JPH046157Y2 - - Google Patents
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- JPH046157Y2 JPH046157Y2 JP1986200077U JP20007786U JPH046157Y2 JP H046157 Y2 JPH046157 Y2 JP H046157Y2 JP 1986200077 U JP1986200077 U JP 1986200077U JP 20007786 U JP20007786 U JP 20007786U JP H046157 Y2 JPH046157 Y2 JP H046157Y2
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- Japan
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- film
- back electrode
- thickness
- metal
- molybdenum
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Description
【考案の詳細な説明】
産業上の利用分野
本考案は良好な表示特性を呈するEL発光素子
等の表示装置に関し、特に詳しくはよりコントラ
ストが高くされた裏面電極を備えた表示装置に関
する。
等の表示装置に関し、特に詳しくはよりコントラ
ストが高くされた裏面電極を備えた表示装置に関
する。
従来の技術
表示装置として、例えば薄膜ELマトリクス型
デイスプレイパネルの一般的な構造例を、第３図
を参照しながら説明する。尚、第３図の右半分は
Ｘ方向の断面図、左半分はＸ方向と直交するＹ方
向の断面図である。第３図において、１は透光性
基板であるガラス基板、２は該ガラス基板１上に
形成されたマトリクス型薄膜EL素子である。上
記薄膜EL素子２において、３は上記ガラス基板
１上にI.T.O等を蒸着法によりＸ方向に定ピツチ
で多数のストライプ状に形成した透明電極、４は
透明電極３およびガラス基板１上にAl2O3，Y2
O3，Ta2O5等を蒸着又はスパツタ法で形成した
透明な第１の絶縁層、５はこの第１の絶縁層４上
にZnS：Mn等を蒸着法等で形成した発光層、６
は該発光層５上に、Al2O3，Y2O3，Ta2O5等を蒸
着法やスパツタ法により形成した透明な第２の絶
縁層、７は第２の絶縁層６上にＹ方向に定ピツチ
で多数のストライプ状に形成したAl蒸着膜によ
る裏面電極である。
デイスプレイパネルの一般的な構造例を、第３図
を参照しながら説明する。尚、第３図の右半分は
Ｘ方向の断面図、左半分はＸ方向と直交するＹ方
向の断面図である。第３図において、１は透光性
基板であるガラス基板、２は該ガラス基板１上に
形成されたマトリクス型薄膜EL素子である。上
記薄膜EL素子２において、３は上記ガラス基板
１上にI.T.O等を蒸着法によりＸ方向に定ピツチ
で多数のストライプ状に形成した透明電極、４は
透明電極３およびガラス基板１上にAl2O3，Y2
O3，Ta2O5等を蒸着又はスパツタ法で形成した
透明な第１の絶縁層、５はこの第１の絶縁層４上
にZnS：Mn等を蒸着法等で形成した発光層、６
は該発光層５上に、Al2O3，Y2O3，Ta2O5等を蒸
着法やスパツタ法により形成した透明な第２の絶
縁層、７は第２の絶縁層６上にＹ方向に定ピツチ
で多数のストライプ状に形成したAl蒸着膜によ
る裏面電極である。
尚、上記薄膜EL素子２を囲繞するように、凹
板状のカバーガラス８をガラス基板１上に接着剤
を介して固着することにより、薄膜ELマトリク
ス型デイスプレイパネルが構成され、更に上記ガ
ラス基板１とカバーガラス８からなる外囲器内
に、薄膜EL素子２の耐湿性を向上させるためシ
リコンオイル等の絶縁性保護流体が封入される
（特開昭57−7086号公報）。
板状のカバーガラス８をガラス基板１上に接着剤
を介して固着することにより、薄膜ELマトリク
ス型デイスプレイパネルが構成され、更に上記ガ
ラス基板１とカバーガラス８からなる外囲器内
に、薄膜EL素子２の耐湿性を向上させるためシ
リコンオイル等の絶縁性保護流体が封入される
（特開昭57−7086号公報）。
この薄膜ELマトリクス型デイスプレイパネル
では、透明電極３と裏面電極７がマトリクス状に
交差して、多数のマトリクス状の画素を形成す
る。
では、透明電極３と裏面電極７がマトリクス状に
