JPH046798B2 - - Google Patents
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- Electrolytic Production Of Non-Metals, Compounds, Apparatuses Therefor (AREA)
Description
本発明は電解還元によりp−アミノベンゾイル
グルタミン酸の製造法に関する。 p−アミノベンゾイルグルタミン酸は従来から
葉酸などの医薬品合成中間原料として有用な物質
で、通常p−ニトロベンゾイルグルタミン酸を原
料とし、これを環元することにより製造されてい
る。このような方法として、たとえば化学的環元
する方法(米刻特許第2537366号明細書など)あ
るいは接触的に還元する方法(ジヤーナル、アメ
リカン、ケミカル、ソサイアテイー第79巻、4391
〜4394頁、1947年など)が提案されているが、こ
れまでp−ニトロベンゾイルグルタミン酸の電解
還元によるp−アミノ体の製造法については報告
がない。 従来から芳香族ニトロ化物の電解還元反応につ
いては、数多くの報告がなされているが、このよ
うな還元生成体としては、アミノ体のほかにハイ
ドロオキシアミノ体や転位生成物などが知られて
いる。アミノ体の収率を上げるためには、一般に
反応温度を上げたりあるいは水素過電圧の高い極
板を使用するなど過酷な条件で反応させることが
考えられる。しかしながら、このことは、却つて
化合物の分解や副反応を惹起させることになり、
ひいては目的とするアミノ体の収率の低下や電流
効率の低下を引き起こす結果となる。 本願発明者らは、p−ニトロベンゾイルグルタ
ミン酸の電解還元について鋭意検討を加え、工業
的に極めて有利なp−アミノベンゾイルグルタミ
ン酸の製造法を確立した。すなわち、本発明者ら
はp−ニトロベンゾイルグルタミン酸の電解還元
では、陰極にパラジウム金属を用いることにより
p−アミノ体が高収率で、かつ高電流効率で得ら
れることを見い出した。またp−ニトロ体の電解
還元ではp−ハイドロオキシアミノ体を経由して
p−アミノ体が生成するがこのパラジウム電極
は、p−ハイドオキシ体がp−アミノ体に変換さ
れる過程において、特に有効であることを見い出
した。さらに、反応液のPHがほぼ5以上であると
反応終期において副生物の生成量が増加するこ
と、また、目的物である−アミノ体はPH3附近で
その溶解度の極小点を有しており、このため電解
還元反応はPH3以下の水溶液中で効率よく円滑に
行なわれることを見い出した。本発明はこれらの
知見に基づいてなされたものである。 すなわち、本発明は、陰極としてパラジウムま
たはパラジウム合金を用いPH3以下でp−ニトロ
ベンゾイルグルタミン酸および/またはp−ハイ
ドロオキシアミノベンゾイルグルタミン酸を電解
還元することを特徴とするp−アミノベンゾイル
グルタミン酸の製造法である。 本発明の陰極としては、パラジウム金属そのも
の、あるいは各種パラジウム合金が使用できる。
パラジウム金属は、そのものを陰極として使用す
るよりも経済性の点から実際には陰極をパラジウ
ムでメツキするか、あるいはパラジウムブラツク
として陰極に鍍金して使用する。これらメツキあ
るいは鍍金のベースとなる電極材質としては、た
とえばニツケル、銀、カーボン、チタン、タンタ
ル、更にたとえばロジウム、プラチナのような貴
金属をメツキしたチタン、タンタルなどを挙げる
ことができる。また、パラジウム合金としては、
たとえばニツケル−パラジウム合金、チタン−パ
ラジウム合金などを挙げることができる。これら
合金のパラジウム含量は、工業的にみてニツケル
−パラジウム合金の場合には2〜20重量%、チタ
ン−パラジウム合金の場合には0.05〜0.5重量%
のものが好ましい。 本発明で用いることのできる陰極のうちでも、
特に好適に用いることのできるものとしては、パ
ラジウムブラツクを鍍金した電極、たとえばパラ
ジウムブラツクを鍍金したプラチナメツキチタン
板を挙げることができる。電極にパラジウムを鍍
金するには、陰極液を塩酸酸性にし、これにパラ
ジウム塩、たとえば塩化パワジウムを添加し、次
いで0.05〜0.2アンペア/dm2程度の電流を流す
ことにより行なうことができる。 陽極としては、たとえばプラチナ、プラチナメ
ツキチタン、プラチナメツキタンタルなどのよう
