JPH0467685B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0467685B2 JPH0467685B2 JP60042832A JP4283285A JPH0467685B2 JP H0467685 B2 JPH0467685 B2 JP H0467685B2 JP 60042832 A JP60042832 A JP 60042832A JP 4283285 A JP4283285 A JP 4283285A JP H0467685 B2 JPH0467685 B2 JP H0467685B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- film
- substrate
- scratches
- approximately
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は、例えば乾式メツキ型磁気デイスクと
いつた磁気記録媒体に関するものである。 〔従来技術とその問題点〕 例えば、コンピユータ周辺機器の記憶媒体とし
て用いられている磁気デイスクには、塗布型のも
のと乾式又は湿式メツキ手段によるメツキ型のも
のとがある。 これらのうちメツキ型のものは、磁性膜形成に
バインダー樹脂が用いられていないので、すなわ
ち例えばCo系磁性合金材料を非磁性基体上にス
パツタリングといつたメツキ手段で設けたもので
あるから、磁性材料の充填密度が高く、高密度化
に適しているものの、これで充分満足できるもの
でもなく、さらなる研究が続けられている。 つまり、従来の乾式メツキ型磁気デイスクは、
メツキ磁性膜の膜面内での磁化容易軸が等方的な
ものとなつていることより、あるいはスパツタ装
置のマグネツトの影響を受けて半径方向に磁化容
易軸が向いていたりするので、その再生出力、分
解能等において問題が残されていたのである。 〔発明の開示〕 本発明者は、例えばスパツタリング等のペーパ
ーデポジシヨン手段で磁性膜を構成した磁気デイ
スクの乾式メツキ磁性膜は、その成膜過程おける
下地膜の表面状態によつて大きく影響を受けるの
ではないかと考え、このような発想に基いて研究
を続けた所、乾式メツキ磁性膜の磁化容易軸方向
は下地膜の表面状態によつて影響を受けることを
見い出し、このような点より本発明をなしとげた
のである。 すなわち、例えば磁気デイスクの場合にあつて
は、その非磁性基体上に略同心円状のあるいは略
渦巻状のといつたように、再生ヘツドの走行方向
にほぼ沿つた方向に傷を付けておき、このように
表面処理された非磁性基体の表面処理面に乾式メ
ツキ処理で磁性膜を構成すると、この乾式メツキ
磁性膜は乾式メツキ磁性膜の下地面の影響を受け
て、再生ヘツドの走行方向に沿つた方向に磁化容
易軸をもつ磁気異方性のあるものとなることを見
い出したのである。 尚、この非磁性基体上に形成する傷の程度は微
細なものであつて、例えば傷の深さの基準として
は、中心線平均粗さRaの表現手段で約0.002〜
0.1μm程度であり、又、ピツチは約50μm以下、
より好ましくは約0.1〜10μm程度であることが望
ましい。 つまり、中心線平均粗さRaが0.0002μmより大
巾に小さな傷付け程度であると、配向効果が小さ
くなり、又、逆に中心線平均粗さRaが0.1μmよ
り大巾に大きな傷付け程度であると、再生ヘツド
の浮上安定性が確保されにくく、例えばヘツドク
ラツシユが起きやすくなつたりするからであり、
又、傷のピツチが50μmを越えて大きくなりすぎ
ると、配向効果が小さくなるからである。 そして、このような傷付は、例えば非磁性基体
面上に研磨砥粒等を配し、非磁性基体を回転させ
ることで簡単に形成でき、このような傷の付けら
れた非磁性基体を例えばスパツタ装置内に配し、
所定のスパツタ条件でもつて非磁性基体面上に磁
性粒子をスパツタさせて成膜することより、本発
明になる磁気記録媒体は得られる。 〔実施例 １〜４〕 第１図ａ，ｂは、本発明に係る磁気記録媒体の
実施例の製造工程説明図である。 まず、第１図ａに示す如く、約1.9mm厚のNi−
Ｐメツキ膜付のAl製基板１を用意し、この基板
１面上に前記のような研磨手段で略円周方向に沿
つた方向に傷方向を有する傷２を形成する。 尚、この傷２の深さは中心線平均粗さRaがタ
リステツプによれば約0.0029〜0.0435μmであり、
かつ傷２のピツチは約1μmである。 その後、傷２の付けられた基板１をスパツタ装
置内に配し、所定のスパツタ条件（アルゴンガス
圧２×10-3Torr）でCr膜３を約4000Å厚形成し、
続いてCo−Ni磁性膜４を約600Å厚形成して磁気
デイスクを構成する。 〔実施例 ５〜８〕 実施例１と同様にして中心線平均粗さRaが約
0.0036〜0.0419μmでかつピツチが約1μmの略円周
方向に沿つた方向に傷方向を有する傷の付けられ
たNi−Ｐメツキ膜付ｌ製基板を用意し、この傷
の付いた基板をスパツタ装置内に配して所定のス
