JPH0462902A - チタン酸バリウム磁器半導体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、キュリー点以上の温度において正の抵抗温度
係数を有し、室温抵抗率が非常に小さいことによる優れ
たＰＴＣ特性を有するチタン酸バリウム磁器半導体の製
造方法に関するものである。

〔従来の技術〕

ランタン、タンタル、セリウム、イツトリウム、ビスマ
ス、タングステン、銀、ザマリウム、ディスプロシウム
等の酸化物をチタン酸バリウム系磁器に添加することに
よって、正の抵抗温度係数（ＰＴＣ特性）を有する磁器
半導体を得ることは、従来から広く知られている。また
、希土類元素、タンタル、ニオブ、またはアンチモンを
含有するチタン酸バリウム系磁器半導体組成物に二酸化
ケイ素を添加し、酸素の存在下で焼成することによって
磁器半導体組成物の電気特性を向上させることも提案さ
れている（特開昭５１−５９８８８号公報参照）。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところが、上記従来のチタン酸バリウム磁器半導体の製
造方法では、半導体化剤は、合成時において、その含有
率が他の成分に１Ｌべて非常に低く、具体的には全体重
量の１　／１０００程度であり、重量に関しては他の成
分の１／６００〜１／２００程度しかない。このために
、半導体化剤の秤量は、高精度に行われなければならな
い。

また、半導体化剤の含有率（混合率）が低いので、混合
時や反応時において充分な均一性を得るのは非常な困難
を伴う。このために、室温における抵抗率の小さいＰＴ
Ｃを得ることが難しく、その物性の均一性も悪く、品質
がばらつくという問題点を有している。

〔課題を解決するための手段〕

本発明に係るチタン酸バリウム磁器半導体の製造方法は
、キュリー点移動物質を含むチタン酸バリウム基体組成
物に半導体化剤を加えて焼成してなるチタン酸バリウム
磁器半導体の製造方法であって、半導体化剤として、チ
タン酸バリウム基体組成物に対して５ｂ２ｏ、、ゾルを
使用することを特徴としている。

なお、５ｂ２０５ゾルの添加量は０．０３モル％〜１．
０モル％の範囲であり、５ｂ２ｏ、ゾルは、５ｂ２０．
の超微細粒子が水に分散された状態を意味している。５
ｂｚＯｓゾルは、粉末径が約１μｍ〜３μｍであるのと
比べて、粒子径が０．０２μｍ〜０．０５μｍと非常に
小さい。成分濃度が１０％〜７０％の範囲で可変できる
。また、５ｂ２０５ゾルは５ｂ２ｏ３と比べて低毒性を
有し、粉末を取り扱う必要がないので、粉塵による害も
なく、取扱が極めて容易で作業環境を大幅に改善できる
半導体化剤である。

〔作　用〕

上記の構成によれば、半導体化剤として添加した０、０
３モル％〜１．０モル％の５ｂｚＯｓゾル中の５ｂｚＯ
ｓ粒子はその粒径が非常に小さいので、均一な混合およ
び反応が可能となり、半導体化がより容易に行え、しか
も室温での抵抗率をより小さく設定できると共に品質の
ばらつきを抑制することができるので、電流容量の小さ
い回路中に対応することができる汎用性に優れた低抵抗
ＰＴＣ素子を製造することができる。

また、ｓｂ、ｏ５粒子は、水中に分散している（例えば
５ｉｙｔ％〜５０ｔｙｔ％）ために多量に秤量できるの
で、半導体化剤の秤量誤差を著しく小さくできる。例え
ば、水中での５ｂ２０５粒子のｗｔ％が５ｗｔ％の場合
、従来の２０倍の量が秤量できることなる。このために
、５ｂｚＯｓ粒子の制御量は小数点５桁（従来は小数点
３桁までが限度であった）まで可能となる。