な耐酸性のある金属を用いることができる。 本発明の電解還元は、陰極側と陽極側を隔膜で
仕切つて行なわれる。このような隔膜としては、
たとえば陽イオン交換膜(C.M.V. ;旭硝子工
業(株)製;ナフイオン デユポン社製)が使用され
る。 陰極液および陽極液には希塩酸あるいは希硫酸
を使用することができる。陰極側でのPHコントロ
ールには、たとえば塩酸、硫酸などのような鉱酸
が用いられる。陰極液には、必要に応じて電解質
として、たとえば食塩、塩化アンモニウム、茫
硝、硫安などのような解離度の高い塩類を併用し
てもよい。 電解反応は、好ましくは原料の水溶液の形で行
なわれるが、懸濁液を用いても何ら差しつかえな
い。p−ニトロベンゾイルグルタミン酸の場合に
は約0.5〜5重量%の濃度を維持しながら、また
p−ハイドロオキシアミノグルタミン酸の場合に
は、約0.5〜20重量%の濃度を維持しながら還元
反応を行なうことができる。p−ハイドロオキシ
アミノベンゾイルグルタミン酸は、p−ニトロベ
ンゾイルグルタミン酸を原料として、これをチタ
ン、ニツケル、銅、銀など慣用の陰極を用いた電
解還元反応に付することにより容易に製造するこ
とができる。本発明の陰極もまた使用することが
できる。この際電流密度は5〜20A/dm2、好ま
しくは8〜15A/dm2で行なえばよい。反応液
は、酸性、好ましくはPH3〜7程度に維持し、反
応温度は0〜30℃である。このような電解反応に
より得られたp−ハイドロオキシアミノベンゾイ
ルグルタミン酸を含有する反応液は、そのまま本
発明の原料として用いることができ、反応液に
は、未反応のp−ニトロ体が含まれていてもよ
い。 本発明の電解反応は、陰極液のPHを3以下、好
ましくは0.5〜2に調整しながら行なわれる。反
応温度は10〜70℃、好ましくは30〜50℃である。
また電流密度は、原料の濃度にも左右されるが、
一般にp−ニトロベンゾイルグルタミン酸を原料
として用いる場合は、3〜10A/dm2、好ましく
は5〜7A/dm2、p−ハイドロオキシアミノベ
ンゾイルグルタミン酸を原料として用いる場合
は、5〜15A/dm2、好ましくは8〜12A/dm2
で行なわれる。従来の電解反応において行なわれ
ているように反応の進行と共に通電量を下げてゆ
く方法を採用することが好ましい。 反応終了後反応液からp−アミノベンゾイルグ
ルタミン酸を分離するには、たとえば濃縮、アル
カリを用いてのPH調整などの常套手段が用いられ
る。 本発明の電解反応は、たとえば槽型、フイルタ
ープレス型あるいはプレートアンドフレーム型な
ど一般の電解反応に汎用されているセルを用いて
実施することができる。工業的にはフイルタープ
レス型またはプレートアンドフレーム型を使用す
るのが好ましい。これらのセルを使用する場合、
反応中、陰極液、陽極液いずれも中継槽を介して
ポンプで循環させる。なお、この際陰極側のセル
中での流速は電流効率の低下を防止するため5
cm/sec以上に設定することが望ましい。 本発明の方法によれば目的とするアミノ体の収
率が高く、しかも電流効率も高いため工業的製法
として極めて有用である。特に、p−ハイドロオ
キシアミノベンゾイルグルタミン酸を原料として
使用する場合には、反応を高い原料濃度で進行さ
せることができ、またパラジウム電極の消耗が少
なくて済むという利点がある。本発明の目的物を
葉酸製造のための原料とする場合には、電解反応
液をそのまま使用することができる。 以下、実施例を挙げて本発明を更に具体的に説
明する。 実施例 1 p−ニトロベンゾイルグルタミン酸の電解還元
をフイルタープレス型電解セルを用いて行なつ
た。 (1) セルの製造は次の通りである。 陰極:パラジウムブラツクを鍍金した白金メツ
キチタン板(注)(白金メツキの厚み2μm、
チタンの厚み2mm) 有効面積1dm2(8cm×12.5cm) 陽極:白金メツキチタン板(白金メツキの厚み
2μm、チタン厚み2mm) 有効面積1dm2(8cm×12.5cm) イオン交換膜:ナフイオン −315(デユポン社
製) イオン交換膜と極板との距離:1.5mm (注)鍍金条件および鍍金方法 鍍金条件 陰極液:3W/V%塩酸水溶液250ml 陽極液:3W/V%硫酸水溶液300ml 陰極液の温度:10±1℃ セル中での流速:陰陽極側ともに10cm/sec 鍍金方法 塩化パラジウムPdCl2として0.5gを含有する5
