JPH0466399B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

（産業上の利用分野） この発明は、ICカード、電子機器等に組み込
まれるスルーホール付導体回路板の製造方法に関
する。 （従来の技術及びその問題点） 近年、ICカード、電子機器等の高性能化、軽
薄化等に伴い、これらに組み込まれる導体回路板
は益々回路パターの高密度化、薄膜化の傾向にあ
り、その中で、基板の両面に導体回路を形成さす
ることにより配線密度を高めた両面導体回路板が
注目されている。そして、このような導体回路板
を能率良く、大量に、且つ、高品質で製造する方
法が要請されている。 導体回路板を製造する従来の一般的な方法とし
ては、ガラスエポキシ樹脂等の絶縁基板表面に
18μｍ乃至は35μｍ、或いはそれ以上の膜厚を有
する銅箔を接着積層し、この銅箔面にフオトレジ
スト、印刷レジスト等の材料によりマスキングを
施し、導体回路以外の不要部分をエツチング除去
する、所謂エツチング法がある。 この方法は工程上絶縁基板上の銅箔の厚さを薄
くすることが出来ず、導体回路板の薄膜化には本
質的に不向きであるばかりか、銅箔製造後の表面
処理、切断、絶縁基板への積層等の工程時に物理
的に加わる引張力、折曲力等に充分に耐え得るた
めには銅箔厚さが18μｍ以上のものを使用する必
要があり、導体回路の高密度化に必要な、銅箔厚
さが５〜10μｍの銅張基板を得ることが困難であ
つた。 上述のエツチング法の問題を解決するものとし
て、所謂転写法により作製する導体回路板が、例
えば、特公昭55−32239号公報、特公昭57−24080
号公報、特公昭57−39318号公報、特開昭60−
147192号公報により公知である。 特公昭55−32239号公報、特公昭57−24080号公
報及び特公昭57−39318号公報に開示の導体回路
板の製造方法（以下これを「ベルト転写法」とい
う）は、金属製回転ドラムの外周面又はホリゾン
タルメツキ装置の陰極部に摺動する薄手の導電性
金属帯表面にレジストマスクを施し、この金属帯
を陰極としてこれを不溶性の陽極に所定の間隔を
保ちながら送行させ、金属帯と陽極間にメツキ液
を高速で強制的に供給して金属帯表面に導体回路
を電解形成させ、この導体回路に予め接着材が塗
布された絶縁基材を密着させたあと、絶縁基材と
導体回路を金属帯から引き剥がし、必要に応じて
導体回路にオーバレイを積層被覆することにより
導体回路板を実現させものである。このベルト転
写法は高速メツキを行うための従来のエツチング
法等より導体回路形成速度が著しく早く、且つ、
連続的に導体回路板を作製できる点ですぐれてい
るが、導体回路を転写した絶縁基材を金属帯から
引き剥がす分離工程時に、導体回路と金属帯表面
との密着強度と、レジストと金属帯表面との密着
強度の相違等に起因して、導体回路が絶縁基材側
に部分的に転写しないことや、レジストマスク材
が絶縁基材側に転写したり、転写分離過程で回路
がスイング、デフオルムを起こし、シヨート、シ
ワ、折れ、打痕、裂れ目等の欠陥が発生するとい
う問題がある。 又、ベルト転写法は導電性基材として金属帯を
使用するので、幅広の金属帯を使用する金属帯が
送行中に波打ち、金属帯と陽極間距離を一定に保
つことが難しい。従つて、金属帯上に電解される
導体回路の厚みが場所によつて異なり、微細な回
路パターンを有する導体回路では転写時の寸法安
定性に劣り、歩留りが悪いという問題がある。こ
のため、ベルト転写法では幅広の金属帯が使用で
きず、このため生産性の工場に制限がある。 更に、例えば特公昭57−24080号公報に開示さ
れるように、リールに巻かれたステンレス鋼の金
属帯をリールに巻き取る、所謂リール・ツー・リ
ールの状態で使用すると、ステンレス板表面に
傷、汚れ等の破損を与えたり、レジストパターン
付与時にパターンに汚れ、傷等を与え易い。しか
も、レジストパターンの汚れ、傷等に対処するた
めに作業を中断すると、今度は回路の形成を損な
う等の問題が生じるので、リール・ツー・リール
方式ではたとえレジストパターンに汚れ、傷等の
損傷が発生しても安易に作業（ライン）を中断す
ることが難しい。この結果、不良率の増加、作業
性の低下等の問題が生じる。 又、金属帯としてステンレス鋼を使用すると、
この金属帯表面には気孔等の避けられない物理的
欠陥や電気化学的欠陥が存在し、ベルト転写法
は、このような欠陥のある金属帯表面上に直接導
体回路を電解析出させるので、導体回路にピンホ
ールが発生し易く、特に銅回路幅100μｍ以下、
回路間隔100μｍ以下等の高密度導体回路板では
重要な問題となる。 前記特開昭60−147192号公報に開示の導体回路
板の製造方法（以下これを「従来転写法」とい
う）は、基板上に薄膜金属層を施す工程（第２１
図ａ）と、この薄膜金属層表面を粗面化する工程
（第２１図ｂ）と、薄膜金属層表面に導体回路を
形成する部分を除きメツキレジストを形成する工
程（第２１ｃ）と、メツキレジストを形成した薄
膜金属層表面にメツキを行つて導体回路を形成す
る工程（第２１ｄ）と、その後に薄膜金属層、導
体回路及びメツキレジストを共に上記基板から剥
離して絶縁性基材へ転写する工程（第２１ｅ）
と、転写された薄膜金属層をエツチングにより除
去する工程（第２１図ｆ）とからなるもので、こ
の従来転写法は、基板上に１〜10μｍ程度の薄膜
金属層を形成しておき、これを転写時にメツキレ
ジスト及び導体回路と共に絶縁性基材に転写する
ことにより、導体回路を容易且つ確実に転写する
ことが出来る点で前述のベルト転写法より優れて
いる。そして、薄膜金属層表面に塩化第二銅・塩
酸混合液等を使用して化学エツチング法により粗
面化することによりレジスト及び導体回路メツキ
膜の薄膜金属層への密着性を良好に保つようにし
ている。しかしながら、従来転写法は上述のよう
に基板上に薄膜金属層を形成させた後、この薄膜
金属層表面を粗面化する工程が必須要件であり、
この粗面化処理に時間が掛かり、生産性の向上に
悪影響を及ぼすと共に、工程簡略化の上で好まし
くない。 一方、導体回路と絶縁基材との密着性を向上さ
せるためには導体回路表面は所定の粗度を有して
いる必要がある。 更に、上述の各転写法を両面導体回路板の製造
に適用する場合、導体回路が形成された一対の導
電性基材を導体回路を内側にして互いに対向さ
せ、絶縁基材を挟んで三者を一体に加熱圧着した
のち前記絶縁基材から導電性基材のみを引き剥が
して絶縁基材の両面に導体回路を転写して残留さ
せる事が一般的である。しかしながら、上記のベ
ルト転写法では、原理的に両面の導体回路の正確
な位置合わせが困難であり、両面導体回路板への
応用は不可能に近い。又、仮にできたとしても、
絶縁基材から導電性基材を剥離する時に上記した
ようなシワ、折れ、打痕、裂け目等の問題、及び
ピンホール等の問題に加えて、両面板に不可欠な
スルーホールメツキを施す工程で、電気的に独立
した導体部分つまり島状部の導通をとることが困
難であるという新たな問題が生じ、また、従来転
写法では、上記したような工程の繁雑さが依然と
して存在する。 本発明は上述の種々の問題点を解決するために
