JPH0468292B2 - - Google Patents
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- JPH0468292B2 JPH0468292B2 JP61102471A JP10247186A JPH0468292B2 JP H0468292 B2 JPH0468292 B2 JP H0468292B2 JP 61102471 A JP61102471 A JP 61102471A JP 10247186 A JP10247186 A JP 10247186A JP H0468292 B2 JPH0468292 B2 JP H0468292B2
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- Japan
- Prior art keywords
- reaction
- catalyst
- synthesis gas
- stream
- hour
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、エタノール合成用触媒とアルコール
脱水用触媒を組み合わせた複合触媒により、合成
ガスから一段でエチレンを選択的に合成する方法
に関するものである。
脱水用触媒を組み合わせた複合触媒により、合成
ガスから一段でエチレンを選択的に合成する方法
に関するものである。
近年石油資源の枯渇化に伴い、石油以外の炭素
資源から石油化学製品を作り出す技術開発が盛ん
である。例えばC1化学技術が良い例である。石
油化学製品のうちでも、エチレン、プロピレン
は、最も重要な基礎化学品であり年間数百万tが
消費されている。このエチレン、プロピレンを石
油以外の炭素資源から製造する方法として合成ガ
スから改良型フイツシヤー・トロプシユ触媒を用
いて製造する方法が検討されているが、エチレ
ン・プロピレン選択性の向上にはシユルツフロー
リ則の制約もあり、多くの困難が存在している。
資源から石油化学製品を作り出す技術開発が盛ん
である。例えばC1化学技術が良い例である。石
油化学製品のうちでも、エチレン、プロピレン
は、最も重要な基礎化学品であり年間数百万tが
消費されている。このエチレン、プロピレンを石
油以外の炭素資源から製造する方法として合成ガ
スから改良型フイツシヤー・トロプシユ触媒を用
いて製造する方法が検討されているが、エチレ
ン・プロピレン選択性の向上にはシユルツフロー
リ則の制約もあり、多くの困難が存在している。
また、合成ガスから容易に合成することができ
るメタノールからZSM−5等の特異なゼオライ
ト触媒により、エチレン・プロピレを選択的に合
成する方法も見い出されている。しかしこの方法
ではエチレンよりもプロピレンの選択率が多いと
いう欠点がありエチレンを選択的に合成すること
はむづかしい。
るメタノールからZSM−5等の特異なゼオライ
ト触媒により、エチレン・プロピレを選択的に合
成する方法も見い出されている。しかしこの方法
ではエチレンよりもプロピレンの選択率が多いと
いう欠点がありエチレンを選択的に合成すること
はむづかしい。
一方、最近合成ガスから直接エタノールを合成
する触媒も見い出されている。(特開昭58−
141089) 本発明者らは、これらの先行技術をふまえ、ま
たこれらの欠点を克服すべく、合成ガスから一段
でエチレンの選択的合成方法を鋭意検討した結
果、エタノール合成用触媒と特定の脱水素用触媒
を組み合わせた複合系触媒により、合成ガスから
エチレンを選択的に合成するプロセスを見い出す
に至つた。
する触媒も見い出されている。(特開昭58−
141089) 本発明者らは、これらの先行技術をふまえ、ま
たこれらの欠点を克服すべく、合成ガスから一段
でエチレンの選択的合成方法を鋭意検討した結
果、エタノール合成用触媒と特定の脱水素用触媒
を組み合わせた複合系触媒により、合成ガスから
エチレンを選択的に合成するプロセスを見い出す
に至つた。
本発明は、複合系触媒により合成ガスから一段
で選択的にエチレンを合成する方法を提供するこ
とを目的としてなされたものである。
で選択的にエチレンを合成する方法を提供するこ
とを目的としてなされたものである。
すなわち、本発明によれば、合成ガスからエタ
ノールを生成する触媒とエタノールを脱水してエ
チレンを生成する触媒を組み合わせ、合成からエ
