JPH0462068B2 - - Google Patents

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JPH0462068B2
JPH0462068B2 JP56088781A JP8878181A JPH0462068B2 JP H0462068 B2 JPH0462068 B2 JP H0462068B2 JP 56088781 A JP56088781 A JP 56088781A JP 8878181 A JP8878181 A JP 8878181A JP H0462068 B2 JPH0462068 B2 JP H0462068B2
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heterocyclic
hydroxyl group
aromatic
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Aane Herumuuto
Kyuun Ebaaharuto
Ruubunaa Rooranto
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Siemens Corp
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Siemens Corp
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Publication of JPH0462068B2 publication Critical patent/JPH0462068B2/ja
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    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G03F7/0387—Polyamides or polyimides
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    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/0683—Polycondensates containing six-membered rings, condensed with other rings, with nitrogen atoms as the only ring hetero atoms
    • C08G73/0694—Polycondensates containing six-membered rings, condensed with other rings, with nitrogen atoms as the only ring hetero atoms with only two nitrogen atoms in the ring, e.g. polyquinoxalines
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    • C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
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Description

【発明の詳細な説明】
本発明は、放射に感応する可溶性のポリマー前
駆物質を層又は箔の形で基材上に設け、層又は箔
を陰画マスクを介して活性光で照射するか、又は
ビーム、電子ビーム又はイオンビームを導き、照
射されなかつた層又は箔部分を除去し、場合によ
つては続いてテンパー処理することにより、複素
環構造を有するポリマーをベースとする耐高熱性
のレリーフ構造体を製造する方法に関する。 特公昭55−30207号公報から前記形式のレリー
フ構造体の製造方法は公知である。この方法では