交差して、多数のマトリクス状の画素を形成す
る。
この透明電極３と裏面電極７の間に駆動電圧を
選択的に印加すると、発光層５の画素部分が選択
的に発光して所望の情報のドツトマトリクス表示
が行われる。
選択的に印加すると、発光層５の画素部分が選択
的に発光して所望の情報のドツトマトリクス表示
が行われる。
ところで、上記薄膜EL素子２は、裏面電極７
をＡ蒸着膜で形成してあるため、太陽光などの強
い外来光のある場所で使用すると、外来光が裏面
電極７で反射されてパネル前面に出てくるため、
点灯時のコントラストが低いという問題点があ
る。
をＡ蒸着膜で形成してあるため、太陽光などの強
い外来光のある場所で使用すると、外来光が裏面
電極７で反射されてパネル前面に出てくるため、
点灯時のコントラストが低いという問題点があ
る。
そこで、コントラストを改善するために各種の
裏面電極が提案されている。第４図は光吸収多層
膜で構成した裏面電極９を備えた薄膜ELパネル
の一例の断面図を示す。図において、裏面電極９
を除いては第３図と同様であるので同一部分には
同一参照符号を付してその説明を省略する。
裏面電極が提案されている。第４図は光吸収多層
膜で構成した裏面電極９を備えた薄膜ELパネル
の一例の断面図を示す。図において、裏面電極９
を除いては第３図と同様であるので同一部分には
同一参照符号を付してその説明を省略する。
この裏面電極９は、モリブデン（Mo）、クロ
ム（Cr）、タンタル（Ta）等の低反射率の金属半
透明膜１０と金属膜１２で酸化アルミニウム
（Al2O3）等の誘電体膜１１を挟持した構造で、
外来光を反復吸収させるものである。その金属膜
１２は、従来安価で薄膜ELデイスプレイパネル
の裏面電極として実績のあるアルミニウム（Al）
が使われることが多かつた（例えば特開昭59−
146193号公報）。
ム（Cr）、タンタル（Ta）等の低反射率の金属半
透明膜１０と金属膜１２で酸化アルミニウム
（Al2O3）等の誘電体膜１１を挟持した構造で、
外来光を反復吸収させるものである。その金属膜
１２は、従来安価で薄膜ELデイスプレイパネル
の裏面電極として実績のあるアルミニウム（Al）
が使われることが多かつた（例えば特開昭59−
146193号公報）。
このような光吸収多層膜よりなる裏面電極９を
備えた薄膜ELデイスプレイパネルは、裏面電極
９で外来光を吸収できるので、コントラストがか
なり改善される。
備えた薄膜ELデイスプレイパネルは、裏面電極
９で外来光を吸収できるので、コントラストがか
なり改善される。
考案が解決しようとする問題点
しかしながら、従来例の様に金属膜１２がアル
ミニウム（Al）で形成された裏面電極９の構造
では、理由は明確ではないが、突発的に絶縁破壊
することが多かつた。また、破壊モードも伝播性
であり裏面電極９が切断されやすくて、素子に対
する信頼性に問題があつた。
ミニウム（Al）で形成された裏面電極９の構造
では、理由は明確ではないが、突発的に絶縁破壊
することが多かつた。また、破壊モードも伝播性
であり裏面電極９が切断されやすくて、素子に対
する信頼性に問題があつた。
さらに、金属膜１２が反射率の高いアルミニウ
ム（Al）で形成されているので、金属半透明膜
１０や誘電体膜１１の膜厚の制御を非常に精度良
く行わなければ黒色が得られず、色再現性や歩留
に問題があつた。
ム（Al）で形成されているので、金属半透明膜
１０や誘電体膜１１の膜厚の制御を非常に精度良
く行わなければ黒色が得られず、色再現性や歩留
に問題があつた。
問題点を解決するための手段
裏面電極が低反射率の金属半透明膜と金属膜と
で誘電体膜を挟持した構造である光吸収多層膜に
よつて構成された表示装置において、 前記金属半透明膜が50Å〜300Åの膜厚のモリ
ブデン（Mo）であり、前記誘電体膜が300Å〜
750Åの膜厚の酸化アルミニウム（Al2O3）であ
り、最上層の金属膜が300Å以上のモリブデン
（Mo）であることを特徴とするものである。
で誘電体膜を挟持した構造である光吸収多層膜に
よつて構成された表示装置において、 前記金属半透明膜が50Å〜300Åの膜厚のモリ
ブデン（Mo）であり、前記誘電体膜が300Å〜
750Åの膜厚の酸化アルミニウム（Al2O3）であ
り、最上層の金属膜が300Å以上のモリブデン
（Mo）であることを特徴とするものである。
作 用
このような構成では、外来光が半透明モリブデ
ン（Mo）膜で一部が吸収され、透過した部分は