タノールを合成する反応条件で同時にエタノール
の脱水反応を行い合成ガスから一段で効率良くエ
チレンを生成するプロセスが提供される。
ノールを生成する触媒とエタノールを脱水してエ
チレンを生成する触媒を組み合わせ、合成からエ
タノールを合成する反応条件で同時にエタノール
の脱水反応を行い合成ガスから一段で効率良くエ
チレンを生成するプロセスが提供される。
本発明で用いるエタノール合成用触媒としては
Rhを主活性金属種として含む、一元系あるいは
多元担持Rh触媒であれば任意である。好ましく
は、Rh/SiO2、Rh−Fe/SiO2、Rh−Ti−Fe/
SiO2、Rh−Ti−Fe−Ir/SiO2、Ri−Mn−Fe/
SiO2、等のエタノールの選択率が比較的に高い
ものが良い。
Rhを主活性金属種として含む、一元系あるいは
多元担持Rh触媒であれば任意である。好ましく
は、Rh/SiO2、Rh−Fe/SiO2、Rh−Ti−Fe/
SiO2、Rh−Ti−Fe−Ir/SiO2、Ri−Mn−Fe/
SiO2、等のエタノールの選択率が比較的に高い
ものが良い。
本発明で用いる脱水触媒としては既存の金属酸
化物あるいはゼオライト等の脱水用酸性物質で良
いが、好ましくはシリカライト、チヤバサイト、
エリオナイト、ゼオロン500H、ゼオロン400Hの
ゼオライトが良い。
化物あるいはゼオライト等の脱水用酸性物質で良
いが、好ましくはシリカライト、チヤバサイト、
エリオナイト、ゼオロン500H、ゼオロン400Hの
ゼオライトが良い。
本発明で用いる複合触媒系は、上述した触媒を
混合しても良いし、エタノール合成用触媒を上段
に、脱水用触媒を下段に設置しても良い。また両
触媒の割合は任意であるが脱水用触媒が多いほう
が好ましい。
混合しても良いし、エタノール合成用触媒を上段
に、脱水用触媒を下段に設置しても良い。また両
触媒の割合は任意であるが脱水用触媒が多いほう
が好ましい。
本発明の用いる反応条件は合成ガス反応が進行
すれば任意であるが反応温度として100℃〜450
℃、反応圧力1atm〜200Kg/cm2、反応流速として
1ml/min/gCat〜1000m/min/gCat、合成ガ
ス比H2/CO=10/1〜1/10であれば任意であ
る。好ましくは250℃〜350℃、1atm〜50Kg/cm2、
50ml〜800ml/min、合成ガス比H2/10=4/1
〜1/4が良い。
すれば任意であるが反応温度として100℃〜450
℃、反応圧力1atm〜200Kg/cm2、反応流速として
1ml/min/gCat〜1000m/min/gCat、合成ガ
ス比H2/CO=10/1〜1/10であれば任意であ
る。好ましくは250℃〜350℃、1atm〜50Kg/cm2、
50ml〜800ml/min、合成ガス比H2/10=4/1
〜1/4が良い。
本発明の方法によれば、合成ガスから一段反応
で収良く、エチレンを合成することができるとい
うすぐれた効果を奏する。
で収良く、エチレンを合成することができるとい
うすぐれた効果を奏する。
次に本発明を実施例に基づき詳細に説明する。
実施例 1
固定床加圧流通式反応装置の反応管(内径8
mm、長さ150mm)の上段にエタノル合成用触媒と
してRh(1)−Fe(0.3)/SiO2(カツコ内は原子比、
Rh4、7wt%)を0.5g、下段に脱水用触媒として
H−シリカライトを1.5gを仕込んだ。合成ガス
反応に先立つてH2気流(300ml/min)中400℃
で1h還元処理を行つた。H2気流中で放冷した後、
室温にて合成ガス(H2/CO=1)に切り替え反
応温度280℃、反応圧力50Kg/cm2、流速100ml/
minで反応を行つた。反応開始1時間後のCO転
化率は5%であり、生成物の選択率(炭素効率)
はCH448.3%、C2H62.5%、C2H429.3%、C3H80.7
%、C3H62.7%、CH3OH7.0%、C2H5OH0.0%、
C2H5OC2H5微量、C2含酸素化合物5.2%、CO23.3
%、その他1.0%であつた。
mm、長さ150mm)の上段にエタノル合成用触媒と
してRh(1)−Fe(0.3)/SiO2(カツコ内は原子比、
Rh4、7wt%)を0.5g、下段に脱水用触媒として
H−シリカライトを1.5gを仕込んだ。合成ガス
反応に先立つてH2気流(300ml/min)中400℃
で1h還元処理を行つた。H2気流中で放冷した後、
