JPH0467326U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0467326U JPH0467326U JP11081990U JP11081990U JPH0467326U JP H0467326 U JPH0467326 U JP H0467326U JP 11081990 U JP11081990 U JP 11081990U JP 11081990 U JP11081990 U JP 11081990U JP H0467326 U JPH0467326 U JP H0467326U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas ejection
- gas
- vapor phase
- crystal growth
- growth apparatus
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 3
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims 1
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
第１図はこの考案の一実施例である気相結晶成
長装置を示す断面図、第２図は従来の気相結晶成
長装置を示す断面図である。 図において、１はガス入口、２はガス入口可動
部、３は反応管、４はサセプタ、５はガス出口、
６はヒータを示す。なお、図中、同一符号は同一
、又は相当部分を示す。
長装置を示す断面図、第２図は従来の気相結晶成
長装置を示す断面図である。 図において、１はガス入口、２はガス入口可動
部、３は反応管、４はサセプタ、５はガス出口、
６はヒータを示す。なお、図中、同一符号は同一
、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 原料ガスの反応管への入口部分において、ガス
の噴出し方向並びにガス噴出し角度を自由に変え
られるガス噴出し口を設けたことを特徴とする気
相結晶成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11081990U JPH0467326U (ja) | 1990-10-22 | 1990-10-22 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11081990U JPH0467326U (ja) | 1990-10-22 | 1990-10-22 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0467326U true JPH0467326U (ja) | 1992-06-15 |
Family
ID=31858212
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11081990U Pending JPH0467326U (ja) | 1990-10-22 | 1990-10-22 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0467326U (ja) |
-
1990
- 1990-10-22 JP JP11081990U patent/JPH0467326U/ja active Pending