JPS632310A - 粒界絶縁型半導体磁器組成物 - Google Patents
粒界絶縁型半導体磁器組成物Info
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- JPS632310A JPS632310A JP61144795A JP14479586A JPS632310A JP S632310 A JPS632310 A JP S632310A JP 61144795 A JP61144795 A JP 61144795A JP 14479586 A JP14479586 A JP 14479586A JP S632310 A JPS632310 A JP S632310A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、高い誘電率を有し、その温度変化率が、小な
るチタン酸ストロンチウムを主成分とする粒界Ｐ３ａ型
半導体磁器組成物に関し、産業上、コンデンサの小型化
、信頼性の向上に寄与するものである。
るチタン酸ストロンチウムを主成分とする粒界Ｐ３ａ型
半導体磁器組成物に関し、産業上、コンデンサの小型化
、信頼性の向上に寄与するものである。
（従来の技術）
粒界絶縁型半導体磁器組成物としては、例えばチタン酸
バリウム（ｍａｒｉｏ、）を主成分とし、これに酸化ジ
スプロシウム（Ｄｙ２０ｓ）等の原子価制御剤とその細
微量の添加剤を配合した半導体Ｏ１器の結晶粒界を酸化
銅（Ｃ−Ｏ）等を熱拡散させて絶縁化したものが知らｎ
ており、この組成物は誘電率が、５ｏｏｏｏ〜ｂｏｏｏ
ｏと大きいが誘電損失（―δ）が、ｓ４前後と太き（、
また誘電率の温度変化が、−、ＵＣ〜＋ｇｊ℃の範囲に
おい℃、±ｌＳ俤を越えている。
バリウム（ｍａｒｉｏ、）を主成分とし、これに酸化ジ
スプロシウム（Ｄｙ２０ｓ）等の原子価制御剤とその細
微量の添加剤を配合した半導体Ｏ１器の結晶粒界を酸化
銅（Ｃ−Ｏ）等を熱拡散させて絶縁化したものが知らｎ
ており、この組成物は誘電率が、５ｏｏｏｏ〜ｂｏｏｏ
ｏと大きいが誘電損失（―δ）が、ｓ４前後と太き（、
また誘電率の温度変化が、−、ＵＣ〜＋ｇｊ℃の範囲に
おい℃、±ｌＳ俤を越えている。
更に上記の欠点を改善したものとして、近年、チタン酸
ストロンチウム（５ｒＴｉＯｓ ） ｋ主成分とするも
のが数多く報告さｎている。し１１えば、特公昭６０−
φｔ、ｇｔｔ 号公報ＩＣはチタン酸ストロンチウ
ム デク、７〜９９．ｇ！Ｔ 重量係 （タフ、ダ７
〜 タ？、ｆｆ弘 モルｑｂ）に二酸化マンガン（Ｍ？
！０２） ｏ、ｏｓ 〜ｏ、ｇ重量嗟（０，７）〜／、
Ａｔモル％）と酸化ランタン（ＬｔＬ２０ｓ）０．／〜
八へ重量係（ｏ、ｏｂ〜ｏ、ｇダ モル％）とを添加し
た半導体磁器の結晶粒界に酸化ビスマス（Ｂｚ２０Ｂ
） 等を拡散させ、絶縁体化した組成物が開示さｎて
いる。この組成物は誘電率が、ｕ１０００〜５２０００
、誘電損失（−）が、０．７〜ｏ、を憾、誘電率の温
度変化が、−ＪＯ℃〜＋ｔＳＣの範囲において±ｇ％以
下なる特性を有しており、誘電損失、温度変化は著しく
改善さｎている。
ストロンチウム（５ｒＴｉＯｓ ） ｋ主成分とするも
のが数多く報告さｎている。し１１えば、特公昭６０−
φｔ、ｇｔｔ 号公報ＩＣはチタン酸ストロンチウ
ム デク、７〜９９．ｇ！Ｔ 重量係 （タフ、ダ７
〜 タ？、ｆｆ弘 モルｑｂ）に二酸化マンガン（Ｍ？
！０２） ｏ、ｏｓ 〜ｏ、ｇ重量嗟（０，７）〜／、
Ａｔモル％）と酸化ランタン（ＬｔＬ２０ｓ）０．／〜
八へ重量係（ｏ、ｏｂ〜ｏ、ｇダ モル％）とを添加し
た半導体磁器の結晶粒界に酸化ビスマス（Ｂｚ２０Ｂ
） 等を拡散させ、絶縁体化した組成物が開示さｎて
いる。この組成物は誘電率が、ｕ１０００〜５２０００
、誘電損失（−）が、０．７〜ｏ、を憾、誘電率の温
度変化が、−ＪＯ℃〜＋ｔＳＣの範囲において±ｇ％以
下なる特性を有しており、誘電損失、温度変化は著しく
改善さｎている。
（発明が解決しようとする問題点）
然しなかも近年例えば回路のＩＣ化が、急速に進み、コ
ンデンサに対する小型、大容量化へのニーズは年々高く
なっており、誘電損失や誘電率の温度変化が少なく、し
かも高誘電率である組成物の開発が強く要求さｎている
。
ンデンサに対する小型、大容量化へのニーズは年々高く
なっており、誘電損失や誘電率の温度変化が少なく、し