〔実施例〕

本発明の一実施例を第１図および第２図に基づいて説明
すれば、以下のとおりである。

本実施例は、キュリー点移動物質を含むチタン酸バリウ
ム基体組成物に半導体化剤を加えて焼成することからな
るチタン酸バリウム磁器半導体の製造方法において、半
導体化剤として、チタン酸バリウム基体組成物に対して
０．０３モル％〜１．０モル％の五酸化アンチモン（５
ｂｚＯｓ　）ゾルヲ使用した時に、５ｂ２０５ゾルの添
加量によって室温における抵抗率がどのように変化する
かを開示している。

本実施例においては、炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ３
）等のキュリー点移動物質を含むチタン酸バリウム基体
組成物に対して０．０３モル％〜１．０モル％の五酸化
アンチモン（５ｂｚＯｓ　）ゾルを配合するが、その際
、この配合物に鉱化剤として炭酸マンガン（ＭｎＣ０３
）を、また電圧依存性安定剤として二酸化ケイ素（５ｉ
Ｏｚ　）等を配合している。

つまり、チタン酸バリウム基体組成物に半導体化剤（五
酸化アンチモンゾル）を添加して、この配合物をボール
ミルにおいて６時間〜４８時間、湿式混合し、ろ過、乾
燥した後、１０００″Ｃ〜１３００°Ｃにおいて１時間
〜３時間、仮焼する。仮焼した配合物に、ガスを出して
分解する原料組成物を配合し、ボールミルで６時間〜４
８時間、湿式混合し同時に粉砕する。バインダーを配合
した水溶液中で上記粉砕物を混合し、そのスラリーをス
プレードライヤーで乾燥して造粒し、その顆粒−を成形
した後、その成形物を１３００〜１４００°Ｃにおいて
０時間〜１０時間、保持し焼成してチタン酸バリウム磁
器半導体を得ている。

以下において、本発明を比較例および実施例に基づいて
さらに詳細に説明する。

まず、酸化アンチモン＜　５ｂｚ０３）の添加が、チタ
ン酸バリウム磁器半導体の電気特性に及ぼす影響につい
て、〔比較例１〕ないし〔比較例３〕に基づいて以下に
説明する。

〔比較例１〕 無水炭酸バリウム（ＢａＣＯ３，堺化学社製肚−旧、）
６８０、７２　ｇ、高純度二酸化チタ７　（ＴｉＯ２，
東邦チタニウム社製）　２９０．１２　ｇ、無水炭酸ス
トロンチウム（５ｒＣＯ：＋　、本荘ケミカル社製）　
２６．８０ｇ、炭酸マンガン（ＭｎＣ０ａ、和光純薬社
製、９９．９％試薬）　０．２０８７　ｇ、二酸化ケイ
素（５ｉＯｚ　、レアメタリック社製、９９．９％試薬
）　１．０９０８　ｇ、および酸化アンチモン（Ｓｂ２
０３、レアメタリック社製、９９．９％試薬）　１．０
５８４　ｇを５！容量のボールミルに入れ、これに水３
．５！と直径２５ｍｍのナイロンコーティングされた鉄
球４０個とを加え、２４時間、湿式粉砕、混合した後、
ろ過し、その混合物を１３０　’Ｃにおいて乾燥した。

その乾燥混合物を成形用金型Ｃ６，５ｍｍ　（径）　　
Ｘ４５ｍｍ　（高さ）〕に入れ、１５０　ｋｇ／Ｃａの
加圧下に成形し、その成形物を電気炉に入れ、１８０°
Ｃ／時の昇温速度において加熱し、］１５゜°Ｃにおい
て２時間仮焼した。

その仮焼成形物を振動ボールミルに入れ、水０．７！と
、直径１５ｍｍのナイロンコーティングされた鉄球２０
個、および直径１０＋ｎｍの同様の鉄球１５個とを加え
１６時間、湿式粉砕し、これに１５ｗｔ％ポリビニルア
ルコール（ＰＶＡ）水溶液１５０ｇを加え、２時間、攪
拌した後、そのスラリーをスプレードライヤで噴霧乾燥
して、径約５０μｍの顆粒に造粒した。