可溶性ポリマー前駆物質として放射感応基を有す
る多官能性の炭素環状又は複素環状化合物とジア
ミン、ジイソシアネート、ビス酸性クロリド又は
ジカルボン酸との重付加物又は重縮合生成物が使
用される。この場合光線に敏感な基を有する化合
物は付加反応又は縮合反応に適した２個のカルボ
キシル基、カルボン酸クロリド基、アミノ基、イ
ソシアネート基又はヒドロキシル基及び部分的に
そのオルト位又はペリ位でエステル様にカルボキ
シル基に結合した放射感応基を含む。これらの化
合物と反応するジアミン、ジイソシアネート、ビ
ス酸性クロリド及びジカルボン酸は少なくとも１
個の環状構造素子を有する。 可溶性のポリマー前駆物質は照射に際して網状
化し、その際不溶性の中間生成物に移行する。こ
の中間生成物はテンパー処理により閉環し、次の
物質群の耐高熱性ポリマー、すなわちポリイミド
（ポリアミドイミド及びポリエステルイミド）、ポ
リ−１，３−キナゾリン２，６−ジオン、ポリイ
ソインドールキナゾリンジオン、ポリ−１，３−
オキサジン−６−オン及びポリベンズ−１，３−
オキサジン−２，４−ジオンを生じる。 この公知の方法で製造したレリーフ構造体は実
地上有用なものとして使用されている。しかしま
たポリマー前駆物質に帰因する欠点を有すること
も指摘されている。すなわちこの物質は有機溶剤
にのみ可溶性であることから、取扱いはこの種の
溶剤中でのみ行うことができるにすぎず、またポ
リマー前駆物質から照射により製造された構造体
も有機溶剤で現像し得るにすぎない。更に露光さ
れなかつた部分を除去するために有機現像剤を使
用した場合、特にその毒性及び可燃性に問題があ
りまた廃棄物処理の問題もある。 本発明の目的は、ポリマー前駆物質からレリー
フ構造体を製造する最初に記載した形式の方法を
更に改良し、特に有機現像剤を使用することに帰
因する問題点を除去することにある。 この目的は本発明によれば、ポリマー前駆物質
として環状の無水カルボン酸とヒドロキシル基含
有化合物との付加生成物を使用し、その際ヒドロ
キシル基含有化合物が、 ａ 芳香族及び／又は複素環式テトラカルボン酸
二無水物とジアミノ化合物又は少なくとも１個
のオルト位アミド基を有するジアミノ化合物と
から成るカルボキシル基含有重付加生成物へ
の、又は芳香族及び／又は複素環式ジヒドロキ
シカルボン酸又は相応するジアミノジカルボン
酸とジイソシアネートとから成るカルボキシル
基含有重付加生成物への、或いは、 ｂ 芳香族及び／又は複素環式テトラアミノ化合
物とジカルボン酸クロリド又は−エステルとの
アミノ基含有重縮合生成物への、又はテトラア
ミノ化合物とテトラカルボン酸二無水物とから
成るアミノ基含有重付加生成物への、或いは、 ｃ 芳香族及び／又は複素環式ジヒドロキシジア
ミノ化合物とジカルボン酸クロリド又は−エス
テルとのヒドロキシル基含有重縮合生成物へ
の、オレフイン不飽和モノエポキシドの付加生
成物であることによつて達成される。 本発明によればレリーフ構造体は簡単な方法で
製造することができる。それというのもこの場合
に使用したポリマー前駆物質は水−アルカリ性溶
剤に充分に可溶性であるからである。その結果ネ
ガのレジストをベースとするポリマーを製造する
場合に現像をポジのレジストの場合と同様に、す
なわち水−アルカリ性現像液を使用して実施する
ことが可能となる。その場合ポジのレジスト現像
剤及び現像装置を使用できるという経済上の利点
ばかりでなく、有機現像剤を使用した場合に存在
する毒性及び可燃性のような危険及び廃棄物処理
時の問題点もなくなり、従つて健康上及び生態学
上の利点がもたらされる。 本発明方法ではポリマー前駆物質を光及び放射
に感応する共重合可能の化合物とともに有利に使
用することができる。このためにはＮ−置換マレ
インイミドを使用することが好ましい。しかしア
クリレート又はメタクリレート基含有化合物を使
用することもできる。更に常用の光開始剤及び／
又は光増感剤も使用可能である（“Industrie
Chimique Belge”、第24巻、1959年、第739頁〜