なされたもので、生産性が高く、設備及びその設
置面積が最小限でよく、しかも、高密度の回路パ
ターンの形成が確実、且つ安定的に実現でき、特
に両面導体回路板のスルーホール孔明け加工時
に、島状部の導通を容易に確保しうるスルーホー
ル付導体回路板の製造方法を提供することを目的
とする。 （問題点を解決するための手段及び作用） 上述の目的を達成するために本発明者等が種々
研究を重ねた結果、少ない生産設備と少ない設置
面積で高い生産性を上げるには、所謂高速メツキ
法の採用が必要であること、特別な粗面化処理工
程を必要とせずに、高速メツキ法により所要の粗
度のメツキ面を得る電解メツキ条件を究明し得た
こと、所謂単板プレス法により導電基材に薄銅膜
を介在させて導体回路を形成し、これを絶縁基板
に転写すれば導体回路が絶縁基板に容易且つ確実
に転写できること、更には、スルーホール付両面
導体回路板の製造に適用した場合も同様の効果が
得られるとともに、全面に形成された薄銅膜が導
通媒体として機能するため、スルーホールのメツ
キ工程において、スルーホールを形成した導体部
が島状部であつても、容易にメツキを施すことが
できること等の認識に基づくものである。 即ち、本発明のスルーホール付導体回路板の製
造方法は、表面粗度0.08〜0.23μｍの平板状導電
基材を陰極として、該陰極と平板状陽極を電極巻
距離３〜30mmだけ離間させ、これらの電極に対す
る電解液の溶液スピードが2.6〜20.0ｍ／secとな
るように電解液を強制的に供給し、電流密度0.15
〜4.0A／cm²の条件で電解メツキを施して前記導
電基材に１〜5μｍの薄膜金属層を形成する工程
と、形成した薄膜金属層の、導体回路を形成する
部分を除く表面にレジストマスクを形成する工程
と、レジストマスクを形成した薄膜金属層表面
に、銅イオンを含有する電解液を用いて前記電解
メツキ条件と同じ条件で電解メツキを施して導体
回路を形成する工程と、形成した導体回路表面に
粗面化処理を施す工程と、斯く導体回路が形成さ
れた導電基材２個を夫々の導体回路が内側になる
ようにして互いに対向させ、各基板の間に絶縁基
材を挟んで一体に加熱圧着し、該２個の基板の積
層する工程と、該積層体から導電基材のみを剥離
して前記絶縁基材の両面に導体回路及び薄膜金属
層を転写する工程と、該絶縁基材に両面の導体回
路を接続するためのスルーホールを孔明する工程
と、該スルーホールの周壁面及び前記絶縁基材両
面のスルーホール開口周縁部を除く領域にレジス
トマスクを形成する工程と、該スルーホールの周
壁面及び前記積層体両面のスルーホール開口周縁
部のみを触媒化したのち、当該領域に電気メツキ
を施す工程と、前記レジストマスクを除去すると
ともに、該レジストマスクが形成されていた領域
の前記薄膜金属層を除去する工程とからなること
を特徴とする。 上述の薄膜金属層を単板の導電基材と導体回路
間に介在させたことによる作用として、以下の４
点を上げることが出来る。 (1) 薄膜金属層を介在させた導体回路付単板を絶
縁基材に重ね合わせ、プレスで所定時間加圧加
温し、固化積層後分離すると、単板と薄膜金属
層が70〜120ｇ／cmのピーリング強度で剥離分
離ができ、寸法変化、外観不良のない転写積層
が容易にできる。 (2) 両面多層基板の製造において、両面間の導通
を確保するためにはスルホールメツキが必要で
あり、このスルホールメツキ工程時に本発明の
薄膜金属層を介在させなければ、スルホールメ
ツキとしては、(a)無電解メツキで所要の膜厚の
スルホールメツを施す方法、(b)0.3〜0.5μｍ程
度の厚みの無電解メツキ後電解メツキを施し、
所要の膜厚を得る方法等が考えられるが、(a)の
全て無電解メツキで形成させる方法によりスル
ホールに25μｍ程度の無電解メツキ膜を堆積さ
せるには数時間〜10時間のメツキ時間が必要で
あり、生産性が劣るばかりか、堆積膜の結晶粒
子が粗く、且つ、耐熱性の点が信頼性に劣る。
(b)の無電解メツキ後、電解銅メツキで所要の膜
厚を形成させる方法は、基板回路上の電気的に
独立の島状回路にスルホールメツキを施す場
合、スルホール部分に電解のための電気的導通
を与えることが困難である。本発明の薄膜金属
層は独立回路に電気的導通を与え、電解銅メツ
キを可能にする。 (3) 単板導電基材（例えばステンレススチール）
の表面は化学的、物理的に基材表面を充分に研
磨を施しても、基材内部にある非金属介在物、
電気化学的欠陥による基材中の成分が脱落した
り、金属間化合物、偏析、気孔等が残存し、こ
れらの欠陥を経済的且つ完全に補うことが出来
ない。本発明の薄膜金属層は基材の上記欠陥を
補うこができ、この結果、ピンホールが発生せ
ず、従つて、幅100μｍ以下のフアインパター
ンの回路基板を容易且つ安価に作製できる。 (4) 単板導電基材に薄膜金属層及び銅回路を形成
した後、絶縁基材に転写積層を加熱圧着工程で
実施するが、この際、絶縁基材に塗布又は含浸
したＢステージの樹脂接着剤が溶融且つゲル化
及び固化過程で単板導電基材の周縁部表面に流
出しようとするが、この薄膜金属層を単板基材
周縁部までの広がりで単板銅電基材表面を被覆
しておくことにより、流出固化した樹脂が薄膜
金属層の上に留まり、転写積層分離工程で単板
導電基材と薄膜金属層の境界（界面）より容易
に分離でき、単板導電基材に密着・付着するこ
とが全くない利点がある。 次に、第１図乃至第１２図に基づき、本発明方
法によるスルーホール付導体回路板の製造工程を
説明すると、先ず、本発明方法の実施に使用され
る導電基材２としては、剛性を有する単板、例え
ば有効寸法最大1220×1020mm、厚み１〜10mmの範
囲の適宜の大きさの平板状導電材からなり、メツ
キ工程で使用する薬品に対する耐薬品性、耐電食
性を有することが望ましく、ステンレススチール
板（例えば、ハードニング処理を施したSUS630
が好適である）、ニツケル板、チタン又はチタン
合金板、銅又は銅合金板等が使用される。この導
電基材２の表面の汚れ、酸化皮膜を除去すると共
に該表面の所要の粗度を与える前処理工程を施す
（第１図ａ）。導銅電基材２の表面は、0.08〜
0.23μｍの範囲の粗度で研磨するのが望ましい。
この導電基材２の表面粗度は、次工程で導電基材
２上に形成される薄膜金属層（薄銅膜）５の密着
強度やピンホールの発生、更には、薄膜金属層５
の表面粗度にも影響を与える。又、上述の粗度の
規定範囲は薄膜金属層５が導体回路６のメツキ等
の工程時に無闇に剥離せず、しかも、後述する導
電基材２の剥離工程（第１図ｈ）において容易に
剥離できる密着性が得られるように設定されたも
ので、導電基材２と薄膜金属層５間の界面８の密
着力、及び後述の薄膜金属層５とレジスト膜７間
の境界９（第３図参照）の密着力に差が生じるよ
うに、即ち、境界９の密着力が界面８の密着力よ
り大となるように設定してある。 導電基材２としてステンレススチール板を使用
する場合には、例えば導電基材２を硫酸80〜100
ml／、60〜70℃の溶液に10〜30分間浸漬してス
ケール除去を行い、次いで、水洗後、硝酸60〜
100ml／に酸性フツ化アンモニウム30ｇ／を
加えた、室温の溶液に10〜30分間浸漬してスマツ