%塩酸溶液100mlを陰極側に中継槽を介して循環
させた。鍍金は電流密度0.1A/dm2で、2時間
続けられた。同様な方法で鍍金を4回繰り返し
た。陰極板上にはパラジウム金属として合計1.2
g鍍金されたことになる。パラジウムブラツク鍍
金後、陰極両極液を抜き出し、電解セルを水洗し
た。 (2) p−ニトロベンゾイルグルタミン酸の電解還
元 (1)で説明したセルを用いて電解還元反応を行
なつた。 反応開始時点陰極液:p−ニトロベンゾイルグ
ルタミン酸2.8g、食塩2g、塩酸6gを含
有する水溶液300ml(PH0.7) 反応開始後陰極液にフイードする原料溶液:p
−ニトロベンゾイルグルタミン酸として
125.3gおよび食塩35gを含有するp−ニト
ロベンゾイルグルタミン酸の1ナトリウム塩
水溶液895ml 反応開始後陰極液にフイードする電解質溶液:
35W/V%塩酸150ml 陽極液:2W/V%硫酸水溶液300ml 反応時の陰極液温度:45°±1℃ セル中の流速:陰極共に15cm/sec 反応時の通電量:下記のように段階的に低下さ
せた。
グルタミン酸の製造法に関する。 p−アミノベンゾイルグルタミン酸は従来から
葉酸などの医薬品合成中間原料として有用な物質
で、通常p−ニトロベンゾイルグルタミン酸を原
料とし、これを環元することにより製造されてい
る。このような方法として、たとえば化学的環元
する方法(米刻特許第2537366号明細書など)あ
るいは接触的に還元する方法(ジヤーナル、アメ
リカン、ケミカル、ソサイアテイー第79巻、4391
〜4394頁、1947年など)が提案されているが、こ
れまでp−ニトロベンゾイルグルタミン酸の電解
還元によるp−アミノ体の製造法については報告
がない。 従来から芳香族ニトロ化物の電解還元反応につ
いては、数多くの報告がなされているが、このよ
うな還元生成体としては、アミノ体のほかにハイ
ドロオキシアミノ体や転位生成物などが知られて
いる。アミノ体の収率を上げるためには、一般に
反応温度を上げたりあるいは水素過電圧の高い極
板を使用するなど過酷な条件で反応させることが
考えられる。しかしながら、このことは、却つて
化合物の分解や副反応を惹起させることになり、
ひいては目的とするアミノ体の収率の低下や電流
効率の低下を引き起こす結果となる。 本願発明者らは、p−ニトロベンゾイルグルタ
ミン酸の電解還元について鋭意検討を加え、工業
的に極めて有利なp−アミノベンゾイルグルタミ
ン酸の製造法を確立した。すなわち、本発明者ら
はp−ニトロベンゾイルグルタミン酸の電解還元
では、陰極にパラジウム金属を用いることにより
p−アミノ体が高収率で、かつ高電流効率で得ら
れることを見い出した。またp−ニトロ体の電解
還元ではp−ハイドロオキシアミノ体を経由して
p−アミノ体が生成するがこのパラジウム電極
は、p−ハイドオキシ体がp−アミノ体に変換さ
れる過程において、特に有効であることを見い出
した。さらに、反応液のPHがほぼ5以上であると
反応終期において副生物の生成量が増加するこ
と、また、目的物である−アミノ体はPH3附近で
その溶解度の極小点を有しており、このため電解
還元反応はPH3以下の水溶液中で効率よく円滑に
行なわれることを見い出した。本発明はこれらの
知見に基づいてなされたものである。 すなわち、本発明は、陰極としてパラジウムま
たはパラジウム合金を用いPH3以下でp−ニトロ
ベンゾイルグルタミン酸および/またはp−ハイ
ドロオキシアミノベンゾイルグルタミン酸を電解
還元することを特徴とするp−アミノベンゾイル
グルタミン酸の製造法である。 本発明の陰極としては、パラジウム金属そのも
の、あるいは各種パラジウム合金が使用できる。
パラジウム金属は、そのものを陰極として使用す
るよりも経済性の点から実際には陰極をパラジウ
ムでメツキするか、あるいはパラジウムブラツク
として陰極に鍍金して使用する。これらメツキあ
るいは鍍金のベースとなる電極材質としては、た
とえばニツケル、銀、カーボン、チタン、タンタ
ル、更にたとえばロジウム、プラチナのような貴
金属をメツキしたチタン、タンタルなどを挙げる
ことができる。また、パラジウム合金としては、
たとえばニツケル−パラジウム合金、チタン−パ
ラジウム合金などを挙げることができる。これら
合金のパラジウム含量は、工業的にみてニツケル