室温にて合成ガス(H2/CO=1)に切り替え反
応温度280℃、反応圧力50Kg/cm2、流速100ml/
minで反応を行つた。反応開始1時間後のCO転
化率は5%であり、生成物の選択率(炭素効率)
はCH448.3%、C2H62.5%、C2H429.3%、C3H80.7
%、C3H62.7%、CH3OH7.0%、C2H5OH0.0%、
C2H5OC2H5微量、C2含酸素化合物5.2%、CO23.3
%、その他1.0%であつた。
実施例 2
固定床加圧流通式反応装置の反応管(内径8
mm、長さ150mm)の上段にエタノル合成用触媒と
してRh(1)−Ti(1)−Fe(0.3)−Ir(0.5)/SiO2(カ
ツコ内は原子比、Rh4、7wt%)を0.5g、下段に
脱水用触媒としてH−シリカライトを1.5gを仕
込んだ。合成ガス反応に先立つてH2気流(300
ml/min)中400℃で1h還元処理を行つた。H2気
流中で放冷した後、室温にて合成ガス(H2/CO
=1)に切り替え反応温度260℃、反応圧力50
Kg/cm2、流速100ml/minで反応を行つた。反応
開始1時間後のCO転化率は6.2%であり、生成物
の選択率(炭素効率)はCH432.7%、C2H63.6%、
C2H444.7%、C3H81.2%、C3H62.4%、
CH3OH5.9%、C2H5OH0.0%、C2H5OC2H51.5
%、C2含酸素化合物5.8%、CO23.1%、その他0.6
%であつた。
mm、長さ150mm)の上段にエタノル合成用触媒と
してRh(1)−Ti(1)−Fe(0.3)−Ir(0.5)/SiO2(カ
ツコ内は原子比、Rh4、7wt%)を0.5g、下段に
脱水用触媒としてH−シリカライトを1.5gを仕
込んだ。合成ガス反応に先立つてH2気流(300
ml/min)中400℃で1h還元処理を行つた。H2気
流中で放冷した後、室温にて合成ガス(H2/CO
=1)に切り替え反応温度260℃、反応圧力50
Kg/cm2、流速100ml/minで反応を行つた。反応
開始1時間後のCO転化率は6.2%であり、生成物
の選択率(炭素効率)はCH432.7%、C2H63.6%、
C2H444.7%、C3H81.2%、C3H62.4%、
CH3OH5.9%、C2H5OH0.0%、C2H5OC2H51.5
%、C2含酸素化合物5.8%、CO23.1%、その他0.6
%であつた。
実施例 3
固定床加圧流通式反応装置の反応管(内径8
mm、長さ150mm)の上段にエタノル合成用触媒と
してRh(1)−Ti(1)−Fe(0.3)−Ir(0.5)/SiO2(カ
ツコ内は原子比、Rh4、7wt%)を0.5g、下段に
脱水用触媒としてゼオロン500Hを1.5gを仕込ん
だ。合成ガス反応に先立つてH2気流(300ml/
min)中400℃で1h還元処理を行つた。H2気流中
で放冷した後、室温にて合成ガス(H2/CO=
1)に切り替え反応温度260℃、反応圧力50Kg/
cm2、流速100ml/minで反応を行つた。反応開始
1時間後のCO転化率は6.1%であり、生成物の選
択率(炭素効率)はCH434.2%、C2H611.9%、
C2H441.9%、C3H81.6%、C3H6微量、CH3OH微
量、C2H5OH0.0%、C2H5OC2H5微量、C2含酸素
化合物 微量、CO210.9%、その他0.3%であつ
た。
mm、長さ150mm)の上段にエタノル合成用触媒と
してRh(1)−Ti(1)−Fe(0.3)−Ir(0.5)/SiO2(カ
ツコ内は原子比、Rh4、7wt%)を0.5g、下段に
脱水用触媒としてゼオロン500Hを1.5gを仕込ん
だ。合成ガス反応に先立つてH2気流(300ml/
min)中400℃で1h還元処理を行つた。H2気流中
で放冷した後、室温にて合成ガス(H2/CO=
1)に切り替え反応温度260℃、反応圧力50Kg/
cm2、流速100ml/minで反応を行つた。反応開始
1時間後のCO転化率は6.1%であり、生成物の選
択率(炭素効率)はCH434.2%、C2H611.9%、
C2H441.9%、C3H81.6%、C3H6微量、CH3OH微
量、C2H5OH0.0%、C2H5OC2H5微量、C2含酸素
化合物 微量、CO210.9%、その他0.3%であつ
た。
実施例 4
固定床加圧流通式反応装置の反応管(内径8
mm、長さ150mm)の上段にエタノル合成用触媒と