ト除去を行う。次に、水洗後、リン酸ナトリウム
20〜50ｇ／と水酸化ナトリウム50ｇ／の電解
液で、電解液温度：室温〜40℃、電流値：３〜
8A／ｄm²の電解条件で１〜２分間陰極電解脱脂
を行う。上述の粗面化処理は化学的に行うもので
あるが、導電基材２表面を化学的にクリーニング
した後、湿式サンドブラスト（液体ホーニング）
等により機械的に粗面化してもよい。 導電基材２としてニツケル板を使用する場合に
は、例えば、リン酸ナトリウム20〜50ｇ／に水
酸化ナトリウム50ｇ／を加えた電解液で、電解
液温度：室温〜40℃、電流値：３〜8A／ｄm²の
電解条件で１〜２分間陰極電解脱脂を行う。そし
て、水洗後、フツ化水素１〜10ｇ／、50℃の溶
液、又は、塩酸150ml／、50℃の溶液に１〜10
分間浸漬して粗面化し、次いで、水洗後40〜60℃
で温水洗浄を施す。 導電基材２としてチタン又はチタン合金板を使
用する場合には、例えば、リン酸ナトリウム20〜
50ｇ／、50〜60℃の溶液に３〜５分間浸漬して
アルカリ浸漬脱脂を行う。次いで、水洗後、25％
フツ酸（HF）−75％硝酸（HNO₃）溶液に浸漬し
て化学エツチングにより粗面化処理を行う。 導電基材２として銅又は銅合金板を使用する場
合には、例えば、リン酸ナトリウム20〜50ｇ／
の電解液で、電解液温度：50〜60℃、電流値：３
〜10A／ｄm²の電解条件で30秒〜２分間陰極電解
脱脂を行う。次いで、水洗後、フツ化水素１〜10
ｇ／、室温以下の溶液で30秒〜２分間酸洗い
し、水洗する。 次に、前処理を終えた導電基材２を陰極１とし
て、これを陽極１４に所定の距離（３〜30mm）だ
け離間させた対峙させ、所謂高速メツキにより導
電基材２上に薄膜金属層５を電解析出させる（第
１図ｂ、及び第２図）。薄膜金属層５としては銅、
ニツケル等が好適であり、これらの薄膜金属層５
を１〜5μｍの厚みで導電基材２表面に積層させ
る。 薄膜金属層５として銅を析出させる場合の高速
メツキ条件としては、45〜70℃のメツキ液を陰極
表面において乱流状態、即ち、電極間距離３〜30
mm、電極に対する接液スピードが2.6〜20.0ｍ／
secになるように陰極電極を回転するか、固定電
極間に強制的に電解液を供給する。このとき、メ
ツキ液として、例えば、硫酸銅メツキ液、ピロリ
ン酸銅液等を使用し、陰極電流密度0.15〜4.0A／
cm²の電流を印加し、薄膜金属層の堆積速度が25〜
100μｍ／minとなるように設定することが望まし
い。 薄膜金属層５としてニツケルを析出させる場合
の高速メツキ条件としては、陰極と陽極とを300
〜350mmで離間させ、この電極間に40〜48℃のメ
ツキ液を供給してエア撹拌を行う。このとき、メ
ツキ液として、例えば、硫酸ニツケル、スルフア
ミン酸ニツケル等を使用し、陰極電流密度2.2〜
4.0A／ｄcm²の電流を印加し、薄膜金属層の堆積
速度が0.8〜1.5μｍ／minとなるように設定するこ
とが望ましい。 なお、薄膜金属層５としてニツケル・リン合金
を使用することもでき、その場合、金属層５を析
出させる場合の電解ニツケルメツキ条件として
は、35〜55℃のメツキ液を、導電基材２表面の接
液スピードが40〜80mm／secとなるように揺動を
かける。このとき、メツキ液として、例えば、次
亜リン酸又はボロン系還元剤を用いた無電解ニツ
ケル液等を使用し、薄膜金属層の堆積速度が30分
間に１〜2μｍとなるように設定することが望ま
しい。 高速メツキされた薄膜金属層５は、上述した通
り所要の表面粗度を有する導電基材２に電解積層
されるので薄膜金属層５は導電基材２に適度の密
着力で密着しており、又、その表面粗度は上述し
たメツキ条件による高速メツキによつて後述する
レジストマスク７と薄膜金属層２との所望の密着
力を得るに好適な範囲内にある。つまり、本発明
においては、導電基材の表面粗度、メツキ液の接
液スピード及び電解電流密度の各条件を組み合わ
せることにより、薄膜金属層５の表面粗度を好適
に制御することができる。従つて、高速メツキに
より積層された薄膜金属層５の表面はメツキ後に
特別な表面処理を必要としない。 又、ステンレススチール板、ニツケル板等から
なる導電基材２には電気化学的欠陥が存在し、こ
れらの欠陥は金属間化合物、或いは非金属介在
物、偏析、気孔等からなり、これらの欠陥はステ
ンレススチール板の溶製時、圧延時等に混入生成
されるもので、導電基材２の表面処理だけでは改
善し得ないものである。この欠陥は導体回路６に
ピンホールを生じさせ原因となるものである。導
電基材２の表面に形成させた薄膜金属層５表面は
電気化学的に平滑であり、この薄膜金属層５上に
後述する導体回路６を形成させることにより、ピ
ンホールの発生が防止される。 斯く形成された薄膜金属層５の、導体回路６が
形成される部分を除いた表面に、フオトレジスト
法、印刷法等によりレジストマスク７が形成され
る（第１図ｃ、第３図）。レジスト剤としては、
前述した通り、導電基材２及び薄膜金属層５の各
表面粗度と相まつて、界面９の密着力を界面８の
密着力より相対的に強くすることができるものが
選択される。 次に、上述のようにして薄膜金属層５及びレジ
ストマスク７を形成させた導電基材２を陰極１と
して、これを陽極１４に所定の距離（例えば、３
〜30mm、好ましくは、11〜15mm）だけ離間させて
対峙させ、高速メツキにより導体回路６を薄膜金
属層５上に銅電鋳する（第１図ｄ、及び第４図）。
この高速メツキの電解液としては、金属銅濃度
0.20〜2.0mol／、好ましくは、0.35〜
0.98mol／、最も好ましくは1.4〜1.6mol／、
及び硫酸濃度50〜220ｇ／を含有する硫酸銅メ
ツキ液でよく、メツキの均一性を確保するため
に、西独国LPW社製のCUPPORAPID Hs（商品
名）を1.5／あて添加する。又、ピロリン酸銅
液等の通常のメツキ液を使用してもよい。又、電
流密度0.15〜4A／cm²、電解液の流速2.6〜20ｍ／
秒、電解液温度45〜70℃、好ましくは60〜65℃と
なるように夫々設定する。メツキ液温が45℃未満
であると、銅イオンの移動速度が低下するため電
極表面に分極層が生じ易くなり、メツキ堆積速度
が低下する。一方、液温が70℃を越えるとメツキ
液の蒸発量が多くなり濃度が不安定になると共に
液温高温化による設備的制限が加わる。 電流密度と電解液の流速とを上述の所定の条件
に設定することにより、薄膜金属層５上のレジス
トマスク７によりマスキングされない部分に、毎
分25〜100μｍの堆積速度で導体回路６を堆積さ
せ、従来のメツキ法の10〜200倍の高能率で銅電
鋳を行うことが出来、実用上極めて大きな意義を
有する。しかも、堆積する銅粒子を極めて微細に
することができ、導体回路６の伸び率は抗張力を
損なうことなく16〜25％に達する。この伸び率は
通常のメツキ法により形成された導体回路の伸び
率の1.5〜２倍以上であり（圧延アニール銅箔と
同等以上の値であり）、極めて柔らかい銅膜を作
製することが出来る。このように圧延アニール銅
箔と同等の性能を有することから、高折曲性が必
要なフレキシブル基板において特に有効である。