−パラジウム合金の場合には2〜20重量%、チタ
ン−パラジウム合金の場合には0.05〜0.5重量%
のものが好ましい。 本発明で用いることのできる陰極のうちでも、
特に好適に用いることのできるものとしては、パ
ラジウムブラツクを鍍金した電極、たとえばパラ
ジウムブラツクを鍍金したプラチナメツキチタン
板を挙げることができる。電極にパラジウムを鍍
金するには、陰極液を塩酸酸性にし、これにパラ
ジウム塩、たとえば塩化パワジウムを添加し、次
いで0.05〜0.2アンペア/dm2程度の電流を流す
ことにより行なうことができる。 陽極としては、たとえばプラチナ、プラチナメ
ツキチタン、プラチナメツキタンタルなどのよう
な耐酸性のある金属を用いることができる。 本発明の電解還元は、陰極側と陽極側を隔膜で
仕切つて行なわれる。このような隔膜としては、
たとえば陽イオン交換膜(C.M.V. ;旭硝子工
業(株)製;ナフイオン デユポン社製)が使用され
る。 陰極液および陽極液には希塩酸あるいは希硫酸
を使用することができる。陰極側でのPHコントロ
ールには、たとえば塩酸、硫酸などのような鉱酸
が用いられる。陰極液には、必要に応じて電解質
として、たとえば食塩、塩化アンモニウム、茫
硝、硫安などのような解離度の高い塩類を併用し
てもよい。 電解反応は、好ましくは原料の水溶液の形で行
なわれるが、懸濁液を用いても何ら差しつかえな
い。p−ニトロベンゾイルグルタミン酸の場合に
は約0.5〜5重量%の濃度を維持しながら、また
p−ハイドロオキシアミノグルタミン酸の場合に
は、約0.5〜20重量%の濃度を維持しながら還元
反応を行なうことができる。p−ハイドロオキシ
アミノベンゾイルグルタミン酸は、p−ニトロベ
ンゾイルグルタミン酸を原料として、これをチタ
ン、ニツケル、銅、銀など慣用の陰極を用いた電
解還元反応に付することにより容易に製造するこ
とができる。本発明の陰極もまた使用することが
できる。この際電流密度は5〜20A/dm2、好ま
しくは8〜15A/dm2で行なえばよい。反応液
は、酸性、好ましくはPH3〜7程度に維持し、反
応温度は0〜30℃である。このような電解反応に
より得られたp−ハイドロオキシアミノベンゾイ
ルグルタミン酸を含有する反応液は、そのまま本
発明の原料として用いることができ、反応液に
は、未反応のp−ニトロ体が含まれていてもよ
い。 本発明の電解反応は、陰極液のPHを3以下、好
ましくは0.5〜2に調整しながら行なわれる。反
応温度は10〜70℃、好ましくは30〜50℃である。
また電流密度は、原料の濃度にも左右されるが、
一般にp−ニトロベンゾイルグルタミン酸を原料
として用いる場合は、3〜10A/dm2、好ましく
は5〜7A/dm2、p−ハイドロオキシアミノベ
ンゾイルグルタミン酸を原料として用いる場合
は、5〜15A/dm2、好ましくは8〜12A/dm2
で行なわれる。従来の電解反応において行なわれ
ているように反応の進行と共に通電量を下げてゆ
く方法を採用することが好ましい。 反応終了後反応液からp−アミノベンゾイルグ
ルタミン酸を分離するには、たとえば濃縮、アル
カリを用いてのPH調整などの常套手段が用いられ
る。 本発明の電解反応は、たとえば槽型、フイルタ
ープレス型あるいはプレートアンドフレーム型な
ど一般の電解反応に汎用されているセルを用いて
実施することができる。工業的にはフイルタープ
レス型またはプレートアンドフレーム型を使用す
るのが好ましい。これらのセルを使用する場合、
反応中、陰極液、陽極液いずれも中継槽を介して
ポンプで循環させる。なお、この際陰極側のセル
中での流速は電流効率の低下を防止するため5
cm/sec以上に設定することが望ましい。 本発明の方法によれば目的とするアミノ体の収
率が高く、しかも電流効率も高いため工業的製法
として極めて有用である。特に、p−ハイドロオ
キシアミノベンゾイルグルタミン酸を原料として
使用する場合には、反応を高い原料濃度で進行さ
せることができ、またパラジウム電極の消耗が少
なくて済むという利点がある。本発明の目的物を
葉酸製造のための原料とする場合には、電解反応
液をそのまま使用することができる。 以下、実施例を挙げて本発明を更に具体的に説
明する。 実施例 1 p−ニトロベンゾイルグルタミン酸の電解還元
をフイルタープレス型電解セルを用いて行なつ
た。 (1) セルの製造は次の通りである。 陰極:パラジウムブラツクを鍍金した白金メツ