その顆粒を成形用金型（１２，５ｍｍ　（径）　Ｘ３５
ｍｍ　（高さ）〕に入れ、１　ｔｏｎ／ｃ＋ｆｌの加圧
下に成形し、その成形物を下記の条件において焼成した
。

温度範囲　　　　　　昇温または降温の条件室温〜８０
０°Ｃ１４５°Ｃ／時の昇温８００°Ｃ２時間保持 ８００°Ｃ〜１３６０°Ｃ１５０°Ｃ／時の昇温１３６
０°Ｃ１，５時間保持 １３６０°Ｃ〜１０００°Ｃ３６０°Ｃ／時の降温１０
００’Ｃ〜５００°Ｃ２４５°Ｃ／時の降温５５０　’
Ｃ／ＭＬ度コシコントロール了室温に冷却した後、錠剤
状成形物の円盤面にオーミック性の銀電極（デグザ社製
）を塗布し、５８０°Ｃにおいて５分間焼付けて電極を
形成し、その電極上にカバー電極（デグザ社製）を塗布
し、５６０°Ｃにおいてさらに５分間焼付けを行って、
チタン酸バリウム磁器半導体を得た。

このチタン酸バリウム磁器半導体の原料の配合組成は次
のとおりである。

（Ｂａｏ、　９ＳｓｒＯ，＋１！ｉ　）　ＴｌＯ２＋０
．０００５ＭｎＯｚ　＋　０．００５３１０２十〇、０
ＯＩＳｂ２０３ この試料の抵抗の温度変化を測定した結果、正の抵抗温
度係数を示す領域が生じる温度（キュリー点）は１０３
°Ｃであり、抵抗の立ち上がり幅は４桁であった。この
とき室温における抵抗率は１９．５０Ω・ｃｍであった
。

〔比較例２］ 無水炭酸バリウム（ＢａＣ０：＋　）６８０．９５　ｇ
、高純度−酸化チタン（ＴｉＯ□）　２９０．２０ｇ、
無水炭酸ストロンチウム（５ｒＣ０３）　２６．８１　
ｇ、炭酸’？７ガン（ＭｎＣＯ：＋　）　０．２０８８
ｇに酸化ケイ素（５ｉＯｚ　）　１．０９１１ｇ、およ
び酸化アンデモ７　（５ｂｚ（Ｌ＋　）　０．７４０９
ｇを使用したこと以外は、上記比較例１と同様にしてチ
タン酸バリウム磁器半導体の試料を得た。

このチタン酸バリウム磁器半導体の原料の配合組成は次
のとおりである。

（Ｂａｏ、　ｑｓｓｒｏ、ｏｓ）　ＴｉＯ３＋０．００
０５ＭｎＯ□４−０．００５ＳｉＯｚ十〇、０Ｏ０７Ｓ
ｂｚ（Ｌ＋ この試料の抵抗の温度変化を測定した結果、正の抵抗温
度係数を示す領域が生じる温度（キュリー点）は１１５
°Ｃで、抵抗の立ち」二かり幅は３桁であった。このと
き室温での抵抗率は３．４にΩ・ｃｍであった。

〔比較例３］ 無水炭酸バリウム（ＢａＣ０ａ　）６８０．３７　ｇ、
高純度−酸化チタン（Ｔｉ０ｚ　）　２８９．９６　ｇ
、無水炭酸ストロンチウム（５ｒＣＯ３）　２６．７９
　ｇ、炭酸マンガン（ＭｎＣＯａ　）　０．２０８６ｇ
、二酸化ケイ素（５ｉＯｚ　）　１．０９０２ｇ、およ
び酸化アンチモン＜　５ｂｚＯ３）　１．５８６８ｇを
使用したこと以外は、上記比較例１と同様にしてチタン
酸バリウム磁器の試料を得た。