又、生成した導体回路６の表面粒子を、平均粒子
径で3.0〜7.5μｍと極めて微細にすることができ、
その結果、続く粗面化処理（電解メツキ）工程に
おいて形成される突起状析出物も極めて微細なも
のとすることが出来る。更に、導体回路６は電気
化学的に平滑な薄膜金属層５上に積層するので、
10μｍ以下の厚さでもピンホールが生じない。 銅電鋳工程において、導体回路６が所要の厚み
（例えば、2μｍ〜300μｍ）に達した時点で通電及
びメツキ液の供給を停止し、水洗後、引き続き導
体回路６を粗面化するための粗面化電解メツキを
実施する（第１図ｅ）。この粗面化電解メツキ工
程における電解条件は、電流密度が0.25〜
0.85A／cm²、電極に対する電解液の接液スピード
が0.1〜0.8ｍ／秒となるように夫々設定する。
尚、電解液としては特に限定されないが、例え
ば、硫酸銅（CuSO₄・5H₂O）：80〜150ｇ／、
硫酸（H₂SO₄）：40〜80ｇ／、及び硫酸カリウ
ム（KNO₃）：25〜50ｇ／よりなる混合溶液等
を使用する。 この粗面化処理により導体回路６の粗面上には
突起状析出物が付着形成され、この突起状析出物
の平均粒径は１〜5μｍとなり、後述する絶縁基
材１０との密着性が国めて良好となる。 尚、上述した粗面化処理後に更に導体回路６表
面にクロメート処理を施すと、絶縁基材である樹
脂との親和性が高まり、ピーリング強度はもとよ
り、導体回路の耐熱性（例えば、はんだ耐熱性）
も15％程度向上するという利点がある。このクロ
メート処理は、具体的には、0.7〜12ｇ／濃度
の重クロム酸カリウム溶液に常温で５〜45秒間浸
漬するか、市販の電解クロメート処理液にてクロ
メート処理を施す。 粗面化処理が終了すると、レジストマスク７の
除去工程に進む（第１図ｆ、第５図）。このレジ
ストマスク７の剥離除去には、例えば、カセイソ
ーダ等の溶解液が使用され、この溶解液鋳に30〜
60秒間浸漬してレジストマスク７を溶解除去し、
水洗、乾燥する。 次いで、上記により薄膜金属層５を介して導体
回路６が形成された導電基材２を２個互いに導体
回路６が内側となるように対向させて、これらの
間に絶縁材介在させて積層したのち、ホツトプレ
スにより加熱圧着させる（第１図ｇ、第６図）。
絶縁基材１０としては、有機材料、及び無機材料
のいずれのものでもよく、例えば、ガラス、エポ
キシ系樹脂、フエノール系樹脂、ポリイミド系樹
脂、ポリエステル系樹脂、アーラミド樹脂等の材
料を用いることができる。一般には、ガラス布等
にエポキシ樹脂を含浸させ、半硬化状態（Ｂステ
ージ）にあるプリプレグに導体回路６が没入する
状態（第６図に示す状態）に加熱・加圧され、こ
れと接着される。 この転写工程において、各導電基材２上の導体
回路６は厚手の導電基材２と一体に絶縁基材１０
の両面に積層され、加熱圧着されるので、導体回
路６は導電基材２に保持されたまま転写されるこ
とになり、寸法安定性が確保される。又、導電基
材２が転写時の転写治具を兼ねるので特別の治具
が不要であり、更に、導体回路６と導電基材２と
の間に薄膜金属層５が介在し、薄膜金属層５と導
体回路６とが強い密着力で結合しているので導体
回路６が転写時にずれて移動する（所謂、スイン
グを起こす）ことがなく、寸法安定性が良いので
微細な導体回路パターンを有する高密度回路にも
適用可能である（例えば、パターン幅数μｍ〜数
十μｍが実現出来る）。更に、万一導体回路６に
ピンホールがあつても導体回路６と導電基材２と
の間に薄膜金属層５が密着状態で介在しているの
で接着材等がピンホールを通つて導体回路６表面
に露出することがない。 尚、上記の転写工程においては、レジストマス
ク７を溶解除去したのちに、導体回路６及び薄膜
金属層５を絶縁基材１０に転写することとした
が、この工程に限定されるのではなく、レジスト
マスク７を溶解除去せずに永久レジストとしてそ
のまま導体回路６及び薄膜金属層５と共に絶縁基
材１０に転写してもよい。 次に、絶縁基材１０の加熱固化を持つて導電基
材２を、絶縁基材１０に転写された導体回路６及
び薄膜金属層５から剥離する（第１図ｈ、第７
図）。このとき、導電基材２と薄膜金属層５との
間の密着力より、薄膜金属層５と導体回路６の密
着力の方が大であり、更に、導電基材２と薄膜金
属層５との間の密着力より、導体回路６と絶縁基
材１０の密着力の方が大であるから、導電基材２
は薄膜金属層５との界面８で分離して絶縁基材１
０側には薄膜金属層５、及び導体回路６が一体に
密着している。尚、導電基材２表面に形成された
薄膜金属層５、導体回路６、及びレジストマスク
７が総て除去されるために、前記導電基材２の表
面を必要に応じて研磨をすれば、この基板２は繰
り返し使用することが可能である。 導電基材２と絶縁基材１０間に薄膜金属層５が
介在されるから、絶縁基材１０の接着材は導電基
材２に直接付着することがなく、又、分離が導電
基材２と薄膜金属層５間で生じるから、70〜120
ｇ／cmのピーリング強度で導電基材２を容易に剥
離することが出来、導体回路６に不均一な力が掛
からず、転写時の寸法安定性がこの時にも確保さ
れる。 次いで、絶縁基材１０の両面に積層された導体
回路６，６間を接続するためのスルーホール１０
１を形成する（第１図ｉ、第８図）。このスルー
ホール形成工程には、通常の方法例えばドリル等
を使用した切削加工を適用することができる。し
かるのち、スルーホール１０１の周壁１０１ａ及
び絶縁基材１０の両面の薄膜金属層５のスルーホ
ール開口周縁部５ａ，５ａにスルーホールメツキ
を施す。この工程は、先ずメツキ形成面即ち上記
周壁１０１ａ及び開口周縁部５ａ，５ａを除く領
域にレジストマスク２４を形成して、メツキの予
備処理として前記メツキ形成面を触媒化して触媒
化面１０２とする工程（第１図ｊ，ｋ、第９図）
と、該メツキ形成面に無電解メツキをほどしてス
ルーホールメツキ層１０４を形成する工程（第１
図ｌ、第１１図）とからなる。上記触媒化の具体
的方法としては、例えば先ずメツキ形成面を脱
脂、洗浄、研磨したのちに、コンデイシヨナー
（整面）、プリエツチング（マイクロ粗面化）、キ
ヤタリスト（触媒化）、アクセレータ（活性化）
の各工程を経て、しかるのち、無電解銅メツキを
施す。一方、続くスルーホールメツキ層１０４形
成方法は、特に限定されないが、例えば銅の電解
メツキなどにより行うことができる。銅のメツキ
浴としては、例えば、ピロリン酸銅又は硫酸180
ｇ／、硫酸銅80ｇ／のハイ硫酸銅浴に光沢剤
を添加したもの（光沢硫酸銅メツキ液）などが使
用される。斯くして得られたスルーホールメツキ
層１０４の厚さは通常10〜30μｍとされる。 ついで、レジストマスク１０６を溶解除去した
のち、当該レジストマスク１０６の下面に形成さ
れていた薄膜金属層５をエツチング除去する（第
１図ｍ，ｎ、第１１図）。酸によるエツチング除
去のし易さからは薄膜金属層５は銅からなること
が望ましい。 上記によりレジストマスク１０６及び薄膜金属
層５が除去された領域に、必要に応じてソルダー
レジスト１０５を形成する（第１図ｏ、第１２
図）。このソルダーレジスト１０５の形成には、
通常の印刷法を使用することができる。 第１３図乃至第１６図は第１図ｂ及びｄに示す