キチタン板(注)(白金メツキの厚み2μm、
チタンの厚み2mm) 有効面積1dm2(8cm×12.5cm) 陽極:白金メツキチタン板(白金メツキの厚み
2μm、チタン厚み2mm) 有効面積1dm2(8cm×12.5cm) イオン交換膜:ナフイオン −315(デユポン社
製) イオン交換膜と極板との距離:1.5mm (注)鍍金条件および鍍金方法 鍍金条件 陰極液:3W/V%塩酸水溶液250ml 陽極液:3W/V%硫酸水溶液300ml 陰極液の温度:10±1℃ セル中での流速:陰陽極側ともに10cm/sec 鍍金方法 塩化パラジウムPdCl2として0.5gを含有する5
%塩酸溶液100mlを陰極側に中継槽を介して循環
させた。鍍金は電流密度0.1A/dm2で、2時間
続けられた。同様な方法で鍍金を4回繰り返し
た。陰極板上にはパラジウム金属として合計1.2
g鍍金されたことになる。パラジウムブラツク鍍
金後、陰極両極液を抜き出し、電解セルを水洗し
た。 (2) p−ニトロベンゾイルグルタミン酸の電解還
元 (1)で説明したセルを用いて電解還元反応を行
なつた。 反応開始時点陰極液:p−ニトロベンゾイルグ
ルタミン酸2.8g、食塩2g、塩酸6gを含
有する水溶液300ml(PH0.7) 反応開始後陰極液にフイードする原料溶液:p
−ニトロベンゾイルグルタミン酸として
125.3gおよび食塩35gを含有するp−ニト
ロベンゾイルグルタミン酸の1ナトリウム塩
水溶液895ml 反応開始後陰極液にフイードする電解質溶液:
35W/V%塩酸150ml 陽極液:2W/V%硫酸水溶液300ml 反応時の陰極液温度:45°±1℃ セル中の流速:陰極共に15cm/sec 反応時の通電量:下記のように段階的に低下さ
せた。
【表】
上記条件で、陰極液、陽極液いずれも中継槽を
介し循環させながら電解還元を17.0時間行なつ
た。なお電解還元反応時に陰極側に供給する原料
溶液および電解質溶液については、反応開始後12
時間かけて均等に供給した。 反応終了後、陰極液を系外に抜き出しこの液に
ついて、高速液体クロマトグラフイー〔分析カラ
ム:ユニシールC18・10μm(ガスクロ工業(株)製、
カラム長さ4mmφin×30cm)移動相:水溶液、リ
ン酸−アンモニウム(NH4H2PO4)0.02モル%濃
度、PIC−B7(Waters Associates製)0.7V/V
%、メタノール2.0V/V%、アセトニトリル
1.9V/V%、PH=3.0、測定波長:UV254nm〕
にて定量分析した結果目的化合物であるp−アミ
ノベンゾイルグルタミンの生成量は114.0gであ
つた。(理論収率:99.0%、電流効率:88.3%) 実施例 2 p−ニトロベンゾイルグルタミン酸の電解還元
を下記する以外は実施例1と同様の電解セルおよ
び条件下で行なつた。 陰極:チタン−パラジウム合金板(パラジウム含
量0.15重量%、厚み2mm)有効面積1dm2 通電量:下記のように段階的に低下させた。
介し循環させながら電解還元を17.0時間行なつ
た。なお電解還元反応時に陰極側に供給する原料
溶液および電解質溶液については、反応開始後12
時間かけて均等に供給した。 反応終了後、陰極液を系外に抜き出しこの液に
ついて、高速液体クロマトグラフイー〔分析カラ
ム:ユニシールC18・10μm(ガスクロ工業(株)製、
カラム長さ4mmφin×30cm)移動相:水溶液、リ
ン酸−アンモニウム(NH4H2PO4)0.02モル%濃
度、PIC−B7(Waters Associates製)0.7V/V
%、メタノール2.0V/V%、アセトニトリル
1.9V/V%、PH=3.0、測定波長:UV254nm〕
にて定量分析した結果目的化合物であるp−アミ
ノベンゾイルグルタミンの生成量は114.0gであ
つた。(理論収率:99.0%、電流効率:88.3%) 実施例 2 p−ニトロベンゾイルグルタミン酸の電解還元
を下記する以外は実施例1と同様の電解セルおよ
び条件下で行なつた。 陰極:チタン−パラジウム合金板(パラジウム含
量0.15重量%、厚み2mm)有効面積1dm2 通電量:下記のように段階的に低下させた。
【表】
反応後実施例1と同様の方法で定量分析した結
果、p−アミノベンゾイルグルタミン酸の生成量
は109.8gであつた。(理論収率:95.4%、電流効
率;79.4%) 実施例 3 p−ハイドロオキシアミノベンゾイルグルタミ