パツタ条件（アルゴンガス圧５×10-3Torr）で
Cr膜を約4000Å厚形成し、続いてCo−Ni磁性膜
を約600Å厚形成して磁気デイスクを構成する。 〔特性〕 上記各例で得た磁気デイスクについて、その再
生出力、分解能、W50（弧立再生波形の半値巾）、
Ｃ／Ｎ、D50（出力が1/2になつた際の周波数）、
Hc（保磁力）及びノイズ（5MHzの信号を記録し
た時の1.5MHz付近でのピーク値）を調べると、
表に示す通りである。
いつた磁気記録媒体に関するものである。 〔従来技術とその問題点〕 例えば、コンピユータ周辺機器の記憶媒体とし
て用いられている磁気デイスクには、塗布型のも
のと乾式又は湿式メツキ手段によるメツキ型のも
のとがある。 これらのうちメツキ型のものは、磁性膜形成に
バインダー樹脂が用いられていないので、すなわ
ち例えばCo系磁性合金材料を非磁性基体上にス
パツタリングといつたメツキ手段で設けたもので
あるから、磁性材料の充填密度が高く、高密度化
に適しているものの、これで充分満足できるもの
でもなく、さらなる研究が続けられている。 つまり、従来の乾式メツキ型磁気デイスクは、
メツキ磁性膜の膜面内での磁化容易軸が等方的な
ものとなつていることより、あるいはスパツタ装
置のマグネツトの影響を受けて半径方向に磁化容
易軸が向いていたりするので、その再生出力、分
解能等において問題が残されていたのである。 〔発明の開示〕 本発明者は、例えばスパツタリング等のペーパ
ーデポジシヨン手段で磁性膜を構成した磁気デイ
スクの乾式メツキ磁性膜は、その成膜過程おける
下地膜の表面状態によつて大きく影響を受けるの
ではないかと考え、このような発想に基いて研究
を続けた所、乾式メツキ磁性膜の磁化容易軸方向
は下地膜の表面状態によつて影響を受けることを
見い出し、このような点より本発明をなしとげた
のである。 すなわち、例えば磁気デイスクの場合にあつて
は、その非磁性基体上に略同心円状のあるいは略
渦巻状のといつたように、再生ヘツドの走行方向
にほぼ沿つた方向に傷を付けておき、このように
表面処理された非磁性基体の表面処理面に乾式メ
ツキ処理で磁性膜を構成すると、この乾式メツキ
磁性膜は乾式メツキ磁性膜の下地面の影響を受け
て、再生ヘツドの走行方向に沿つた方向に磁化容
易軸をもつ磁気異方性のあるものとなることを見
い出したのである。 尚、この非磁性基体上に形成する傷の程度は微
細なものであつて、例えば傷の深さの基準として
は、中心線平均粗さRaの表現手段で約0.002〜
0.1μm程度であり、又、ピツチは約50μm以下、
より好ましくは約0.1〜10μm程度であることが望
ましい。 つまり、中心線平均粗さRaが0.0002μmより大
巾に小さな傷付け程度であると、配向効果が小さ
くなり、又、逆に中心線平均粗さRaが0.1μmよ
り大巾に大きな傷付け程度であると、再生ヘツド
の浮上安定性が確保されにくく、例えばヘツドク
ラツシユが起きやすくなつたりするからであり、
又、傷のピツチが50μmを越えて大きくなりすぎ
ると、配向効果が小さくなるからである。 そして、このような傷付は、例えば非磁性基体
面上に研磨砥粒等を配し、非磁性基体を回転させ
ることで簡単に形成でき、このような傷の付けら
れた非磁性基体を例えばスパツタ装置内に配し、
所定のスパツタ条件でもつて非磁性基体面上に磁
性粒子をスパツタさせて成膜することより、本発
明になる磁気記録媒体は得られる。 〔実施例 １〜４〕 第１図ａ，ｂは、本発明に係る磁気記録媒体の
実施例の製造工程説明図である。 まず、第１図ａに示す如く、約1.9mm厚のNi−
Ｐメツキ膜付のAl製基板１を用意し、この基板
１面上に前記のような研磨手段で略円周方向に沿
つた方向に傷方向を有する傷２を形成する。 尚、この傷２の深さは中心線平均粗さRaがタ
リステツプによれば約0.0029〜0.0435μmであり、
かつ傷２のピツチは約1μmである。 その後、傷２の付けられた基板１をスパツタ装
置内に配し、所定のスパツタ条件（アルゴンガス
圧２×10-3Torr）でCr膜３を約4000Å厚形成し、
続いてCo−Ni磁性膜４を約600Å厚形成して磁気
デイスクを構成する。 〔実施例 ５〜８〕 実施例１と同様にして中心線平均粗さRaが約
0.0036〜0.0419μmでかつピツチが約1μmの略円周
方向に沿つた方向に傷方向を有する傷の付けられ
たNi−Ｐメツキ膜付ｌ製基板を用意し、この傷
の付いた基板をスパツタ装置内に配して所定のス
パツタ条件（アルゴンガス圧５×10-3Torr）で
Cr膜を約4000Å厚形成し、続いてCo−Ni磁性膜
を約600Å厚形成して磁気デイスクを構成する。 〔特性〕 上記各例で得た磁気デイスクについて、その再
生出力、分解能、W50（弧立再生波形の半値巾）、
Ｃ／Ｎ、D50（出力が1/2になつた際の周波数）、
Hc（保磁力）及びノイズ（5MHzの信号を記録し
た時の1.5MHz付近でのピーク値）を調べると、
表に示す通りである。