かも高誘電率である組成物の開発が強く要求さｎている
。
本発明は前記に応するものであって、チタン酸ストロン
チウムを主成分とし極めて高い誘電率を有し、かつ誘電
損失、誘電率の温度変化が少ないという特性を具備した
組成物を提供することを目的とするものである。
チウムを主成分とし極めて高い誘電率を有し、かつ誘電
損失、誘電率の温度変化が少ないという特性を具備した
組成物を提供することを目的とするものである。
（問題点を解決するだめの手段）
丁なわち本発明は、主成分であるチタン酸ストロンチウ
ム（ＳｒＴｊ０３） デコ、ｏｏ〜９Ａ、００〜９６
．９４モル係に対して二酸化マンガン（Ｍｎ０２）を２
．ｔ６〜６．０８モルチ、酸化ケイ素なθ、１０〜／、
９０モル釜、原子価制御剤Ｙ ｏ、ｏｓ〜０．７９モル
％を添加してなる半導体磁器の結晶粒界を絶縁した粒界
絶縁型半導体磁器組成物に関する。
ム（ＳｒＴｊ０３） デコ、ｏｏ〜９Ａ、００〜９６
．９４モル係に対して二酸化マンガン（Ｍｎ０２）を２
．ｔ６〜６．０８モルチ、酸化ケイ素なθ、１０〜／、
９０モル釜、原子価制御剤Ｙ ｏ、ｏｓ〜０．７９モル
％を添加してなる半導体磁器の結晶粒界を絶縁した粒界
絶縁型半導体磁器組成物に関する。
原子価制御剤とし℃は、酸化ランタン、酸化イツトリウ
ム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化タングステンの５
ちの少なくも１種を用いるのが好ましい。
ム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化タングステンの５
ちの少なくも１種を用いるのが好ましい。
又、結晶粒界の絶ｆ＆Ａ！、通常の方法、例えばＢｚ２
０Ｂ、島２ｏ ｓ Ｂ ２０３等を磁器半導体表面に微
量塗布した後、こｒＬＹ結晶粒界内に熱拡散させること
により行わｎる。
０Ｂ、島２ｏ ｓ Ｂ ２０３等を磁器半導体表面に微
量塗布した後、こｒＬＹ結晶粒界内に熱拡散させること
により行わｎる。
次に各添加物の作用について記述する。
本発明の構成上特徴的な、比較的多量の二酸化マンガン
は、結晶粒子を成長させると共に、誘電率の湛夏変化な
、低減する機能を有す。その添加量が２．１４モル％未
満では、粒子成長が、不十分となり誘電率が低下し、ま
た誘電率の温度変化率が大きくなる。逆に、添加量がｔ
、、、ｏｇモル係越えると、結晶粒子の成長が抑制さｎ
て誘電率が低下し、誘電損失も増加してくる。
は、結晶粒子を成長させると共に、誘電率の湛夏変化な
、低減する機能を有す。その添加量が２．１４モル％未
満では、粒子成長が、不十分となり誘電率が低下し、ま
た誘電率の温度変化率が大きくなる。逆に、添加量がｔ
、、、ｏｇモル係越えると、結晶粒子の成長が抑制さｎ
て誘電率が低下し、誘電損失も増加してくる。
酸化ケイ素は、二酸化マンガンとともに、結晶粒子を成
長させる機能乞存し、その添加量が、０．１０モル６未
満では、粒子成長が不十分となり誘電率が低下し、／、
９０モル％を越えた場合には結晶粒子の成長が抑制さｎ
て、誘電率が低下し、誘電損失の増加が、著しくなる。
長させる機能乞存し、その添加量が、０．１０モル６未
満では、粒子成長が不十分となり誘電率が低下し、／、
９０モル％を越えた場合には結晶粒子の成長が抑制さｎ
て、誘電率が低下し、誘電損失の増加が、著しくなる。
原子価制御剤としては酸化ランタン、酸化イツトリウム
、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化タングステン等が好
ましく、こｎｒ−）は、チタン酸ストロンチウムの半導
体化を促進するものであるが、その添加量が、Ｏ，ＯＳ
モル冬未満では、半導体の体積抵抗率が高くなって、誘
電率が低下し、誘電損失も若干増加する。また、添加量
が０、／９モル優欠越えろ場合ＶＣは、結晶粒子の成長
が抑制さｎで誘電率が低下するとともに、誘電損失が増
加し、絶縁抵抗も低下し好ましくない。
、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化タングステン等が好
ましく、こｎｒ−）は、チタン酸ストロンチウムの半導
体化を促進するものであるが、その添加量が、Ｏ，ＯＳ
モル冬未満では、半導体の体積抵抗率が高くなって、誘
電率が低下し、誘電損失も若干増加する。また、添加量
が０、／９モル優欠越えろ場合ＶＣは、結晶粒子の成長