ン酸の電解還元を行なつた。p−ハイドロオキシ
アミノベンゾイルグルタミン酸は、p−ニトロベ
ンゾイルグルタミン酸を原料とし、これを電解還
元反応に付して製造した。これらの電解還元反応
は、いずれもフイルタープレス型電解セルを用い
て行なつた。下記以外は実施例1に準じた。 (1) p−ハイドロオキシアミノベンゾイルグルタ
ミン酸の製造 陰極:チタン板(材質JIS−TP−35−C、厚み
2mm)有効面積1dm2(8cm×12.5cm) 陰極液:p−ニトロベンゾイルグルタミン酸と
して42.0gおよび、食塩12.0gを含有するp
−ニトロベンゾイルグルタミン酸1ナトリウ
ム水溶液300ml 陰極液の温度:25±1℃ 反応開始後30分間10Aで通電し、引続いて
5Aで1.5時間通電して反応を終了した。この反
応液はTable1に示すようにp−ハイドロオキ
シベンゾイルグルタミン酸を主成分として含有
する。 (2) P−ハイドロオキシアミンベンゾイルグルタ
ミン酸の電解還元 陰極:(1)で得られた反応液に35重量%の塩酸水
溶液41mlを加えPH0.7に調整したものを用い
た。 陰極:パラジウムブラツクを鍍金※した白金メ
ツキチタン板(白金メツキ厚み2.0μm、チタ
ン板厚み2.0mm) 有効面積1dm2 (※)パラジウムブラツクの鍍金は実施例1
と同様に行なつた。 陰極液の温度:35℃±1℃ 通電量:次表に示すように段階的に低下させ
た。
果、p−アミノベンゾイルグルタミン酸の生成量
は109.8gであつた。(理論収率:95.4%、電流効
率;79.4%) 実施例 3 p−ハイドロオキシアミノベンゾイルグルタミ
ン酸の電解還元を行なつた。p−ハイドロオキシ
アミノベンゾイルグルタミン酸は、p−ニトロベ
ンゾイルグルタミン酸を原料とし、これを電解還
元反応に付して製造した。これらの電解還元反応
は、いずれもフイルタープレス型電解セルを用い
て行なつた。下記以外は実施例1に準じた。 (1) p−ハイドロオキシアミノベンゾイルグルタ
ミン酸の製造 陰極:チタン板(材質JIS−TP−35−C、厚み
2mm)有効面積1dm2(8cm×12.5cm) 陰極液:p−ニトロベンゾイルグルタミン酸と
して42.0gおよび、食塩12.0gを含有するp
−ニトロベンゾイルグルタミン酸1ナトリウ
ム水溶液300ml 陰極液の温度:25±1℃ 反応開始後30分間10Aで通電し、引続いて
5Aで1.5時間通電して反応を終了した。この反
応液はTable1に示すようにp−ハイドロオキ
シベンゾイルグルタミン酸を主成分として含有
する。 (2) P−ハイドロオキシアミンベンゾイルグルタ
ミン酸の電解還元 陰極:(1)で得られた反応液に35重量%の塩酸水
溶液41mlを加えPH0.7に調整したものを用い
た。 陰極:パラジウムブラツクを鍍金※した白金メ
ツキチタン板(白金メツキ厚み2.0μm、チタ
ン板厚み2.0mm) 有効面積1dm2 (※)パラジウムブラツクの鍍金は実施例1
と同様に行なつた。 陰極液の温度:35℃±1℃ 通電量:次表に示すように段階的に低下させ
た。
【表】
反応終了後、反応後を定量分析に付し、次表に
示す結果を得た。
示す結果を得た。
【表】
実施例 4
槽型電解セル〔陽極液と陰極液はイオン交換膜
(C.M.V. ;旭硝子工業(株)製)で仕切られてお
り、両極側とも150mlの容積を有するもの;陰極
側は撹拌機を備えている〕を用い、下記条件でp
−ニトロベンゾイルグルタミン酸の電解還元を行
なつた。 陰極:チタン−パラジウム合金板(パラジウム
0.15重量%、厚み2mm) 有効面積;0.15dm2(3cm×5cm) 陽極:白金メツキチタン板(白金メツキ厚み2μ
m、チタン厚み2mm) 有効面積:0.15dm2(3cm×5cm) 陰極液: p−ニトロベンゾイルグルタミン酸 15g 食 塩 5g塩 酸 12g 合計120mlの水溶液(PH0.1) 陽極液:2%硫酸 水溶液120ml 電流値:0.75A(電流密度:5A/dm2) 陰極液の温度:35±1℃ 14時間反応を続けたのち、反応液を高速液クロ
で定量分析した結果、p−アミノベンゾイルグル
タミン酸の理論収率は96%(電流効率74.5%)で
あつた。 実施例 5 陰極板としてパラジウムブラツク0.5g/dm2
を鍍金した白金メツキチタン板(白金メツキ厚み
2.0μm、極板面積0.15dm2)を使用し、他の電解
反応の方法および条件は実施例4と同一条件にし
て13時間反応した。反応後、反応液を高速液クロ
で定量分析した結果、p−アミノベンゾイルグル
タミン酸の理論収率は98.5%(電流効率82.3%)
であつた。 比較例 1 陰極板として、パラジウムブラツクの鍍金をし
ていないプラチナメツキチタン板(白金メツキの
厚み2μm、有効面積0.15dm2、3cm×5cm)を使
用し、他は実施例4と同一条件で14時間反応させ
た。反応後、高速液クロで反応液の定量分析を行
なつた結果、出発原料に対する未反応原料の割合
は15%であり、またp−アミノベンゾイルグルタ
ミン酸の理論生成量は5%、p−ハイドロオキシ
アミノ体のそれは72%であつた。 比較例 2 陰極に仕込む原料溶液として、p−ニトロベン
ゾイルグルタミン酸15.0gおよび食塩5gを含む
水溶液100mlを準備し、この溶液に30重量%の苛
性ソーダ水溶液を加えてPH11.0およびPH5.0の溶
液を調整し、それぞれを用いて実施例4と同様の
還元を行なつた。14時間反応後の反応液を分析し
た結果は次の通りであつた。
(C.M.V. ;旭硝子工業(株)製)で仕切られてお
り、両極側とも150mlの容積を有するもの;陰極
側は撹拌機を備えている〕を用い、下記条件でp
−ニトロベンゾイルグルタミン酸の電解還元を行
なつた。 陰極:チタン−パラジウム合金板(パラジウム
0.15重量%、厚み2mm) 有効面積;0.15dm2(3cm×5cm) 陽極:白金メツキチタン板(白金メツキ厚み2μ
m、チタン厚み2mm) 有効面積:0.15dm2(3cm×5cm) 陰極液: p−ニトロベンゾイルグルタミン酸 15g 食 塩 5g塩 酸 12g 合計120mlの水溶液(PH0.1) 陽極液:2%硫酸 水溶液120ml 電流値:0.75A(電流密度:5A/dm2) 陰極液の温度:35±1℃ 14時間反応を続けたのち、反応液を高速液クロ
で定量分析した結果、p−アミノベンゾイルグル
タミン酸の理論収率は96%(電流効率74.5%)で
あつた。 実施例 5 陰極板としてパラジウムブラツク0.5g/dm2
を鍍金した白金メツキチタン板(白金メツキ厚み
2.0μm、極板面積0.15dm2)を使用し、他の電解
反応の方法および条件は実施例4と同一条件にし
て13時間反応した。反応後、反応液を高速液クロ
で定量分析した結果、p−アミノベンゾイルグル
タミン酸の理論収率は98.5%(電流効率82.3%)
であつた。 比較例 1 陰極板として、パラジウムブラツクの鍍金をし
ていないプラチナメツキチタン板(白金メツキの
厚み2μm、有効面積0.15dm2、3cm×5cm)を使
用し、他は実施例4と同一条件で14時間反応させ
た。反応後、高速液クロで反応液の定量分析を行
なつた結果、出発原料に対する未反応原料の割合
は15%であり、またp−アミノベンゾイルグルタ
ミン酸の理論生成量は5%、p−ハイドロオキシ
アミノ体のそれは72%であつた。 比較例 2 陰極に仕込む原料溶液として、p−ニトロベン
ゾイルグルタミン酸15.0gおよび食塩5gを含む
水溶液100mlを準備し、この溶液に30重量%の苛
性ソーダ水溶液を加えてPH11.0およびPH5.0の溶
液を調整し、それぞれを用いて実施例4と同様の
還元を行なつた。14時間反応後の反応液を分析し
た結果は次の通りであつた。
【表】
る理論収量および未反応原料の割合
実施例 6 フイルタープレスタイプの電解セル(隔膜とし
てイオン交換膜C.M.V. 使用)を用いてp−ニ
トロベンゾイルグルタミン酸を下記条件で電解還
元を行なつた。 陰極:パラジウムブラツクで鍍金したチタン板パ
ラジウムブラツク0.5g/dm2、チタン材質JIS
−TP−35−C、チタンの厚み2mm有効面積1d
m2(8cm×12.5cm) 陽極:白金メツキチタン板(メツキ厚み2.0μm、
チタンの厚み2mm) 有効面積1dm2(8cm×12.5cm) 陽極液:2%硫酸水溶液250ml 陰極液: p−ニトロベンゾイルグルタミン酸 2.5g 塩 酸 2.6g食 塩 13.0g 合計250mlの水溶液(PH1.0) 反応時に陰極側にフイードする原料溶液:p−ニ
トロベンゾイルグルタミン酸71gおよび食塩27
gを含有するp−ニトロベンゾイルグルタミン
酸1ナリウム塩水溶液500ml 反応時に陰極側に供給する電解質溶液:35重量%
塩酸45ml セル中での流速:陰、陽極共に7cm/sec 反応時の陰極液温度:35±1℃ 反応時の電流値:4A なお、反応時に陰極側へ供給する原料溶液およ
び電解質溶液は8.5時間かけて均等に供給した。 合計反応時間12時間で反応を停止し、反応液を
定量分析した結果、p−アミノベンゾイルグルタ
ミン酸の理論収率は98.5%であつた(p−アミノ
ベンゾイルグルタミン酸ベースの理論電流効率
81.9%)。
実施例 6 フイルタープレスタイプの電解セル(隔膜とし
てイオン交換膜C.M.V. 使用)を用いてp−ニ
トロベンゾイルグルタミン酸を下記条件で電解還
元を行なつた。 陰極:パラジウムブラツクで鍍金したチタン板パ
ラジウムブラツク0.5g/dm2、チタン材質JIS
−TP−35−C、チタンの厚み2mm有効面積1d
m2(8cm×12.5cm) 陽極:白金メツキチタン板(メツキ厚み2.0μm、
チタンの厚み2mm) 有効面積1dm2(8cm×12.5cm) 陽極液:2%硫酸水溶液250ml 陰極液: p−ニトロベンゾイルグルタミン酸 2.5g 塩 酸 2.6g食 塩 13.0g 合計250mlの水溶液(PH1.0) 反応時に陰極側にフイードする原料溶液:p−ニ
トロベンゾイルグルタミン酸71gおよび食塩27
gを含有するp−ニトロベンゾイルグルタミン
酸1ナリウム塩水溶液500ml 反応時に陰極側に供給する電解質溶液:35重量%
塩酸45ml セル中での流速:陰、陽極共に7cm/sec 反応時の陰極液温度:35±1℃ 反応時の電流値:4A なお、反応時に陰極側へ供給する原料溶液およ
び電解質溶液は8.5時間かけて均等に供給した。 合計反応時間12時間で反応を停止し、反応液を
定量分析した結果、p−アミノベンゾイルグルタ
ミン酸の理論収率は98.5%であつた(p−アミノ
ベンゾイルグルタミン酸ベースの理論電流効率
81.9%)。
Claims (1)
- 1 陰極としてパラジウムまたはパラジウム合金
を用いPH3以下でp−ニトロベンゾイルグルタミ
ン酸および/またはp−ハイドロオキシアミノベ
ンゾイルグルタミン酸を電解還元することを特徴
とするp−アミノベンゾイルグルタミン酸の製造
法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59089878A JPS60234986A (ja) | 1984-05-04 | 1984-05-04 | P−アミノベンゾイルグルタミン酸の製造法 |
| DE19843419817 DE3419817A1 (de) | 1983-05-31 | 1984-05-26 | Herstellung von p-aminobenzoylglutaminsaeure durch elektrochemische reduktion |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59089878A JPS60234986A (ja) | 1984-05-04 | 1984-05-04 | P−アミノベンゾイルグルタミン酸の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60234986A JPS60234986A (ja) | 1985-11-21 |
| JPH046798B2 true JPH046798B2 (ja) | 1992-02-06 |
Family
ID=13983021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59089878A Granted JPS60234986A (ja) | 1983-05-31 | 1984-05-04 | P−アミノベンゾイルグルタミン酸の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60234986A (ja) |
-
1984
- 1984-05-04 JP JP59089878A patent/JPS60234986A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60234986A (ja) | 1985-11-21 |
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