このチタン酸バリウム磁器の原料の配合組成は次のとお
りである。

（Ｂａｏ、９ＳｓｒＯ，ｏｓ）　ＴｉＯ３＋０．０００
５ＭｎＯｚ＋０．００５ＳｉＯｚ＋０．００１５ｓｂｚ
ｏ３ この試料は、絶縁体化して半導体とならず、上記物性の
測定は不可能であった。

以上〔比較例１〕ないし〔比較例３〕より、酸化アンチ
モン（５ｂｚ０３）の添加量が、所定の範囲内にあれば
、チタン酸バリウム磁器半導体の電気特性には悪影響を
与えないことがわかる。つまり、酸化アンチモン（５ｂ
ｚＯ３）の添加量が上記範囲外の場合には、チタン酸バ
リウム磁器半導体の抵抗の立ち上がり幅が小さくなると
ともに、添加量に比例して絶縁体化する。酸化アンチモ
ン（５ｂ２０３）の添加量が上記範囲よりも大きい場合
には、チタン酸バリウム磁器半導体が絶縁体化してしま
うこともある。

ところで、チタン酸バリウム磁器半導体の原料組成物に
おける酸化アンチモン（５ｂｚＯ３）は、単体での昇温
過程において、その一部が五酸化アンチモン（Ｓｂ２０
５）に転移する。そこで、半導体化剤として、チタン酸
バリウム基体組成物に対して、五酸化アンチモン（５ｂ
ｚＯ５）ゾルを配合した場合について、〔実施例１〕な
いし〔実施例４〕に基づいて以下に詳細に説明する。な
お、〔実施例１〕ないし〔実施例４〕においては、５ｂ
２０Ｓゾル以外の原料の配合組成は、前記〔比較例１〕
ないし〔比較例３〕における配合組成と同一の条件で行
ったものである。

〔実施例１〕 無水炭酸バリウム（ＢａＣＯ３＋堺化学社製ＢＷ−［、
）６８０．６５１　ｇ、高純度二酸化チタン（ＴｉＯ□
、東邦チタニウム社製）２９０．０７６ｇ、無水炭酸ス
トロンチウム（５ｒＣＯ，、本荘ケミカル社製）２６．
７９８　ｇ、炭酸マンガン（ＭｎＣ０，、、和光純薬社
製、９９．９％試薬）　０．２０８６　ｇ、二酸化ケイ
素（ＳｉＯ□、レアメタリック社製、９９．９％試薬）
　　１．０９０６ｇ、および五酸化アンチモンゾル（５
ｂ２０ｓ　、　日産化学工業社製、Ａ−１５５０４ｈｔ
％）　　２．４４６６　ｇを５！容量のボールミルに入
れ、これに水３．５１！、と直径２５ｍｍのナイロンコ
ーティングされた鉄球４０個とを加え、２４時間、湿式
粉砕、混合した後、ろ過し、その混合物を１３０″Ｃに
おいて乾燥した。その乾燥混合物を成形用金型（６，５
ｍｍ　（径）　Ｘ４５ｍｍ　（高さ）〕に入れ、１５０
　ｋｇ／ｃ＋＋Ｉの加圧下に成形し、その成形物を電気
炉に入れ、１８０°Ｃ／時の昇温速度において加熱し、
１１５０°Ｃにおいて２時間仮焼した。

その仮焼成形物を振動ボールミルに入れ、水０．７！と
、直径１５ｍｍのナイロンコーティングされた鉄球２０
個、および直径１０ｍｍの同様の鉄球１５個とを加え１
６時間、湿式粉砕し、これに１５ｗｔ％ポリビニルアル
コール（ＰＶＡ）水溶液１５０ｇを加え、２時３間、攪
拌した後、そのスラリー゛をスプレードライヤーで噴霧
乾燥して、径約５０μｍの顆粒に造粒した。その顆粒を
成形用金型（１２，５ｍｍ　（径）　Ｘ３５ｍｍ’（高
さ）〕に入れ、１　ｔｏｎ／ｃ＋ｆｌの加圧下に成形し
、その成形物を下記の条件に赴いて焼成した。