が抑制さｎで誘電率が低下するとともに、誘電損失が増
加し、絶縁抵抗も低下し好ましくない。
（発明の効果）
本発明の粒界絶縁型半導体組成物は誘電率が、／Ｘ）０
００− ／４００００と極めて高く、且つ誘電損失（（
４））が、０．１％以下、誘１！率の湯度変化範囲が、
−３℃〜十ｔ５℃ において、−ｇ〜＋ｆを である
ので優ｎた特性のコンデンサの提供が可能となり、回路
の小型化、高信頓性という面で、工業上、有用である。
００− ／４００００と極めて高く、且つ誘電損失（（
４））が、０．１％以下、誘１！率の湯度変化範囲が、
−３℃〜十ｔ５℃ において、−ｇ〜＋ｆを である
ので優ｎた特性のコンデンサの提供が可能となり、回路
の小型化、高信頓性という面で、工業上、有用である。
（実施例および比較例）
次に１本発明を実施例および比較例により詳述する。
実施例１
ｓｇ’ｒｓｏｓ ％Ｍｘ０２．５ｓ０２、ｙ、ｏｓがそ
ｎぞｊＬ ９’１．Ｉ、ｇモル係、 ４ｔ、２０モル％
、へ〇〇モル冬、θ、／２モル係になるように秤量し、
湿式ボールミルで２ｔ時間粉砕混合を行った。こｒＬケ
乾燥後、バインダーとし℃ポリビニルアルコール２重ｆ
ｔ％ｖ加えて６ｏメツシユのふるいを通し℃造粒し、コ
ドン／ｄの圧力で直径／コ瘤、厚さ０．６Ｗａｎ の円
板に成型した。
ｎぞｊＬ ９’１．Ｉ、ｇモル係、 ４ｔ、２０モル％
、へ〇〇モル冬、θ、／２モル係になるように秤量し、
湿式ボールミルで２ｔ時間粉砕混合を行った。こｒＬケ
乾燥後、バインダーとし℃ポリビニルアルコール２重ｆ
ｔ％ｖ加えて６ｏメツシユのふるいを通し℃造粒し、コ
ドン／ｄの圧力で直径／コ瘤、厚さ０．６Ｗａｎ の円
板に成型した。
次いで、この円板試料を大気電灯０℃で グ時間仮焼し
てバインダーを燃焼させた後、室温まで、冷却した。こ
の試料ｙａｌ−窒素灯容量憾、水素５容量％Ｄ・らなる
微還元性雰囲気中で１１４２０℃、ユ時間焼成し、半導
体磁器を得た。
てバインダーを燃焼させた後、室温まで、冷却した。こ
の試料ｙａｌ−窒素灯容量憾、水素５容量％Ｄ・らなる
微還元性雰囲気中で１１４２０℃、ユ時間焼成し、半導
体磁器を得た。
この半導体磁器の表面は絶縁剤であろＢ＜２０３？：０
．ｇ■塗布后、大気中で１２２！℃で１時間焼成するこ
とにより結晶粒界を絶縁して、５ｔＴｊ０３１Ｍ＋＄０
２、ｓ＜ｏ２、Ｙ２Ｏ３が前記のモル憾の割合で含有さ
ｎている本発明の半導体ら器の結晶粒界を絶縁した粒界
絶縁型半導体磁器組成物が得ら几た。
．ｇ■塗布后、大気中で１２２！℃で１時間焼成するこ
とにより結晶粒界を絶縁して、５ｔＴｊ０３１Ｍ＋＄０
２、ｓ＜ｏ２、Ｙ２Ｏ３が前記のモル憾の割合で含有さ
ｎている本発明の半導体ら器の結晶粒界を絶縁した粒界
絶縁型半導体磁器組成物が得ら几た。
このものを試料とし、表裏両面に銀′６極ｒ＜ｒｓｏ’
ｃ、３０分間焼付して形成し、電気特性を計測した誘電
率、誘電損失は＋２０℃、周波数／ Ｋ Ｈｚで計測を
行った。また誘電率の温度変化率は、＋ ｉ Ｃの値を
基準とし”ｃ、−ｐｃ〜＋ｇｓ℃の温度範囲においてそ
の変化率（喝を示す。
ｃ、３０分間焼付して形成し、電気特性を計測した誘電
率、誘電損失は＋２０℃、周波数／ Ｋ Ｈｚで計測を
行った。また誘電率の温度変化率は、＋ ｉ Ｃの値を
基準とし”ｃ、−ｐｃ〜＋ｇｓ℃の温度範囲においてそ
の変化率（喝を示す。
前述の原料組成、即ち生成せる半導体磁器組成物の組成
を第１衣に、電気特性を第２我に示す。
を第１衣に、電気特性を第２我に示す。
実施例２〜７ 比較例１〜６
原料組成をかえた以外、実施例１と全く同条件で半導体
磁器組成物を作成、実ボ例１と同様ＶＣ電気特性を測定
した。そｎぞｎの原料組成を第１表に、電気特性を第２
表に示す。
磁器組成物を作成、実ボ例１と同様ＶＣ電気特性を測定
した。そｎぞｎの原料組成を第１表に、電気特性を第２
表に示す。
第１表
第２表
以上の実施例、比較例より本発明の半導体磁器の結晶粒
界を絶縁した粒界絶縁型半導体磁器組成物はその誘電率
が／ ２０００θ〜／６θ０００と極めて高く、かつ誘
電損失−δは０．Ａ〜ｏ、ｇダ・と少なく、さらに誘電
率の変化も±を優と少ないという丁−ぐｎた特性な有す
る。
界を絶縁した粒界絶縁型半導体磁器組成物はその誘電率
が／ ２０００θ〜／６θ０００と極めて高く、かつ誘
電損失−δは０．Ａ〜ｏ、ｇダ・と少なく、さらに誘電
率の変化も±を優と少ないという丁−ぐｎた特性な有す
る。