してRh(1)−Ti(1)−Fe(0.3)−Ir(0.5)/SiO2(カ
ツコ内は原子比、Rh4、7wt%)を0.5g、下段に
脱水用触媒としてゼオロン200Hを1.5gを仕込ん
だ。合成ガス反応に先立つてH2気流(300ml/
min)中400℃で1h還元処理を行つた。H2気流中
で放冷した後、室温に合成ガス(H2/CO=1)
に切り替え反応温度260℃、反応圧力50Kg/cm2、
流速100ml/minで反応を行つた。反応開始1時
間後のCO転化率は6.2%であり、生成物の選択率
(炭素効率)はCH444.8%、C2H65.2%、C2H423.9
%、C3H88.7%、C3H6微量、CH3OH0.2%、
C2H5OH0.0%、C2H5OC2H5微量、C2含酸素化合
物 微量、CO210.9%、その他0.3%であつた。
mm、長さ150mm)の上段にエタノル合成用触媒と
してRh(1)−Ti(1)−Fe(0.3)−Ir(0.5)/SiO2(カ
ツコ内は原子比、Rh4、7wt%)を0.5g、下段に
脱水用触媒としてゼオロン200Hを1.5gを仕込ん
だ。合成ガス反応に先立つてH2気流(300ml/
min)中400℃で1h還元処理を行つた。H2気流中
で放冷した後、室温に合成ガス(H2/CO=1)
に切り替え反応温度260℃、反応圧力50Kg/cm2、
流速100ml/minで反応を行つた。反応開始1時
間後のCO転化率は6.2%であり、生成物の選択率
(炭素効率)はCH444.8%、C2H65.2%、C2H423.9
%、C3H88.7%、C3H6微量、CH3OH0.2%、
C2H5OH0.0%、C2H5OC2H5微量、C2含酸素化合
物 微量、CO210.9%、その他0.3%であつた。
比較例 1
固定床加圧流通式反応装の反応管(内径8mm、
長さ150mm)の上段にエタノール合成用触媒とし
てRh(1)−Fe(0.3)/SiO2(カツコ内は原子比、
Rh4.7wt%)を0.5g、仕込んだ。合成ガス反応
に先立つてH2気流(300ml/min)中400℃で1h
還元処理を行つた。H2気流中で放冷した後、室
温にて合成ガス(H2/CO=1)に切り替え反応
温度280℃、反応圧力50Kg/cm2、流速100ml/min
で反応を行つた。反応開始1時間後のCO転化率
は5.0%であり、生成物の選択率(炭素効率)は
CH435.6%、C2H61.4%、C2H40.1%、C3H8.0.2
%、C3H6微量、CH3OH19.8%、C2H5OH32.6%、
C2H5OC2H5微量、C2含酸素化合物39.5%、
CO22.3%、その他1.1%であつた。
長さ150mm)の上段にエタノール合成用触媒とし
てRh(1)−Fe(0.3)/SiO2(カツコ内は原子比、
Rh4.7wt%)を0.5g、仕込んだ。合成ガス反応
に先立つてH2気流(300ml/min)中400℃で1h
還元処理を行つた。H2気流中で放冷した後、室
温にて合成ガス(H2/CO=1)に切り替え反応
温度280℃、反応圧力50Kg/cm2、流速100ml/min
で反応を行つた。反応開始1時間後のCO転化率
は5.0%であり、生成物の選択率(炭素効率)は
CH435.6%、C2H61.4%、C2H40.1%、C3H8.0.2
%、C3H6微量、CH3OH19.8%、C2H5OH32.6%、
C2H5OC2H5微量、C2含酸素化合物39.5%、
CO22.3%、その他1.1%であつた。
比較例 2
固定床加圧流通式反応装の反応管(内径8mm、
長さ150mm)の上段にエタノール合成用触媒とし
てRh(1)−Ti(1)−Fe(0.3)Ir(0.5)/SiO2(カツコ
内は原子比、Rh4.7wt%)を0.5g、仕込んだ。
合成ガス反応に先立つてH2気流(300ml/min)
中400℃で1h還元処理を行つた。H2気流中で放冷
した後、室温にて合成ガス(H2/CO=1)に切
り替え反応温度260℃、反応圧力50Kg/cm2、流速
100ml/minで反応を行つた。反応開始1時間後
のCO転化率は6.3%であり、生成物の選択率(炭
素効率)はCH421.5%、C2H61.3%、C2H40.1%、
C3H80.5%、C3H60.4%、CH3OH3.7%、
C2H5OH50.7%、C2H5OC2H5微量、C2含酸素化
合物65.0%、CO24.2%、その他3.3%であつた。
長さ150mm)の上段にエタノール合成用触媒とし