工程において、ホリゾンタル型の高速メツキを実
施するメツキ装置の一例を示し、メツキ装置１１
のフレーム１２の上部中央に水平に板状不溶性陽
極１４が設置され、陰極１はこの陽極１４に平行
に対向させて固定される。不溶性陽極１４は第１
３図〜第１５図に示すように大電流を通電するめ
に２枚の銅板１４ａ，１４ｂが重合され、これら
の表面全体に鉛１４ｃが、肉厚２〜10mm、好まし
くは３〜７mmの範囲内で一様にアセチレントーチ
等で被覆して構成される。鉛被覆１４ｃは、通
常、鉛93％、スズ７％の鉛合金を使用する。極間
距離が100μｍ不均一になると、電鋳される銅膜
は、35μｍ銅で数μｍのばらつきが生じ、高電流
密度（0.8〜1.2A／cm²）で長時間（1000時間以上）
使用する場合には、電極の部分的な電解消耗によ
り膜厚のばらつきは更に大きくなる。このため、
電極の再加工修正により電極間距離を維持する必
要がある。鉛被覆の電極に代えて、チタン板にプ
ラチナ、パラジユウム等の微粉末を熱解重合性樹
脂でペースト状にし、これを粗面化されたチタン
板表面に均一に塗布し700〜800℃で焼き付けて不
溶性陽極１４としてもよい。このチタン板陽極を
使用すると、電解消耗が極めて少なくなくなり、
長時間に亘り（1000時間以上）電極の再加工修正
の必要がない。 陰極１は、第１図ｂの薄膜金属層形成工程で
は、工程ａで研磨された導電基材２の研磨面が、
第１図ｄの導体回路電鋳工程では、薄膜金属層５
及びレジストマスク７の形成された導電基材２の
面を前記陽極１４側に対向させて取付け固定され
る。陰極１と不溶性陽極１４間の離間距離は前述
した薄膜金属層５の形成工程及び導体回路６の電
鋳工程の夫々に応じた最適距離に設定される。 陰極１及び不溶性陽極１４間の空隙部１３の入
口側には高速流でメツキ液２３を圧送するノズル
１５の一端が接続され、このノズル１５は空隙部
１３の入口部で第１６図に示すように不溶性陽極
１４の略全幅に臨んで開口しており、ノズル１５
の他端は導管１６を介してポンプ１７に接続され
ている。ポンプ１７は更に図示しない導管を介し
てメツキ液貯蔵（図示せず）に接続されている。
空隙部１３の出口側（ノズル１５を設けた不溶性
陽極１４の対向辺側）には不溶性陽極１４の略全
幅にわたつて排液口１８が開口しており、この排
液口１８は導管１９を介して前記メツキ液貯槽に
接続されている。そして、前記ノズル１５及び排
液口１８はメツキ液２３が空隙部１３を一様の速
度分布で流れることが出来るように、これらのノ
ズル１５及び排液口１８の流れ方向の断面形状変
化は滑らかに変化している。ポンプ１７から吐出
されたメツキ液２３は、導管１６、ノズル１５、
陰極１と不溶性陽極１４との空隙部１３、排液口
１８、導管１９を順次通過してメツキ液貯槽に戻
され、ここから再びポンプ１７により上述の経路
で連続して循環される。 メツキ液２３をノズル１５から電極間空隙部１
３へ前述した好適のメツキ液速度で供給すると、
陰極１表面近傍でメツキ液流れは乱流状態になつ
ており、電極表面近傍の金属イオン濃度が極度に
低下しないように、即ち分極槽の生長を抑えて、
高速度でメツキ膜を成長させることが可能とな
る。 本発明におけるメツキ工程では、陰極１と不溶
性陽極１４との間に、銅、黒鉛、鉛等の耐薬品
性、高導電性を有する給電板２０、陽極電源ケー
ブル２１、陰極電源ケーブル２２を介して、前述
した所要の高電流が給電されるようになつてお
り、不溶性陽極１４に対向する陰極１表面及びそ
の非導電性レジストマスク７でマスキングしない
部分に、毎分25〜100μｍ程度の堆積速度で銅膜
を電解析出することができる。 第１７図は、本発明方法を実施するバーチカル
型のメツキ装置を示し、第１３図乃至第１６図に
示すメツキ装置１１が陰極１及び陽極１４を水平
（ホリゾンタル）に配置したのに対し、第１７図
に示すメツキ装置２５は、陰極１及び不溶性陽極
１４が鉛直方向（バーチカル）に配置されている
点で異なる。尚、第１７図において、第１３図乃
至１６図に示すメツキ装置１１の対応するものと
実質的に同じ機能を有するものに同じ符号を付し
て、それらの詳細な説明を省略する（以下同様）。 メツキ装置２５は、基台２６上に固定された架
台２７と、四辺形の４隅に配設された（第１７図
には２本の支柱のみを示す）３０，３１と、該支
柱３０，３１から延出させ、上下方向に伸縮自在
のロツド３０ａ，３１ａに横架支持され、ロツド
３０ａ，３１ａの伸縮により昇降する上板２８
と、架台２７の上面と上板２８の下面間に垂直且
つ平行に対向して挟持固定される高導電性を有す
る給電板２０及び不溶性陽極１４とからなり、給
電板２０と陽極１４とは所定の電極間距離だけ離
間して配置されている。不溶性陽極１４は第１３
図〜第１５図に示す陽極と同様に、プラチナ等の
微粉末でコーテイングしたチタン板により大電流
を通電可能に構成される。 陰極１は、第１図ｂの薄膜金属槽形成工程で
は、工程ａで研磨された導電基材２の研磨面が、
第１図ｄの導体回路電鋳工程では、薄膜金属槽５
及びレジストマスク７の形成された導電基材２の
面を前記給電板２０に、図示しない真空チヤツク
等により取り付け固定される。尚、陰極１の取り
付け時には前記上板２８を上方に上昇させて、陰
極１を給電板２０の陽極１４側面に沿つて嵌挿
し、前記真空チヤツク等により固定した後、再び
上板２８を下降させて陽極１４及び給電板２０の
上壁に密着させ、陰極１の装着を完了する。尚、
第１７図中符号２９はシール用のＯリングであ
る。又、陰極１と不溶性陽極１４間の離間距離は
前述した薄膜金属層５の形成工程及び導体回路６
の電鋳工程の夫々に応じた最適距離に設定され
る。 陰極１及び不溶性陽極１４間の空隙部３８の入
口側には高速流でメツキ液２３が流入するランプ
部３８ａが形成され、このランプ部３８ａは空隙
部３８の入口部で、第１６図に示したと同様に不
溶性陽極１４の略全幅に臨んで開口しており、ラ
ンプ部３８ａの空隙部３８と反対側は整流装置３
５、及び導管３４を介してポンプ１７に接続され
ている。ポンプ１７は更にメツキ液貯槽３３に接
続されている。空隙部３８の出口側（空隙部３８
の上部のメツキ液２３の排出側）には不溶性陽極
１４の略全幅にわたつて排液口３８ｂが開口して
おり、この排液口１８は導管４０を介して前記メ
ツキ液貯槽３３に接続されている。 整流装置３５は、その内部空間がメツキ液２３
の流れ方向に装着された２枚の、多数の小孔を有
する整流板３５ａ，３５ｂにより小室に区画され
ており、この整流板３５ａ，３５ｂにより、ラン
プ部３８ａに流入するメツキ液２３の流れを整流
して空隙部３８を下方から上方に向かつて流れる
メツキ液２３の速度分布を一様にしている。ポン
プ１７から吐出されたメツキ液２３は、導管３
４、整流装置３５、ランプ部３８ａ、陰極１と不
溶性陽極１４との空隙部３８、排液口３８ｂ、導
管４０を順次通過してメツキ液貯槽３３に戻さ
れ、ここから再びポンプ１７により上述の経路で
連続して循環される。 第１７図に示すメツキ装置２５は、メツキ液２
３を整流装置３５を介し、更に、下方から上方に
向かつて電極間空隙部１３に供給するので、メツ