温度範囲 室温〜８００°Ｃ ８００°Ｃ ８００″Ｃ−１３６０’Ｃ １３６０°Ｃ 昇温または降温の条件 １４ム°Ｃ／時の昇温 ２時間保持 １５０℃／時の昇温 １．５時間保持 １３６０°Ｃ〜１０００°Ｃ３６０°Ｃ／時の降温１０
００°Ｃ〜５００°Ｃ２４５°Ｃ／時の降温５５０″Ｃ
温度コントロールの終了 室温に冷却した後、錠剤状成形物の円盤面にオーミック
性の銀電極（デグサ社製）を塗布し、５８０°Ｃにおい
て５分間焼付けて電極を形成し、その電極上にカバー電
極（デグサ社製）を塗布し、５６０°Ｃにおいて５分間
さらに焼付けを行って、チタン酸バリウム磁器半導体を
得た。

このチタン酸バリウム磁器半導体の原料の配合組成は次
のとおりである。

（Ｂａｏ、　ｑｓＳｒｏ、　ｏｓ）　ＴｉＯ３＋０．０
００５ＭｎＯｚ＋０．００５ＳｉＯｚ＋０．００１Ｓｂ
２０５ この試料の抵抗の温度変化を測定した結果、正の抵抗温
度係数を示す領域が生じる温度（キュリー点）は１１１
°Ｃであり、抵抗の立ち上がり幅は２桁であった。この
とき室温における抵抗率は６．６２Ω・ｃｍであった。

〔実施例２〕 無水炭酸バリウム（ＢａＣ（Ｌ＋　）６８０．８９　ｇ
、高純度二酸化チタン（Ｔｉ０ｚ　）　２９０．１７ｇ
、無水炭酸ストロンチウム（５ｒＣＯ３）　２６．８０
　ｇ１炭酸マンガン（ＭｎＣＯ：＋　）　０．２０８　
ｇ、二酸化ケイ素（５ｉＯｚ　）　１．０９１ｇ、およ
び五酸化アンチモンゾル（５ｂｚＯ５）　１゜７１２ｇ
を使用したこと以外は、上記実施例１と同様にしてチタ
ン酸バリウム磁器半導体の試料を得た。

このチタン酸バリウム磁器半導体の原料の配合組成ば次
のとおりである。

（Ｂａｏ、　９５ＳｒＯ，ｏｓ）　ＴｉＯ３＋０．００
０５）Ｉｎ０２＋０．００５Ｓｉ０２十Ｏ，０Ｏ０７Ｓ
ｂＺＯ５ この試料の抵抗の温度変化を測定した結果、正の抵抗温
度係数を示す領域が生じる温度（キュリー点）ば１１５
°Ｃて、抵抗の立ち上がり幅は３桁であった。このとき
室温での抵抗率は４４．５４Ω・ｃｍであった。

（実施例３〕 無水炭酸バリウム（ＢａＣ０３）　６８０．４１　　ｇ
、高純度二酸化チタン（Ｔｉ０７）　２８９．９７ｇ、
無水炭酸ストロンチウム（５ｒＣｏ３）　２６．７８　
ｇ、炭酸マンガン（ＭｎＣＯ３）　０．２０８　ｇ、二
酸化ケイ素（５ｉＯｚ　）　１０９０ｇ、および五酸化
アンチモンゾル（５ｂ２０５　）３．１７９　ｇを使用
したこと以外は、上記実施例１と同様にしてチタン酸バ
リウム磁器半導体の試料を得た。

このチタン酸バリウム磁器半導体の原料の配合組成は次
のとおりである。

（Ｂａａ、　ｑ５ｓｒｏ、　＋Ｉｓ）　ＴｉＯ：＋　＋
０．０００５Ｍｎ０２＋０．００５ＳｉＯｚ−＋−ｏ、
ｏｏｔ３ｓｂｚｏ、。

この試料の抵抗の温度変化を測定した結果、正の抵抗温
度係数を示す領域が生じる温度（キュリー点）は１１０
°Ｃで、抵抗の立ち上がり幅は２桁であった。このとき
室温での抵抗率は５，４２Ω・ｃｍであった。