金属モリブデン（Mo）膜と半透明モリブデン
（Mo）膜との間で反復し、減衰吸収されるほか、
光吸収多層膜の干渉効果による減衰効果も相乗
し、裏面電極にする外光の反射率が大幅に低下す
るので黒色として見え、コントラストが向上す
る。
ン（Mo）膜で一部が吸収され、透過した部分は
金属モリブデン（Mo）膜と半透明モリブデン
（Mo）膜との間で反復し、減衰吸収されるほか、
光吸収多層膜の干渉効果による減衰効果も相乗
し、裏面電極にする外光の反射率が大幅に低下す
るので黒色として見え、コントラストが向上す
る。
また、最上層の金属膜もMoにしたので、反射
率が低下して光の減衰量が増加し、その分干渉効
果による減衰量に余裕が生じるので、誘電体膜の
膜厚変動の許容量を大きくできて、製造上有利と
なりコストが低下する。
率が低下して光の減衰量が増加し、その分干渉効
果による減衰量に余裕が生じるので、誘電体膜の
膜厚変動の許容量を大きくできて、製造上有利と
なりコストが低下する。
さらに、最上層の金属膜をAlにかえてMoにし
たので、電気的耐圧が向上し、伝播型絶縁破壊も
防止できて、裏面電極の断線を防止できる。
たので、電気的耐圧が向上し、伝播型絶縁破壊も
防止できて、裏面電極の断線を防止できる。
実施例
以下、この考案の実施例について、図面を参照
して説明する。
して説明する。
第１図はこの考案を実施した薄膜ELデイスプ
レイパネルの断面図を示す。図において、光吸収
多層膜で構成した裏面電極１３を除いては、第２
図および第３図と同様であるため、同一部分に同
一参照符号を付してその説明を省略する。この裏
面電極１３は、第２絶縁層６上に形成した厚さ
10nmのモリブデン（Mo）よりなる低反射率の金
属半透明膜１４と、金属半透明膜１４上に形成し
た厚さ45nmの酸化アルミニウム（Al2O3）より
なる誘電体膜１５と、誘電体膜１５の上に形成し
た厚さ200nmのモリブデン（Mo）よりなる金属
膜１６とを積層した光吸収多層膜で形成されてい
る。
レイパネルの断面図を示す。図において、光吸収
多層膜で構成した裏面電極１３を除いては、第２
図および第３図と同様であるため、同一部分に同
一参照符号を付してその説明を省略する。この裏
面電極１３は、第２絶縁層６上に形成した厚さ
10nmのモリブデン（Mo）よりなる低反射率の金
属半透明膜１４と、金属半透明膜１４上に形成し
た厚さ45nmの酸化アルミニウム（Al2O3）より
なる誘電体膜１５と、誘電体膜１５の上に形成し
た厚さ200nmのモリブデン（Mo）よりなる金属
膜１６とを積層した光吸収多層膜で形成されてい
る。
第２図の曲線Ａは、第１、第２絶縁層４，６を
スパツタ法で厚さ500nmの五酸化タンタル（Ta2
O5、屈折率2.10）で形成した薄膜ELデイスプレ
イパネルにおける酸化アルミニウム（Al2O3）よ
りなる誘電体膜１５の厚さ対反射率の特性図で、
金属膜がアルミニウム（Al）よりなる従来の薄
膜ELデイスプレイパネルの特性曲線Ｂも併示し
てある。この第２図から明らかなように、この考
案による裏面電極１３を備えたものは、従来品に
対して、反射率が７〜８％低下している。また、
第１、第２絶縁層４，６を、電子ビーム蒸着法で
厚さ500nmの酸化アルミニウム（Al2O3、屈折率
1.63）で形成したパネルにおける特性曲線Ｃも、
ほぼ曲線Ａと同様の反射率を示している。
スパツタ法で厚さ500nmの五酸化タンタル（Ta2
O5、屈折率2.10）で形成した薄膜ELデイスプレ
イパネルにおける酸化アルミニウム（Al2O3）よ
りなる誘電体膜１５の厚さ対反射率の特性図で、
金属膜がアルミニウム（Al）よりなる従来の薄
膜ELデイスプレイパネルの特性曲線Ｂも併示し
てある。この第２図から明らかなように、この考
案による裏面電極１３を備えたものは、従来品に
対して、反射率が７〜８％低下している。また、
第１、第２絶縁層４，６を、電子ビーム蒸着法で
厚さ500nmの酸化アルミニウム（Al2O3、屈折率
1.63）で形成したパネルにおける特性曲線Ｃも、
ほぼ曲線Ａと同様の反射率を示している。
すなわち、金属膜がアルミニウム（Al）膜の
時も同様に黒色化することができるが、反射率が
高いため光吸収効率が悪く、また誘電体膜等は、
設定値から膜厚がわずかにずれても吸収率は著し
く低下してしまう。例えば金属膜がアルミニウム
（Al）膜の場合、誘電体（酸化アルミニウム）膜
の膜厚は±30Åのずれが致命的であつたが、金属
膜がモリブデン（Mo）膜の場合±60Å程度まで
