JPH0464255A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPH0464255A
JPH0464255A JP2178021A JP17802190A JPH0464255A JP H0464255 A JPH0464255 A JP H0464255A JP 2178021 A JP2178021 A JP 2178021A JP 17802190 A JP17802190 A JP 17802190A JP H0464255 A JPH0464255 A JP H0464255A
Authority
JP
Japan
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case
gel
crawl
filling
sealing resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2178021A
Other languages
English (en)
Inventor
Shinichi Kasaya
笠屋　眞一
Shigeo Hamamoto
浜本　茂生
Toshihiro Nakajima
中嶋　利廣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP2178021A priority Critical patent/JPH0464255A/ja
Publication of JPH0464255A publication Critical patent/JPH0464255A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
    • H10W72/874—On different surfaces
    • H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
    • H10W90/734—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、半導体装置に係り、特に電力用モジュール
の外装に関するものである。
［従来の技術１ 第４図は従来の電力用モジュールの構成を示す断面図で
ある。第４図において、１は合成樹脂製の側壁からなる
無底状のケースであり、このケース１の底板として金属
製の放熱板２が接着されている。この放熱板２上には絶
縁基板（もしくは絶縁膜）３が接着され、さらにその上
に導体配線がなされる。絶縁基板３上には半導体素子４
が搭載されるとともに、半導体素子４と接続する絶縁基
板３上の導体配線部のパッドに、リード５の下端部５ａ
がはんだ層を介して接合されるようになっている。また
、ケース１内にはゲル状充填物６が注入され、さらにそ
の上に密封用樹脂７が注入されて密封される。
［発明が解決しようとする課題１ ところで、上記ゲル状充填物６は、製造途中でケース１
の内壁をはい上がるという性質を有するため、第５図（
ａ）のように、ケース高１の高さが低いものは、ゲル状
充填物６がケース１の内壁をったって、ケース１の上面
まではい上がってしまい、その後に注入充填する密封用
樹脂７によつて半導体素子４を密封できないという問題
が生じていた。
また、密封用樹脂７がケース１に正常に接合するために
は第５図（ｂ）のように、ケース１の高さをゲル状充填
物６のはい上がり部よりもさらに高くする必要があるの
で、半導体装置の外形高さが必然的に大きくなり、装置
全体が大型化するという問題があった。
［課題を解決するための手段１ この発明に係る半導体装置は、ケースの内側の側壁部に
ゲル状充填物のはい上がりを防止するはい上がり防止部
を設けたものである。
〔作用１ この発明においては、ケース内側の側壁部にゲル状充填
物のはい上がりを防止するはい上がり防止部を設けたの
で、ゲル状充填物がはい上がることがなく、その後の密
封用樹脂の注入充填に支障がない。
［実施例］ 以下、この発明の一実施例を図面について説明する。
第１図はこの発明の一実施例を示す半導体装置の構成断
面図である。
第１図において、第４図と同一符号は同一構成部分を示
すので、その説明は省略する。１ａは前記ケース１の内
側の側壁部に設けたはい上がり防止部で、例えば矩形状
の突起からなる。
上記のように、ケース１の内側の側壁部に突起１ａを設
けることにより、ゲル状充填物６がケース１の内側を上
面近（まではい上がるのを防ぎ、その後に注入充填する
密封用樹脂７がケース１と正常に接合される。
なお、上記突起１ａはケース１の内側の側壁部のどの部
分に設けてもよく、その数も問わない。
また、はい上がり防止部の形状は第２図（ａ）〜（ｆ）
に示すように、種々の形状の突起１８〜１ｄまたは種々
の形状の凹部１ｅ、１ｆ等が考えられる。
このように適宜な形状のはい上がり防止部をケース１の
内側の側壁部に設けることにより、第３図（ａ）に示す
ようにゲル状充填物６のはい上がりを突起１ａで止める
ことができ、また、第３図（ｂ）に示すように、ケース
１を少し傾けた場合や、第３図（Ｃ）に示すように、ゲ
ル状充填物６の量が多（なった場合は、表面張力の作用
により、突起１ａでゲル状充填物６をせき止める効果が
ある。他の突起１ｂ〜１ｄや、凹部１ｅ、ｉｆについて
も同様の作用効果がある。
〔発明の効果］ 以上説明したように、この発明は、ケースの内側の側壁
部にゲル状充填物のはい上がりを防止するためのはい上
がり防止部を設けたので、ゲルのはい上がりを防止し、
密封用樹脂が正常にケースと接合できる。また、これに
よって作業性がよく、しかも薄形の半導体装置が得られ
る効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例を示す半導体装置の構成断
面図、第２図（ａ）〜（ｆ）はこの発明のはい上がり防
止部の他の形状例を示す断面図、第３図はこの発明の詳
細な説明する断面略図、第４図は従来の半導体装置の断
面図、第５図はゲル状充填物のはい上がりを説明する断
面略図である。 図において、１はケース、１ａ〜１ｄは突起、Ｉｅ、１
ｆは凹部、２は放熱板、３は絶縁基板、４は半導体素子
、５はリード、６はゲル状充填物、７は密封用樹脂であ
る。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人　大　岩　増　雄　　　　（外２名）第 図 第 図 （ａ） （ｂ） （ｄ） （ｅ） ｌｅ、１ｆ　　四部 （Ｃ） （ｆ） 第 図 １、：Ｉ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　無底状のケースと、このケースの底板を構成するよう
    に前記ケースの底部に装着された放熱板と、この放熱板
    上に接着された絶縁基板と、導体配線のなされた前記絶
    縁基板上に搭載された半導体素子およびリードと、表面
    が前記半導体素子よりも上方に位置するように前記ケー
    ス内に注入されたゲル状充填物と、さらに、その後に注
    入充填された密封用樹脂とを有する半導体装置において
    、前記ケースの内側の側壁部に前記ゲル状充填物のはい
    上がりを防止するためのはい上がり防止部を設けたこと
    を特徴とする半導体装置。
JP2178021A 1990-07-03 1990-07-03 半導体装置 Pending JPH0464255A (ja)

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JP2178021A JPH0464255A (ja) 1990-07-03 1990-07-03 半導体装置

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JPH0464255A true JPH0464255A (ja) 1992-02-28

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0613500A (ja) * 1992-06-26 1994-01-21 Sanyo Electric Co Ltd 混成集積回路装置
WO2017082122A1 (ja) * 2015-11-12 2017-05-18 三菱電機株式会社 パワーモジュール
WO2023073831A1 (ja) * 2021-10-27 2023-05-04 三菱電機株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法

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