〔実施例４〕 無水炭酸バリウム（ＢａＣ０３）　６８０．２５　ｇ、
高純度二酸化チタン（ＴｉＯ□）　２８９．９０ｇ、無
水炭酸ストロンチウム（５ｒＣＯｚ　）　２６．７８　
ｇ、炭酸マンガン（ＭｎＣ（Ｌ＋　）　０．２０８１　
ｇ　に酸化ケイ素（５ｉＯｚ　）１．０９０　ｇ、およ
び五酸化アンチモンゾル（ｓｂ２ｏ。

）　３．６６７　ｇを使用したこと以外は、上記実施例
１と同様にしてチタン酸バリウム磁器半導体の試料を得
た。

このチタン酸バリウム磁器半導体の原料の配合組成は次
のとおりである。

（Ｂａａ、　ｑ、Ｓｒｏ、　ｏｓ）　ＴｉＯ３＋０．Ｏ
Ｏ０５ＭｎＯｚ　＋０．００５ＳｉＯｚ＋Ｏ，０Ｏ１５
Ｓｂ２０５ この試料の抵抗の温度変化を測定した結果、正の抵抗温
度係数を示す領域が生じる温度ローユリ−点）は１０５
°Ｃで、抵抗の立ち上がり幅は１桁であった。このとき
室温での抵抗率は４．２６Ｘ１０６Ω・ｃｍであった。

以上より、〔実施例１〕ないし〔実施例４〕の結果を整
理すると、第１表に示すようになる。第１表から明らか
なように、半導体化剤として、チタン酸バリウム基体組
成物に対して五酸化アンチモン（５ｂｚＯｓ　）ゾルを
使用（第２図中の破線で示す特性）することによって、
酸化アンチモン（Ｓｂ２０、）粉末を使用（第２図中の
実線で示す特性）した場合（比較例１および比較例２を
参照）よりも少量で室温における抵抗率を非常に小さく
することができる。また、上記チタン酸バリウム磁器半
導体の５ｂ２０５添加量依存性（〔実施例］〕ないし〔
実施例４〕〕の各試料に対応する特性）は、第１図に示
すようになる。即ち、第１図に示すように、チタン酸バ
リウム磁器半導体の５ｂ２０５添加量が０．０３モル％
よりも小さいか、または０．１５モル％よりも大きい場
合、室温における抵抗率（比抵抗）は、著しく大きくな
る。よって、５ｂ２０５の添加量は、好ましくは、０．
０３モル％〜０．１５モル％の範囲であることがわかる
。

ここで、原料の配合組成の異なる」−記各種チタン酸バ
リウム磁器半導体の試料の諸物性の測定方法を以下に説
明する。

（１）キュリー点の測定 チタン酸バリウム磁器半導体の試料を測定用の試料ホル
ダーに取り付け、測定槽（ＭＩＮＩ−３ＵＢＺＥＲＯＭ
Ｇ−８１０Ｐ　　クハイ　ニスペック■製）内に装着し
て、−５０°Ｃから】９０°Ｃまでの温度変化に対する
試料の電気抵抗の変化を直流抵抗計（マルチメーター３
４７８Ａ　Ｙ　ＨＰ製）を用いて測定した。

測定により得られた電気抵抗−温度のプロットより、抵
抗値が室温における抵抗値の２倍になるときの温度をキ
ュリー点とした。

（２）室温抵抗率の測定 チタン酸バリウム磁器半導体の試料を２５°Ｃの測定槽
において、直流抵抗計（マルチメーター３４７８ＡＹ　
ＨＰ製）を用いて電気抵抗値を測定した。

チタン酸バリウム磁器半導体の試料の調製において、電
極塗布前に試料の大きさ（径および厚さ）を測定してお
き、次式により比抵抗（ρ）を算出し、これを抵抗率と
した。