第764頁並びにJ.Kosar 著、“Light−Sensitive
Systems”、John Wiley ＆ Sons Inc.出版，
New York 在1965年、第143頁〜第146頁及び
第160頁〜第180頁参照）。特に適当なのはミヒラ
ーケトン及び又はベンゾインエーテル、２−３級
ブチル−９，10−アントラキノン、１，２−ベン
ズ−９，10−アトラキノン及び４，4′−ビス（ジ
エチルアミノ）−ベンゾフエノンである。更に本
発明方法では付着剤を使用すると有利である。こ
の目的では特にシラン、例えばビニルトリエトキ
シシラン、ビニル−トリス（β−メトキシ−エト
キシ）−シラン、γ−メタクリルオキシ−プロピ
ル−トリメトキシシラン及びγ−グリシドオキシ
−プロピル−トリメトキシシランを使用する。 本発明方法で使用した、オリゴマー及び／又は
ポリマーである放射感応性前駆物質は、一般に次
の構造を有している。 (1)式及び(2)式中ｎは２〜約100の整数を表し、
ｍ，ｖ及びＷは０又は１である。Ｒ，R1，R2，
R3，Ａ及びＤは次のものを表す。 Ｒは場合によつてはハロゲン化されていてもよ
い、少なくとも部分的な芳香族及び／又は複素環
式４価の基、すなわち４官能性の基であり、その
各２原子価は互いに隣接して配置されており、基
Ｒが数個の芳香族及び／又は複素環式構造単位を
有する場合、原子価対はそれぞれ末端位のこの種
構造単位に存在し、 R′は場合によつてはハロゲン化されていても
よい２価の基、すなわち場合によつてはハロゲン
原子を有していてもよい脂肪族及び／又は脂環式
構造の、及び／又は、芳香族及び／又は複素環式
構造の２官能性基であり、 R2はオレフイン不飽和基、例えばアリルエー
テル含有又はマレインイミド含有基、及び特に場
合によつては置換されていてもよい（メタ）アク
リルエステル含有基であり、 R3は場合によつてはハロゲン化されていても
よい２価の基、すなわち脂肪族及び／又は脂環式
の、オレフイン不飽和の及び／又は、芳香族及
び／又は複素環式構造の２官能性基であり、 Ａは−Ｏ−，−NH−，又は
【式】を 表し、またＤは
【式】−Ｏ−，−Ｓ−，− NH− 又は
【式】を表す。 この場合次の条件が存在する。 ｍ＝１及びｖ＝１の場合、Ａ＝−NH−又は−
Ｏ−及び
【式】 ｍ＝０及びｖ＝１の場合、
【式】 ｍ＝１及びｖ＝０の場合、
【式】 Ｄ＝−Ｏ−，−Ｓ−，−NH−又は ｍ＝０及びｗ＝０の場合、ｖ＝１である。 この場合有利なのは次式(3)〜(9)で表されるポリ
マー前駆物質である。 (3) 無水カルボン酸とポリイミド前駆物質とから
の付加生成物はピロメリツト酸二無水物及び
４，4′−ジアミノジフエニルエーテルからの重
付加生成物にグリシジルメタクリレートを付加
することによつて得る。 (4) 無水カルボン酸とポリイソインドールキナゾ
リンジオン前駆物質とからの付加生成物は、ピ
ロメリツト酸二無水物と４，4′−ジアミノジフ
エニル−３，３−ジカルボン酸アミドとからの
重付加生成物にグリシジルメタクリレートを付
加することによつて得る。 (5) 無水カルボン酸とポリオキサジンジオン前駆
物質とからの付加生成物は、４，4′−ジヒドロ
キシジフエニルメタン−３，3′−ジカルボン酸
と４，4′−ジフエニルメタンジイソシアネート
とからの重付加生成物にグリシジルアクリレー
トを付加することによつて得る。 (6) 無水カルボン酸とポリキナゾリンジオン前駆
物質とからの付加生成物は、４，4′−ジアミノ
ジフエニルメタン−３，3′−ジカルボン酸と
４，4′−ジフエニルメタンジイソシアネートと
からの重付加生成物にグリシジルアクリレート
を付加することによつて得る。 (7) 無水カルボン酸とポリイミダゾール前駆物
質、すなわち特にポリベンズイミダゾール前駆
物質とからの付加生成物は、３，3′−ジアミノ
ベンジジンとイソフタル酸ジメチルエステルと
からの重縮合生成物にグリシジルメタクリレー
トを付加することによつて得る。 (8) 無水カルボン酸とポリイミダゾピロロン前駆
物質とからの付加生成物は、３，3′−ジアミノ