キ液２３は空隙部１３において第１３図に示すメ
ツキ装置１１より、より均一な乱流速度分布を有
しており、膜厚の一定な導体回路を電鋳するには
好都合である。 第１７図に示すメツキ装置においても、陰極１
と不溶性陽極１４との間に、銅、黒鉛、鉛等の耐
薬品性、高導電性を有する給電板２０、陽極電源
ケーブル２１、陰極電源ケーブル２２を介して、
前述した所要の高電流が給電されるようになつて
おり、不溶性陽極１４に対向する陰極１表面の非
導電性レジストマスク７でマスキングしない部分
に、毎分25〜100μｍ程度の堆積速度で銅膜を電
解析出することができる。 第１８図乃至第２０図は、本発明方法を実施す
る回転式高速メツキ装置４１を示し、メツキ装置
４１は、フレーム４２、該フレーム４２内に配設
され不溶性陽極１４を載置支持する架台４３、陽
極１４の上方に配置されるハウジング４５、該ハ
ウジング４５内に回転可能に収納され陰極を１を
掴持する回転対４６、該回転体４６を駆動する駆
動機構４７、フレーム４２の上部に配設されてハ
ウジング４５を昇降させる駆動機構４８、メツキ
液を貯溜するメツキ液槽３３及びメツキ液槽３３
のメツキ液を陽極１４と回転体４６の各対向する
端面間に画成される液密空隙部１３内に供給する
ポンプ１７とにより構成される。 フレーム４２は基盤４２ａ上に立設された４本
の支柱４２ｂ，４２ｂ（２本のみ図示）と、これ
らの各支柱４２ｂ，４２ｂの上端面に載置固定さ
れる上板４２ｃとにより構成される。 架台４３は基盤４２ａ上に載置され、フレーム
４２の４本の支柱４２ｂの略中央に位置してい
る。 不溶性陽極１４は正方形状の盤体で架台４３上
に載置固定される。この陽極１４の略中央には孔
１４ａが穿設されている。この陽極１４は例え
ば、チタン母材にプラチナ、イリジウム等の酸化
物を20〜50μの厚みに張つた部材で形成され、メ
ツキ液の組成に変化を与えることなく、また不純
物の混入を防止する不溶性陽極とされている。陽
極１４には枠体４３ａがシール部材４３ｂを介し
て液密に外嵌されている。この枠体４３ａの高さ
は陽極４の厚みの２倍程度あり、対向する両側壁
の略中央には夫々孔４３ｃ，４３ｄが穿設されて
いる。 ハウジング４５は上面視正方形状をなし（第１
９図）、下部枠５０、中間枠５１、上部枠５２、
上蓋５３と、下部枠５０と中間枠５１との間に介
在されるインナギヤ５４、中間枠５１と上部枠５
２との間に介在される集電用スリツプリング５５
とにより構成され、これらは強固に共締固定され
て一体に形成される。ハウジング４５の下部枠５
０の中央には回転体収納用の大径の孔５０ａが穿
設され、上蓋５３の上面両側には夫々側方に突出
する支持部材５７，５７が固設されている。 回転体４６はハウジング４５内に収納され、基
部４６ａは当該ハウジング４５の下部枠５０の孔
５０ａ内に僅かな空隙で回転可能に収納され、軸
４６ｂの上端は軸受５９を介して上蓋５３に回転
可能に軸支され且つ当該上蓋５３の軸孔５３ａを
貫通して上方に突出している。この状態において
回転体４６の基部４６ａの下端面４６ｃは陽極１
４の上面１４ｂと所定の距離だけ離間して平行に
対向する。 回転体４６の基部４６ａには第１８図及び第２
０図に示すように軸方向に平行に且つ周方向に等
間隔に孔４６ｄが複数例えば４個穿設され、これ
らの各孔４６ｄ内には第２の回転体６０が回転可
能に収納されている。この回転体６０は図示しな
い軸受を介して孔４６ｄに僅かなギヤツプで回転
可能に軸支されている。そして、回転体６０の下
端面に穿設された孔に、チヤツク機構１１０によ
り陰極１が掴持・固定され、図示しない導電部材
及びブラシ１０３を介いてスリツプリング５５に
電気的に接続されている。回転体６０の上端面に
はギヤ６５が固着されており、このギヤ６５はハ
ウジング４５に設けられたインナギヤ５４と噛合
している。 駆動機構４７（第１８図）の駆動用モータ７０
はハウジング４５の上蓋５３上に載置固定され、
該モータ７０の回転軸に装着されたギヤ７２は回
転体４６の軸４６ｂの上端面に螺着固定されたギ
ヤ７３と噛合する。 第１８図に示すフレーム４２の上板４２ｃには
駆動機構４８の駆動用モータ８０が載置固定さ
れ、該モータ８０はスクリユウシヤフト８５を駆
動すると共にプーリ８３、ベルト８７及びプーリ
８３を介して被駆動軸であるスクリユウシヤフト
８６を駆動する。スクリユウシヤフト８５，８６
の各自由端はハウジング５の対応する各支持部材
５７，５７の各ネジ孔５７ａ，５７ａに螺合して
いる。 陽極１４（第１８図）の一側面には電源ケーブ
ル２１が固着され、スリツプリング５５の上面所
定位置には電源ケーブル２２が固着されている。 メツキ液通路（導管）１４０の一端は陽極１４
の下方から当該陽極の孔１４ａに液密に接続さ
れ、他端はポンプ１７を介してメツキ液貯槽３３
に連通される。通路１４１，１４２の各一方の開
口端は夫々陽極１４の枠体４３ａの各孔４３ｃ，
４３ｄに液密に接続され、各他端は夫々メツキ液
貯槽３３に接続されている。 回転式高速メツキ装置４１の作用を説明する
と、先ず、駆動機構４８のモータ８０を駆動して
スクリユウシヤフト８５，８６を回転させ、ハウ
ジング４５を、第１８図の２点鎖線で示す上限位
置まで上昇した位置に移動停止しておく。このと
き、ハウジング４５の下端は枠体４３ａから抜け
出て上方に位置する。 次いで、回転体４６の各第２の回転体６０にメ
ツキを施すべき導電基材２からなる陰極１を夫々
装着する。そして、駆動機構４８のモータ８０を
駆動して各スクリユウシヤフト８５，８６を前述
とは反対に回転させ、ハウジング４５を、第１８
図に実線で示す位置まで移動停止させる。この状
態において、ハウジング４５の下端が枠体４３ａ
内に液密に嵌合し、且つ、陽極１４の上面１４ｂ
と各陰極１と所定の間隔で平行に対向する。そし
て、陽極１４の上面１４ｂと回転体４６の下端面
４６ｃとの間に画成される液密の空隙部１３にメ
ツキ液貯槽３３からポンプ１７、導管１４０を介
して前記空隙部１３内にメツキ液を供給し、当該
空隙部１３即ち、陽極１４と陰極１との間にメツ
キ液を充満させる。この空隙部１３内に供給され
たメツキ液は両側から各通路１４１，１４２を介
してメツキ液貯槽３３に還流される。 メツキ液の供給開始後、駆動機構４７のモータ
７０を駆動して回転体４６を例えば第２０図に矢
印CCで示す反時計方向に回転させる。この回転
体４６の回転に伴いインナギヤ５４と噛合するギ
ヤ６５を介して第２の各回転体６０が夫々第２０
図に矢印Ｃで示す時計方向に回転する。これらの
各回転体６０は例えば10ｍ／sec〜30ｍ／secの回
転速度で回転（自転）する。かかる速度で回転体
６０即ち、陰極１がメツキ液中で回転すると、当
該陰極１に接するメツキ液の金属濃度の分極層が
極めて小さくなり、この結果、レイノズル数Re
が2900を超えた（Re＞2900）状態となり、陰極
１に接するメツキ液はどの部分をとつてもレイノ
ズル数Reが2300以上（Re＞2300）となる。 このように陰極１に接するメツキ液の金属濃度
分極層を極めて小さくさせた状態において前記直
流電源を投入して電源ケーブル２１、陽極１４、
メツキ液、陰極１、カーボンブラシ１０３、スリ