再生出力は高く、又、分解能にも優れてり、さ
らにはDC消去ノイズの少ない高密度記録の行な
えるものである。
らにはDC消去ノイズの少ない高密度記録の行な
えるものである。
第１図ａ，ｂは、本発明に係る磁気記録媒体の
実施例の製造工程説明図である。 １……基板、２……傷、３……Cr膜、４……
Co−Ni磁性膜。
実施例の製造工程説明図である。 １……基板、２……傷、３……Cr膜、４……
Co−Ni磁性膜。
Claims (1)
- １ 再生ヘツドの走行方向にほぼ沿つた方向に傷
のある基板上に乾式メツキ磁性膜を構成したこと
を特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60042832A JPS61202324A (ja) | 1985-03-06 | 1985-03-06 | 磁気記録媒体 |
| US06/820,494 US4698251A (en) | 1985-01-22 | 1986-01-17 | Magnetic recording medium and method of producing the same |
| KR8600291A KR900002994B1 (en) | 1985-01-22 | 1986-01-18 | Magnetic recording carrier |
| DE19863601848 DE3601848A1 (de) | 1985-01-22 | 1986-01-22 | Magnetisches aufzeichnungsmedium und verfahren zu dessen herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60042832A JPS61202324A (ja) | 1985-03-06 | 1985-03-06 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61202324A JPS61202324A (ja) | 1986-09-08 |
| JPH0467685B2 true JPH0467685B2 (ja) | 1992-10-29 |
Family
ID=12646939
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60042832A Granted JPS61202324A (ja) | 1985-01-22 | 1985-03-06 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61202324A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0833983B2 (ja) * | 1986-09-01 | 1996-03-29 | 株式会社日立製作所 | 磁気記録媒体 |
| JPS6379233A (ja) * | 1986-09-24 | 1988-04-09 | Fuji Electric Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JP2581225B2 (ja) * | 1989-08-09 | 1997-02-12 | 富士電機株式会社 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
| JPH06203371A (ja) * | 1992-12-28 | 1994-07-22 | Nec Corp | 磁気記録媒体 |
| JP4102515B2 (ja) | 1999-05-24 | 2008-06-18 | 株式会社日立グローバルストレージテクノロジーズ | 磁気記録媒体、この製造方法及びこの媒体を用いた磁気記憶装置 |
| KR20080028417A (ko) * | 2005-06-15 | 2008-03-31 | 봇슈 가부시키가이샤 | 고압 밀봉 구조, 고압 밀봉면의 가공 방법 및 연료 분사밸브 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53123906A (en) * | 1977-04-05 | 1978-10-28 | Fujitsu Ltd | Magnetic disc |
| DE2909891A1 (de) * | 1979-03-14 | 1980-09-25 | Basf Ag | Magnetischer aufzeichnungstraeger |
-
1985
- 1985-03-06 JP JP60042832A patent/JPS61202324A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61202324A (ja) | 1986-09-08 |
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