ベンジジンとピロメリツト酸二無水物とからの
重付加生成物にグリシジルメタクリレートを付
加することによつて得る。 (9) 無水カルボン酸とポリオキサゾール前駆物
質、すなわち特にポリベンズオキサゾール前駆
物質とからの付加生成物は、３，3′−ジヒドロ
キシベンジジンとイソフタル酸ジクロリドとか
らの重縮合生成物にグリシジルメタクリレート
を付加することによつて得る。 本発明によるレリーフ構造体の製造は、すでに
記載したようにポリマー前駆物質を層又は箔の形
で基材上に施し、活性光でマスクを通して露光す
るか又は、光ビーム、電子ビーム又はイオンビー
ムを導くことにより照射し、引続き露光されなか
つた又は照射されなかつた層又は箔部分を溶解除
去するか又は取り除き、その際得られたレリーフ
構造体を場合によつてはテンパー処理することに
より行う。 前駆物質は有機溶剤、特にＮ−メチルピロリド
ンに溶解させて基材上に施すことができるが、溶
剤として水−アルカリ性溶剤を使用することもで
きる。現像液の濃度は公知の被覆法例えば遠心被
覆、浸漬、噴霧、刷毛塗り、又はローラ掛けで
0.01μm〜数100μmの層厚が得られるように調整
することができる。例えば毎分300〜10000回転で
の遠心被覆法の場合、均一かつ良好な表面品質を
得るためには１〜100秒が適していることが判明
した。 特に二酸化珪素又は窒素化珪素、ガラス、金
属、合成樹脂又は半導体材料から成る基材に施さ
れたホトレジスト層は室温で又は高めた温度で、
特に50〜80℃の温度で窒素又は空気流中で溶剤を
除去することができ、この場合真空中でも処理す
ることができる。 照射された層又は箔部分と照射されなかつた層
又は箔部分との間に充分な溶解差を得るため
500w−高圧水銀燈を使用した場合、本発明では
組成及び層厚に応じて10〜800秒の露光時間で充
分である。露光後層又は箔の露光されなかつた部
分は水−アルカリ現像液で溶解除去される。 本発明方法により構造鮮明な像、すなわちレリ
ーフ構造体が得られ、これはテンパー処理するこ
とにより耐高熱性の酸及びアルカリに対して抵抗
性のポリマーに変換される。一般には150〜500℃
の温度が選択されるが、有利には300〜400℃の温
度で処理される。テンパー処理時間は一般に10分
間から１時間まで、有利には30分であり、この場
合不活性ガス下で通常著しい変色は観察されな
い。レリーフ構造体の縁鮮鋭度及び寸法精度はテ
ンパー処理により実際に影響されることはない。
更にレリーフ構造体の良好な表面品質はテンパー
処理で生じる層厚ロスにもかかわらず維持され
る。 本発明によるレリーフ構造体は半導体デバイス
への不動態層の製造、薄膜及び厚膜回路の製造、
多層回路へのろう保護層の製造、層回路の構成部
品としての絶縁層の製造及び特にマイクロエレク
トロニクスの分野で又は一般に基材の微細構造化
用の導電性及び／又は半導電性及び／又は絶縁性
ベース材料へのミニチユア絶縁層の製造に使用す
ることができる。特に耐高熱性のレリーフ構造体
は湿式及び乾式腐食法又は無電流又は電気的な金
属分離及び蒸発処理でのマスクとして並びにイオ
ン導入用マスクとして、更に電子工学での絶縁層
及び保護層として使用される。またレリーフ構造
体は例えば液晶表示装置におけるオリエンテーシ
ヨン層として並びに例えばＸ線スクリーンにおけ
る表面の網目スクリーン化に、特にＸ線像増幅器
として有利に使用することができる。更にレリー
フ構造体は容量性湿式センサー用誘電体としてま
たオプトエレクトロでの光導電層として並びに印
刷原版を製造するのに適している。 次に本発明を実施例に基づき詳述する。 例 １ ポリベンズオキサゾール用の放射感応性前駆物
質の製造 ジメチルアセトアミド50容量部及びピリジン９
容量部中に溶けた３，3′−ジヒドロキシベンジジ
ン6.49重量部の溶液に烈しく攪拌しながら−５〜
−20℃の温度で約30分間にシクロヘキサノン20容
量部中のイソフタル酸ジクロリド6.1重量部を滴
加する。室温で更に３時間攪拌した後粘性の反応