ツプリング５５、電源ケーブル２２の経路で所要
の直流電流を流し、陰極１の陽極１４の上面１４
ｂと対向する端面にメツキを施す。 所定時間の経過後、前記電流の供給を停止し、
ポンプ１７を停止させると共に駆動モータ７０を
停止させて陰極１へのメツキを終了させる。この
陰極１を回転体６０から取り外す場合には前述し
た装着の場合と逆の操作を行う。 回転式高速メツキ装置はメツキ液中で陰極を高
速回転させて当該メツキ液の金属濃度分極層を極
めて小さくするようにしているために前記液密空
隙部１３に供給するメツキ液の流速は遅くてもよ
く、これに伴いポンプの小型化、電力の節約、及
びランニグコストの低減等が図られる。更に従来
の如くメツキ液の金属濃度の分極層を極めて小さ
くするためのメツキ液の助走距離が不要であり、
装置の小型化を図ることが出来る等の優れた効果
がある。 このように本発明方法は上述した第１３図乃至
第２０図に示す高速メツキ装置により高速メツキ
を施すので、従来のメツキ技術の10〜200倍とい
う高能率で銅膜を電解析出することができ、生産
効率が極めて高く、又メツキ液速度、電流密度等
を所定の条件に設定することにより、電解析出し
た銅膜の表面粗度や、堆積する結晶粒子径を所望
の値に調整することができる。 尚、本発明方法を実施する高速メツキ装置とし
ては上述の装置に限定されることはなく、陰極表
面近傍でレイノズル数Reが約2300以上の乱流状
態が実現出来るメツキ装置であるばよい。 （実施例） 次に、本発明の実施例を説明する。

【表】 第１表は、本発明方法及び比較方法により作製
された導体回路板の評価試験結果を示し、導電基
材２の表面粗度、薄膜金属層５の電解条件、導体
回路６の電解条件、導体回路６の粗面化処理条件
を種々に変え、転写性、導体回路６と絶縁基材１
０間のピーリング強度、導体回路６の伸び率等の
評価試験を行つたものであり、第１表に示す試験
条件以外の条件は、総ての供試回路板で同じであ
り、それらは以下の通りである。尚、レジストマ
スクは導体回路の粗綿化処理後に溶解除去した。 導電基材： 材質：ハードニング処理を施したステンレススチ
ール単板（SUS630）、 表面処理：オシレーシヨン付ロータリ羽布研磨装
置を使用して第１表に示す粗度に研磨、 薄膜金属層： 材質：銅薄膜（導電基材表面に3μｍの膜厚で堆
積） 電解条件：電極間距離11mm、硫酸180ｇ／の硫
酸銅メツキ液使用 導体回路電鋳： 電解条件：電極間距離11mm、硫酸180ｇ／の硫
酸銅メツキ液使用、堆積膜厚35μｍ（但し、比
較例３は9μｍ）、 粗面化処理：ノジユラメツキ、 電解条件：硫酸銅100ｇ／、硫酸50ｇ／、硝
酸カリウム30ｇ／よりなる混合溶液使用、堆
積膜厚3μｍ。 絶縁基材： 材質：ガラスエポキシＧ−10 第１表において、本発明方法を適用した実施例
１〜３はいずれも、導電基材（単板）２の表面粗
度、薄膜金属層５の電解条件、導体回路６の電解
条件、及び導体回路６の粗面化処理条件がいずれ
も本発明の規定する条件範囲内にあり、転写性、
導体回路６と絶縁基材１０間のピーリング強度、
導体回路６の伸び率がいずれも良好であり、総合
評価も良（○）である。 一方、導電基材（単板）２の表面粗度が本発明
方法の規定する下限値を外れる比較例１では、薄
膜金属層がその形成工程中において導電基材（単
板）２より剥離（早い剥がれ）が生じ、上限値を
外れる比較例２では、転写工程時に導電基材（単
板）２と薄膜金属層５との密着強度が大きく（ピ
ーリング値310ｇ／cm）、部分的に薄膜金属層５が
導電基材２側に残留し、回路ずれが生じる。又、
導電基材２の表面粗度が大きいと薄膜金属層２に
多数のピホールが発生し、絶縁基材１０の積層時
に薄膜金属層のレジストマスク除去部に出来たピ
ンホール内に入り込んだ絶縁基材の接着材が導電
基材２の表面に付着するため、絶縁基材と導電基
材とが強く密着してしまい、転写性が阻害され
る。尚、100μｍ以下の径のピンホールが1dm²当
たりに１個以上存在するき、多数のピンホールが
発生していると判定した。 導電基材２表面に薄膜金属層５を形成させずに
導電基材２に直接レジストマスク７及び導体回路
６を形成させると、導体回路（膜厚9μｍ）６に
ピンホールが発生すると共に、レジストマスク７
と導体回路６とを一体に転写する場合は、レジス
トマスク７と導電基材２との密着強度が大きいた
め、転写時にレジストマスク７が導電基材２表面
に残留してしまい、又、レジストマスク７を除去
後に導体回路６を転写する場合は、絶縁基材１０
と導電基材２とが接着材により密着してしまい、
導電基材２の剥離が困難になり、何れにしても転
写性が著しく阻害される（比較例３）。 導体回路６の電解時の電解液の接液スピードが
本発明方法の規定する上限値を超えると電解中に
レジストマスク７が剥離し（比較例４）、電流密
度が本発明方法の規定する上限値を超えると、ノ
ジユラ状メツキ、所謂「メツキ焼け」が発生し、
形成された導体回路６の伸び率も８％と低く、フ
レキシブル基板用回路に使用することが出来ない
（比較例５）。 導体回路６表面の粗面化処理における電解メツ
キ時の電流密度が本発明方法の規定する下限値を
下回ると光沢のあるメツキ表面となり、粗綿化メ
ツキ形成されない（比較例６）。粗滅化が不充分
な導体回路６を絶縁基材１０に転写すると、導体
回路６と絶縁基材１０間のピーリング値は0.7
Kg／cmとなり、密着強度が不足する。 導電基材２の表面粗度、薄膜金属層５の電解条
件、導体回路６の電解条件、及び導体回路６の粗
面化処理条件のいずれかが本発明の規定する条件
範囲をはずれる比較例１〜６は上述の通りの不都
合を有し、総合評価はいずれも不可（×）であ
る。 更に、上記第１表の実施例１と同様な条件で導
体回路形成、粗面化処理、転写積層を行つて、島
状導体回路部分150個を有する330mm×330mmの両
面配線板を製造し、該島状導体回路部分に夫々直
径0.4mmのスルーホールを形成したのち、以下の
条件でスルーホールメツキを施した。 スルーホールメツキ条件： メツキ液 光沢硫酸動メツキ液 液 温 25℃ 浸漬時間 60分間 電流密度 3A／ｄm² メツキ厚 25μｍ かかる条件で島状導体回路部分のスルーホール
全て、即ち150個について上記スルーホールメツ
キを施したところ、メツキ不良即ちスルーホール
におる導通不良が生じたもは皆無であつた。尚、
比較のために、薄膜金属層を形成しないで上記の
如く両面転写を行つた両面配線板についても、同
様にスルーホールを形成したのち、スルーホール
メツキを施して導通を調べたところ、150個中、
全てに導通不良が発生した。以上のことから、本
発明においては全面に薄膜金属層が形成されてい
るので、島状の導体回路部分のスルーホールメツ
キの場合も確実にメツキが行われてスルーホール
における導通不良などが発生することが防止され
るが、薄膜金属層が形成されない従来法では、メ
ツキ時の通電が島状部分に確実に行われず、スル
ーホールの導通不良が頻発することが確認され
た。 （発明の効果） 以上詳述したように、本発明のスルーホール付
導体回路板の製造方法に依れば、表面粗面0.08〜
0.23の平板状導電基材を陰極として、該陰極と平