ρ−Ｒ−Ｓ／ｌ ρ：　比抵抗（抵抗率）　　〔Ω・ｃｍ）Ｒ：　電気抵
抗の測定値　〔Ω〕 Ｓ：　電極の面積　　　　〔Ｃイ〕 ｔ：　試料の厚さ　　　　（ｃｍ） （３）抵抗率の立ち上がり幅の測定 キュリー点の測定の温度変化（−５０°Ｃから１９０’
Ｃ）に対する試料の電気抵抗の変化の測定を、さらに２
００　’Ｃを超える温度まで続行し、その抵抗率−温度
プロットにおいて、キュリー点における電気抵抗の急激
な立ち上がりのときの抵抗率と、２００°Ｃにおける抵
抗率とを比較して、その桁数の対数比を抵抗率の立ち上
がり幅とした。

なお、本発明に係るチタン酸バリウム磁器半導体は、室
温において抵抗率が小さいので、電流容量の小さい回路
における低抵抗ＰＴＣ素子として使用することができ、
例えば温度ヒユーズスイッチング電源のコンパレークと
しても使用することができる。本発明に係るチタン酸バ
リウム磁器半導体は、上記以外に、電解コンデンサーの
保護回路、カラーＴＶ自動消磁装置、自動車等のモータ
起動装置、電子機器の過熱防止装置、遅延素子、タイマ
、液面計、無接点スイッチ、リレー接点保護装置などに
利用することができる。

（以下余白） 第１表 （以下余白） 〔発明の効果〕 本発明に係るチタン酸バリウム磁器半導体の製造方法は
、半導体化剤として、チタン酸バリウム基体組成物に対
して、０．０３モル％〜１．０モル％のｓｂ、ｏ５ゾル
を添加する構成をなしている。

それゆえ、半導体化剤として添加した０、０３モル％〜
１．０モル％の５ｂ２０５ゾル中の５ｂ２０５粒子はそ
の粒径が非常に小さいので、均一な混合および反応が可
能となり、半導体化がより容易に均一に行え、しかも室
温での抵抗率をより小さく設定できると共に、半導体化
の均一に伴う耐電圧等の物性が均一化され、品質のばら
つきを抑制することができるので、電流容量の小さい回
路中に対応することができる汎用性に優れた低抵抗ＰＴ
Ｃ素子を製造することができる。

また、５ｂ２０９粒子は、水中に分散しているために多
量に秤量できるので、半導体化剤の秤量誤差が著しく小
さくなる。加えて、ｓｂ、ｏ５粒子の制御量は小数点５
桁（従来は小数点３桁までが限度であった）まで可能と
なる。

さらに、５ｂｚＯｓゾルは、５ｂｚ０３粉末や５ｂ２０
．粉末と比較して原料原価が這かに安い（２桁ないし３
桁安い）ので、全体的にコスト低減が可能となると共に
、５ｂ２ｏ、粉末と比較して毒性が弱く、また粉末を取
り扱う必要がないので、粉塵による害もなく、取扱が極
めて容易で作業環境を大幅に改善できるという効果を併
せて奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は、本発明の一実施例を示すもので
ある。 第１図は、本発明に係るチタン酸バリウム磁器半導体の
比抵抗の五酸化アンチモンゾル添加量依存性を示す説明
図である。 第２図は、本発明に係るチタン酸バリウム磁器半導体の
比抵抗のｓｂ添加量依存性と、半導体化剤として５ｂｚ
Ｏ３粉末を使用したときの比抵抗のｓｂ添加量依存性と
を示す説明図である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １．キュリー点移動物質を含むチタン酸バリウム基体組
   成物に半導体化剤を加えて焼成してなるチタン酸バリウ
   ム磁器半導体の製造方法において、半導体化剤として、
   チタン酸バリウム基体組成物に対して、０．０３モル％
   〜１．０モル％のＳｂ＿２Ｏ＿５ゾルを使用することを
   特徴とするチタン酸バリウム磁器半導体の製造方法。