Claims (2)
- （１）主成分であるチタン酸ストロンチウム９２．００
〜９６．９４モル％に対して、二酸化マンガンを２．８
６〜６．０８モル％、酸化ケイ素を０．１０〜１．９０
モル％、原子価制御剤を０．０５〜０．１９モル％を添
加してなる半導体磁器の結晶粒界を絶縁した粒界絶縁型
半導体磁器組成物。 - （２）原子価制御剤は酸化ランタン、酸化イットリウム
、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化タングステンの少な
くとも１種である特許請求の範囲第１項の粒界絶縁型半
導体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61144795A JPH0734415B2 (ja) | 1986-06-23 | 1986-06-23 | 粒界絶縁型半導体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61144795A JPH0734415B2 (ja) | 1986-06-23 | 1986-06-23 | 粒界絶縁型半導体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS632310A true JPS632310A (ja) | 1988-01-07 |
| JPH0734415B2 JPH0734415B2 (ja) | 1995-04-12 |
Family
ID=15370630
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61144795A Expired - Lifetime JPH0734415B2 (ja) | 1986-06-23 | 1986-06-23 | 粒界絶縁型半導体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0734415B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6316504A (ja) * | 1986-07-05 | 1988-01-23 | キヤノン株式会社 | セラミツク形成組成物及びこれを用いた半導体磁器基体と誘電体磁器基体並びにコンデンサ− |
| JPS63289706A (ja) * | 1987-05-20 | 1988-11-28 | Canon Inc | セラミック形成組成物及びこれを用いた半導体磁器基体と誘電体磁器基体並びにコンデンサー |
| US5061575A (en) * | 1988-05-31 | 1991-10-29 | Kawasaki Steel Corporation | Lubricating resin coated steel strips having improved formability and corrosion resistance |
-
1986
- 1986-06-23 JP JP61144795A patent/JPH0734415B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6316504A (ja) * | 1986-07-05 | 1988-01-23 | キヤノン株式会社 | セラミツク形成組成物及びこれを用いた半導体磁器基体と誘電体磁器基体並びにコンデンサ− |
| JPS63289706A (ja) * | 1987-05-20 | 1988-11-28 | Canon Inc | セラミック形成組成物及びこれを用いた半導体磁器基体と誘電体磁器基体並びにコンデンサー |
| US5061575A (en) * | 1988-05-31 | 1991-10-29 | Kawasaki Steel Corporation | Lubricating resin coated steel strips having improved formability and corrosion resistance |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0734415B2 (ja) | 1995-04-12 |
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