板状陽極を電極間距離３〜30mmだけ離間させ、こ
れらの電極に対する電解液の接液スピードが2.6
〜20.0ｍ／secとなるように電解液を強制的に供
給し、電流密度0.15〜4.0A／cm²の条件で電解メツ
キを施して前期導電基材に１〜5μｍの薄膜金属
層を形成する工程と、形成した薄膜金属層の、導
体回路を形成する部分を除く表面にレジストマス
クを形成する工程と、レジストマスクを形成した
薄膜金属層表面に、銅イオンを含有する電解液を
用いて前記電解メツキ条件と同じ条件で電解メツ
キを施して導体回路を形成する工程と、形成した
導体回路表面に粗綿化処理を施す工程と、斯く導
体回路が形成された導電基材２個を夫々の導体回
路が内側になるようにして互いに対向させ、各基
板の間に絶縁基材を挟んで一体に加熱圧着し、該
２個の基板を積層する工程と、該積層体から導電
基材のみを剥離して前記絶縁基材の両面に導体回
路及び薄膜金属層を転写する工程と、該絶縁基材
に両面の導体回路を接続するためのスルーホール
を孔明する工程と、該スルーホールの周壁面及び
前記絶縁基材両面のスルーホール開口周縁部を除
く領域にレジストマスクを形成する工程と、該ス
ルーホールの周壁面及び前記積層体両面のスルー
ホール開口周縁部のみを触媒化したのち、当該領
域に電気メツキを施す工程と、前記レジストマス
クを除去するとともに、該レジストマスクが形成
されていた領域の前記薄膜金属層を除去する工程
とで構成したので、薄膜金属層及び導体回路のメ
ツキ形成時間が従来のメツキ方法に比較して著し
く短縮され、生産性が高く、工程も簡略化される
ので本発明方法を実施する導体回路板の製造装置
に必要な設備及びその配置面積が少なくて済む。
又、導体回路と導電基材間の薄手の薄膜金属層を
介在させるので、メツキ形成される導体回路にピ
ンホール等の欠陥が生じ難く、しかも、転写時の
転写が容易で寸法安定性に優れ、微細な回路パタ
ーンも安定して製造でき、更に、島状導体回路部
分のスルーホールメツキを確実におこなうことが
できてスルーホールの導通不良等を有効に防止し
うるので歩留まりが向上しても品質も向上すると
いう種々の優れた効果を奏する。 更に、本発明方法によれば、高速電解メツキに
より抗張力が高く、しかもアニール銅箔と同等以
上の延び率を示す銅回路を形成することができ
る。又、本発明の単板プレス法により導体回路が
絶縁基材中に埋設され、導体回路表面と絶縁基材
表面とが同一平面を為す、所謂フラツシユ回路を
形成することにより、その後のオーバーレイ印刷
時の気泡の巻き込みやインクの滲み等の発生を防
止し得るという利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明に係るスルーホール付導体回
路板の製造方法の構造手順を工程フローチヤー
ト、第２図乃至第１２図は、第１図に示す工程に
おけるスルーホール付導体回路板の断面構成図、
第１３図はホリゾンタル型の高速メツキ装置の構
成を示す正面断面図、第１４図は高速メツキ装置
の側面図、第１５図は、第１４図に示す−
矢線に沿う断面図、第１６図は、第１５図に示
す−矢線に沿う断面図、第１７図はバー
チカル型の高速メツキ装置の構成を示す正面断面
図、第１８図は回転式高速メツキ装置の構成を示
す、一部切欠正面図、第１９図は第１８図のハウ
ジングの上面図、第２０図は第１８図のハウジン
グの底面図、第２１図は、従来の導体回路板の製
造方法の製造手順を示す工程フローチヤートであ
る。 １……陰極、２……導電基材、５……薄膜金属
層、６……導体回路、７……レジストマスク、１
０，１０ａ……絶縁基材、１１……ホリゾンタル
型高速メツキ装置、１４……不溶性陽極、２５…
…バーチカル型高速メツキ装置、１０１……スル
ーホール、１０４……スルーホールメツキ層。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 表面粗度0.08〜0.23μｍの平板状導電基材を
   陰極として、該陰極と平板状陽極を電極間距離３
   〜30mmだけ離間させ、これらの電極に対する電解
   液の接液スピードが2.6〜20.0ｍ／secとなるよう
   に電解液を強制的に供給し、電流密度0.15〜
   4.0A／cm²の条件で電解メツキを施して前記導電
   基材に１〜5μｍの薄幕金属層を形成する工程と、
   形成した薄膜金属層の、導体回路を形成する部分
   を除く表面にレジストマスクを形成する工程と、
   レジストマスクを形成した薄膜金属層表面に、銅
   イオンを含有する電解液を用いて前記電解メツキ
   条件と同じ条件で電解メツキを施して導体回路を
   形成する工程と、形成した導体回路表面に粗面化
   処理を施す工程と、斯く導体回路が形成された導
   電基材２個を夫々の導体回路が内側になるように
   して互いに対向させ、各基板の間に絶縁基材を挟
   んで一体に加熱圧着し、該２個の基板を積層する
   工程と、該積層体から導電基材のみを剥離して前
   記絶縁基材の両面に導体回路及び薄膜金属層を転
   写する工程と、該絶縁基材に両面の導体回路を接
   続するためのスルーホールを孔明する工程と、該
   スルーホールの周壁面及び前記絶縁基材両面のス
   ルーホール開口周縁部を除く領域にレジストマス
   クを形成する工程と、該スルーホールの周壁面及
   び前記積層体両面のスルーホール開口周縁部のみ
   を触媒化したのち、当該領域に電気メツキを施す
   工程と、前記レジストマスクを除去するととも
   に、該レジストマスクが形成されていた領域の前
   記薄膜金属層を除去する工程とからなることを特
   徴とするスルーホール付導体回路板の製造方法。 ２ 前記導体回路表面に、銅イオンと硝酸イオン
   とを含有する酸性電解液を用い、電流密度0.25〜
   0.85A／cm²、前記電極に対する前記酸性電解液の
   接液スピードが0.1〜0.8ｍ／sec、電極間距離26〜
   50mmの条件で、堆積膜厚が２〜5μｍになるまで
   粗面化処理を施すことを特徴とする特許請求の範
   囲第１項記載のスルーホール付導体回路板の製造
   方法。 ３ 前記粗面化処理を施した後、更に前記導体回
   路表面にクロメート処理を施すことを特徴とする
   特許請求の範囲第２項記載のスルーホール付導体
   回路板の製造方法。 ４ 前記陰極及び陽極を共に固定して、これらの
   電極間に前記電解液を強制的に供給することを特
   徴とする特許請求の範囲第１項乃至第３項のいず
   れか記載の導体回路板の製造方法。 ５ 前記陰極を、前記電解液の接液スピードが得
   られるように回転させることを特徴とする特許請
   求の範囲第１項乃至第３項のいずれか記載の導体
   回路板の製造方法。 ６ 前記絶縁基材の加熱圧着前に前記レジストマ
   スクを除去し、前記導体回路、薄膜金属層、及び
   導電基材を一体に前記絶縁基材に加熱圧着するこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第５項
   のいずれか記載のスルーホール付導体回路板の製
   造方法。