てRh(1)−Ti(1)−Fe(0.3)Ir(0.5)/SiO2(カツコ
内は原子比、Rh4.7wt%)を0.5g、仕込んだ。
合成ガス反応に先立つてH2気流(300ml/min)
中400℃で1h還元処理を行つた。H2気流中で放冷
した後、室温にて合成ガス(H2/CO=1)に切
り替え反応温度260℃、反応圧力50Kg/cm2、流速
100ml/minで反応を行つた。反応開始1時間後
のCO転化率は6.3%であり、生成物の選択率(炭
素効率)はCH421.5%、C2H61.3%、C2H40.1%、
C3H80.5%、C3H60.4%、CH3OH3.7%、
C2H5OH50.7%、C2H5OC2H5微量、C2含酸素化
合物65.0%、CO24.2%、その他3.3%であつた。
比較例 3
固定床加圧流通式反応装の反応管(内径8mm、
長さ150mm)の上段にエタノール合成用触媒とし
てRh(1)−Ti(1)−Fe(0.3)Ir(0.5)/SiO2(カツコ
内は原子比、Rh4.7wt%)を0.5g、下段に脱水
用触媒としてγ−Al2O3を1.5gを仕込んだ。合成
ガス反応に先立つてH2気流(300ml/min)中
400℃で1h還元処理を行つた。H2気流中で放冷し
た後、室温にて合成ガス(H2/CO=1)に切り
替え反応温度260℃、反応圧力50Kg/cm2、流速100
ml/minで反応を行つた。反応開始1時間後の
CO転化率は6.2%であり、生成物の選択率(炭素
効率)はCH431.1%、C2H62.0%、C2H47.2%、
C3H80.5%、C3H63.2%、CH3OH4.5%、
C2H5OH17.7%、C2H5OC2H522.4%、C2含酸素化
合物41.1%、CO25.8%、その他4.4%であつた。
長さ150mm)の上段にエタノール合成用触媒とし
てRh(1)−Ti(1)−Fe(0.3)Ir(0.5)/SiO2(カツコ
内は原子比、Rh4.7wt%)を0.5g、下段に脱水
用触媒としてγ−Al2O3を1.5gを仕込んだ。合成
ガス反応に先立つてH2気流(300ml/min)中
400℃で1h還元処理を行つた。H2気流中で放冷し
た後、室温にて合成ガス(H2/CO=1)に切り
替え反応温度260℃、反応圧力50Kg/cm2、流速100
ml/minで反応を行つた。反応開始1時間後の
CO転化率は6.2%であり、生成物の選択率(炭素
効率)はCH431.1%、C2H62.0%、C2H47.2%、
C3H80.5%、C3H63.2%、CH3OH4.5%、
C2H5OH17.7%、C2H5OC2H522.4%、C2含酸素化
合物41.1%、CO25.8%、その他4.4%であつた。
比較例 4
固定床加圧流通式反応装の反応管(内径8mm、
長さ150mm)の上段にエタノール合成用触媒とし
てRh(1)−Ti(1)−Fe(0.3)Ir(0.5)/SiO2(カツコ
内は原子比、Rh4.7wt%)を0.5g、下段に脱水
用触媒としてH−ZSM−5を1.5gを仕込んだ。
合成ガス反応に先立つてH2気流(300ml/min)
中400℃で1h還元処理を行つた。H2気流中で放冷
した後、室温にて合成ガス(H2/CO=1)に切
り替え反応温度260℃、反応圧力50Kg/cm2、流速
100ml/minで反応を行つた。反応開始1時間後
のCO転化率は6.1%であり、生成物の選択率(炭
素効率)はCH423.3%、C2H61.4%、C2H40.5%、
C3H80.3%、C3H60.7%、CH3OH12.2%、
C2H5OH42.8%、C2H5OC2H5微量、C2含酸素化
合物55.6%、CO23.5%、その他2.6%であつた。
長さ150mm)の上段にエタノール合成用触媒とし
てRh(1)−Ti(1)−Fe(0.3)Ir(0.5)/SiO2(カツコ
内は原子比、Rh4.7wt%)を0.5g、下段に脱水
用触媒としてH−ZSM−5を1.5gを仕込んだ。
合成ガス反応に先立つてH2気流(300ml/min)
中400℃で1h還元処理を行つた。H2気流中で放冷
した後、室温にて合成ガス(H2/CO=1)に切
り替え反応温度260℃、反応圧力50Kg/cm2、流速
100ml/minで反応を行つた。反応開始1時間後
のCO転化率は6.1%であり、生成物の選択率(炭
素効率)はCH423.3%、C2H61.4%、C2H40.5%、
C3H80.3%、C3H60.7%、CH3OH12.2%、
C2H5OH42.8%、C2H5OC2H5微量、C2含酸素化