溶液を一夜放置し、次いで溶液を攪拌下に水1000
容量部に滴加する。その際沈殿する樹脂を分離
し、水及びメタノールで洗浄し、真空中で約60℃
で乾燥する。 前記のようにして製造したポリベンズオキサゾ
ール・プレポリマー10重量部をＮ−メチルピロリ
ドン100容量部に溶かす。この溶液にグリシジル
メタクリレート50容量部、ベンジルジメチルアミ
ノ0.5容量部及びヒドロキノン0.5重量部を加え
る。約90℃の温度で２時間加熱した後、反応生成
物を攪拌下にエタノール1000容量部から沈殿さ
せ、真空中で乾燥する。 得られた付加生成物3.2重量部をＮ−メチルピ
ロリドン35容量部に溶かす。攪拌下にこの溶液に
無水イタコン酸１重量部を加える。室温で20時間
反応させた後50〜60℃で３時間加熱する。その後
反応溶液を烈しく攪拌しながら水500容量部に滴
加する。生じる沈殿を吸引別し、真空中で室温
で乾燥する。 レリーフ構造体の製造 先に記載した方法で製造した樹脂２重量部を、
ジメチルアセトアミド／ジオキサン混合物（容量
比１：１）10重量部にＮ−フエニルマレインイミ
ド0.1重量部及びミヒラーケトン0.04重量部とと
もに溶かし、毎分2000回転でアルミニウム箔に遠
心被覆する。真空中で60℃で２時間乾燥した後
500w高圧水銀灯で接触マスクを通して露光し、
その後２分間0.7％苛性ソーダ液で現像する。そ
の際層厚4.6μmの層が得られ、構造体10μmが溶
解する。400℃で45分間テンパー処理した後層厚
は2.6μmである。縁鮮鋭度及びレリーフ構造体の
溶解はテンパー処理により損なわれることはな
い。 例 ２ ポリベンズイミダゾール用の放射感応性前駆物
質の製造 ３，3′−ジアミノベンジジン10.7重量部をＮ−
メチルピロリドン95容量部に溶かし、イソフタル
酸ジメチルエステル9.7重量部とともに150〜175
℃の温度で８時間、引続き約185℃で２日間加熱
する。この溶液にグリシジルメタクリレート40容
量部を加える。室温で48時間また約50〜60℃で４
時間反応させた後、反応混合物に無水イタコン酸
８重量部を加え、室温で４日以内に反応させる。 レリーフ構造体の製造 先に記載した方法で製造した反応溶液に、Ｎ−
フエニルマレインイミド0.9重量部及びミヒラー
ケトン0.55重量部を加え、この混合物を毎分1000
回転でアルミニウム箔に遠心被覆する。真空中で
２時間50〜60℃で乾燥処理した後、層厚は4.6μm
である。引続き500w高圧水銀灯で５分間接触マ
スクを通して露光し、水で１：３の容量比で薄め
た市販のアルカリ現像剤を用いて15分間浸漬現像
する。その際50μmのマスク構造体が縁鮮鋭に生
じる。300℃で30分間テンパー処理し、24μmの層
厚にするが、その際良好な像品質は損なわれるこ
とはない。 例 ３ ポリイミド用の放射感応性前駆物質の製造 ジメチルアセトアミド450容量部中のピロメリ
ツト酸二無水物65.4重量部（0.3モル）に攪拌下
に４，4′−ジアミノジフエニルエーテル45重量部
（0.23モル）を加え、引続き室温で２時間攪拌す
る。次いで反応混合物にメタクリル酸−２−ヒド
ロキシエチルエステル２重量部（0.016モル）を
加えて、なお存在する末端位の無水物基を結合さ
せる。室温で２時間攪拌した後、反応溶液にグリ
シジルメタクリレート150容量部、ベンジルジメ
チルアミン1.5容量部及びヒドロキノン0.1重量部
を加える。引続き溶液を攪拌下に50〜60℃の温度
で23時間加熱し、次いで烈しく攪拌しながらエタ
ノール400容量部に滴加する。その際生じる沈殿
を吸引過し、真空中で室温で乾燥する。得られ
たポリイミド前駆物質35重量部をジメチルアセト
アミド100容量部に溶かし、これに無水マレイン
酸10重量部を加える。室温で５日間反応させた
後、樹脂溶液をジメチルアセトアミド50容量部で
薄め、水2500容量部で沈殿させる。樹脂を水で洗
浄し、真空中で乾燥する。 レリーフ構造体の製造 先に記載した方法で製造した樹脂4.5重量部を
Ｎ−フエニルマレインイミド0.2重量部及びミヒ