許容することができる。膜厚変動の許容量が増加
することは、製造上極めて有利で、コストが低下
する効果がある。さらに第２絶縁層６の屈折率が
高くなればなるほど金属膜の吸収効率の差は大き
くなり、モリブデン（Mo）膜が有利になる。例
えば、第２絶縁層６が、屈折率が1.63の酸化アル
ミニウム（Al2O3）の場合、最適した条件で素子
全体の反射率は両者とも６〜８％程度あるが、第
２絶縁層６が屈折率が2.10の五酸化タンタル
（Ta2O5）の場合、金属膜がモリブデン（Mo）の
時８％に収まるが、アルミニウム（Al）では最
適値でも15％以上になつてしまう。
時も同様に黒色化することができるが、反射率が
高いため光吸収効率が悪く、また誘電体膜等は、
設定値から膜厚がわずかにずれても吸収率は著し
く低下してしまう。例えば金属膜がアルミニウム
（Al）膜の場合、誘電体（酸化アルミニウム）膜
の膜厚は±30Åのずれが致命的であつたが、金属
膜がモリブデン（Mo）膜の場合±60Å程度まで
許容することができる。膜厚変動の許容量が増加
することは、製造上極めて有利で、コストが低下
する効果がある。さらに第２絶縁層６の屈折率が
高くなればなるほど金属膜の吸収効率の差は大き
くなり、モリブデン（Mo）膜が有利になる。例
えば、第２絶縁層６が、屈折率が1.63の酸化アル
ミニウム（Al2O3）の場合、最適した条件で素子
全体の反射率は両者とも６〜８％程度あるが、第
２絶縁層６が屈折率が2.10の五酸化タンタル
（Ta2O5）の場合、金属膜がモリブデン（Mo）の
時８％に収まるが、アルミニウム（Al）では最
適値でも15％以上になつてしまう。
また、電気的にも金属膜がモリブデン（Mo）
の方が耐圧良好で、破壊モードもピンホール型で
あることが実験から判明した。
の方が耐圧良好で、破壊モードもピンホール型で
あることが実験から判明した。
また、実験の結果、光吸収機能を最適にするに
は第２絶縁層６の屈折率にも左右されるが、下記
条件で黒色化することがわかつた。
は第２絶縁層６の屈折率にも左右されるが、下記
条件で黒色化することがわかつた。
半透明モリブデン（Mo）膜14：50≦ｘ≦300
（Å） 酸化アルミニウム（Al2O3）膜15：200≦ｘ≦800
（Å） 金属モリブデン（Mo）膜16：ｘ≦300（Å） さらに、従来のアルミニウム（Al）で金属膜
を形成した裏面電極を有する薄膜ELデイスプレ
イパネルにおいては、定格電圧の倍の電圧で駆動
したとき、全画素数の1/4〜1/5の画素が絶縁破壊
により不発光となつたが、この考案によるモリブ
デン（Mo）で金属膜１６を形成した裏面電極１
３を有する薄膜ELデイスプレイパネルにおいて
は、同一駆動条件で不発光となつた画素は零であ
つた。
（Å） 酸化アルミニウム（Al2O3）膜15：200≦ｘ≦800
（Å） 金属モリブデン（Mo）膜16：ｘ≦300（Å） さらに、従来のアルミニウム（Al）で金属膜
を形成した裏面電極を有する薄膜ELデイスプレ
イパネルにおいては、定格電圧の倍の電圧で駆動
したとき、全画素数の1/4〜1/5の画素が絶縁破壊
により不発光となつたが、この考案によるモリブ
デン（Mo）で金属膜１６を形成した裏面電極１
３を有する薄膜ELデイスプレイパネルにおいて
は、同一駆動条件で不発光となつた画素は零であ
つた。
なお、上記実施例は、この考案を薄膜ELデイ
スプレイパネルに実施した場合について説明した
が、透明電極と裏面電極とで表示媒体を挟持し
て、両電極間に電圧を印加する表示装置には、同
様に実施できる。
スプレイパネルに実施した場合について説明した
が、透明電極と裏面電極とで表示媒体を挟持し
て、両電極間に電圧を印加する表示装置には、同
様に実施できる。
なお、金属モリブデン（Mo）膜１６の膜厚の
上限は、取り出し電極との適合性、製造コスト等
など他の観点から決定される。実用的には5000Å
位が限度である。
上限は、取り出し電極との適合性、製造コスト等
など他の観点から決定される。実用的には5000Å
位が限度である。
また、誘電体膜である酸化アルミニウム膜の最
適範囲は第２図で反射率が約10％以下となる300
Å〜750Åが望ましい。
適範囲は第２図で反射率が約10％以下となる300
Å〜750Åが望ましい。
考案の効果
以上説明したように、この考案は裏面電極を、
低反射率の金属半透明膜とモリブデン（Mo）よ
るなる金属膜とでの誘電体膜を挟持した光吸収多
層膜で構成したので、従来のアルミニウム（Al）
よりなる金属膜を用いた光吸収多層膜で構成され
た裏面電極を備えた表示装置に比較して、コント
ラストを向上できるのみならず、膜厚の制御がラ
フでよいので、量産性に優れ、さらに破壊が生じ
にくく、信頼性の高い表示装置が得られる。
低反射率の金属半透明膜とモリブデン（Mo）よ
るなる金属膜とでの誘電体膜を挟持した光吸収多
層膜で構成したので、従来のアルミニウム（Al）
よりなる金属膜を用いた光吸収多層膜で構成され
た裏面電極を備えた表示装置に比較して、コント
ラストを向上できるのみならず、膜厚の制御がラ
フでよいので、量産性に優れ、さらに破壊が生じ
にくく、信頼性の高い表示装置が得られる。
第１図はこの考案を実施した薄膜ELデイスプ
レイパネルの断面図で、第２図は薄膜ELデイス
プレイパネルにおける裏面電極の誘電体膜の厚さ
対反射率の特性図である。第３図は従来一般の薄
膜ELデイスプレイパネルの断面図で、第４図は
コントラストを改善した薄膜ELデイスプレイパ
ネルの断面図である。 １３……裏面電極、１４……半透明金属膜、１
５……誘電体膜、１６……金属膜。
レイパネルの断面図で、第２図は薄膜ELデイス
プレイパネルにおける裏面電極の誘電体膜の厚さ
対反射率の特性図である。第３図は従来一般の薄
膜ELデイスプレイパネルの断面図で、第４図は
コントラストを改善した薄膜ELデイスプレイパ
ネルの断面図である。 １３……裏面電極、１４……半透明金属膜、１
５……誘電体膜、１６……金属膜。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 前面の透明電極と裏面電極との間に表示媒体を
挟持し、両電極間に電圧を印加する表示装置であ
つて、 前記裏面電極が、低反射率の金属半透明膜と金
属膜とで誘電体膜を挟持した構造である光吸収多
層膜によつて構成された表示装置において、 前記金属半透明膜が50Å〜300Åの膜厚のモリ
ブデン（Mo）であり、前記誘電体膜が300Å〜
750Åの膜厚の酸化アルミニウム（Al2O3）であ
り、最上層の金属膜が300Å以上のモリブデン
（Mo）であることを特徴とする表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986200077U JPH046157Y2 (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986200077U JPH046157Y2 (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63105183U JPS63105183U (ja) | 1988-07-07 |
| JPH046157Y2 true JPH046157Y2 (ja) | 1992-02-20 |
Family
ID=31162254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986200077U Expired JPH046157Y2 (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH046157Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100875097B1 (ko) * | 2002-09-18 | 2008-12-19 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 광학 공진 효과를 이용한 유기 전계발광 소자 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5746493A (en) * | 1980-09-01 | 1982-03-16 | Sharp Kk | Electrode structure for thin film el panel |
| JPS60193295A (ja) * | 1984-03-13 | 1985-10-01 | 日産自動車株式会社 | 薄膜ｅｌ素子 |
-
1986
- 1986-12-26 JP JP1986200077U patent/JPH046157Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63105183U (ja) | 1988-07-07 |
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