合物55.6%、CO23.5%、その他2.6%であつた。
比較例 5
固定床加圧流通式反応装の反応管(内径8mm、
長さ150mm)の上段にエタノール合成用触媒とし
てRh(1)−Ti(1)−Fe(0.3)Ir(0.5)/SiO2(カツコ
内は原子比、Rh4.7wt%)を0.5g、下段に脱水
用触媒としてH−ZSM−5を1.5gを仕込んだ。
合成ガス反応に先立つてH2気流(300ml/min)
中400℃で1h還元処理を行つた。H2気流中で放冷
した後、室温にて合成ガス(H2/CO=1)に切
り替え反応温度260℃、反応圧力50Kg/cm2、流速
100ml/minで反応を行つた。反応開始0.5時間後
のCO転化率は6.2%であり、生成物の選択率(炭
素効率)はCH466.0%、C2H64.6%、C2H41.8%、
C3H81.1%、C3H62.2%、CH3OH6.5%、
C2H5OH1.4%、C2H5OC2H5微量、C2含酸素化合
物5.1%、CO211.5%、その他1.2%であつた。
長さ150mm)の上段にエタノール合成用触媒とし
てRh(1)−Ti(1)−Fe(0.3)Ir(0.5)/SiO2(カツコ
内は原子比、Rh4.7wt%)を0.5g、下段に脱水
用触媒としてH−ZSM−5を1.5gを仕込んだ。
合成ガス反応に先立つてH2気流(300ml/min)
中400℃で1h還元処理を行つた。H2気流中で放冷
した後、室温にて合成ガス(H2/CO=1)に切
り替え反応温度260℃、反応圧力50Kg/cm2、流速
100ml/minで反応を行つた。反応開始0.5時間後
のCO転化率は6.2%であり、生成物の選択率(炭
素効率)はCH466.0%、C2H64.6%、C2H41.8%、
C3H81.1%、C3H62.2%、CH3OH6.5%、
C2H5OH1.4%、C2H5OC2H5微量、C2含酸素化合
物5.1%、CO211.5%、その他1.2%であつた。
比較例 6
固定床加圧流通式反応装の反応管(内径8mm、
長さ150mm)の上段にエタノール合成用触媒とし
てRh(1)−Ti(1)−Fe(0.3)Ir(0.5)/SiO2(カツコ
内は原子比、Rh4.7wt%)を0.5g、下段に脱水
用触媒としてモルデナイトを1.5gを仕込んだ。
合成ガス反応に先立つてH2気流(300ml/min)
中400℃で1h還元処理を行つた。H2気流中で放冷
した後、室温にて合成ガス(H2/CO=1)に切
り替え反応温度260℃、反応圧力50Kg/cm2、流速
100ml/minで反応を行つた。反応開始1時間後
のCO転化率は6.2%であり、生成物の選択率(炭
素効率)はCH450.9%、C2H67.5%、C2H40.0%、
C3H819.7%、C3H60.0%、CH3OH0.0%、
C2H5OH0.0%、C2H5OC2H5微量、C2含酸素化合
物微量、CO215.0%、その他6.9%であつた。
長さ150mm)の上段にエタノール合成用触媒とし
てRh(1)−Ti(1)−Fe(0.3)Ir(0.5)/SiO2(カツコ
内は原子比、Rh4.7wt%)を0.5g、下段に脱水
用触媒としてモルデナイトを1.5gを仕込んだ。
合成ガス反応に先立つてH2気流(300ml/min)
中400℃で1h還元処理を行つた。H2気流中で放冷
した後、室温にて合成ガス(H2/CO=1)に切
り替え反応温度260℃、反応圧力50Kg/cm2、流速
100ml/minで反応を行つた。反応開始1時間後
のCO転化率は6.2%であり、生成物の選択率(炭
素効率)はCH450.9%、C2H67.5%、C2H40.0%、
C3H819.7%、C3H60.0%、CH3OH0.0%、
C2H5OH0.0%、C2H5OC2H5微量、C2含酸素化合
物微量、CO215.0%、その他6.9%であつた。
Claims (1)
- 1 合成ガスからエタノールを合成するシリカ担
持多成分系ロジウム触媒とゼオライト触媒を組合
せた複合触媒により、合成ガスから一段でエチレ