ラーケトン0.09重量部とともにジメチルアセトア
ミド10重量部に溶かす。次いで毎分6000回転でア
ルミニウム箔上に遠心被覆し、真空中で60℃で１
時間乾燥する。その際得られた層の厚さは1.6μm
である。この層をマスクを通してUV光線（500w
高圧水銀灯）で10分間照射し、水で薄めた市販の
アルカリ性現像剤で15秒間、次いで水で更に10秒
間洗う。その際分解度50μmの縁鮮鋭な構造体が
生じる。層を300℃で30分間及び400℃で20分間加
熱した後、層厚は0.85μmであり、縁鮮鋭度は不
変であつた。 例 ４ ポリイソインドールキナゾリンジオン用の放射
感応性前駆物質の製造 ４，4′−ジアミノジフエニルメタン−３，3′−
ジカルボン酸アミド11重量部をジメチルアセトア
ミド120容量部に懸濁させ、ジメチルアセトアミ
ド／ジメチルホルムアミド混合物（容量比１：
１）100容量部に溶かしたピロメリツト酸二無水
物10重量部を加える。２時間攪拌した後得られた
溶液にグリシジルメタクリレート25容量部、ベン
ジルジメチルアミン0.5容量部及びヒドロキノン
モノメチルエーテル0.05重量部を加える。60℃の
温度で25時間攪拌した後溶液からプロパノール
3000容量部で樹脂を沈殿させ、乾燥する。 樹脂10重量部をジメチルアセトアミド100容量
部に溶かし、無水マレイン酸５重量部を加える。
約30℃で５時間放置した後、反応溶液を水1000容
量部に滴加し、生じる樹脂を乾燥する。 レリーフ構造体の製造 先に記載した方法で製造した樹脂３重量部をＮ
−フエニルマレインイミド0.1重量部及びミヒラ
ーケトン0.06重量部と一緒にジメチルホルムアミ
ド20容量部に溶かし、アルミニウム箔に厚さ1μm
のフイルムになるまで遠心被覆する。引続き60℃
で乾燥し、接触マスクを通して500w高圧水銀灯
で７分間露光する。水−アルカリ性現像液で現像
（15秒）した後レリーフ構造体が得られ、その幾
何学図形は400℃で30分間焼戻した際も変化しな
い。層厚は熱処理後0.7μmである。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 放射に感応する可溶性ポリマー前駆物質を層
    又は箔の形で素材上に塗布し、層又は箔を陰画マ
    スクを介して活性光で照射するか、又は光ビー
    ム、電子ビーム又はイオンビームを導き、照射さ
    れなかつた層又は箔部分を除去し、場合によつて
    は続いてテンパー処理することにより、複素環構
    造を有するポリマーをベースとする耐高熱性のレ
    リーフ構造を製造する方法であつて、ポリマー前
    駆物質として環状の無水カルボン酸とヒドロキシ
    ル基含有化合物との付加生成物を使用し、その際
    ヒドロキシル基含有化合物が、 ａ 芳香族及び／又は複素環式テトラカルボン酸
    二無水物とジアミノ化合物又は少なくとも１個
    のオルト位アミド基を有するジアミノ化合物と
    から成るカルボキシル基含有重付加生成物へ
    の、又は芳香族及び／又は複素環式ジヒドロキ
    シジカルボン酸又は相応するジアミノジカルボ
    ン酸とジイソシアネートとから成るカルボキシ
    ル基含有重付加生成物への、或いは ｂ 芳香族及び／又は複素環式テトラアミノ化合
    物とジカルボン酸クロリド又は−エステルとの
    アミノ基含有重縮合生成物への、又はテトラア
    ミノ化合物とテトラカルボン酸二無水物とから
    成るアミノ基含有重付加生成物への、或いは ｃ 芳香族及び／又は複素環式ジヒドロキシジア
    ミノ化合物とジカルボン酸クロリド又は−エス
    テルとのヒドロキシル基含有重縮合生成物へ
    の、 オレフイン不飽和モノエポキシドの付加生成
    物である高熱性レリーフ構造体の製造方法にお
    いて、ポリマー前駆物質としての次の構造： 〔(1)式及び(2)式中ｎは２〜約100の整数を表し、
    ｍ，ｖ及びｗは０又は１であり、Ｒ，R1，R2，
    R3，Ａ及びＤは次のものを表す： Ｒは場合によつてはハロゲン化されていてもよ
    い、少なくとも部分的な芳香族及び／又は複素環
    式４価の基、すなわち４官能性の基であり、その
    各２原子価は互いに隣接して配置されており、基
    Ｒが数個の芳香族及び／又は複素環式構造単位を
    有する場合、原子価対はそれぞれ末端位のこの種
    構造単位に存在し、R1は場合によつてはハロゲ
    ン化されていてもよい２価の基、すなわち場合に
    よつてはハロゲン原子を有していてもよい脂肪族
    及び／又は脂環式構造の、及び／又は、芳香族及
    び／又は複素環式構造の２官能性基であり、R2
    はオレフイン不飽和基、例えばアリルエーテル含
    有又はマレインイミド含有基、及び特に場合によ
    つては置換されていてもよい（メタ）アクリルエ
    ステル含有基であり、R3は場合によつてはハロ
    ゲン化されていてもよい２価の基、すなわち脂肪
    族及び／又は脂環式の、オレフイン不飽和の及
    び／又は、芳香族及び／又は複素環式構造の２官
    能性基であり、 Ａは−Ｏ−，−NH−，又は【式】を 表し、またＤは【式】−Ｏ−，−Ｓ−，− NH− 又は
    【式】を表す〕 オリゴマー及び／又はポリマー化合物を使用す
    ることを特徴とする耐高熱性レリーフ構造体の製
    造方法。 ２ ポリマー前駆物質を光及び放射感応性の共重
    合可能の化合物とともに使用することを特徴とす
    る特許請求の範囲第１項記載の方法。 ３ Ｎ−置換マレインイミドを使用することを特
    徴とする特許請求の範囲第２項記載の方法。 ４ 付着剤、特にシランを使用することを特徴と
    する特許請求の範囲第１項ないし第３項のいずれ
    か１項に記載の方法。 ５ ヒドロキシル基含有ポリイミド前駆物質への
    無水マレイン酸の付加生成物を使用することを特
    徴とする特許請求の範囲第１項ないし第４項のい
    ずれか１項に記載の方法。 ６ ヒドロキシル基含有ポリイソインドールキナ
    ゾリンジオン前駆物質への無水マレイン酸の付加
    生成物を使用することを特徴とする特許請求の範
    囲第１項ないし第４項のいずれか１項に記載の方
    法。 ７ ヒドロキシル基含有ポリイミダゾール前駆物
    質への無水イタコン酸の付加生成物を使用するこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第４
    項のいずれか１項に記載の方法。 ８ ヒドロキシル基含有ポリオキサゾール前駆物
    質への無水イタコン酸の付加生成物を使用するこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第４
    項のいずれか１項に記載の方法。
JP8878181A 1980-06-10 1981-06-09 Method of producing high heat resistance relief structure Granted JPS5727254A (en)

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DE19803021787 DE3021787A1 (de) 1980-06-10 1980-06-10 Verfahren zur herstellung hochwaermebestaendiger reliefstrukturen und deren verwendung

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EP (1) EP0041678B1 (ja)
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EP0041678A3 (en) 1982-06-23
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