阻止を目的とす
るものである。
以上のようにして、可変インダクタンストランス12の
2次側インダクタンス値し及び可変ダイオード11の容
を値Cを変化させることにより、遅延時間t d(=
f丁で)及び特性インピーダンスz0(=v”f7で)
が可変となる。通常はZoを一定とし、すなわちL/C
を一定として遅延時間tdを変化させるが、可変範囲等
の問題により特性インピーダンスz0をずらす必要があ
る場合には、終端可変抵抗手段20内のPINダイオー
ド21に流れる直流電流を、可変抵抗バイアス電流設定
信号に基づいてトランジスタ22及び抵抗23からなる
定電流回路により制御し、PINダイオード21の抵抗
値を変えて前記Z。と整合させればよい。なお、終端可
変抵抗手段20内のコンデンサ24は、交流成分に対す
る定電流回路の動作阻止用である。
2次側インダクタンス値し及び可変ダイオード11の容
を値Cを変化させることにより、遅延時間t d(=
f丁で)及び特性インピーダンスz0(=v”f7で)
が可変となる。通常はZoを一定とし、すなわちL/C
を一定として遅延時間tdを変化させるが、可変範囲等
の問題により特性インピーダンスz0をずらす必要があ
る場合には、終端可変抵抗手段20内のPINダイオー
ド21に流れる直流電流を、可変抵抗バイアス電流設定
信号に基づいてトランジスタ22及び抵抗23からなる
定電流回路により制御し、PINダイオード21の抵抗
値を変えて前記Z。と整合させればよい。なお、終端可
変抵抗手段20内のコンデンサ24は、交流成分に対す
る定電流回路の動作阻止用である。
また、終端可変抵抗手段20は、電磁遅延線の前段の増
帽器側でインピーダンスマツチングが行われる場合には
不要になるため、本発明に必要不可欠の構成要素ではな
い。
帽器側でインピーダンスマツチングが行われる場合には
不要になるため、本発明に必要不可欠の構成要素ではな
い。
次に、第5図は本発明の他の実施例であり、この実施例
はインピーダンスマツチング用の終端可変抵抗手段20
としてFET25を用いたものである。
はインピーダンスマツチング用の終端可変抵抗手段20
としてFET25を用いたものである。
すなわち第5図に示すように、FET25のゲートには
可変抵抗バイアス電圧設定信号が加えられており、この
設定信号に応じてFET25のソース・ドレイン間電流
を制御し、ソース・ドレイン間抵抗を変えて特性インピ
ーダンスZ0と整合させるものである。なお、電磁遅延
素子10の構成及び動作は第1図と同一であるため、説
明を省略する。
可変抵抗バイアス電圧設定信号が加えられており、この
設定信号に応じてFET25のソース・ドレイン間電流
を制御し、ソース・ドレイン間抵抗を変えて特性インピ
ーダンスZ0と整合させるものである。なお、電磁遅延
素子10の構成及び動作は第1図と同一であるため、説
明を省略する。
(発明の効果)
以上のように本発明によれば、可変インダクタンストラ
ンス及び可変容量ダイオードにより遅延時間を可変とし
た電磁遅延素子を構成し、この電磁遅延素子を複数個直
列接続して電磁遅延線を構成すると共に、必要に応じて
PINダイオードやFETを用いた終端可変抵抗手段に
よりインピーダンスマツチングを行うものであるため、
遅延時間を少なくとも10倍まで可変にすることができ
、超音波診断装置における連続的な受信ダイナミックフ
ォーカスを可能にして深度方向の分解能を向上させるこ
とができる。
ンス及び可変容量ダイオードにより遅延時間を可変とし
た電磁遅延素子を構成し、この電磁遅延素子を複数個直
列接続して電磁遅延線を構成すると共に、必要に応じて
PINダイオードやFETを用いた終端可変抵抗手段に
よりインピーダンスマツチングを行うものであるため、
遅延時間を少なくとも10倍まで可変にすることができ
、超音波診断装置における連続的な受信ダイナミックフ
ォーカスを可能にして深度方向の分解能を向上させるこ
とができる。
第1図は本発明の一実施例を示す電磁遅延線の構成図、
第2図は可変容量ダイオードの電気的特性図、第3図は
PINダイオードの電気的特性図、第4図は強磁性体の
B−H曲線の説明図、第5図は本発明の他の実施例を示
す電磁遅延線の構成図、第6図ないし第10図は従来の
技術を説明するためのもので、第6図は電磁遅延線の構
成図、第7図は超音波診断装置において電磁遅延線を用
いた音波の収束を示す説明図、第8図は同じく受信信号
に対する可変遅延ユニットの説明図、第9図はクロスポ
イントスイッチの等価回路図、第10図は超音波診断装
置におレブる受信ダイナミックフォーカスの回路図であ
る。
第2図は可変容量ダイオードの電気的特性図、第3図は
PINダイオードの電気的特性図、第4図は強磁性体の
B−H曲線の説明図、第5図は本発明の他の実施例を示
す電磁遅延線の構成図、第6図ないし第10図は従来の
技術を説明するためのもので、第6図は電磁遅延線の構
成図、第7図は超音波診断装置において電磁遅延線を用
いた音波の収束を示す説明図、第8図は同じく受信信号
に対する可変遅延ユニットの説明図、第9図はクロスポ
イントスイッチの等価回路図、第10図は超音波診断装
置におレブる受信ダイナミックフォーカスの回路図であ
る。
Claims (3)
- (1)インダクタンス及び静電容量により入力信号を遅
延させて出力する電磁遅延素子において、前記インダク
タンスとして可変インダクタンストランスの2次側イン
ダクタンスを用い、前記トランスの1次側の直流電流を
制御して前記2次側インダクタンスを可変にすると共に
、 前記静電容量として可変容量ダイオードの静電容量を用
い、前記可変容量ダイオードの両端電圧を制御してその
静電容量を可変にしたことを特徴とする電磁遅延素子。 - (2)インダクタンス及び静電容量により入力信号を遅
延させて出力する電磁遅延素子であって、前記インダク
タンスとして可変インダクタンストランスの2次側イン
ダクタンスを用い、前記トランスの1次側の直流電流を
制御して前記2次側インダクタンスを可変にすると共に
、前記静電容量として可変容量ダイオードの静電容量を
用い、前記可変容量ダイオードの両端電圧を制御してそ
の静電容量を可変にした電磁遅延素子を形成し、この電
磁遅延素子を複数個直列に接続したことを特徴とする電
磁遅延線。 - (3)複数個の電磁遅延素子の直列回路の始端及び終端
に、前記電磁遅延素子の特性インピーダンスにマッチン
グさせるための終端可変抵抗手段を備えた請求項(2)
記載の電磁遅延線。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2171858A JPH0461506A (ja) | 1990-06-29 | 1990-06-29 | 電磁遅延素子及び電磁遅延線 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2171858A JPH0461506A (ja) | 1990-06-29 | 1990-06-29 | 電磁遅延素子及び電磁遅延線 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0461506A true JPH0461506A (ja) | 1992-02-27 |
Family
ID=15931090
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2171858A Pending JPH0461506A (ja) | 1990-06-29 | 1990-06-29 | 電磁遅延素子及び電磁遅延線 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0461506A (ja) |
-
1990
- 1990-06-29 JP JP2171858A patent/JPH0461506A/ja active Pending
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