ンを選択的に得る方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61102471A JPS62258328A (ja) | 1986-05-02 | 1986-05-02 | 合成ガスからのエチレンの選択的合成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61102471A JPS62258328A (ja) | 1986-05-02 | 1986-05-02 | 合成ガスからのエチレンの選択的合成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62258328A JPS62258328A (ja) | 1987-11-10 |
| JPH0468292B2 true JPH0468292B2 (ja) | 1992-11-02 |
Family
ID=14328363
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61102471A Granted JPS62258328A (ja) | 1986-05-02 | 1986-05-02 | 合成ガスからのエチレンの選択的合成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62258328A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008110302A (ja) * | 2006-10-30 | 2008-05-15 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | エチレン製造用触媒 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6333342A (ja) * | 1986-07-29 | 1988-02-13 | Agency Of Ind Science & Technol | 合成ガスからのエチレンの製造法 |
| JPH0665384B2 (ja) * | 1987-12-21 | 1994-08-24 | 日揮株式会社 | 触媒の再生方法 |
| JP2006116439A (ja) * | 2004-10-21 | 2006-05-11 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | エチレン製造用触媒およびこの触媒を用いるエチレンの製造方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DK144602C (da) * | 1979-12-18 | 1982-09-27 | Haldor Topsoe As | Fremgangsmaade til fremstilling af en gasblanding med hoejt indhold af c2-kulbrinter |
| JPS57159723A (en) * | 1981-03-30 | 1982-10-01 | Idemitsu Kosan Co Ltd | Selective preparation of lower unsaturated hydrocarbons |
| JPS60246329A (ja) * | 1984-05-21 | 1985-12-06 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 炭化水素の合成方法 |
| JPS6183134A (ja) * | 1984-09-28 | 1986-04-26 | Agency Of Ind Science & Technol | 不飽和炭化水素の製造法 |
-
1986
- 1986-05-02 JP JP61102471A patent/JPS62258328A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008110302A (ja) * | 2006-10-30 | 2008-05-15 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | エチレン製造用触媒 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62258328A (ja) | 1987-11-10 |
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|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |